JP2005129665A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高密度実装に対応した配線の狭ピッチ化を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子1の上に、1層目絶縁層4を形成するステップと、1層目絶縁層4の上に、部分的に2層目絶縁層10を形成するステップと、1層目絶縁層4および2層目絶縁層10の表面に、薄膜金属層5を形成するステップと、2層目絶縁層10を形成した箇所のうち、少なくとも一箇所に、薄膜金属層5を介し、めっきレジスト6を形成するステップと、めっきレジスト6が形成されていない領域に、パターンめっきにより、めっき金属層7を形成するステップと、めっきレジスト7を除去するステップと、2層目絶縁層10の上の薄膜金属層5を、エッチングにより除去し、薄膜金属層5およびめっき金属層7の少なくとも2層からなる配線を形成するステップとを含む。
【選択図】 図4
【解決手段】 半導体素子1の上に、1層目絶縁層4を形成するステップと、1層目絶縁層4の上に、部分的に2層目絶縁層10を形成するステップと、1層目絶縁層4および2層目絶縁層10の表面に、薄膜金属層5を形成するステップと、2層目絶縁層10を形成した箇所のうち、少なくとも一箇所に、薄膜金属層5を介し、めっきレジスト6を形成するステップと、めっきレジスト6が形成されていない領域に、パターンめっきにより、めっき金属層7を形成するステップと、めっきレジスト7を除去するステップと、2層目絶縁層10の上の薄膜金属層5を、エッチングにより除去し、薄膜金属層5およびめっき金属層7の少なくとも2層からなる配線を形成するステップとを含む。
【選択図】 図4
Description
本発明は、半導体の集積回路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的な接続を確保し、高密度な実装を可能とした半導体装置とその製造方法に関する。
近年、電子機器の処理能力向上および携帯性向上に対応するために、半導体装置などの電子部品は高密度実装が要求されている。それに伴って、半導体装置の小型、薄型化、さらに同一装置サイズにおける多ピン化が進展し、各種のCSP(チップサイズパッケージ)が開発されている。
特に半導体のウェハ上に半導体素子電極から外部端子までを接続する再配線を形成し、最終工程で分割する形態のWL−CSP(ウェハレベルCSP)はベアチップと同等の究極小型パッケージを実現する技術として注目されている。
以下、従来のWL−CSPと呼ばれる半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図9は、WL−CSPと呼ばれる半導体装置の一実施例を示す、部分的に開口した斜視図である。図9において、101は半導体素子、102は半導体素子電極、103はパッシベーション膜、104は1層目絶縁層、107aは金属配線部、107bは金属ランド部、108はソルダーレジスト、109は外部端子である。
図10〜図12は上記半導体装置の従来の製造方法の一実施例を示す工程別の断面図である。
図10〜図12では、105は薄膜金属層、106はめっきレジスト、107は厚膜金属層、111は厚膜金属層間の溝をそれぞれ表している。
まず、1層目絶縁層104として、感光性樹脂を一般に用い、半導体素子101上に塗布する。その後、アライナーまたはステッパー等を用いて露光し、半導体素子電極102上およびその他不要とする感光性樹脂を現像除去したのち、残った感光性樹脂を硬化し1層目絶縁層104を形成する(図10(a))。
1層目絶縁層104がパターニングされ積層された、半導体素子101上全面に、薄膜金属層105をスパッタリング法により形成する(図10(b))。
次に、薄膜金属層105の上に感光性レジスト材料を塗布する。その後感光性レジスト材料を乾燥し、露光し、現像することにより、めっきレジスト106を形成する(図10(c))。一般には、後工程の厚膜金属層107の厚さを5μmから11μm程度にするため、めっきレジスト106の厚さは、8μmから15μm程度に形成する。その後O2ガスによるプラズマ処理により、めっきレジストの現像残さを除去する。
