JP2003124637A - 多層配線板 - Google Patents
多層配線板Info
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- JP2003124637A JP2003124637A JP2001313775A JP2001313775A JP2003124637A JP 2003124637 A JP2003124637 A JP 2003124637A JP 2001313775 A JP2001313775 A JP 2001313775A JP 2001313775 A JP2001313775 A JP 2001313775A JP 2003124637 A JP2003124637 A JP 2003124637A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多層配線板の導体層をパターン加工して配線パ
ターンを形成する際に、ドライフィルムレジストラミネ
ート時のボイドが発生しないようにする。 【解決手段】絶縁基板上に２層もしくはそれ以上の配線
パターンが絶縁層を介して交互に積層された多層配線板
において、前記配線パターンのパターン間が４００μｍ
以上となる部位に、少なくとも１箇所以上のダミーパタ
ーンを設け、配線パターンとダミーパターン間をそれ以
下とすることにより、ブリッジ状に絶縁層（例えば、ポ
リイミド樹脂フィルムと接着層フィルム）を支えること
によりボイドの発生を防止する。なお、ダミーパターン
がグランドに接続されていれば、クロストークなどが軽
減し、電気特性が改善される。
ターンを形成する際に、ドライフィルムレジストラミネ
ート時のボイドが発生しないようにする。 【解決手段】絶縁基板上に２層もしくはそれ以上の配線
パターンが絶縁層を介して交互に積層された多層配線板
において、前記配線パターンのパターン間が４００μｍ
以上となる部位に、少なくとも１箇所以上のダミーパタ
ーンを設け、配線パターンとダミーパターン間をそれ以
下とすることにより、ブリッジ状に絶縁層（例えば、ポ
リイミド樹脂フィルムと接着層フィルム）を支えること
によりボイドの発生を防止する。なお、ダミーパターン
がグランドに接続されていれば、クロストークなどが軽
減し、電気特性が改善される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等に使用
される半導体装置搭載用の多層配線板に係わり、特に絶
縁基板上に二層もしくはそれ以上の多層の配線パターン
を有し、配線密度が向上した構成の多層配線板に関す
る。
される半導体装置搭載用の多層配線板に係わり、特に絶
縁基板上に二層もしくはそれ以上の多層の配線パターン
を有し、配線密度が向上した構成の多層配線板に関す
る。
【０００２】本発明の多層配線板は、半導体集積回路素
子を直接搭載・接続するタイプの回路基板や、半導体集
積回路素子をリードフレームに搭載・接続した状態での
半導体装置を接続する外部回路としての多層配線板等を
包含する。
子を直接搭載・接続するタイプの回路基板や、半導体集
積回路素子をリードフレームに搭載・接続した状態での
半導体装置を接続する外部回路としての多層配線板等を
包含する。
【０００３】
【従来の技術】一般的に各種電気製品に用いられるプリ
ント配線板は、回路の高密度化に伴って回路パターンを
多層化させてこれらの間に絶縁層を介在させた構造の多
層配線板が開発されるに至っている。
ント配線板は、回路の高密度化に伴って回路パターンを
多層化させてこれらの間に絶縁層を介在させた構造の多
層配線板が開発されるに至っている。
【０００４】この多層配線板は母材となる絶縁性内層板
の両面に回路パターンと絶縁層とをそれぞれ順に積層し
て形成されている。絶縁層及び回路パターンを形成する
ための導体層の多層化は、樹脂付銅箔（以下、ＲＣＣと
いう）をロールラミネーターにより熱圧着せしめること
により行っている。この片面層の多層化は、互いに交差
するような配線パターンを含む配線板を片面のみで作成
するためのものであり、各層の回路パターンの電気的接
続は必要に応じて回路パターン間の絶縁層を穴開けし、
メッキすることによって形成した層間接続部にて電気的
に接続する。また、絶縁性内層板の反対側面の回路パタ
ーンと接続する場合には製造の初期の段階で内層板に形
成したスルーホール部を介して両面側間の電気的接続を
図っている。
の両面に回路パターンと絶縁層とをそれぞれ順に積層し
て形成されている。絶縁層及び回路パターンを形成する
ための導体層の多層化は、樹脂付銅箔（以下、ＲＣＣと
