JPH04314382A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、配線基板の製造方法に
関し、特に、半導体チップ等が所謂フェースダウン接合
方式で実装される配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】これまでの半導体チップの接合方式とし
ては、半導体チップを樹脂パッケージ内に封止して構成
したＩＣをプリント配線基板に接続するという方法が一
般的であった。しかし、プリント配線基板の配線パター
ンがファインピッチ化してくると、上記方法では、実装
密度が上がらないという問題がある。そこで、現在では
、直接半導体チップをプリント配線基板に接続すること
により、実装密度を向上させるようにしている。

【０００３】半導体チップを直接配線基板に接合させる
方式としては、金線を使用したワイヤボンディング法や
配線基板あるいは半導体チップにバンプを形成してこの
バンプを介して半導体チップを接続する方法（バンプ法
）がある。前者のワイヤボンディング法は、後者のバン
プ法に比べて作業性及び実装密度が劣ることから、今日
では、後者のバンプ法が実装密度を上げる技術として注
目されている。

【０００４】このバンプ法は、具体的には、半導体チッ
プのアクティブ面（表面）を下向きにして配線基板と向
い合わせ、更に双方の接続点をバンプを介して電気的に
接続させるというものである（フェースダウン接合方式
）。このバンプ法は、配線基板側にバンプを形成する方
法と半導体チップ自体にバンプを形成する方法とがある
が、前者の方法の場合、特別な半導体チップを形成する
必要がなく、従来の半導体チップが何の加工なしにその
まま使えるという利点がある。

【０００５】従来、配線基板にバンプを形成する方法と
しては、図５Ａに示すように、導体板２１上に薄めっき
層２２を形成したのち、該薄めっき層２２上にめっきレ
ジスト２３を形成する。その後、図５Ｂに示すように、
めっきレジスト２３の開口２３ａを通して露出する薄め
っき層２２をエッチング除去する。次に、図５Ｃに示す
ように、めっきレジスト２３の開口２３ａ内にバンプ層
２４及び配線層２５を埋め込む。その後、図６Ａに示す
ように、めっきレジスト２３を剥離したのち、配線層２
５を含む全面に樹脂層２６を形成する。そして、図６Ｂ
に示すように、導体板２１及び薄めっき層２２を剥離し
て、配線層２５が樹脂層２６内に埋め込まれ、かつ該配
線層２５上にバンプ層２４が形成された配線基板を得る
（特開昭６４−８４６９１号公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の形成方法は、めっきレジスト２３の開口２３ａを通
して露出する薄めっき層２２を除去し、その後、上記開
口２３ａ内にバンプ層２４及び配線層２５を形成するよ
うにしているため、通常では、配線層２５全面にバンプ
層２４が形成された形となる。バンプ層２４は、半導体
チップがマウントされる部分のみに形成されれば良いた
め、上記従来の方法の場合、配線層２５のみが形成され
る部分（以下、単に回路部と記す）と、バンプ層２４が
形成される部分とを区別して形成しなければならない。

【０００７】この場合、例えば、上記めっきレジスト２
３の開口２３ａ中、回路部となる部分に別のめっきレジ
ストを形成したのち、バンプ層２４を埋め込み、その後
、別のめっきレジストを除去して配線層２５を形成する
という工程が必要になる。しかし、最初のめっきレジス
ト２３に形成されている微細な開口２３ａから後工程で
形成された別のめっきレジストを完全に除去するには困
難性が伴う。

【０００８】また、別の方法として、全体にめっきを施
し、後工程で該めっきをエッチング除去するという方法
が考えられるが、このめっき用の金属として、エッチン
グが困難な金属を使うことができず、金めっきなどの使
用はできないことになる。また、バンプ層２４は、薄め
っき層２２の厚みに依存し、バンプ層２４を厚くするた
めに、薄めっき層２２を厚くすると、薄めっき層２２の
形成むらの発生や精度の劣化の原因となる。

【０００９】従って、従来の形成方法では、製造工程が
複雑になると共に、バンプの形状、厚みに制約が生じ、
配線基板へのバンプの形成が非常に面倒になるという不
都合がある。

【００１０】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、配線基板へのバンプ
の形成が容易で、しかも、バンプの形状、厚みを自由に
選択でき、信頼性のある半導体チップの接合を行わしめ
ることができると共に、製造工程の簡略化をも図ること
ができる配線基板の製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、導体板１上に
配線パターン６を形成したのち、配線パターン６を含む
全面に樹脂層７を被覆し、その後、導体板１を剥離して
、樹脂層７表面に配線パターン６を埋め込むようにした
配線基板の製造方法において、上記導体板１を剥離した
のち、レジストマスク９を形成し、その後、めっき層（
金めっき層１０及び薄膜銅めっき層２）によるバンプ１
１をレジストマスク９の開口９ａを通して選択的に形成
したのち、レジストマスク９を除去して配線パターン６
上にバンプ１１を残すようにする。