次に、電解Cuめっき法により、めっきレジスト106が開口し、薄膜金属層105の上に、厚膜金属層107を選択的に形成する(図11(a))。厚膜金属層107の厚さは、電気抵抗と機械的強度の観点から、5μmから11μm程度の厚さに形成する。厚膜金属層107の形成後、めっきレジスト106を剥離除去し、さらにO2プラズマによるプラズマ処理により、めっきレジスト106の剥離残さを除去する(図11(b))。
次に、薄膜金属層105と厚膜金属層107とを、全面エッチングすることで、所望のパターンを有する金属配線部107aおよび金属ランド部107bを形成する(図11(c))。
次に、感光性樹脂を1層目絶縁層104、厚膜金属層107上に塗布し、その後乾燥し、露光し、金属ランド部107b上およびその他不要とする感光性樹脂を現像除去したのち、残った感光性樹脂を硬化しソルダーレジスト108を形成する(図12(a))。
その後、金属ランド部107b上に半田ペーストを印刷し、溶融することにより、ソルダーレジスト108の開口部に外部端子109を形成する(図12(b))。ここで半田ペーストを印刷溶融する変わりに、半田ボールを搭載溶融して、外部端子109を形成する場合もある。
以上のように、従来の半導体装置の製造方法によれば、露光現像により形成しためっきレジスト106が、配線の幅と間隔を決定し、配線パターン間の薄膜金属層105のエッチングが、配線パターン間の絶縁性を実現している。このため、めっきレジスト106のパターニングおよび薄膜金属層105のエッチングが有効に機能する範囲で、配線を狭ピッチでパターン化することが可能であり、小型でかつ高密度な半導体装置を実現していた。(例えば、特許文献1)。
特開平11−54649号公報
しかし、従来の半導体装置の製造方法によれば、配線の狭ピッチ化に伴い、配線パターン間の溝の深さに対する配線パターン間の溝の幅の比が高い状態(例えば、前記の比が1.4より大きい場合)となる傾向にあり、薄膜金属層をエッチングする際、配線間の底面の薄膜金属層に接するエッチング液の交換度合いが低下し、エッチングが困難となっている。
ここで従来の半導体装置の製造方法による課題について、図13を用いて説明する。
従来の技術では、エッチングが困難であるため、図13(a)に示すように、配線パターン間の溝111の底に薄膜金属層105の金属粒122が一部残った状態となり、半導体装置として配線間の絶縁信頼性を低下させている。
次に、エッチング不足を解消するために、エッチング時間を延長すると、図13(b)に示すように、エッチングは、完全に均一に進んでいるわけではないため、エッチング状態の良好な箇所は、配線のエッジ123が過度にエッチングされた状態となり、配線の幅が狭くなる。
また、配線の下に形成された薄膜金属層105もエッチングにより、過度に溶解されてしまうため、後工程で金属配線部107aが、1層目絶縁層104から剥がれるという問題があった。
また、従来の半導体装置の製造方法では、図11(a)に示すように、狭ピッチ化に伴い、配線パターン間の溝111を形成するめっきレジスト106の厚さに対するめっきレジスト106の幅の比も、高くなるため、厚膜金属層107の電解めっき工程において、めっき液の流動によってめっきレジスト106が倒れ易くなったり、一部が変形したり、剥がれたりする問題もあった。
本発明は前記従来の従来の半導体装置の製造方法の課題を解決するもので、高密度実装に対応した配線の狭ピッチ化を実現する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体素子の上に、1層目絶縁層を形成するステップと、前記1層目絶縁層の上に、部分的に2層目絶縁層を形成するステップと、前記1層目絶縁層および前記2層目絶縁層の表面に、薄膜金属層を形成するステップと、前記2層目絶縁層を形成した箇所のうち、少なくとも一箇所に、前記薄膜金属層を介し、めっきレジストを形成するステップと、前記めっきレジストが形成されていない領域に、パターンめっきにより、めっき金属層を形成し、前記薄膜金属層と当該めっき金属層との2層からなる配線とするステップと、前記めっきレジストを除去するステップと、前記2層目絶縁層の上の前記薄膜金属層を、エッチングにより除去し、2層からなる前記配線間の溝を形成するステップとを含むことを特徴とする。
