JP2000357704A

JP2000357704A - バンプ形成方法

Info

Publication number: JP2000357704A
Application number: JP2000019861A
Authority: JP
Inventors: Toru Mori; 徹森; Teruhiko Adachi; 輝彦足立
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1999-04-16
Filing date: 2000-01-28
Publication date: 2000-12-26

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体部品端子（ＬＳＩチップ端子またはＣ
ＳＰ端子）にバンプを形成させる際に、バンプ高さの均
一性と平滑性を改良することを課題とする。【解決手段】半導体部品端子へのバンプ形成方法にお
いて、半導体部品端子を有する基材上に感光性樹脂積層
体を熱圧着、露光、現像した後、端子に相当するレジス
ト部分を除去し、得られた開孔部にめっきを行うことに
よってバンプを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はバンプの形成方法、
特に、半導体部品端子（ＬＳＩチップ端子またはＣＳＰ
端子）にバンプを形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】バンプとは、半導体部品端子と配線板を
接続する際に、接続を容易にするために設けられた小さ
なこぶ状の導体の突起をいう。ＬＳＩチップと搭載する
基板を直接接合する場合をベアチップ実装と呼ぶが、こ
の場合、ＬＳＩチップ端子にバンプを形成する。また、
ＬＳＩチップをいったん有機樹脂等で封止したパッケー
ジと搭載する基板を接続する場合には、パッケージ端子
にバンプを形成する。

【０００３】ＣＳＰ(Chip Size Package)とは、ＬＳ
Ｉチップをパッケージ化された部品で、一般にＬＳＩチ
ップサイズと同等あるいはわずかに大きいパッケージの
ことであり、最近の電子機器の小型化に伴い急速に普及
している。ＣＳＰには、パッケージのタイプにより、Ｂ
ＧＡ（Ball Grid Array）タイプ、ＬＧＡ（Land Gri
d Array）タイプ、ＳＯＮ（Small Outline Non-lead
ed）タイプ等がある。近年、ＬＳＩチップまたはＣＳＰ
上の端子の微細化がすすみ、端子自身や対応する基板パ
ッドのピッチが小さくなった。その結果、接続の信頼性
を得るためにバンプ高さを高くすることが望まれるよう
になった。また、ソルダリングによる接続ではブリッジ
等の不良が発生する頻度が増えてきたため、端子間やパ
ッド間がショートしにくい接続方法が望まれるようにな
った。

【０００４】しかしながら、従来の液状レジストによる
めっき法の場合、バンプ高さが高くなるとレジストの厚
みが薄いためバンプ形状がキノコ状となり、上部がふく
らむために微細ピッチのバンプ形成の場合、近接するバ
ンプがショートしやすいという問題があった。また、ス
タッドバンプ法によるバンプの場合、高さが不揃いであ
るため、接続の信頼性に劣るという問題があった。一
方、ソルダリングの代わりに液状接着剤（ＮＣＰ）、フ
ィルム状接着剤（ＮＣＦ）、異方導電性ペースト（ＡＣ
Ｐ）、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）等の材料を用い
て、ＬＳＩチップまたはＣＳＰ端子のバンプと基材を
熱圧着して接続する方法が検討されている。

【０００５】上記のようなソルダリングを用いない接続
工法は、部品に圧力をかけて基材に圧接するため個々の
バンプ底部の平滑性が必要とされる。しかしながら、こ
の要求に対しても従来の方法によるバンプでは不十分で
あった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体部品
端子（ＬＳＩチップ端子やＣＳＰ端子を指す）にバンプ
を形成させる際に、バンプ高さの均一性と平滑性を改良
することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決すべく
鋭意検討を重ねた結果、レジストとして感光性樹脂積層
体を用い、端子に相当するレジスト部分を除去し、得ら
れた開孔部にめっきを行うことによってバンプを作るこ
とにより、バンプ高さが十分に高く、均一で、上部形状
の平滑性に優れたものが得られることを見出し、本発明
に至った。即ち、本発明は、半導体部品端子へのバン
プ形成方法において、基材上に感光性樹脂積層体を熱圧
着、露光、現像した後、端子に相当するレジスト部分を
除去し、得られた開孔部にめっきを行うことによってバ
ンプを形成することを特徴とする半導体部品端子へのバ
ンプ形成方法を提供する。

