JP2002344117A - 微細パターンの形成法 - Google Patents
微細パターンの形成法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 目的とする設計値の幅および厚みをもつ銅配
線パターンを容易に形成する。 【解決手段】 厚み１２μm以下の銅箔をサブトラクテ
ィブ法でパターニングした後、電解銅めっき法でパター
ン上に銅めっきする。
線パターンを容易に形成する。 【解決手段】 厚み１２μm以下の銅箔をサブトラクテ
ィブ法でパターニングした後、電解銅めっき法でパター
ン上に銅めっきする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板に
おける微細パターンの形成法に関し、さらに詳しくはき
わめて微細なパターンでありながら、銅箔の厚みを増大
し、エッチファクターを向上させる方法に関する。
おける微細パターンの形成法に関し、さらに詳しくはき
わめて微細なパターンでありながら、銅箔の厚みを増大
し、エッチファクターを向上させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプリント配線板におけるパターン
の形成法には、大別してサブトラクティブ法とアディテ
ィブ法とがある。また、アディティブ法は一般的にセミ
アディティブ法とフルアディティブ法の２種類に分類さ
れる。
の形成法には、大別してサブトラクティブ法とアディテ
ィブ法とがある。また、アディティブ法は一般的にセミ
アディティブ法とフルアディティブ法の２種類に分類さ
れる。
【０００３】サブトラクティブ法によるパターン形成法
では、形成するパターンに合わせて銅箔上に樹脂または
金属製のレジストを形成し、この後、薬液を用いて露出
している銅箔部を選択的に除去することで、目的とする
パターンを得る。
では、形成するパターンに合わせて銅箔上に樹脂または
金属製のレジストを形成し、この後、薬液を用いて露出
している銅箔部を選択的に除去することで、目的とする
パターンを得る。
【０００４】セミアディティブ法による微細パターンの
形成法では、一般的なプリント配線板に用いる銅箔より
も薄い銅箔上に、最終的に形成するパターンとネガポジ
で逆のパターンを、銅めっきに耐性のある樹脂または金
属を用いて形成し、その後、電解銅めっきを施すことで
露出している銅箔上に積層する形で選択的に銅箔の厚み
を制御し、その後、薬液を用いて露出している銅箔部を
選択的に除去することで、目的とする微細パターンを形
成する。
形成法では、一般的なプリント配線板に用いる銅箔より
も薄い銅箔上に、最終的に形成するパターンとネガポジ
で逆のパターンを、銅めっきに耐性のある樹脂または金
属を用いて形成し、その後、電解銅めっきを施すことで
露出している銅箔上に積層する形で選択的に銅箔の厚み
を制御し、その後、薬液を用いて露出している銅箔部を
選択的に除去することで、目的とする微細パターンを形
成する。
【０００５】フルアディティブ法による微細パターンの
形成法では、形成するパターンに合わせてプリント配線
板の基板になる絶縁樹脂板の表面に、選択的に銅めっき
の触媒となる金属または導電体を形成し、この後、電解
銅めっきまたは無電解銅めっきを施すことで目的とする
微細パターンを直接形成する。
形成法では、形成するパターンに合わせてプリント配線
板の基板になる絶縁樹脂板の表面に、選択的に銅めっき
の触媒となる金属または導電体を形成し、この後、電解
銅めっきまたは無電解銅めっきを施すことで目的とする
微細パターンを直接形成する。
【０００６】プリント配線板の製造工程における銅パタ
ーン幅の評価は、一般的にパターン形成を行う工程のと
きに基材と接触している界面側をボトムと称しその幅を
ボトム幅、反対に基材と接触しない面の側をトップと称
しその幅をトップ幅としてあらわす。
ーン幅の評価は、一般的にパターン形成を行う工程のと
きに基材と接触している界面側をボトムと称しその幅を
ボトム幅、反対に基材と接触しない面の側をトップと称
しその幅をトップ幅としてあらわす。
【０００７】一般的に、サブトラクティブ法により形成
されたパターンの評価方法として、トップ幅とボトム幅
の差の２分の１の数字で銅箔の厚みの数字を除すること
により求められる比率をエッチファクターという。エッ
チファクターは数字が大きいほどパターンの精度が良い
と評価される。
されたパターンの評価方法として、トップ幅とボトム幅
の差の２分の１の数字で銅箔の厚みの数字を除すること
