JP2000031612A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JP2000031612A JP2000031612A JP10194859A JP19485998A JP2000031612A JP 2000031612 A JP2000031612 A JP 2000031612A JP 10194859 A JP10194859 A JP 10194859A JP 19485998 A JP19485998 A JP 19485998A JP 2000031612 A JP2000031612 A JP 2000031612A
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- Japan
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- wiring pattern
- wiring
- pattern
- metal plating
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】十分な強度を確保し、なおかつ細密ピッチに対
応する。 【解決手段】基板上に接着した薄い銅箔を用い配線パタ
ーンをエッチング形成した後、配線パターン上に金属メ
ッキ層を形成することにより、細密ピッチの配線パター
ンを形成し、なおかつ厚みを銅箔より厚くすることによ
り、機械的強度を増した配線基板を得る。
応する。 【解決手段】基板上に接着した薄い銅箔を用い配線パタ
ーンをエッチング形成した後、配線パターン上に金属メ
ッキ層を形成することにより、細密ピッチの配線パター
ンを形成し、なおかつ厚みを銅箔より厚くすることによ
り、機械的強度を増した配線基板を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線パターンを有
する基板に関するものであって、更に詳しくは、配線パ
ターン上に配線パターンの厚みの１／３倍から３倍の厚
みの金属メッキを施した配線基板に関するものである。
する基板に関するものであって、更に詳しくは、配線パ
ターン上に配線パターンの厚みの１／３倍から３倍の厚
みの金属メッキを施した配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、例えばＴＣＰ（テープ キャリア
パッケージ）やＣＳＰ（チップ サイズ パッケー
ジ）等の半導体装置において、配線パターンのピッチが
細密化および狭ピッチ化され、ＴＣＰやＣＳＰに用いら
れている配線パターンにおいては、１００μｍピッチ以
下の配線パターンが実用化されている。従来、１００μ
ｍ以上のピッチにおいて多く用いられてきた３５μｍ厚
みの銅箔では、次のような不具合があった。図５，図６
は、従来例による不具合を説明するために模式的に示し
た断面図であり、１０１は、ガラスエポキシキやポリイ
ミドによる基板、１０２ａ，１０２ｂは、銅箔をフォト
エッチング加工した配線パターン、Ａは配線パターン１
０２ａ，１０２ｂの上面幅、Ｐは配線パターン１０２ａ
と１０２ｂのピッチ、ｇは配線パターン１０２ａ，１０
２ｂ間の間隙。Ｈは配線パターン１０２ａ，１０２ｂの
厚み、をそれぞれ示す。図５に示すように、ピッチＰが
１００μｍ以下の場合、配線パターン１０２ａ，１０２
ｂの上面幅Ａを確保すると、ａ部において配線パターン
１０２，１０３間がショートする不具合が生じる。また
図６に示した様に、配線パターン１０２ａ，１０２ｂ間
の間隙ｇを確保すると、配線パターン上面の幅Ａを確保
することができない。このため、３５μｍ厚みの銅箔を
１００μｍ以下の細密ピッチに用いることが困難であ
り、通常２５μｍまたは、１８μｍ厚みの薄い銅箔を用
いている。しかしながら、２５，１８μｍの厚みの銅箔
では、３５μｍ厚みの銅箔に比べ薄いために配線パター
ンの強度が格段に低く、熱応力や機械的曲げの力によ
り、容易に破損・断線する不具合が生じていた。
パッケージ）やＣＳＰ（チップ サイズ パッケー
ジ）等の半導体装置において、配線パターンのピッチが
細密化および狭ピッチ化され、ＴＣＰやＣＳＰに用いら
れている配線パターンにおいては、１００μｍピッチ以
下の配線パターンが実用化されている。従来、１００μ
ｍ以上のピッチにおいて多く用いられてきた３５μｍ厚
みの銅箔では、次のような不具合があった。図５，図６
は、従来例による不具合を説明するために模式的に示し
た断面図であり、１０１は、ガラスエポキシキやポリイ
ミドによる基板、１０２ａ，１０２ｂは、銅箔をフォト
エッチング加工した配線パターン、Ａは配線パターン１
０２ａ，１０２ｂの上面幅、Ｐは配線パターン１０２ａ
と１０２ｂのピッチ、ｇは配線パターン１０２ａ，１０
２ｂ間の間隙。Ｈは配線パターン１０２ａ，１０２ｂの
厚み、をそれぞれ示す。図５に示すように、ピッチＰが
１００μｍ以下の場合、配線パターン１０２ａ，１０２
ｂの上面幅Ａを確保すると、ａ部において配線パターン
１０２，１０３間がショートする不具合が生じる。また