【０００８】本発明に用いられる感光性樹脂積層体は、
支持層と感光性樹脂組成物からなるもので、一般に支持
フィルム上に感光性樹脂組成物を積層し、多くの場合、
さらに該組成物上に保護用のフィルムが積層される。本
発明におけるバンプ形成は、以下のように行われる。ま
ず、保護フィルムがある場合には、感光性樹脂積層体か
ら保護フィルムを剥離した後、加熱された１対のロール
により熱圧着（ラミネート）することで基材表面にレジ
スト膜を形成させる。ここで用いられる熱圧着装置（ラ
ミネーターという）、加熱ロールが２対以上ある多段式
ラミネーターやロール部雰囲気を減圧にしたいわゆる真
空ラミネーターが挙げられ、本発明に利用できる。加熱
ロールの温度は４０〜１６０℃、好ましくは６０℃〜１
２０℃である。

【０００９】本発明に用いられる基材には、個々のＬＳ
ＩチップやＣＳＰも含まれるが、シリコンウエーハがよ
り好ましい。ＬＳＩチップだけでなく、近年ＣＳＰもシ
リコンウエーハ上で裁断する前に一括して配線および外
部端子を作り、必要であれば有機樹脂で封止することに
よりＣＳＰの部品集合体にしてから、個々の部品として
裁断する方法が採られ始めているが、このようなシリコ
ンウエーハ上のＣＳＰ集合体に適応することがより好ま
しい。

【００１０】ＬＳＩチップやＣＳＰの表面は一般に端子
以外を有機樹脂により保護されており、さらにめっきを
かけるためにスパッタリング等の方法で全面に下地金属
層が設けられている場合が多い。ラミネート後の感光性
樹脂積層体は、支持体のついたままかあるいは支持体を
剥離した後に、所望の配線が得られるように作られたマ
スクを介して化学線により露光する。化学線としては、
Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、２
００〜５００ｎｍの波長のものが好ましい。化学線の当
たった部分の感光性樹脂は硬化する。

【００１１】露光装置としては、超高圧水銀灯を光源と
した散乱露光機、平行露光機等が使用される。また、Ｌ
ＳＩの製造で一般的なマスクアライナ、ステッパーも使
用できる。フィルターにより単色化された紫外線による
露光も可能である。また、露光した後速やかにウエーハ
を加熱する工程（ＰＥＢ：Post ExposureBake）を行っ
ても良い。ＰＥＢ工程により硬化レジストのウエーハと
の密着性が向上する。加熱温度は５０〜１００℃、加熱
時間は３０秒〜１０分が好ましい。

【００１２】露光後のレジストは無機または有機アルカ
リ液により現像する。その結果、未露光部分が溶解除去
され、露光部分のみに硬化レジストが残る。ここで用い
られる現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸
ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチル
アミン、ｎ−プロピルアミン等の第１アミン類、ジエチ
ルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第２アミン類、
トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第３アミ
ン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
等の第４級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液等が
挙げられる。ウエーハに残る微量の無機アルカリイオン
（ナトリウムイオン、カリウムイオン）がＣＳＰの性能
に影響を及ぼす場合は、有機アルカリ液の使用が好まし
い。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音
波等の方式が可能である。

【００１３】これに電解金属めっきを行うことによっ
て、レジストが無い部分に所望の厚みの金属を析出させ
バンプを形成させる。金属としては、銅、ニッケル、ク
ロム、金、はんだ等が挙げられる。この場合、所望のめ
っき厚みに対して同等またはより厚いレジストが必要と
なる。感光性樹脂層の厚みは露光、現像後の硬化レジス
トの厚みとほぼ等しいため、めっき厚みに対して同等ま
たはより厚い感光性樹脂積層を有する感光性樹脂積層体
を使用する。