いう）をロールラミネーターにより熱圧着せしめること
により行っている。この片面層の多層化は、互いに交差
するような配線パターンを含む配線板を片面のみで作成
するためのものであり、各層の回路パターンの電気的接
続は必要に応じて回路パターン間の絶縁層を穴開けし、
メッキすることによって形成した層間接続部にて電気的
に接続する。また、絶縁性内層板の反対側面の回路パタ
ーンと接続する場合には製造の初期の段階で内層板に形
成したスルーホール部を介して両面側間の電気的接続を
図っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな多層配線板では配線パターンの有無により、配線パ
ターン上の絶縁層及び導体層が平坦とならず、特にＲＣ
Ｃでは絶縁層全部が熱硬化性樹脂のため積層すると下地
のパターンによって積層した銅箔の凹凸が大きくなる。
多層配線板の最上層では高密度な配線パターンが期待さ
れるため、セミアディティブ法によるパターン形成が望
ましく、レジストにはドライフィルムレジストを使用す
ることが通常である。しかし、ロールラミネーターを使
用し、ドライフィルムレジストを熱圧着せしめるが、下
層配線パターンの有無により生じる導体層とドライフィ
ルムレジストの段差部にボイドが発生する。図１は配線
パターン２を形成した絶縁性内層板１上にＲＣＣ（絶縁
層３、導体層４）をロールラミネーターにより熱圧着せ
しめ、さらに上部にドライフィルムレジスト５を熱圧着
せしめた多層配線板である。図１に示すようにドライフ
ィルムレジストラミネート後に導体層４とドライフィル
ムレジスト５の段差部においてボイド６が発生するた
め、後工程のドライフィルムレジストのパターニングを
妨げる。なお、このボイドは配線パターンのパターン間
が４００μｍを越える部位に発生する。
うな多層配線板では配線パターンの有無により、配線パ
ターン上の絶縁層及び導体層が平坦とならず、特にＲＣ
Ｃでは絶縁層全部が熱硬化性樹脂のため積層すると下地
のパターンによって積層した銅箔の凹凸が大きくなる。
多層配線板の最上層では高密度な配線パターンが期待さ
れるため、セミアディティブ法によるパターン形成が望
ましく、レジストにはドライフィルムレジストを使用す
ることが通常である。しかし、ロールラミネーターを使
用し、ドライフィルムレジストを熱圧着せしめるが、下
層配線パターンの有無により生じる導体層とドライフィ
ルムレジストの段差部にボイドが発生する。図１は配線
パターン２を形成した絶縁性内層板１上にＲＣＣ（絶縁
層３、導体層４）をロールラミネーターにより熱圧着せ
しめ、さらに上部にドライフィルムレジスト５を熱圧着
せしめた多層配線板である。図１に示すようにドライフ
ィルムレジストラミネート後に導体層４とドライフィル
ムレジスト５の段差部においてボイド６が発生するた
め、後工程のドライフィルムレジストのパターニングを
妨げる。なお、このボイドは配線パターンのパターン間
が４００μｍを越える部位に発生する。
【０００６】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、多層配線板の導体層をパターン加工して配
線パターンを形成する際に、ドライフィルムレジストラ
ミネート時のボイドが発生しないようにすることを目的
とする。
れたもので、多層配線板の導体層をパターン加工して配
線パターンを形成する際に、ドライフィルムレジストラ
ミネート時のボイドが発生しないようにすることを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１においては、絶縁基板
上に２層もしくはそれ以上の配線パターンが絶縁層を介
して交互に積層された多層配線板において、前記配線パ
ターンのパターン間が４００μｍ以上となる部位に、少
なくとも１箇所以上のダミーパターンを設けたことを特
徴とする多層配線板としたものである。また、請求項２
においては、前記ダミーパターンがグランドに接続され
ていることを特徴とする請求項１記載の多層配線板とし
たものである。また、請求項３においては、前記樹脂フ
ィルムがポリイミド樹脂からなることを特徴とする請求
項２記載の多層配線板としたものである。また、請求項
４においては、前記ダミーパターンがグランドに接続さ
れていることを特徴とする請求項１記載の多層配線板と
したものである。
を達成するために、まず請求項１においては、絶縁基板
上に２層もしくはそれ以上の配線パターンが絶縁層を介
して交互に積層された多層配線板において、前記配線パ
ターンのパターン間が４００μｍ以上となる部位に、少