本発明にかかる半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の上に形成された1層目絶縁層と、前記1層目絶縁層上に形成された、薄膜金属層およびめっき金属層の少なくとも2層からなる配線と、前記配線のパターン間に形成された2層目絶縁層とを備え、前記薄膜金属層が、前記配線において前記1層目絶縁層に接する部分と、前記配線において前記2層目絶縁層に接する部分とに形成されていることを特徴とする。
以上のように、本発明によれば、高密度実装に対応した配線の狭ピッチ化を実現する半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、前記2層目絶縁層の厚さの分だけ、前記薄膜金属層を底上げすることができる。これにより、前記めっき金属層の上面から、前記薄膜金属層の上面までの深さを浅くすることができ、前記薄膜金属層をエッチングする作業が容易になる。また、前記めっき金属層をパターンめっきするとき、めっきレジストを倒れにくく、変形しにくく、またはがれにくくすることができる。めっきレジストには、一般的に感光性レジスト材料を使用することができるが、めっきに対する耐性を持つものであればよい。
本発明にかかる半導体装置によれば、前記2層目絶縁層の側面が、前記めっき金属層との接触面を有しているため、前記めっき金属層をはがれにくくすることができる。
本発明にかかる半導体装置の製造方法では、前記2層目絶縁層を形成するステップにおいて、前記めっき金属層の上面から前記薄膜金属層の上面までの深さに対する、前記めっきレジストを除去後残った溝の幅の比が、1.4を超えないように、前記2層目絶縁層を形成することが好ましい。前記めっき金属層の上面から前記薄膜金属層の上面までの深さを、前記2層目絶縁層の厚さの分、浅くすることができる。これにより、前記薄膜金属層を容易にエッチングすることができる。また、前記めっき金属層の上面から前記薄膜金属層の上面までの深さに対する、前記めっきレジストを除去後残った溝の幅との比が1.4を超える箇所に、前記2層目絶縁層を形成すればよいため、無駄を省くことができる。さらに、前記めっきレジスト除去後残った溝の幅の比が、1.4を超えないようにすれば、歩留まりが良いという利点がある。
本発明にかかる半導体装置の製造方法では、前記2層目絶縁層を形成するステップにおいて、前記2層目絶縁層の上面が、前記めっき金属層の上面より、高くなるように、前記2層目絶縁層を形成することが好ましい。前記2層目絶縁層が、次工程にて形成する前記めっき金属層より高い位置にあるため、めっきレジストを極めて薄くすることができる。これにより、前記めっき金属層をパターンめっきするとき、めっきレジストが倒れたり、一部変形したり、はがれたりしてしまうことを防止することにさらに役立つ。
本発明にかかる半導体装置の製造方法では、前記薄膜金属層を形成するステップにおいて、前記薄膜金属層を、真空蒸着法またはスパッタリング法またはCVD法のいずれかを用い形成することもできる。
本発明にかかる半導体装置の製造方法では、前記薄膜金属層を形成するステップの前に、前記1層目絶縁層および前記2層目絶縁層の表面を、粗化処理するステップを、含むことが好ましい。前記1層目絶縁層の表面のみを粗化した場合の表面積と比較し、前記2層目絶縁層の側面の面積分表面積が増加しているため、前記1層目絶縁層および前記2層目絶縁層と前記薄膜金属層との密着を、より強いものとすることができる。
本発明にかかる半導体装置では、前記2層目絶縁層の上面が、前記めっき金属層の上面より高いことが好ましい。前記2層目絶縁層が、次工程にて形成する前記めっき金属層より高い位置にあるため、めっきレジストを極めて薄くすることができる。これにより、前記めっき金属層をパターンめっきするとき、めっきレジストが倒れたり、一部変形したり、はがれたりしてしまうことを防止することにさらに役立つ。
本発明にかかる半導体装置では、前記1層目絶縁層および前記2層目絶縁層の表面が粗化されていることが好ましい。前記1層目絶縁層の表面のみを粗化した場合の表面積と比較し、前記2層目絶縁層の側面の面積分表面積が増加しているため、前記1層目絶縁層および前記2層目絶縁層と前記薄膜金属層との密着を、より強いものとすることができる。
以下、本発明のさらに具体的な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
本発明の一実施形態にかかる半導体装置について説明する。
(実施の形態1)