【００１４】上述のようにして導体配線を形成した後、
硬化レジストを無機または有機アルカリ液により剥離除
去する。一般に現像液に比べてアルカリ性が強く、液温
度を高い条件で剥離する。ここで用いられる剥離液とし
ては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アン
モニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロ
ピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ
−プロピルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミ
ン、メチルジエチルアミン等の第３アミン類、２−アミ
ノエタノール、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒド
ロキシド等の第４級アンモニウム塩等のアルカリ類の水
溶液およびこれにメタノール、エタノール、ジメチルス
ルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムア
ミド等の有機溶剤を適量含んだ水溶液が挙げられる。ウ
エーハに残る微量の無機アルカリイオン（ナトリウムイ
オン、カリウムイオン）がＣＳＰの性能に影響を及ぼす
場合は、有機アルカリ液の使用が好ましい。剥離方法と
しては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可
能である。

【００１５】硬化レジストの剥離後、フラッシュエッチ
ング、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチ
ング等の方法でウエーハ上の下地金属層を除去し、必要
なバンプのみを残す。次に本発明に用いられる感光性樹
脂積層体について、具体的に説明する。本発明に用いら
れる感光性樹脂積層体の感光性樹脂層には、アルカリ可
溶性ポリマー、重合性モノマーおよび光開始剤が含まれ
る。この感光性樹脂層には、必要に応じて染料、可塑
剤、発色剤、禁止剤、密着助剤等が含まれていてもよ
い。

【００１６】感光性樹脂層に含まれるアルカリ可溶性ポ
リマーとしては、下記の２種類の単量体の中より各々１
種またはそれ以上の単量体を用い、酸当量が100〜600に
なるように共重合させたものが好ましい。第１の単量体
は分子中に炭素−炭素二重結合等の重合性不飽和基を１
個有するカルボン酸である。このようなものとしては、
例えば、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、ク
ロトン酸、イタコン酸、マレイン酸半エステル等が挙げ
られる。

【００１７】また、第２の単量体は分子中に炭素−炭素
二重結合等の重合性不飽和基を有する非酸性単量体であ
り、感光性樹脂層の現像性、エッチング工程での耐性、
硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ば
れる。このようなものとしては、例えば、（メタ）アク
リル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）ア
クリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メ
タ）アクリル酸2-エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸
2-ヒドロキシエチル等の（メタ）アクリル酸アルキル
類、（メタ）アクリル酸ベンジル、酢酸ビニル等のビニ
ルアルコールのエステル類、スチレンまたは重合可能な
スチレン誘導体および（メタ）アクリロニトリル等が挙
げられる。

【００１８】感光性樹脂層に含まれるアルカリ可溶性ポ
リマーの重量平均分子量は、２万〜20万が好ましい。こ
の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）により標準ポリスチレンの検量
線を用いて測定した値である。また、感光性樹脂層に含
有されるアルカリ可溶性ポリマーの量は、５〜９０重量
％の範囲であり、好ましくは３０〜７０重量％である。

【００１９】感光性樹脂層に含まれる重合性モノマーと
しては、末端エチレン性不飽和基を１個以上有する不飽
和化合物が用いられる。その例として、２−ヒドロキシ
−３−フェノキシプロピルアクリレート、フェノキシテ
トラエチレングリコールアクリレート、β−ヒドロキシ
プロピル−β’−（アクロイルオキシ）プロピルフタレ
ート、１，４−テトラメチレングリコールジ（メタ）ア
クリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アク
リレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）
アクリレート、オクタプロピレングリコールジ（メタ）
アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、２
−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）ア
クリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ポ
リオキシプロピルトリメチロールプロパントリ（メタ）
アクリレート、ポリオキシエチルトリメチロールプロパ
ントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパン
トリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビ
スフェノールＡジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリ
レート、イソシアヌル酸のエチレンオキサイド変性（メ
タ）アクリレート、ジアリルフタレート、ポリエチレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレング
リコールジ（メタ）アクリレート、ビス（ポリエチレン
グリコール（メタ）アクリレート）ポリプロピレングリ
コール、４−ノルマルオクチルフェノキシペンタプロピ
レングリコールアクリレート等がある。また、ヘキサメ
チレンジイソシアナート、トリレンジイソシアナートな
どの多価イソシアナート化合物と、２−ヒドロキシプロ
ピル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシアクリレー
ト化合物とのウレタン化反応物などをあげることができ
る。