なくとも１箇所以上のダミーパターンを設けたことを特
徴とする多層配線板としたものである。また、請求項２
においては、前記ダミーパターンがグランドに接続され
ていることを特徴とする請求項１記載の多層配線板とし
たものである。また、請求項３においては、前記樹脂フ
ィルムがポリイミド樹脂からなることを特徴とする請求
項２記載の多層配線板としたものである。また、請求項
４においては、前記ダミーパターンがグランドに接続さ
れていることを特徴とする請求項１記載の多層配線板と
したものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】図２、３に本発明の多層配線板の
一例を示す断面図、図４には本発明の多層配線板の製造
工程を示す部分拡大断面図を示す。以下図面を用いて説
明する。尚、先に説明した図中の同一部分については同
一符号を付して説明する。
一例を示す断面図、図４には本発明の多層配線板の製造
工程を示す部分拡大断面図を示す。以下図面を用いて説
明する。尚、先に説明した図中の同一部分については同
一符号を付して説明する。
【０００９】図２図示例では片面がそれぞれ３層になさ
れた６層構造の多層配線板を示している（図示例では下
側３層の構造は上側３層と同様なのでその記載を省略し
ている）。絶縁性内層板１０を中心として、この上方に
例えば銅箔よりなる第１配線パター１１及び第一ダミー
パターン１２、第二配線パターン２２及び第二ダミーパ
ターン２３、第三配線パターン３３及び第三ダミーパタ
ーン３４をそれぞれ樹脂フィルム１４及び接着層１３、
樹脂フィルム２５及び接着層２４を介して積層してい
る。
れた６層構造の多層配線板を示している（図示例では下
側３層の構造は上側３層と同様なのでその記載を省略し
ている）。絶縁性内層板１０を中心として、この上方に
例えば銅箔よりなる第１配線パター１１及び第一ダミー
パターン１２、第二配線パターン２２及び第二ダミーパ
ターン２３、第三配線パターン３３及び第三ダミーパタ
ーン３４をそれぞれ樹脂フィルム１４及び接着層１３、
樹脂フィルム２５及び接着層２４を介して積層してい
る。
【００１０】そして、第一配線パターン１１と第二配線
パターン２２との電気的接続を無電解メッキ、電解メッ
キにて作製した第一ビアホール１９を、第二配線パター
ン２２と第三配線パターン３３との電気的接続を第二ビ
アホール３０を介して行っている。
パターン２２との電気的接続を無電解メッキ、電解メッ
キにて作製した第一ビアホール１９を、第二配線パター
ン２２と第三配線パターン３３との電気的接続を第二ビ
アホール３０を介して行っている。
【００１１】また、配線パターン間、及び配線パターン
の外側にはダミーパターンを形成している。図３に示す
ように、配線パターン２とダミーパターン９の間隔は４
００μｍ以下になるように形成され、配線パターン２及
びダミーパターン９上の銅付き樹脂フィルム４、８を、
絶縁層１と樹脂フィルム８が接着剤７を介して密着する
ことなくブリッジ状に支えることにより基板上面の平坦
性を保つことができる。その結果、ドライフィルムレジ
スト５のラミネート時にボイドが発生せず、パターニン
グ時の支障とならない。しかし、この間隔が４００μｍ
以上になる部位では配線導体パターン上の銅付き樹脂フ
ィルム４、８面上に凹凸が生じ、ブリッジ状に形成する
ことができず平坦性を保つことができない。また、配線
パターン２のパターン間が４００μｍ以下であれば銅付
きポリイミドフィルム４、８面上はブリッジ状に形成さ
れ、平坦性が保たれるためパターン間にダミーパターン
９を形成する必要はない。必要以上にダミーパターンを
形成すると、配線パターンがファインピッチになるため
パターン間にダミーパターン９を形成することが困難と
なり、パターン欠陥の原因となる。そのため、図２中の
配線パターン２２、１と配線パターン２２、２間及び、
配線パターン３３、１と配線パターン３３、２間のパタ
ーン間隔が４００μｍ以下であるので、パターン間にダ
ミーパターンを形成していない。また、絶縁層として樹
脂フィルムと接着層を用いることにより、凹凸を緩和す
ることができ効果的である。樹脂フィルムとしては、耐
熱性が高く、ラミネート時に変形がおこらないポリイミ
ドが適している。
の外側にはダミーパターンを形成している。図３に示す
ように、配線パターン２とダミーパターン９の間隔は４
００μｍ以下になるように形成され、配線パターン２及
びダミーパターン９上の銅付き樹脂フィルム４、８を、
絶縁層１と樹脂フィルム８が接着剤７を介して密着する
ことなくブリッジ状に支えることにより基板上面の平坦