【００１２】

【作用】上述の本発明の製造方法によれば、導体板１上
に配線パターン６を形成したのち、配線パターン６を含
む全面に樹脂層７を被覆して、樹脂層７表面に配線パタ
ーン６を埋め込み、その後、導体板１を剥離した後、レ
ジストマスク９を形成し、その後、めっき層１０及び２
によるバンプ１１をレジストマスク９の開口９ａを通し
て選択的に形成したのち、レジストマスク９を除去して
配線パターン６上にバンプ１１を残すようにしたので、
従来のように、配線パターン形成用のめっきレジストの
開口内に別のめっきレジストを形成してバンプを形成し
なければならないという手間がなくなり、配線パターン
６上の所要位置にバンプ１１を容易に形成することがで
き、製造工程の簡略化を図ることができる。

【００１３】また、バンプ１１はレジストマスク９を介
して形成するため、バンプ１１の形状や厚みを自由に選
べ、立体形状についての自由度を得ることができ、しか
も、バンプ１１の形成をエッチングによらずにめっき転
写法によって形成することができるため、バンプ１１と
して金めっき層１０を用いることができ、半導体チップ
との接続特性を高めることができる。このことは、配線
基板の信頼性及び特性の向上につながる。

【００１４】

【実施例】以下、図１〜図４を参照しながら本発明の実
施例を説明する。図１は、本実施例に係るプリント配線
基板の製造方法を示す工程ブロック図、図２〜図４はそ
の製造工程図である。以下、その工程を図１〜図４に基
いて順次説明する。

【００１５】まず、図１のステップＳ１及び図２Ａに示
すように、所定の厚みを有するステンレス等の導体板１
を用意し、該導体板１の表面を研磨・洗浄する。

【００１６】次に、図１のステップＳ２及び図２Ｂに示
すように、上記導体板１に銅めっき処理を施して、導体
板１の一主面上に厚み数μｍ程度の薄膜の銅めっき層２
を形成する。

【００１７】次に、図１のステップＳ３及び図２Ｃに示
すように、上記薄膜銅めっき層２上に所定の厚みを有す
るドライフィルム３をラミネートする。

【００１８】次に、図１のステップＳ４及び図２Ｄに示
すように、上記ドライフィルム３に対し、露光・現像処
理を行って、配線パターンの逆パターンを有するドライ
フィルムによるレジストマスク４を形成する。

【００１９】次に、図１のステップＳ５及び図２Ｅに示
すように、レジストマスク４の開口４ａを通して露出す
る薄膜銅めっき層２を電極として高速の銅めっき処理を
施し、上記レジストマスク４の開口４ａ内に銅めっき層
５を選択的に形成する。

【００２０】次に、図１のステップＳ６及び図３Ａに示
すように、アルカリ溶液にて上記レジストマスク４を除
去することにより、導体板１上の薄膜銅めっき層２上に
、銅めっき層５による配線パターン６を形成する。

【００２１】次に、図１のステップＳ７に示すように、
配線パターン６の表面処理を行う。この表面処理は、後
工程で形成される樹脂層７との密着性を向上させるため
に、配線パターン６の表面を粗化する処理であり、例え
ば、粗面めっき処理が行われる。

【００２２】次に、図１のステップＳ８及び図３Ｂに示
すように、ホットプレス（加熱圧着）による例えばガラ
ス・エポキシ樹脂等の加熱硬化により、上記配線パター
ン６を含む全面に樹脂層７を形成・被覆し、更に加熱等
の方法で樹脂層を固化して配線パターンと一体化させる
。

【００２３】次に、図１のステップＳ９及び図３Ｃに示
すように、導体板１を剥離して下層の薄膜銅めっき層２
の全面を露出させる。

【００２４】次に、図１のステップＳ１０及び図３Ｄに
示すように、上記薄膜銅めっき層２上に所定の厚みを有
するドライフィルム８をラミネートする。

【００２５】次に、図１のステップＳ１１及び図４Ａに
示すように、上記ドライフィルム８に対し、露光・現像
処理を行って、バンプパターンの逆パターンを有するド
ライフィルムによるレジストマスク９を形成する。この
とき、上記ドライフィルム８の代わりにめっきレジスト
を形成した場合は、レーザあるいは機械的方法でパター
ニングを行う。