本発明の一実施形態にかかる半導体装置について説明する。
図1は、本実施形態にかかる半導体装置を拡大した断面図である。
本実施形態にかかる半導体装置は、図1に示すように、半導体素子電極2およびパッシベーション膜3を有する半導体素子1と、半導体素子電極2に接触形成される薄膜金属層5および厚膜金属層(めっき金属層)7の少なくとも2層からなる配線と、パッシベーション膜3を介し形成される1層目絶縁層4と、1層目絶縁層4の上に選択的に形成される2層目絶縁層10とを備えている。配線のパターン間に形成される2層目絶縁層10により、厚膜金属層7は配線として機能する金属配線部7aと、金属ランド部7bとに分断される。さらに金属ランド部7bは、全体を覆うソルダーレジスト8の開口部で、外部端子9と接触している。
本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。
図2〜図4は、その製造方法の手順を示したものである。
図2(a)に示すとおり、まず1層目絶縁層4の材料として、感光性樹脂を用い、半導体素子1上に塗布する。その後、アライナーまたはステッパー等を用いて露光し、半導体素子電極2と接する箇所およびその他の不要な箇所にある感光性樹脂を現像し、除去した後、残った感光性樹脂を硬化して1層目絶縁層4を形成する。しかし、本発明の1層目絶縁層はこの一例に限定されるものではなく、絶縁性を有するものであればよい。
さらに、図2(b)に示すとおり、2層目絶縁層10の材料として、感光性樹脂を用い、前記1層目絶縁層4の上に塗布する。その後、アライナーまたはステッパー等を用いて露光し、半導体素子電極2と接する箇所およびその他の不要な箇所にある感光性樹脂を現像し、除去した後、残った感光性樹脂を硬化して2層目絶縁層10を形成する。しかし、本発明の2層目絶縁層はこの一例に限定されるものではなく、絶縁性を有するものであればよい。また、前記2層目絶縁層10は、機械的な物性が近く、両者の界面の密着性が得られる材料であれば、前記1層目絶縁層4と同じ材料でも、異なる材料でも構わない。
ここで、1層目絶縁層4を現像する際に使用する現像液には、半導体素子電極2を溶解しない性質を持つものを用いる。例えば、半導体素子電極2は、一般的にAl−SiまたはAl−Si−Cuが用いられることが多いが、この場合は弱アルカリまたは有機系の現像液を用いることが好ましい。
次に、1層目絶縁層4および2層目絶縁層10の表面を、プラズマ処理によって、微細に粗化する。その後、図2(c)に示すように、半導体素子電極2、1層目絶縁層4および2層目絶縁層10の上に薄膜金属層5をスパッタリング法により形成する。このとき薄膜金属層5は、まず金属バリアを形成し、さらに真空状態下においてめっきシード層を形成することにより、構成される。1層目絶縁層4および2層目絶縁層10の表面が粗化されているため、金属バリアとの密着強度を向上させることができる。
前記プラズマ処理方法と反応ガスとしては、RIE(Reactive Ion Etching)処理法とO2ガスを用いることができる。しかし、半導体素子電極2やパッシベーション膜3に対して、1層目絶縁層4および2層目絶縁層10を選択的にエッチングできればよく、本発明の粗化処理方法および反応ガスは、この一例に限定されるものではない。反応ガスについては、他にN2ガス、またはO2ガスとCF4ガスとの混合ガス等も使用することができる。
金属バリアは、1層目絶縁層4、2層目絶縁層10、半導体素子電極2およびパッシベーション膜3と強い密着強度を持ち、かつめっきシード層のエッチング液に対しバリア性を有する金属として、例えばTi、Cr、またはTiW等が用いられる。金属バリアの厚さは、めっきシード層のエッチング液に対するバリア性の観点から、0.1μmから0.2μm程度が好ましい。
めっきシード層は、電解めっきに対し抵抗率の低い金属であることが必要であるため、一般的にはCu等が用いられる。めっきシード層の厚さは、電気抵抗や析出応力とエッチングの容易さの観点から、0.2μmから0.5μm程度が好ましい。