により求められる比率をエッチファクターという。エッ
チファクターは数字が大きいほどパターンの精度が良い
と評価される。
【０００８】サブトラクティブ法によるパターンの形成
法では、銅箔をパターン形成する際に薬液で溶解する工
程が、全工程を通じて１回のみ行っているため、パター
ンの側面が傾斜する（エッチファクターが小さい）傾向
となり、銅箔の厚みが増加するとパターン形成精度が下
がり、微細化には限界があるとされていた。
法では、銅箔をパターン形成する際に薬液で溶解する工
程が、全工程を通じて１回のみ行っているため、パター
ンの側面が傾斜する（エッチファクターが小さい）傾向
となり、銅箔の厚みが増加するとパターン形成精度が下
がり、微細化には限界があるとされていた。
【０００９】ファイン化を進めるため、きわめて薄い銅
箔（例えば３μm）を用いることも提案されており、実
際このような極薄銅箔ではかなりのファイン化が達成で
きる。しかし、銅箔の厚みが小さいままでは、導体の電
気抵抗値が大きくなり、高速信号の伝送が遅れるだけで
なく、インピーダンス整合がとれないなどの障害が出て
くる。
箔（例えば３μm）を用いることも提案されており、実
際このような極薄銅箔ではかなりのファイン化が達成で
きる。しかし、銅箔の厚みが小さいままでは、導体の電
気抵抗値が大きくなり、高速信号の伝送が遅れるだけで
なく、インピーダンス整合がとれないなどの障害が出て
くる。
【００１０】セミアディティブ法によるパターンの形成
法では、初期工程で配置される銅箔厚み部分のパターン
幅に対して追加される銅めっき厚み分のパターン幅が大
きくなる傾向があり、形成される微細パターンとプリン
ト配線板の絶縁樹脂表面との接合面積が小さくなるた
め、微細化には限界があるとされていた。
法では、初期工程で配置される銅箔厚み部分のパターン
幅に対して追加される銅めっき厚み分のパターン幅が大
きくなる傾向があり、形成される微細パターンとプリン
ト配線板の絶縁樹脂表面との接合面積が小さくなるた
め、微細化には限界があるとされていた。
【００１１】フルアディティブ法によるパターンの形成
法では、プリント配線板の絶縁樹脂表面とパターン形成
される銅箔との接合部分が無電解銅めっきの触媒により
形成されるため、一般的なサブトラクティブ法およびセ
ミアディティブ法によるパターンに対して銅箔の接合強
度が低くなるという欠点があり、このため微細化には限
界があるとされていた。
法では、プリント配線板の絶縁樹脂表面とパターン形成
される銅箔との接合部分が無電解銅めっきの触媒により
形成されるため、一般的なサブトラクティブ法およびセ
ミアディティブ法によるパターンに対して銅箔の接合強
度が低くなるという欠点があり、このため微細化には限
界があるとされていた。
【００１２】いずれの工法においてもライン／スペース
の限界は３０／３０（μm）程度であり、必要な厚みを
維持しながらこれ以下のライン／スペースを得ることは
困難であった。
の限界は３０／３０（μm）程度であり、必要な厚みを
維持しながらこれ以下のライン／スペースを得ることは
困難であった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、プリント配
線板の回路において、従来にないきわめてファインなパ
ターンを得ながら、十分低い電気抵抗値と均一な厚みを
もつ導体を得、これによってパターン精度を向上させ、
高速信号の伝送を可能にし、インピーダンスコントロー
ルなどの要求を満たすことができる微細パターンの形成
法を提供することを目的とする。
線板の回路において、従来にないきわめてファインなパ
ターンを得ながら、十分低い電気抵抗値と均一な厚みを
もつ導体を得、これによってパターン精度を向上させ、
高速信号の伝送を可能にし、インピーダンスコントロー
ルなどの要求を満たすことができる微細パターンの形成
法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、サブトラクテ
ィブ法でパターニングした後、銅パターン上に電解めっ
き法により銅の厚みを追加することにより上記目的を達
成したものである。本発明において、電解めっきするに
際しては、パルス状電流を用いるのが好ましく、就中逆
パルス電流を正パルス電流の２倍以上とするのが、特に
良い結果を得ることができる。
ィブ法でパターニングした後、銅パターン上に電解めっ
き法により銅の厚みを追加することにより上記目的を達
成したものである。本発明において、電解めっきするに