性を保つことができる。その結果、ドライフィルムレジ
スト５のラミネート時にボイドが発生せず、パターニン
グ時の支障とならない。しかし、この間隔が４００μｍ
以上になる部位では配線導体パターン上の銅付き樹脂フ
ィルム４、８面上に凹凸が生じ、ブリッジ状に形成する
ことができず平坦性を保つことができない。また、配線
パターン２のパターン間が４００μｍ以下であれば銅付
きポリイミドフィルム４、８面上はブリッジ状に形成さ
れ、平坦性が保たれるためパターン間にダミーパターン
９を形成する必要はない。必要以上にダミーパターンを
形成すると、配線パターンがファインピッチになるため
パターン間にダミーパターン９を形成することが困難と
なり、パターン欠陥の原因となる。そのため、図２中の
配線パターン２２、１と配線パターン２２、２間及び、
配線パターン３３、１と配線パターン３３、２間のパタ
ーン間隔が４００μｍ以下であるので、パターン間にダ
ミーパターンを形成していない。また、絶縁層として樹
脂フィルムと接着層を用いることにより、凹凸を緩和す
ることができ効果的である。樹脂フィルムとしては、耐
熱性が高く、ラミネート時に変形がおこらないポリイミ
ドが適している。
【００１２】ここで、樹脂フィルムと接着層を合わせた
絶縁層の厚みは約２０μｍ程度、ビアホール底部の直径
は約５〜２０μｍ程度、各配線導体パターン及び導電性
ダミーパターンの厚みは約３〜２０μｍ程度である。な
お、これらの数値は単に一例を示したにすぎず、これら
の数値に限定されない。また、最外層である第三配線パ
ターンのランド部（図示せず）に電子部品が実装される
ことになる。
絶縁層の厚みは約２０μｍ程度、ビアホール底部の直径
は約５〜２０μｍ程度、各配線導体パターン及び導電性
ダミーパターンの厚みは約３〜２０μｍ程度である。な
お、これらの数値は単に一例を示したにすぎず、これら
の数値に限定されない。また、最外層である第三配線パ
ターンのランド部（図示せず）に電子部品が実装される
ことになる。
【００１３】なお、ダミーパターンをグランドに接続す
ることにより、クロストークなどが軽減し、電気特性が
改善される。また、ダミーパターンの形状は、ブリッジ
状に支えることができる形状ならば特に限定されるもの
ではない。
ることにより、クロストークなどが軽減し、電気特性が
改善される。また、ダミーパターンの形状は、ブリッジ
状に支えることができる形状ならば特に限定されるもの
ではない。
【００１４】以下、本発明の多層配線板の製造工程につ
いて図４を用いて詳細に説明する。まず、図４（ａ）に
示すように、絶縁基板導体層が形成された銅張り積層板
の導体層に感光性樹脂を塗布、またはドライフィルムレ
ジストをロールラミネーターにより熱圧着せしめること
により感光層を形成し、所定のパターンを有するマスク
で紫外線露光し、現像処理してレジストパターンを形成
し、導体層をエッチングして第一配線パターン１１及び
第一ダミーパターン１２を形成する。
いて図４を用いて詳細に説明する。まず、図４（ａ）に
示すように、絶縁基板導体層が形成された銅張り積層板
の導体層に感光性樹脂を塗布、またはドライフィルムレ
ジストをロールラミネーターにより熱圧着せしめること
により感光層を形成し、所定のパターンを有するマスク
で紫外線露光し、現像処理してレジストパターンを形成
し、導体層をエッチングして第一配線パターン１１及び
第一ダミーパターン１２を形成する。
【００１５】次に、図４（ｂ）に示すように、第一配線
パターン１１及び第一ダミーパターン１２が形成された
絶縁性内層板１０上に接着層１３を介して銅付き樹脂フ
ィルム１４、１５をロールラミネーターにより熱圧着せ
しめた後、所望の位置にレーザ光により銅付き樹脂フィ
ルム１４、１５をアブレーションし、第一ビアホール用
孔部１６を形成する。孔底部の直径は約５〜３０μｍ程
度である。
パターン１１及び第一ダミーパターン１２が形成された
絶縁性内層板１０上に接着層１３を介して銅付き樹脂フ
ィルム１４、１５をロールラミネーターにより熱圧着せ
しめた後、所望の位置にレーザ光により銅付き樹脂フィ
ルム１４、１５をアブレーションし、第一ビアホール用
孔部１６を形成する。孔底部の直径は約５〜３０μｍ程
度である。
【００１６】次に、図４（ｃ）に示すように、孔内部及
び導体層１５上に無電解メッキによりメッキ層１７、電
解メッキによりメッキ層１８を形成し、第一ビアホール
１９を形成する。
び導体層１５上に無電解メッキによりメッキ層１７、電
解メッキによりメッキ層１８を形成し、第一ビアホール
１９を形成する。
【００１７】次いで、図４（ｄ）に示すように、導体層