【００２０】感光性樹脂層中に含有される重合性モノマ
ーの量は、５〜８０重量％の範囲であり、好ましくは２
０〜５５重量％である。感光性樹脂層に含まれる光開始
剤としては、化学線によりラジカルを発生させる物質が
用いられ、具体的には、ベンジルジメチルケタール、ベ
ンジルジエチルケタール、ベンジルジプロピルケター
ル、ベンジルジフェニルケタール、ベンゾインメチルエ
ーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインピロピ
ルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、２、４、５
−トリアリールイミダゾリル二量体、ベンゾフェノン、
９−フェニルアクリジン等のアクリジン類、α、α−ジ
メトキシ−α−モルホリノ−メチルチオフェニルアセト
フェノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルホスフォ
ンオキシド、フェニルグリシン、２−ベンジル−２−ジ
メチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ーブ
タノン−１、ｐ−アミノベンゾフェノン、ｐ−ブチルア
ミノフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ
−ジメチルアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビス（エ
チルアミノ）ベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビス（ジメチ
ルアミノ）ベンゾフェノン［ミヒラーズケトン］、ｐ，
ｐ’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ｐ，
ｐ’−ビス（ジブチルアミノ）ベンゾフェノン、チオキ
サントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−
ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサン
トン、４−イソプロピルチオキサントン、２，４ージイ
ソプロピルチオキサントン、２−フルオロチオキサント
ン、４−フルオロチオキサントン、２−クロロチオキサ
ントン、４−クロロチオキサントン、１−クロロ−４−
プロポキシチオキサントン、ｐ−ジメチル安息香酸、ｐ
−ジエチル安息香酸及びｐ−ジイソプロピル安息香酸及
びこれらと下記のアルコールのエステル化物を使用する
ことができる。

【００２１】このようなアルコールとしては、メチルア
ルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチル
アルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブ
チルアルコール、ｎ−アミルアルコール、イソアミルア
ルコール、ヘキシルアルコール、オクチルアルコール等
がある。さらに１−フェニル−１、２−プロパンジオン
−２−o−ベンゾイルオキシム、２，３−ジオキソ−３
−フェニルプロピオン酸エチル−２−（O−ベンゾイル
カルボニル）−オキシム等のオキシムエステル類があ
る。

【００２２】感光性樹脂層に含まれる光開始剤の好まし
い含有量は０．０１〜２０重量％である。感光性樹脂層
の厚みは、必要な配線の厚みに対応して調整されるが、
通常、１０〜３００μｍであり、好ましくは２０〜２０
０μｍであり、さらに好ましくは３０〜１５０μｍであ
る。感光性樹脂積層体に用いられる支持体としては、紫
外線に対して透明性の高いポリマーフィルムが用いられ
る。このようなフィルムとしては、例えば、ポリエチレ
ンテレフテレートフィルム、ポリエチレンナフタレート
フィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビ
ニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化
ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合体フィル
ム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリス
チレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチ
レン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロー
ス誘導体フィルム等が挙げられる。また、必要に応じこ
れらのフィルムが延伸されたものも使用可能である。

【００２３】さらに、感光性樹脂積層体に保護フィルム
を設ける場合、該保護フィルムと感光性樹脂層の密着力
が支持体と感光性樹脂層の密着力より小さい特性を有す
るフィルムが選ばれる。このようなフィルムとしては、
例えば、ポリエリレンフィルム、ポリプロピレンフィル
ム等が挙げられる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明をさら
に詳しく説明する。

【００２５】

【実施例１】５インチのシリコンウエーハ上にアネルバ
製スパッタリング装置により２０００オングストローム
厚みのクロム層を形成し、さらに２０００オングストロ
ームの銅層を形成させた。これに支持体として１６μｍ
厚みのポリエチレンテレフタレートフィルム、１００μ
ｍ厚みの感光性樹脂層および保護フィルムとして２３μ
ｍ厚みのポリエチレンフィルムを有する感光性樹脂積層
体を旭化成製ラミネーターＡＬ−７０により、保護フィ
ルムを剥がしながら、感光性樹脂層の面がシリコンウエ
ーハに密着するようにラミネートした。ラミネートはロ
ール温度を１００℃、圧力はエアー圧で３ｋｇ／ｃ
ｍ²、速度は１．５ｍ／分で行った。