際しては、パルス状電流を用いるのが好ましく、就中逆
パルス電流を正パルス電流の２倍以上とするのが、特に
良い結果を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のパターン形成法は、プリ
ント配線板における、硬質板（片面板、両面板、多層
板、およびビルドアップ基板）、片面および両面フレキ
シブル基板、片面および両面テープ基板、半導体実装用
基板などに用いることができる。以下両面板の場合の例
を示す図１と共に説明する。
ント配線板における、硬質板（片面板、両面板、多層
板、およびビルドアップ基板）、片面および両面フレキ
シブル基板、片面および両面テープ基板、半導体実装用
基板などに用いることができる。以下両面板の場合の例
を示す図１と共に説明する。
【００１６】基材１の材質は、ガラス／エポキシ、ガラ
ス／ポリイミド、ガラス／ＢＴ（ビスマレイミドトリア
ジン）、アラミド／エポキシなど、あらゆる種類の補強
材（織布または不織布）と樹脂の組合せてあってもよ
い。また、全体あるいは一部に、補強材のない層や、補
強材を短繊維状に切断し、樹脂中に分散した層をもつ基
板を用いることもできる。特に好ましくは、ビルドアッ
プ基板の最外層、片面および両面フレキシブル基板、片
面および両面テープなどである。
ス／ポリイミド、ガラス／ＢＴ（ビスマレイミドトリア
ジン）、アラミド／エポキシなど、あらゆる種類の補強
材（織布または不織布）と樹脂の組合せてあってもよ
い。また、全体あるいは一部に、補強材のない層や、補
強材を短繊維状に切断し、樹脂中に分散した層をもつ基
板を用いることもできる。特に好ましくは、ビルドアッ
プ基板の最外層、片面および両面フレキシブル基板、片
面および両面テープなどである。
【００１７】これらの基材１の、両面あるいは片面に配
置される銅箔２は厚みが１２μm以下であることが必要
で、９μm以下であることが好ましく、６μm以下である
ことがさらに好ましい（図１（ａ））。該銅箔の表面に
光感応性の樹脂を塗布またはラミネートし、さらには必
要に応じて樹脂ごとに指定される熱または熱風を用いて
乾燥させる。
置される銅箔２は厚みが１２μm以下であることが必要
で、９μm以下であることが好ましく、６μm以下である
ことがさらに好ましい（図１（ａ））。該銅箔の表面に
光感応性の樹脂を塗布またはラミネートし、さらには必
要に応じて樹脂ごとに指定される熱または熱風を用いて
乾燥させる。
【００１８】銅箔１の上に光感応性樹脂３を付与し（図
１（ｂ））、その後プリント配線板材料に対し、目的と
するパターンをネガまたはポジ像にて描いたガラスやフ
ィルムのフォトマスクを介して短波長の光、主に紫外線
を照射する。光感応性樹脂は液状であってもよく、固形
（ドライフィルム）であってもよい。
１（ｂ））、その後プリント配線板材料に対し、目的と
するパターンをネガまたはポジ像にて描いたガラスやフ
ィルムのフォトマスクを介して短波長の光、主に紫外線
を照射する。光感応性樹脂は液状であってもよく、固形
（ドライフィルム）であってもよい。
【００１９】このようにして短波長光を照射した光感応
性の樹脂に対して、樹脂ごとに指定される薬液を用いて
樹脂表面にスプレー噴射または浸漬を行い、目的とする
パターンを得る（図１（ｃ））。
性の樹脂に対して、樹脂ごとに指定される薬液を用いて
樹脂表面にスプレー噴射または浸漬を行い、目的とする
パターンを得る（図１（ｃ））。
【００２０】目的とするパターンを形成した樹脂が配置
されるプリント配線板の材料の表面に対して銅箔を溶解
させる液をスプレー噴射または浸漬を行い、目的とする
パターンの像以外の銅箔を除去する（図１（ｄ））。
されるプリント配線板の材料の表面に対して銅箔を溶解
させる液をスプレー噴射または浸漬を行い、目的とする
パターンの像以外の銅箔を除去する（図１（ｄ））。
【００２１】この後、樹脂ごとに指定される薬液を用い
て樹脂表面にスプレー噴射または浸漬を行い、樹脂を銅
箔表面から剥離させる（図１（ｅ））。
て樹脂表面にスプレー噴射または浸漬を行い、樹脂を銅
箔表面から剥離させる（図１（ｅ））。
【００２２】この状態では、銅箔２の厚みは当初のまま
で、目的とするパターンが得られたプリント配線板銅箔
に対して電解銅めっき４を施し銅箔２の厚みをさらに向
上させる（図１（ｆ））。電解銅めっきを施す際にはパ
ルス状電流を用いることが好ましい。該パルス状電流
は、パルス状電流の逆電流値が正パルスの電流値の２倍
以上のパルス電流を用いることがさらに好ましい。