１５、１７、１８を化学研磨により銅箔厚みを３．０μ
ｍ以下に制御し、薄い導体層２０を形成する。
１５、１７、１８を化学研磨により銅箔厚みを３．０μ
ｍ以下に制御し、薄い導体層２０を形成する。
【００１８】次いで、図４（ｅ）に示すように、薄い導
体層２０上に、ドライフィルムレジスト２１をロールラ
ミネータにより熱圧着せしめる。
体層２０上に、ドライフィルムレジスト２１をロールラ
ミネータにより熱圧着せしめる。
【００１９】次に、図４（ｆ）に示すように、ドライフ
ィルムレジスト２１を所定のパターンを有するマスクで
紫外線露光し、現像処理してレジストパターンを形成
し、電解メッキによりメッキパターンを形成し、レジス
ト剥離後ソフトエッチングすることにより第二配線パタ
ーン２２及び第二ダミーパターン２３を形成する。
ィルムレジスト２１を所定のパターンを有するマスクで
紫外線露光し、現像処理してレジストパターンを形成
し、電解メッキによりメッキパターンを形成し、レジス
ト剥離後ソフトエッチングすることにより第二配線パタ
ーン２２及び第二ダミーパターン２３を形成する。
【００２０】次に、図４（ｇ）に示すように、第二配線
パターン２２及び第二ダミーパターン２３が形成された
樹脂フィルム１４上に銅付き樹脂フィルム２５、２６を
接着層２４を介してロールラミネーターにより熱圧着せ
しめた後、所望の位置にレーザ光により銅付き樹脂フィ
ルム２５、２６をアブレーションすること、またはフォ
トリソグラフィ技術により第二ビアホール用孔部２７を
形成する。
パターン２２及び第二ダミーパターン２３が形成された
樹脂フィルム１４上に銅付き樹脂フィルム２５、２６を
接着層２４を介してロールラミネーターにより熱圧着せ
しめた後、所望の位置にレーザ光により銅付き樹脂フィ
ルム２５、２６をアブレーションすること、またはフォ
トリソグラフィ技術により第二ビアホール用孔部２７を
形成する。
【００２１】次に、図４（ｈ）に示すように、孔内部及
び導体層２６上に無電解メッキによりメッキ層２８、電
解メッキによりメッキ層２９を形成し、第二ビアホール
３０を形成する。
び導体層２６上に無電解メッキによりメッキ層２８、電
解メッキによりメッキ層２９を形成し、第二ビアホール
３０を形成する。
【００２２】次いで、図４（i）に示すように、導体層
２６、２８、２９を化学研磨により銅箔厚みを３．０μ
ｍ以下に制御し、薄い導体層３１を形成する。
２６、２８、２９を化学研磨により銅箔厚みを３．０μ
ｍ以下に制御し、薄い導体層３１を形成する。
【００２３】次いで、図４（ｊ）に示すように、薄い導
体層３１上に、ドライフィルムレジスト３２をロールラ
ミネータにより熱圧着せしめる。
体層３１上に、ドライフィルムレジスト３２をロールラ
ミネータにより熱圧着せしめる。
【００２４】次に、図４（ｋ）に示すように、ドライフ
ィルムレジスト３２を所定のパターンを有するマスクで
紫外線露光し、現像処理してレジストパターンを形成
し、電解メッキによりメッキパターンを形成し、剥離後
ソフトエッチングすることにより第三配線パターン３３
及び第三ダミーパターン３４を形成する。
ィルムレジスト３２を所定のパターンを有するマスクで
紫外線露光し、現像処理してレジストパターンを形成
し、電解メッキによりメッキパターンを形成し、剥離後
ソフトエッチングすることにより第三配線パターン３３
及び第三ダミーパターン３４を形成する。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の一実施例について詳細に説明
する。
する。
【００２６】電解銅箔を形成した銅付きポリイミドフィ
ルム（ユピセル、宇部興産製）の両面にフォトレジスト
としてＰＭＥＲ（東京応化工業製）をコーティングし、
８０℃、３０分乾燥させた。乾燥後の膜厚は６μｍであ
った。次に、所定のパターンを有するフォトマスクを介
して露光、現像を行い、フォトレジストパターンを形成
する。さらに、５０℃、４０°Ｂｅの塩化第２鉄液で銅
露出部を溶解除去して配線パターン及び配線パターン間
が４００μｍを越える部分にダミーパターンを形成し、
２００μｍとした。
ルム（ユピセル、宇部興産製）の両面にフォトレジスト
としてＰＭＥＲ（東京応化工業製）をコーティングし、
８０℃、３０分乾燥させた。乾燥後の膜厚は６μｍであ
った。次に、所定のパターンを有するフォトマスクを介
して露光、現像を行い、フォトレジストパターンを形成
する。さらに、５０℃、４０°Ｂｅの塩化第２鉄液で銅
露出部を溶解除去して配線パターン及び配線パターン間
が４００μｍを越える部分にダミーパターンを形成し、
２００μｍとした。