【００２６】ここで用いた感光性樹脂積層体は、メチル
メタクリレート／メタクリル酸／エチルアクリレート＝
５５／２５／２０ｗｔ％で重量平均分子量が２０万のア
ルカリ可溶性ポリマーを６０重量部、重合性モノマーと
してジペンタエリスリトールヘキサアクリレートを３５
重量部、光開始剤として２、４、５−トリアリールイミ
ダゾリル二量体を４重量部とｐ，ｐ’−ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノン０．０５重量部および溶剤とし
てメチルエチルケトンを１００重量部を混合溶解した液
を、支持体にバーコーターを用いて塗布乾燥し、保護フ
ィルムをかぶせることにより調製した。感光性樹脂積層
体がラミネートされたウエーハに１００μｍ角の格子状
のマスクを置き、オーク社製平行光露光機ＨＭＷ−８０
１で２００ｍＪ／ｃｍ²露光した。

【００２７】支持体を剥がした後、３０℃の１％炭酸ナ
トリウム水溶液を１２０秒間スプレーし、未露光部分の
感光性樹脂層を現像除去し、全面に１００μｍ角の陥没
孔が存在するようなレジストパターンを形成させた。ウ
エーハ中央部および上下左右のウエーハ端部のレジスト
膜厚を非接触厚み計により測定した。この評価を「レジ
スト厚み評価」と称する。レジスト厚み評価の結果、レ
ジスト厚みは１００±１μｍの範囲だった。レジストが
形成されたウエーハを、３０℃の酸性クリーナー（アト
テックジャパン製ＦＲＸ）に３分間浸漬することで脱脂
を行った後、はんだめっき液（メルテックス社製プル
ティンＬＡホウフッ化はんだ浴）中で３時間電解はんだ
めっきした。電流密度は１．５Ａ／ｄｍ²になるように
調整した。

【００２８】めっき後のウエーハを５０℃の３％水酸化
ナトリウム水溶液に１０分間浸漬してレジストを剥離し
た。ウエーハ中央部および上下左右のウエーハ端部のは
んだめっきの高さを非接触厚み計により測定した。この
評価を「めっき高評価」と称する。めっき高評価の結
果、めっき高さは９０±５μｍの範囲であり、バンプ底
面はすべて平滑だった。

【００２９】

【実施例２】５インチのシリコンウエーハ上にアネルバ
製スパッタリング装置により２０００オングストローム
厚みのクロム層を形成し、さらに２０００オングストロ
ームのニッケル層を形成させた。これに実施例１と同じ
感光性樹脂積層体を実施例１と同じ方法でラミネートし
た。感光性樹脂積層体がラミネートされたウエーハに１
００μｍ角の格子状のマスクを置き、オーク社製平行光
露光機ＨＭＷ−８０１で２００ｍＪ／ｃｍ²露光した。
支持体を剥がした後、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶
液を１２０秒間スプレーし、未露光部分の感光性樹脂層
を現像除去し、全面に１００μｍ角の陥没孔が存在する
ようなレジストパターンを形成させた。

【００３０】レジスト厚み評価の結果、レジスト厚みは
１００±１μｍの範囲だった。レジストが形成されたウ
エーハを、３０℃の酸性クリーナー（アトテックジャパ
ン製ＦＲＸ）に３分間浸漬することで脱脂を行った後、
硫酸銅めっき液（メルテックス社製カパーグリーム１２
５）中で６時間電解銅めっきした。電流密度は２Ａ／ｄ
ｍ²になるように調整した。めっき後のウエーハを５０
℃の３％水酸化ナトリウム水溶液に１０分間浸漬してレ
ジストを剥離した。めっき高評価の結果、めっき高さは
９０±５μｍの範囲であり、バンプ底面はすべて平滑だ
った。