【００２６】次に、図１のステップＳ１２及び図４Ｂに
示すように、レジストマスク９の開口９ａを通して露出
する薄膜銅めっき層２を電極として金めっき処理を施し
、上記レジストマスク９の開口９ａ内に金めっき層１０
を選択的に形成する。

【００２７】次に、図１のステップＳ１３及び図４Ｃに
示すように、アルカリ溶液にて上記レジストマスク９を
除去したのち、露出する薄膜銅めっき層２を、上記金め
っき層１０をマスクとして選択的にエッチング除去する
ことにより、配線パターン６の所要位置に金めっき層１
０及び薄膜銅めっき層２によるバンプ１１を形成する。 これにより、樹脂層７表面に埋め込まれた配線パターン
６上の所要位置にバンプ１１が形成された本例に係るプ
リント配線基板を得る。

【００２８】上述のように、本例によれば、導体板１上
にレジストマスク４を介して配線パターン６を形成した
のち、配線パターン６を含む全面に樹脂層７を形成して
、樹脂層７表面に配線パターン６を埋め込み、その後、
導体板１を剥離した後、レジストマスク９を形成し、そ
の後、金めっき層１０及び薄膜銅めっき層２によるバン
プ１１をレジストマスク９の開口９ａを通して選択的に
形成したのち、レジストマスク９を除去して配線パター
ン６上にバンプ１１を残すようにしたので、従来のよう
に、配線パターン形成用のめっきレジストの開口内に別
のめっきレジストを形成してバンプを形成しなければな
らないという手間がなくなり、配線パターン６上の所要
位置にバンプ１１を容易に形成することができる。

【００２９】また、バンプ１１はレジストマスク９を介
して形成するため、バンプ１１の形状や厚みを自由に選
べ、立体形状についての自由度を得ることができ、しか
も、バンプ１１の形成をエッチングによらずにめっき転
写法によって形成することができるため、バンプ１１と
して金めっき層１０を用いることができ、半導体チップ
との接続特性を高めることができる。

【００３０】従って、本例の配線基板の製造方法によれ
ば、配線基板の信頼性の向上及び特性の向上を図ること
ができると共に、製造工程の簡略化をも図ることができ
る。

【００３１】また、配線パターン６は、通常のめっき転
写法によるプリント配線基板の製造方法と同様の工程に
て形成されるため、配線パターン６の形成時にサイドエ
ッチング的な現象は生じず、配線パターン６のファイン
ピッチ化を達成させることができ、しかも、平滑基板が
形成できるため、実装が非常に容易になる。また、それ
に加えて、配線パターン６が樹脂層７表面に埋め込まれ
るため、バンプ１１の形成時における配線パターン６へ
の影響はほとんどない。

【００３２】また、両面基板、多層基板の場合も、バン
プ形成面の裏面は原則として平滑面であり、フィルムに
しろ、塗膜によるマスキングにしろ、処理はきわめて容
易である。

【００３３】

【発明の効果】本発明に係る配線基板の製造方法によれ
ば、配線基板へのバンプの形成が容易で、しかも、バン
プの形状、厚みを自由に選択でき、信頼性のある半導体
チップの接合を行わしめることができると共に、製造工
程の簡略化をも図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例に係るプリント配線基板の製造方法を
示す工程ブロック図。

【図２】本実施例に係るプリント配線基板の製造方法を
示す製造工程図（その１）。

【図３】本実施例に係るプリント配線基板の製造方法を
示す製造工程図（その２）。

【図４】本実施例に係るプリント配線基板の製造方法を
示す製造工程図（その３）。

【図５】従来例に係るプリント配線基板の製造方法を示
す製造工程図（その１）。

【図６】従来例に係るプリント配線基板の製造方法を示
す製造工程図（その２）。

【符号の説明】

１　　導体板 ２　　薄膜銅めっき層 ４及び９　　レジストマスク ６　　配線パターン ７　　樹脂層 １１　　バンプ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　導体板上に配線パターンを形成したの
   ち、該配線パターンを含む全面に樹脂層を被覆し、その
   後、上記導体板を剥離して、上記樹脂層表面に上記配線
   パターンを埋め込むようにした配線基板の製造方法にお
   いて、上記導体板を剥離したのち、レジストマスクを形
   成し、その後、めっき層によるバンプを該レジストマス
   クの開口を通して選択的に形成したのち、上記レジスト
   マスクを除去して上記配線パターン上に上記バンプを残
   すことを特徴とする配線基板の製造方法。