次に、図3(a)に示すように、薄膜金属層5の上に、めっきレジスト6を形成する。めっきレジスト6には一般的に、感光性レジスト材料を使用する。感光性レジスト材料を乾燥、露光、現像することにより、めっきレジスト6を形成する。一般的に、めっきレジスト6の厚さは、後工程の厚膜金属層7の厚さを5μmから11μm程度にするために、めっきレジスト6と2層目絶縁層10とを加えたときの厚さが、8μmから15μm程度になるよう形成する。その後、O2ガスによるプラズマ処理により、めっきレジスト6の残さを除去する。しかし、本発明のめっきレジストはこの一例に限定されるものではなく、感光性のものでなくても、めっきに対する耐性を有するものであればよい。例えば、感光性レジスト材料の代わりに、熱硬化性樹脂でも、パターン形成後印刷するシート状のレジストでもよい。
次に、図3(b)に示すように、めっきレジスト6が覆っておらず、薄膜金属層5のめっきシード層が露出した部分に、厚膜金属層7を選択的に形成する。厚膜金属層7の厚さは、電気抵抗と機械的強度の観点から5μmから11μm程度にする。
さらに、図3(c)に示すように、厚膜金属層7の形成後、めっきレジスト6を剥離除去し、さらにO2ガスによるプラズマ処理により、めっきレジスト6の剥離残さを除去する。
次に、図4(a)に示すように、薄膜金属層5のめっきシード層と厚膜金属層7とをCuエッチング液にて、全面Cuエッチングする。この場合、厚膜金属層7と比べ厚さが薄い薄膜金属層5のめっきシード層のCuが、先行して除去される。このとき、薄膜金属層5のめっきシード層のエッチング液は、薄膜金属層5の金属バリアを溶かさず、薄膜金属層5のめっきシード層のみを選択的にエッチングできる溶液を用いる。さらに、金属バリアを全面エッチングすることで、薄膜金属層5の不要な部分を除去し、所望のパターンを有する金属配線部7aおよび金属ランド部7bを形成する。
次に、図4(a)に示すように、薄膜金属層5のめっきシード層と厚膜金属層7とをCuエッチング液にて、全面Cuエッチングする。この場合、厚膜金属層7と比べ厚さが薄い薄膜金属層5のめっきシード層のCuが、先行して除去される。このとき、薄膜金属層5のめっきシード層のエッチング液は、薄膜金属層5の金属バリアを溶かさず、薄膜金属層5のめっきシード層のみを選択的にエッチングできる溶液を用いる。さらに、金属バリアを全面エッチングすることで、薄膜金属層5の不要な部分を除去し、所望のパターンを有する金属配線部7aおよび金属ランド部7bを形成する。
めっきシード層のエッチング液には、過酸化水素・硫酸水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液、過硫酸ナトリウム水溶液等を用いることができる。めっきシード層がCu膜の場合には、エッチング液として、過硫酸ナトリウム系エッチング液を用いることができる。本実施例では、微量添加剤の含まれた過硫酸ナトリウム系エッチング液を用いた。また、めっきシード層のエッチング工法として、エッチング対象をテーブル上で回転させ、あるいはコンベアで搬送させて、ノズルからエッチング液を吐出する、スプレー法、パドル法と呼ばれる手法を用いることができる。本実施例では、パドル法を用い、室温において、120秒間エッチングを行なった。
また、金属バリアがTiW膜の場合には、エッチング液として、過酸化水素水を用いることができる。金属バリアのエッチング工法として、エッチング対象をエッチング液で満たした層に投入し、液を撹拌させてエッチングを行なう、浸漬法と呼ばれる手法を用いることができる。本実施例では、めっきシード層のエッチングの場合と同様に室温において、エッチング液に30分間浸しエッチングを行なった。
本実施例においては、めっきシード層のエッチングにパドル法、金属バリアのエッチングに浸漬法を用いた。しかし、量産する場合には、パドル法を用いる方が、エッチング仕上がりにバラツキが小さいため適している。さらに、エッチング液はそれぞれ、薬液の変質防止や、金属の腐食等を防止する目的で微量の薬剤が添加されていてもよい。
本発明のめっきシード層および金属バリアをエッチングする手法およびエッチングに使用する溶液については、上記の例に限定されるものではなく、めっきシード層および金属バリアを選択的にエッチングできればよい。
次に、図4(b)に示すように、前工程で薄膜金属層5を除去した後、感光性樹脂を、1層目絶縁層4および厚膜金属層7上に塗布し、その後乾燥、露光し、不要な感光性樹脂を、現像し、除去し、残りの感光性樹脂を硬化し、ソルダーレジスト8を形成する。