【００２７】次に、配線パターン及びダミーパターンが
形成されたポリイミド面に接着層を介して銅箔厚み９μ
ｍ、ポリイミド厚２５μｍの銅付きポリイミドフィルム
（ユピセル、宇部興産製）を接着剤を介してロールラミ
ネーターにより熱圧着せしめた後、所望の位置にレーザ
光によりアブレーションすることによりビアホール用孔
部を形成した。孔底部の直径は約１５μｍであった。
形成されたポリイミド面に接着層を介して銅箔厚み９μ
ｍ、ポリイミド厚２５μｍの銅付きポリイミドフィルム
（ユピセル、宇部興産製）を接着剤を介してロールラミ
ネーターにより熱圧着せしめた後、所望の位置にレーザ
光によりアブレーションすることによりビアホール用孔
部を形成した。孔底部の直径は約１５μｍであった。
【００２８】次に、メッキ触媒であるパラジウムを付与
し、３０℃、２０分無電解メッキを行った後、２ＡＳＤ
の電流密度で４５分間電解メッキを行いフィルドビアを
形成した。次に、硫酸と過酸化水素水の混合液により化
学研磨を行い銅箔厚みを約１μｍした後、１５μｍ厚の
ドライフィルムレジスト（ニチゴーモートン（株）製）
をロールラミネーターにて加熱加圧し、レジスト層を形
成した。
し、３０℃、２０分無電解メッキを行った後、２ＡＳＤ
の電流密度で４５分間電解メッキを行いフィルドビアを
形成した。次に、硫酸と過酸化水素水の混合液により化
学研磨を行い銅箔厚みを約１μｍした後、１５μｍ厚の
ドライフィルムレジスト（ニチゴーモートン（株）製）
をロールラミネーターにて加熱加圧し、レジスト層を形
成した。
【００２９】次に、所定のパターンを有するフォトマス
クを介して露光、現像を行い、フォトレジストパターン
を形成し、２ＡＳＤの電流密度で４５分間電解メッキ行
った後、３％水酸化ナトリウム水溶液に２０秒間浸漬
し、レジスト層を剥離除去した。次いで、硫酸と過酸化
水素水の混合液によりソフトエッチングを行い配線パタ
ーンを形成した。配線パターン及びダミーパターンの高
さは約６μｍであった。
クを介して露光、現像を行い、フォトレジストパターン
を形成し、２ＡＳＤの電流密度で４５分間電解メッキ行
った後、３％水酸化ナトリウム水溶液に２０秒間浸漬
し、レジスト層を剥離除去した。次いで、硫酸と過酸化
水素水の混合液によりソフトエッチングを行い配線パタ
ーンを形成した。配線パターン及びダミーパターンの高
さは約６μｍであった。
【００３０】次に、銅箔厚み９μｍ、ポリイミド厚２５
μｍの銅付きポリイミドフィルム（ユピセル、宇部興産
製）を接着剤を介してロールラミネーターにより熱圧着
せしめた後、所望の位置にレーザ光によりアブレーショ
ンすることによりビアホール用孔部を形成した。孔底部
の直径は約１０μｍであった。
μｍの銅付きポリイミドフィルム（ユピセル、宇部興産
製）を接着剤を介してロールラミネーターにより熱圧着
せしめた後、所望の位置にレーザ光によりアブレーショ
ンすることによりビアホール用孔部を形成した。孔底部
の直径は約１０μｍであった。
【００３１】次に、メッキ触媒であるパラジウムを付与
し、３０℃、２０分無電解メッキを行った後、２ＡＳＤ
の電流密度で４５分間電解メッキを行いフィルドビアを
形成する。次に、硫酸と過酸化水素水の混合液により化
学研磨を行い銅箔厚みを約１μｍした後、１５μｍ厚の
ドライフィルムレジスト（ニチゴーモートン（株）製）
をロールラミネーターにて加熱加圧し、レジスト層を形
成した。
し、３０℃、２０分無電解メッキを行った後、２ＡＳＤ
の電流密度で４５分間電解メッキを行いフィルドビアを
形成する。次に、硫酸と過酸化水素水の混合液により化
学研磨を行い銅箔厚みを約１μｍした後、１５μｍ厚の
ドライフィルムレジスト（ニチゴーモートン（株）製）
をロールラミネーターにて加熱加圧し、レジスト層を形
成した。
【００３２】次に、所定のパターンを有するフォトマス
クを介して露光、現像を行い、フォトレジストパターン
を形成し、２ＡＳＤの電流密度で４５分間電解メッキ行
った後、３％水酸化ナトリウム水溶液に２０秒間浸漬
し、レジスト層を剥離除去した。次いで、硫酸と過酸化
水素水の混合液によりソフトエッチングを行い配線パタ
ーンを形成した。配線パターン及びダミーパターンの高
さは約６μｍであった。
クを介して露光、現像を行い、フォトレジストパターン
を形成し、２ＡＳＤの電流密度で４５分間電解メッキ行
った後、３％水酸化ナトリウム水溶液に２０秒間浸漬
し、レジスト層を剥離除去した。次いで、硫酸と過酸化
水素水の混合液によりソフトエッチングを行い配線パタ
ーンを形成した。配線パターン及びダミーパターンの高
さは約６μｍであった。