図６に示した様に、配線パターン１０２ａ，１０２ｂ間
の間隙ｇを確保すると、配線パターン上面の幅Ａを確保
することができない。このため、３５μｍ厚みの銅箔を
１００μｍ以下の細密ピッチに用いることが困難であ
り、通常２５μｍまたは、１８μｍ厚みの薄い銅箔を用
いている。しかしながら、２５，１８μｍの厚みの銅箔
では、３５μｍ厚みの銅箔に比べ薄いために配線パター
ンの強度が格段に低く、熱応力や機械的曲げの力によ
り、容易に破損・断線する不具合が生じていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の配線基板におい
ては、細密ピッチ化した場合、薄い銅箔を用いなければ
ならず、その為、機械的強度が弱く、容易に破損する不
具合があった。
ては、細密ピッチ化した場合、薄い銅箔を用いなければ
ならず、その為、機械的強度が弱く、容易に破損する不
具合があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためのものであって、請求項１あるいは請求項
２あるいは請求項３記載の配線基板では、配線パターン
が少なくとも一方の面側に設けられた基板において、前
記配線パターン上に金属メッキが施され、前記金属メッ
キの厚みと配線パターンの厚みとの比率が、３：１から
１：３の範囲内である事を特徴とする。このような配線
基板をもちいれば、細密な配線パターンを形成できると
共に、機械的強度を十分持たせることが出来る。
解決するためのものであって、請求項１あるいは請求項
２あるいは請求項３記載の配線基板では、配線パターン
が少なくとも一方の面側に設けられた基板において、前
記配線パターン上に金属メッキが施され、前記金属メッ
キの厚みと配線パターンの厚みとの比率が、３：１から
１：３の範囲内である事を特徴とする。このような配線
基板をもちいれば、細密な配線パターンを形成できると
共に、機械的強度を十分持たせることが出来る。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による配線基板の
一実施例を概念的に示す断面図である。図中の記号につ
いて説明を加えると、１はガラスエポキシやポリイミド
による基板であり、２ａおよび２ｂは基板１上に貼り付
けた銅箔をエッチング形成した配線パターンであり、３
ａおよび３ｂは配線パターン上に電気メッキにより析出
形成した金属メッキ層であり、Ｐは配線パターンのピッ
チであり、Ａは金属メッキ層３ａ，３ｂを施した配線パ
ターン２ａ，２ｂの上面の幅であり、ｇは配線パターン
２ａと配線パターン２ｂの間隙であり、ｈは配線パター
ン２ａ，２ｂの厚みであり、ｄは、金属メッキ層３ａお
よび３ｂの厚みであり、Ｈは金属メッキ層３ａ，３ｂを
施した配線パターン２ａ，２ｂの金属メッキ層３ａ，３
ｂを含む厚みである。
一実施例を概念的に示す断面図である。図中の記号につ
いて説明を加えると、１はガラスエポキシやポリイミド
による基板であり、２ａおよび２ｂは基板１上に貼り付
けた銅箔をエッチング形成した配線パターンであり、３
ａおよび３ｂは配線パターン上に電気メッキにより析出
形成した金属メッキ層であり、Ｐは配線パターンのピッ
チであり、Ａは金属メッキ層３ａ，３ｂを施した配線パ
ターン２ａ，２ｂの上面の幅であり、ｇは配線パターン
２ａと配線パターン２ｂの間隙であり、ｈは配線パター
ン２ａ，２ｂの厚みであり、ｄは、金属メッキ層３ａお
よび３ｂの厚みであり、Ｈは金属メッキ層３ａ，３ｂを
施した配線パターン２ａ，２ｂの金属メッキ層３ａ，３
ｂを含む厚みである。
【０００６】また、図２〜４は、図１の実施例を形成す
る過程を模式的に示した断面図であり、２は配線パター
ン２ａおよび２ｂを形成する為の銅箔であり、４はフォ
トレジストであり、４ａ，４ｂはフォトレジスト４を配
線パターン２ａ，２ｂに対応した形状に形成したフォト
レジストであり、ｅは配線パターン２ａと２ｂの間隙で
ある。
る過程を模式的に示した断面図であり、２は配線パター
ン２ａおよび２ｂを形成する為の銅箔であり、４はフォ
トレジストであり、４ａ，４ｂはフォトレジスト４を配
線パターン２ａ，２ｂに対応した形状に形成したフォト
レジストであり、ｅは配線パターン２ａと２ｂの間隙で
ある。
【０００７】本実施例による一例を図１〜４を用いて説
明する。
明する。
【０００８】図２において、ポリイミド製の基板１上に
接着剤を用いて厚みｈの銅箔２を貼り付ける。接着剤
は、本実施例に影響しないため、繁雑を避けるため、図
上では省略している。本実施例では、銅箔２の厚さｈ
は、図１のメッキ後の配線パターンの厚みＨの概ね１／
２とし、具体的には、１８μｍ厚みの銅箔を用いた。次
に銅箔２上にフォトレジスト４を１〜５μｍの厚みで塗
布し、乾燥させることにより、図２の形状を得た。
接着剤を用いて厚みｈの銅箔２を貼り付ける。接着剤
は、本実施例に影響しないため、繁雑を避けるため、図
上では省略している。本実施例では、銅箔２の厚さｈ
は、図１のメッキ後の配線パターンの厚みＨの概ね１／
２とし、具体的には、１８μｍ厚みの銅箔を用いた。次
に銅箔２上にフォトレジスト４を１〜５μｍの厚みで塗