最後に、図4(c)に示すように、ソルダーレジスト8の開口部に、半田ペーストを印刷した後に加熱して溶融させる。溶融した半田ペーストは、表面張力によって、ボール状の外部端子9となる。これにより、外部端子9は、金属ランド部7bに電気的に接続される。ここで半田ペーストを印刷溶融する代わりに、半田ボールを搭載溶融して外部端子9を形成する場合もある。
かかる構成によれば、2層目絶縁層10の厚さだけ、厚膜金属層7間の溝11の深さが浅くなり、溝11のアスペクト比を1.4以下にすることができる。これにより、溝11底部に形成された薄膜金属層5を容易にエッチング除去することができ、高密度実装に対応した配線の狭ピッチ化を実現することができる。
また、2層目絶縁層10の側面の面積だけ、金属配線部7aに接する薄膜金属層5の面積が、従来の半導体装置に比べ増加したことにより、2層目絶縁層10と金属配線部7aとの密着面積が増加し、エッチング後の金属配線部7aの剥がれを防止できる。
また、同一厚さの金属めっき層7を形成するための、めっきレジスト6の厚さも、2層目絶縁層10の厚さだけ薄く形成することができるため、電解めっき工程でめっきレジスト6が倒れることを防止することができる。
また、2層目絶縁層10の厚さ分だけ、厚膜金属層7間の溝11が浅くなることにより、ソルダーレジスト8形成工程(図4(b))において、ソルダーレジスト8の膜厚をより均一にすることができるため、熱応力等の機械的な力によって発生し得る、レジストクラック等による半導体装置の信頼性低下を防止できる。
なお、本実施の形態において、図1には、金属配線部7aおよび金属ランド部7bの側面が直線状に示されているが、めっきレジスト6の開口幅とエッチング量の関係により、2層目絶縁層10の上面の高さを境界にして、その上下で、金属配線部7aおよび金属ランド部7bの側面に段差が生じても良い。
また、本実施の形態において、図1には、金属配線部7aおよび金属ランド部7bの上面が平面に示されているが、めっき液組成およびめっき条件の関係により金属配線部7aおよび金属ランド部7bの上面の中央部がくぼんだ形状であっても良い。
(実施の形態2)
本発明の第2の実施形態について説明する。
(実施の形態2)
本発明の第2の実施形態について説明する。
図5は、本実施形態にかかる半導体装置を拡大した断面図である。
本実施形態にかかる半導体装置は、図5に示すように、半導体素子電極2およびパッシベーション膜3を有する半導体素子1と、半導体素子電極2に接触形成される薄膜金属層5および厚膜金属層(めっき金属層)7の少なくとも2層からなる配線と、パッシベーション膜3を介し形成される1層目絶縁層4と、1層目絶縁層4の上に選択的に形成される2層目絶縁層10とを備えている。2層目絶縁層10の上面は、厚膜金属層7の上面より高い位置にある。2層目絶縁層10により、厚膜金属層7は配線として機能する金属配線部7aと、金属ランド部7bとに分断される。さらに金属ランド部7bは、全体を覆うソルダーレジスト8の開口部で、外部端子9と接触している。
本発明の第2の実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。
図6〜図8は、その製造方法の手順を示したものであるが、実施の形態1と同様の手順については、詳しい説明は省略する。
図6(a)に示すとおり、実施の形態1において、図2(a)を参照しながら説明した工程と同様に、半導体素子1上に感光性樹脂を塗布し、露光して、パターニングした後に硬化させることにより、1層目絶縁層4を形成する。
さらに、図6(b)に示すとおり、1層目絶縁層4の表面に感光性樹脂を塗布し、露光してパターニングした後に硬化させることにより、2層目絶縁層10を形成する。なお、この感光性樹脂を塗布する際、後述する工程において形成する厚膜金属層7の上面より、2層目絶縁層10の上面の方が高くなるようにする。
次に、図6(c)に示すように、半導体素子電極2、1層目絶縁層4および2層目絶縁層10の上に薄膜金属層5をスパッタリング法により形成する。薄膜金属層5を形成する前に、1層目絶縁層4および2層目絶縁層10の表面をあらかじめ粗化しておくことで、1層目絶縁層4および2層目絶縁層10と薄膜金属層5との密着度合いを高めることができる。