【００３３】以上の工程により、３層の配線導体パター
ンを有する多層配線板が得られた。さらに、３層以上の
多層配線板を作成する場合には上記配線パターン及びダ
ミーパターンと絶縁層の形成工程を順次繰り返すことに
より、所望の多層配線板が得られる。このようにして得
られた多層配線板はボイドが発生せず、良好な配線が形
成されていた。
ンを有する多層配線板が得られた。さらに、３層以上の
多層配線板を作成する場合には上記配線パターン及びダ
ミーパターンと絶縁層の形成工程を順次繰り返すことに
より、所望の多層配線板が得られる。このようにして得
られた多層配線板はボイドが発生せず、良好な配線が形
成されていた。
【００３４】＜比較例＞ダミーパターンを形成していな
い以外は実施例と同様な製造工程により３層の配線導体
パターンを有する多層配線板を得た。このようにして得
られた多層配線板は配線パターン間が３８０μｍ程度ま
ではボイドは発生していなかったが、４００μｍを越え
た部位でボイドが発生し、その上にの配線パターンが乱
れていた。
い以外は実施例と同様な製造工程により３層の配線導体
パターンを有する多層配線板を得た。このようにして得
られた多層配線板は配線パターン間が３８０μｍ程度ま
ではボイドは発生していなかったが、４００μｍを越え
た部位でボイドが発生し、その上にの配線パターンが乱
れていた。
【００３５】
【発明の効果】上記したように、本発明に係わる多層配
線板によると、配線パターン間にダミーパターンを形成
することにより、例えば、銅付き樹脂フィルムを接着剤
を介して熱圧着により張り合わせた後も基板表面を平坦
に保つことができる。そのため、ドライフィルムレジス
トのラミネート時に問題となる段差部でのボイドの発生
を防止することができる。また、絶縁層の主が積層時の
熱に安定な樹脂フィルムだと凹凸の程度が緩和される。
さらに、配線導体パターンと同時にダミーパターンが形
成されるため工程数増加することもない。さらに、導電
性のダミーパターンをグランドに接続することにより、
クロストークなどが軽減し、電気特性が改善された。
線板によると、配線パターン間にダミーパターンを形成
することにより、例えば、銅付き樹脂フィルムを接着剤
を介して熱圧着により張り合わせた後も基板表面を平坦
に保つことができる。そのため、ドライフィルムレジス
トのラミネート時に問題となる段差部でのボイドの発生
を防止することができる。また、絶縁層の主が積層時の
熱に安定な樹脂フィルムだと凹凸の程度が緩和される。
さらに、配線導体パターンと同時にダミーパターンが形
成されるため工程数増加することもない。さらに、導電
性のダミーパターンをグランドに接続することにより、
クロストークなどが軽減し、電気特性が改善された。
【００３６】
【図１】段差のある多層配線板にドライフィルムをロー
ルラミネーターにより熱圧着した部分拡大工程図であ
る。
ルラミネーターにより熱圧着した部分拡大工程図であ
る。
【図２】本発明の多層配線板の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の多層配線板の製造工程を示す部分拡大
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の多層配線板の製造工程の説明図であ
る。
る。
１…絶縁性内層板
２…配線パターン
３…絶縁層
４…導体層
５…ドライフィルムレジスト
６…ボイド
７…接着層
８…樹脂フィルム
９…ダミーパターン
１０…絶縁性内層板
１１…第一配線パターン
１２…第一ダミーパターン
１３…接着層
１４…樹脂フィルム
１５…導体層
１６…第一ビアホール用孔部
１７…無電解メッキ層
１８…電解メッキ層
１９…第一ビアホール
２０…薄い導体層
２１…ドライフィルムレジスト
２２…第二配線パターン
２３…第二ダミーパターン
２４…接着層
２５…樹脂フィルム
２６…導体層
２７…第二ビアホール用孔部
２８…無電解メッキ層
２９…電解メッキ層
３０…第二ビアホール
３１…薄い導体層
３２…ドライフィルムレジスト
３３…第三配線パターン
３４…第三ダミーパターン
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5E338 AA03 AA15 CC06 CC09 CD11
EE11 EE33
5E346 AA12 AA43 AA60 BB04 CC10
CC41 DD02 DD11 DD32 EE02
EE08 EE31 FF04 HH04 HH33
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板上に２層もしくはそれ以上の配線