布し、乾燥させることにより、図２の形状を得た。
【０００９】次に配線パターン２ａおよび２ｂの形状に
対応したフォトマスクを用い、フォトレジスト４を露光
および現像することにより、配線パターン２ａおよび２
ｂに対応したフォトレジスト４のパターン４ａおよび４
ｂを形成した。形成した形状を図３に示す。
対応したフォトマスクを用い、フォトレジスト４を露光
および現像することにより、配線パターン２ａおよび２
ｂに対応したフォトレジスト４のパターン４ａおよび４
ｂを形成した。形成した形状を図３に示す。
【００１０】次に銅箔のエッチング液として、酸化第二
鉄溶液に図３の形状に形成された配線基板を浸すことに
より、銅箔２はフォトレジスト４ａおよび４ｂに覆われ
ていない所からエッチング除去され、図４に示したよう
に配線パターン間のピッチＰ配線パターン２ａおよび２
ｂが形成される。
鉄溶液に図３の形状に形成された配線基板を浸すことに
より、銅箔２はフォトレジスト４ａおよび４ｂに覆われ
ていない所からエッチング除去され、図４に示したよう
に配線パターン間のピッチＰ配線パターン２ａおよび２
ｂが形成される。
【００１１】この時、配線パターン２ａと２ｂの間隙ｅ
は、後に述べる様にメッキ層３ａおよび３ｂを形成する
ことにより、間隙ｅより狭まることを見越し、図１の間
隙ｇに対し概ね、メッキ層３ａおよび３ｂの厚みｄを差
し引いた幅となるようにエッチング形成する。本実施例
においては、ｇ＝２０μｍ、ｄ＝１７μｍ、ｅ＝５４μ
ｍとした。
は、後に述べる様にメッキ層３ａおよび３ｂを形成する
ことにより、間隙ｅより狭まることを見越し、図１の間
隙ｇに対し概ね、メッキ層３ａおよび３ｂの厚みｄを差
し引いた幅となるようにエッチング形成する。本実施例
においては、ｇ＝２０μｍ、ｄ＝１７μｍ、ｅ＝５４μ
ｍとした。
【００１２】次に図４の様に形成した基板をアルカリ水
溶液や有機溶剤に浸し、フォトレジスト４ａおよび４ｂ
を溶解除去する。
溶液や有機溶剤に浸し、フォトレジスト４ａおよび４ｂ
を溶解除去する。
【００１３】次に電解メッキ法により配線パターン２ａ
および２ｂ上に金属メッキ層３ａおよび３ｂを形成す
る。本実施例では、メッキ層の厚みｄ＝１７μｍとし、
金属メッキ層として、銅メッキを用いた。この時の配線
パターン上面の幅Ａは、３５μｍであった。
および２ｂ上に金属メッキ層３ａおよび３ｂを形成す
る。本実施例では、メッキ層の厚みｄ＝１７μｍとし、
金属メッキ層として、銅メッキを用いた。この時の配線
パターン上面の幅Ａは、３５μｍであった。
【００１４】この時メッキ層３ａおよび３ｂの厚みを配
線パターン２ａおよび２ｂの厚みに比し著しく厚くした
場合には、メッキ層の応力により、クラックや断線等の
不具合が生じる場合がある。ちなみに、本実施例により
メッキ層の厚みｄと配線パターンの厚みｈとの比（ｄ／
ｈ）によりクラックの発生の有無を調べた結果は次の様
であった。
線パターン２ａおよび２ｂの厚みに比し著しく厚くした
場合には、メッキ層の応力により、クラックや断線等の
不具合が生じる場合がある。ちなみに、本実施例により
メッキ層の厚みｄと配線パターンの厚みｈとの比（ｄ／
ｈ）によりクラックの発生の有無を調べた結果は次の様
であった。
【００１５】 ｄ／ｈ クラック発生率 ０．５ ０／１０００ １．０ ０／１０００ ２．０ ０／１０００ ３．０ ０／１０００ ４．０ １／１０００ ５．０ ２／１０００ この結果より、メッキ層の厚みｄと配線パターンの厚み
ｈとの比（ｄ／ｈ）は、０．５から３．０の範囲が望ま
しい。
ｈとの比（ｄ／ｈ）は、０．５から３．０の範囲が望ま
しい。
【００１６】上記方法により、図１の構造を得た。
【００１７】このようにして形成された配線基板におい
ては、配線パターン間の間隙ｇを確保し、なおかつ配線
パターンの上面の幅Ａを確保することができる。
ては、配線パターン間の間隙ｇを確保し、なおかつ配線
パターンの上面の幅Ａを確保することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、配線パター
ンを有する基板において、細密ピッチの形成が可能な薄
い金属箔を用いてエッチング形成した後、異種あるいは
同種の金属メッキを配線パターン上に形成し、さらに金
属メッキの厚みと配線パターンの厚みとの比率を、３：
１から１：３の範囲とすることにより、細密ピッチの配
線パターンを形成するとともに、配線パターンの厚みを
厚くすることが可能となり、熱応力や機械的曲げに対
し、クラックや断線の発生を押さえることが出来る。さ
らに、配線パターンと同種の金属による金属メッキ層を
形成することにより、メッキの応力を緩和することがで
きる。さらには、金メッキ層を設けることにより、耐腐
食性を持たせ、電気的抵抗の低い配線基板を容易に得る
ことを可能とするものである。
ンを有する基板において、細密ピッチの形成が可能な薄
い金属箔を用いてエッチング形成した後、異種あるいは
同種の金属メッキを配線パターン上に形成し、さらに金
属メッキの厚みと配線パターンの厚みとの比率を、３：
１から１：３の範囲とすることにより、細密ピッチの配