で、目的とするパターンが得られたプリント配線板銅箔
に対して電解銅めっき４を施し銅箔２の厚みをさらに向
上させる（図１（ｆ））。電解銅めっきを施す際にはパ
ルス状電流を用いることが好ましい。該パルス状電流
は、パルス状電流の逆電流値が正パルスの電流値の２倍
以上のパルス電流を用いることがさらに好ましい。
【００２３】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。
る。
【００２４】実施例１〜７ ガラス／エポキシからなる硬質基板を基材とした両面共
に９μm厚の銅張り積層板を用い、厚み１０μmのドライ
フィルムを用いて一般的なサブトラクティブ法でパター
ンを作成した。パターンは１，５００リードをもつフリ
ップ・チップ・ボール・グリッド・アレイ用で、このパ
ターンにはパターン幅１５μmの超ファインパターン部
分と径７０μmの円形パッド部分とがあった。
に９μm厚の銅張り積層板を用い、厚み１０μmのドライ
フィルムを用いて一般的なサブトラクティブ法でパター
ンを作成した。パターンは１，５００リードをもつフリ
ップ・チップ・ボール・グリッド・アレイ用で、このパ
ターンにはパターン幅１５μmの超ファインパターン部
分と径７０μmの円形パッド部分とがあった。
【００２５】この時点で得られた超ファインパターンの
パターン幅の平均値は、ボトムが１６μm、トップ幅は
１３μmとなった。また、パネル全面にわたってほぼ均
一なパターニングができた。
パターン幅の平均値は、ボトムが１６μm、トップ幅は
１３μmとなった。また、パネル全面にわたってほぼ均
一なパターニングができた。
【００２６】得られた硬質基板の外周部に配置されたパ
ターン配線の一部に電極を取り付け、基板全体を電解銅
めっき浴中に浸漬し電流を印加することにより平均値で
約９μmの厚みで銅めっきした。
ターン配線の一部に電極を取り付け、基板全体を電解銅
めっき浴中に浸漬し電流を印加することにより平均値で
約９μmの厚みで銅めっきした。
【００２７】印加した電流の種類並びに逆パルス電流の
電流値とパルス幅は表１の通りとした。また、正パルス
電流は７０Ａとし、正パルスの幅は２０msとした。
電流値とパルス幅は表１の通りとした。また、正パルス
電流は７０Ａとし、正パルスの幅は２０msとした。
【００２８】試験例１ 得られた各パネルの超ファインパターン部と円形パッド
部のめっき厚を板の全面にわたって各３０ヵ所測定し、
超ファインパターン部についてはトップ幅とボトム幅か
らエッチファクターを求めた。その結果は表１の通りで
あった。
部のめっき厚を板の全面にわたって各３０ヵ所測定し、
超ファインパターン部についてはトップ幅とボトム幅か
らエッチファクターを求めた。その結果は表１の通りで
あった。
【００２９】表１から明らかなように、本発明の方法で
作成された超ファインパターンのめっき厚みは、円形パ
ッド部のめっき厚みとほぼ同じで、しかも場所によるば
らつきが非常に小さかった。
作成された超ファインパターンのめっき厚みは、円形パ
ッド部のめっき厚みとほぼ同じで、しかも場所によるば
らつきが非常に小さかった。
【００３０】
【表１】
【００３１】比較例１ ガラス／エポキシからなる硬質基板を基材とした両面共
に１８μm厚の銅張り積層板を用いて、実施例１と同様
のパターン方法でパターンを作成しようとしたが、超フ
ァインパターン部分と隣接するパターンとの間でショー
トが多数発生し、回路として使用できないものとなっ
た。
に１８μm厚の銅張り積層板を用いて、実施例１と同様
のパターン方法でパターンを作成しようとしたが、超フ
ァインパターン部分と隣接するパターンとの間でショー
トが多数発生し、回路として使用できないものとなっ
た。
【００３２】
【発明の効果】本発明のパターン形成法によれば、従来
の技術に対して特殊な装置や薬液を使用することなく、
目的とする設計値の幅および厚みをもつ銅配線パターン
を容易に形成することができるため、特に高速伝送やイ
ンピーダンスコントロールの必要な用途に用いられるフ
ァインパターンの両面板、多層板、ビルドアップ基板、
テープ基板などを容易に製造することができる。
の技術に対して特殊な装置や薬液を使用することなく、
目的とする設計値の幅および厚みをもつ銅配線パターン
を容易に形成することができるため、特に高速伝送やイ
ンピーダンスコントロールの必要な用途に用いられるフ
ァインパターンの両面板、多層板、ビルドアップ基板、
テープ基板などを容易に製造することができる。
【図１】本発明のパターン形成法の工程図