次に、図7(a)に示すように、薄膜金属層5の上に、めっきレジスト6を形成する。一般的に、めっきレジスト6の厚さは、後工程の厚膜金属層7を5μmから11μm程度にするために、めっきレジスト6と2層目絶縁層10を加えた厚さが、8μmから15μm程度、より好ましくは6.5μmから13μm程度になるよう形成する。2層目絶縁層10の上面が、厚膜金属層7の上面より高いため、図7(a)に示されるように、めっきレジスト6は極めて薄く、例えば0.5μmから1.5μm程度の厚さに形成できる。したがって、電解めっき中のレジスト倒れを防止するために、さらに有効である。しかし、本発明のめっきレジストは、この一例に限定されるものではなく、感光性のものでなくても、めっきに対する耐性を有するものであればよい。
次に、図7(b)に示すように、実施形態1において図3(b)を参照しながら説明した工程と同様に、厚膜金属層7を選択的に形成する。
さらに、図7(c)に示すように、めっきレジスト6を剥離除去する。
次に、図8(a)に示すように、薄膜金属層5の不要な部分を除去し、所望のパターンを有する金属配線部7aおよび金属ランド部7bを形成する。薄膜金属層5の不要な部分は、2層目絶縁層10の上に位置しているため、実施形態1の場合と比べて容易にエッチングすることができる。
次に、図8(b)に示すように、実施形態1において図4(b)を参照しながら説明した工程と同様に、ソルダーレジスト8を形成する。
最後に、図8(c)に示すように、ソルダーレジスト8の開口部を通して、外部端子9を金属ランド部7bに接続する。
かかる構成によれば、2層目絶縁層10の上面が厚膜金属層7の上面より高いため、薄膜金属層5をエッチングする工程(図8(a))において、エッチングはさらに容易となり、高密度実装に対応した配線の狭ピッチ化を実現することができる。
また2層目絶縁層10の側面の面積だけ、金属配線部7aに接する薄膜金属層5の面積が、従来の半導体装置に比べ増加したことにより、2層目絶縁層10と金属配線部7aとの密着面積がさらに増加し、エッチング後の金属配線部7aの剥がれをさらに防止できる。
また、めっきレジスト6の厚さも、極めて薄く形成することができるため、電解めっき工程でめっきレジスト6が倒れることをさらに防止することができる。
また、2層目絶縁層10の厚さ分だけ、厚膜金属層7の溝11が浅くなることにより、ソルダーレジスト8形成工程(図8(b))において、ソルダーレジスト8の膜厚をより均一にすることができるため、熱応力等の機械的な力によって発生し得る、レジストクラック等による半導体装置の信頼性低下をさらに防止できる。
なお、本実施の形態において、図5には、金属配線部7aおよび金属ランド部7bの側面が直線状に示されているが、めっきレジスト6の開口幅とエッチング量の関係により、2層目絶縁層10の上面の高さを境界にして、上下で金属配線部7aおよび金属ランド部7bの側面に段差が生じても良い。
また、本実施の形態において、図5には、金属配線部7aおよび金属ランド部7bの上面が平面に示されているが、めっき液組成およびめっき条件の関係により金属配線部7aおよび金属ランド部7bの上面の中央部がくぼんだ形状であっても良い。
なお、上記の実施形態で説明した材料名および製造条件などはあくまでも一例であって、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。本実施形態では、薄膜金属層と厚膜金属層の少なくとも2層からなる配線を使用したが、他の金属層がさらに積層された3層以上の配線であってもよい。
以上のように、半導体装置およびその製造方法は、高密度実装に対応した配線の狭ピッチ化を実現する半導体装置およびその製造方法を提供することができ、半導体の集積回路部を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的な接続を確保し、高密度な実装を可能とした半導体装置とその製造方法として有用である。
1 半導体素子
2 半導体素子電極
3 パッシベーション膜
4 1層目絶縁層
5 薄膜金属層
6 めっきレジスト
7 厚膜金属層
7a 金属配線部
7b 金属ランド部
8 ソルダーレジスト
9 外部端子
10 2層目絶縁層
11 溝
2 半導体素子電極
3 パッシベーション膜
4 1層目絶縁層
5 薄膜金属層
6 めっきレジスト
7 厚膜金属層
7a 金属配線部
7b 金属ランド部
8 ソルダーレジスト
9 外部端子
10 2層目絶縁層
11 溝
Claims (8)
- 半導体素子の上に、1層目絶縁層を形成するステップと、