線パターンを形成するとともに、配線パターンの厚みを
厚くすることが可能となり、熱応力や機械的曲げに対
し、クラックや断線の発生を押さえることが出来る。さ
らに、配線パターンと同種の金属による金属メッキ層を
形成することにより、メッキの応力を緩和することがで
きる。さらには、金メッキ層を設けることにより、耐腐
食性を持たせ、電気的抵抗の低い配線基板を容易に得る
ことを可能とするものである。
【図１】図１は本発明による配線基板の一実施例を概念
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図２】図２は本発明による配線基板の製造過程を概念
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図３】図３は本発明による配線基板の製造過程を概念
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図４】図４は本発明による配線基板の製造過程を概念
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図５】図５は従来例による配線基板の不具合を概念的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図６】図６は従来例による配線基板の不具合を概念的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
１．基板 ２．金属箔 ２ａ．配線パターン ２ｂ．配線パターン ３ａ．金属メッキ層 ３ｂ．金属メッキ層 ４．フォトレジスト ４ａ．フォトレジスト ４ｂ．フォトレジスト Ａ．配線パターンの上面の幅 Ｐ．配線パターンのピッチ ｅ．配線パターンの間隙 ｇ．金属メッキ層を含んだ配線パターンの間隙 ｄ．金属メッキ層の厚み ｈ．配線パターンの厚み Ｈ．金属メッキ層の厚みを含めた配線パターンの厚み １０１．基板 １０２ａ．配線パターン １０２ｂ．配線パターン
Claims (3)
- 【請求項１】配線パターンが少なくとも一方の面側に設
けられた基板において、前記配線パターン上に金属メッ
キが施され、前記金属メッキの厚みと配線パターンの厚
みとの比率が、３：１から１：３の範囲内である事を特
徴とする配線基板。 - 【請求項２】前記配線パターンが銅であり、前記金属メ
ッキがニッケルおよび金の２層により形成されてなる請
求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】前記配線パターンが銅であり、前記金属メ
ッキが前記配線パターンと同様に銅により形成されてな
る請求項１記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10194859A JP2000031612A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10194859A JP2000031612A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031612A true JP2000031612A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16331485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10194859A Withdrawn JP2000031612A (ja) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002344117A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Cmk Corp | 微細パターンの形成法 |
| WO2008087851A1 (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | フレキシブル基板及び半導体装置 |
-
1998
- 1998-07-09 JP JP10194859A patent/JP2000031612A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002344117A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Cmk Corp | 微細パターンの形成法 |
| WO2008087851A1 (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | フレキシブル基板及び半導体装置 |
| JP2008177402A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sharp Corp | フレキシブル基板及び半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20051004 |