パターンが絶縁層を介して交互に積層された多層配線板
において、前記配線パターンのパターン間が４００μｍ
以上となる部位に、少なくとも１箇所以上のダミーパタ
ーンを設けたことを特徴とする多層配線板。 - 【請求項２】前記絶縁層が樹脂フィルムと接着層からな
り、接着層を介して前記配線パターン上に樹脂フィルム
が積層されていることを特徴とする請求項１記載の多層
配線板。 - 【請求項３】前記樹脂フィルムがポリイミド樹脂からな
ることを特徴とする請求項２記載の多層配線板。 - 【請求項４】前記ダミーパターンがグランドに接続され
ていることを特徴とする請求項１記載の多層配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001313775A JP2003124637A (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001313775A JP2003124637A (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 多層配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124637A true JP2003124637A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19132193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001313775A Pending JP2003124637A (ja) | 2001-10-11 | 2001-10-11 | 多層配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124637A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072229A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Toppan Printing Co Ltd | キャパシタ素子内蔵多層プリント配線板 |
| WO2005112526A1 (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Aspocomp Technology Oy | Printed wiring board, manufacturing method and electronic device |
| JP2006013188A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Toppan Printing Co Ltd | 多層配線板 |
| JP2007150060A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | 多層配線板 |
| KR100771268B1 (ko) | 2005-02-03 | 2007-10-29 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 신호 혼선 감소 기판 |
| JP2009302239A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Alps Electric Co Ltd | 光源モジュール |
| JP2010165855A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
| JP2012019027A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の中間製品及び配線基板の製造方法 |
| KR101366934B1 (ko) | 2012-02-03 | 2014-02-25 | 삼성전기주식회사 | 회로기판 |
| KR101510625B1 (ko) * | 2013-10-24 | 2015-04-10 | 주식회사 플렉스컴 | 임베디드 연성회로기판의 제조방법 |
-
2001
- 2001-10-11 JP JP2001313775A patent/JP2003124637A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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