前記1層目絶縁層の上に、部分的に2層目絶縁層を形成するステップと、
前記1層目絶縁層および前記2層目絶縁層の表面に、薄膜金属層を形成するステップと、
前記2層目絶縁層を形成した箇所のうち、少なくとも一箇所に、前記薄膜金属層を介し、めっきレジストを形成するステップと、
前記めっきレジストが形成されていない領域に、パターンめっきにより、めっき金属層を形成するステップと、
前記めっきレジストを除去するステップと、
前記2層目絶縁層の上の前記薄膜金属層を、エッチングにより除去し、前記薄膜金属層および前記めっき金属層の少なくとも2層からなる配線を形成するステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記2層目絶縁層を形成するステップにおいて、前記めっき金属層の上面から前記薄膜金属層の上面までの深さに対する、前記めっきレジストを除去後に残った溝の幅の比が、1.4を超えないように、前記2層目絶縁層を形成する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記2層目絶縁層を形成するステップにおいて、前記2層目絶縁層の上面が、前記めっき金属層の上面より、高くなるように、前記2層目絶縁層を形成する、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜金属層を形成するステップにおいて、前記薄膜金属層を、真空蒸着法またはスパッタリング法またはCVD法または無電解めっき法のいずれかを用い形成する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄膜金属層を形成するステップの前に、前記1層目絶縁層および前記2層目絶縁層の表面を粗化処理するステップを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体素子と、
前記半導体素子の上に形成された1層目絶縁層と、
前記1層目絶縁層上に形成された、薄膜金属層およびめっき金属層の少なくとも2層からなる配線と、
前記配線のパターン間に形成された2層目絶縁層とを備え、
前記薄膜金属層が、前記配線において前記1層目絶縁層に接する部分と、前記配線において前記2層目絶縁層に接する部分とに形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記2層目絶縁層の上面が、前記めっき金属層の上面より高い、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記1層目絶縁層および前記2層目絶縁層の表面が粗化されている、請求項6または7に記載の半導体装置。
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JP2003362506A JP2005129665A (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2003362506A Pending JP2005129665A (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129862A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージの製造方法、半導体パッケージ |
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JP2009515361A (ja) * | 2005-11-07 | 2009-04-09 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 微細ピッチ相互接続及びその作製方法 |
CN107878028A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-06 | 精工爱普生株式会社 | Mems 装置、液体喷射头、液体喷射装置及 mems 装置的制造方法 |
-
2003
- 2003-10-22 JP JP2003362506A patent/JP2005129665A/ja active Pending
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