１：基材 ２：銅箔 ３：光感応性樹脂 ４：銅めっき
Claims (3)
- 【請求項１】 厚み１２μm以下の銅箔をサブトラクテ
ィブ法でパターニングした後、電解銅めっき法でパター
ン上に銅をめっきすることを特徴とする微細パターンの
形成方法。 - 【請求項２】 電解銅めっき法によりパターン上に銅を
めっきするに際し、パルス状電流を用いることを特徴と
する請求項１記載の微細パターンの形成方法。 - 【請求項３】 パルス状電流の逆パルス電流が正パルス
電流の２倍以上であることを特徴とする請求項２記載の
微細パターンの形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001142562A JP2002344117A (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | 微細パターンの形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001142562A JP2002344117A (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | 微細パターンの形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002344117A true JP2002344117A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18988844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001142562A Pending JP2002344117A (ja) | 2001-05-14 | 2001-05-14 | 微細パターンの形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002344117A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101075683B1 (ko) | 2009-09-14 | 2011-10-21 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644093A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Sony Corp | Manufacture of wiring substrate |
| JPH02114693A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 回路基板および回路基板の製造方法 |
| JP2000031612A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Seiko Epson Corp | 配線基板 |
| JP2000087292A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-28 | Ibiden Co Ltd | 電気めっき方法、電気めっきによる回路板及びプリント配線板の製造方法、並びに銅被膜からなる回路を有する回路板及び銅被膜からなる配線を有するプリント配線板 |
| JP2000294903A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プリント回路基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-05-14 JP JP2001142562A patent/JP2002344117A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Cited By (1)
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| KR101075683B1 (ko) | 2009-09-14 | 2011-10-21 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080324 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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