【００３１】

【実施例３】５インチのシリコンウエーハ上に日本真空
製スパッターにより２０００オングストローム厚みのク
ロム層を形成し、さらに２０００オングストロームの銅
層を形成させた。これに実施例１と同じ感光性樹脂積層
体を旭化成製ラミネーターＡＬ−７０により、保護フィ
ルムを剥がしながら、感光性樹脂層の面がシリコンウエ
ーハに密着するようにラミネートした。ラミネートはロ
ール温度を１００℃、圧力はエアー圧で３．５ｋｇ／ｃ
ｍ²、速度は１．０ｍ／分で行った。感光性樹脂積層体
がラミネートされたウエーハに１００μｍ角の格子状の
マスクを置き、キャノン社製マスクアライナＰＬＡ−５
０１Ｆで１１秒露光した。露光機の照度を測定したとこ
ろ、６．３ｍＷ／ｃｍ²であり、計算すると７０ｍＪ／
ｃｍ²の露光量となった。露光後すぐに８０℃に熱せら
れたホットプレート上で、２分間露光後ベークを行っ
た。

【００３２】支持体を剥がした後、３０℃の２．３８％
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて
パドル現像した。パドル現像の現像時間の合計は２４０
秒間だった。その結果、未露光部分の感光性樹脂層を現
像除去され、全面に１００μｍ角の陥没孔が存在するよ
うなレジストパターンを形成させた。レジスト厚み評価
の結果、レジスト厚みは１２０±１μｍの範囲だった。
レジストが形成されたウエーハを、はんだめっき液（メ
ルテックス社製プルティンＬＡホウフッ化はんだ浴）中
で３時間電解はんだめっきした。電流密度は１．５Ａ／
ｄｍ²になるように調整した。

【００３３】めっき後のウエーハを５０℃のアルカリ剥
離液に１０分間浸漬してレジストを剥離した。アルカリ
剥離液は、メルテックス社製フィルムストリップ５００
の１０％水溶液を用いた。めっき高評価の結果、めっき
高さは１００±５μｍの範囲であり、バンプ底面はすべ
て平滑だった。

【００３４】

【比較例１】５インチのシリコンウエーハ上にアネルバ
製スパッタリング装置により２０００オングストローム
厚みのクロム層を形成し、さらに２０００オングストロ
ームの銅層を形成させた。これに液状レジストとして東
京応化工業製ＰＭＥＲ（ポジ型）をミカサ製スピンコー
ターで１８００ｒｐｍ、４秒で塗布した後、１１０℃の
オーブンで５分乾燥した。塗布厚みを測定したところ約
２０μｍだったので、前記塗布乾燥操作を５回繰り返し
た。

【００３５】液状レジストが塗布されたウエーハに１０
０μｍ角の格子状のマスクを置き、オーク社製平行光露
光機ＨＭＷ−８０１で３０００ｍＪ／ｃｍ²露光した。
２３℃のＰ−５Ｇ原液に１５分間浸漬し、露光部分のレ
ジストを現像除去し、全面に１００μｍ角の陥没孔が存
在するようなレジストパターンを形成させた。レジスト
厚み評価の結果、レジスト厚みは９０±１５μｍの範囲
であり、厚みのばらつきが大きかった。

【００３６】レジストが形成されたウエーハを、１１０
℃、３分間ポストベークした後、３０℃の酸性クリーナ
ー（アトテックジャパン製ＦＲＸ）に３分間浸漬するこ
とで脱脂を行った後、はんだめっき液（メルテックス社
製プルティンＬＡホウフッ化はんだ浴）中で６時間電解
はんだめっきした。電流密度は１．５Ａ／ｄｍ²になる
ように調整した。めっき後のウエーハを５０℃の剥離液
ＰＳに浸漬１０分間してレジストを剥離した。めっき高
評価の結果、めっき形状がきのこ状になったため、めっ
き高さは９０±１５μｍの範囲と大きかった。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のバンプの
形成方法は、ＬＳＩチップ端子またはＣＳＰ端子など
の半導体部品端子にバンプを形成させる際に、バンプめ
っき用のレジストの形成の工程が短縮され、レジスト膜
厚も均一に施され、さらに導体めっき高さおよび平滑性
の点で品質が向上するため、バンプの形成方法として極
めて有効である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体部品端子へのバンプ形成方法にお
いて、基材上に感光性樹脂積層体を熱圧着、露光、現像
した後、端子に相当するレジスト部分を除去し、得られ
た開孔部にめっきを行うことによってバンプを形成する
ことを特徴とする半導体部品端子へのバンプ形成方法。