JP2001053117A - テープキャリア及びその製造方法 - Google Patents
テープキャリア及びその製造方法Info
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- JP2001053117A JP2001053117A JP11228620A JP22862099A JP2001053117A JP 2001053117 A JP2001053117 A JP 2001053117A JP 11228620 A JP11228620 A JP 11228620A JP 22862099 A JP22862099 A JP 22862099A JP 2001053117 A JP2001053117 A JP 2001053117A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓｎ層が形成された配線層の信頼性を向上で
きるテープキャリア及びその製造方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】絶縁フィルム１と銅フィルム２からなる２
層テープに絶縁フィルム搬送用のスプロケットホール３
及び半導体素子等を搭載するデバイスホール４を形成す
る。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、銅フィル
ム２をパターニング処理して配線層２ａを形成する。次
に、無電解めっき法にて、配線層２ａの表面にＳｎ下地
層５を形成する。次に、Ｓｎ下地層５上の所定位置にソ
ルダレジスト６を形成し、ソルダレジスト６を除くＳｎ
下地層５上に電解めっきにてＳｎ層７を形成することに
より、本発明のテープキャリア１０を得る。
きるテープキャリア及びその製造方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】絶縁フィルム１と銅フィルム２からなる２
層テープに絶縁フィルム搬送用のスプロケットホール３
及び半導体素子等を搭載するデバイスホール４を形成す
る。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、銅フィル
ム２をパターニング処理して配線層２ａを形成する。次
に、無電解めっき法にて、配線層２ａの表面にＳｎ下地
層５を形成する。次に、Ｓｎ下地層５上の所定位置にソ
ルダレジスト６を形成し、ソルダレジスト６を除くＳｎ
下地層５上に電解めっきにてＳｎ層７を形成することに
より、本発明のテープキャリア１０を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＴＡＢ（Tape A
utomated Bonding）等のテープキャリアに関し、特に、
配線層の信頼性を向上できるテープキャリアに関する。
utomated Bonding）等のテープキャリアに関し、特に、
配線層の信頼性を向上できるテープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器における軽薄短小化の傾
向は、ＴＡＢ、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）及
びＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）等のテープキ
ャリアの狭ピッチ化（配線幅の縮小化）が要求されてい
る。図３（ａ）は従来のテープキャリア２０の一例を示
す断面図である。図３（ａ）に示す従来のテープキャリ
ア２０はスプロケットホール２２及びデバイスホール２
３が形成された絶縁フィルム２１上に配線層２４及びソ
ルダレジスト２５が形成されており、絶縁フィルム２１
とソルダーレジスト２５との接触面以外の配線層２４の
表面はＳｎ層２６で覆われている。
向は、ＴＡＢ、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）及
びＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）等のテープキ
ャリアの狭ピッチ化（配線幅の縮小化）が要求されてい
る。図３（ａ）は従来のテープキャリア２０の一例を示
す断面図である。図３（ａ）に示す従来のテープキャリ
ア２０はスプロケットホール２２及びデバイスホール２
３が形成された絶縁フィルム２１上に配線層２４及びソ
ルダレジスト２５が形成されており、絶縁フィルム２１
とソルダーレジスト２５との接触面以外の配線層２４の
表面はＳｎ層２６で覆われている。
【０００３】その製造方法は、スプロケットホール２２
及びデバイスホール２３が形成された絶縁フィルム２１
上に配線層２４及びソルダレジスト２５を形成した後、
無電解めっき法または電気めっき法により配線層２４の
表面にＳｎ層２６を形成するものである。
及びデバイスホール２３が形成された絶縁フィルム２１
上に配線層２４及びソルダレジスト２５を形成した後、
無電解めっき法または電気めっき法により配線層２４の
表面にＳｎ層２６を形成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のテ
ープキャリア２０では、配線層２４（一般に電解Ｃｕの
配線）上にソルダレジスト２５を設けた後、配線層２４
表面に無電解めっき法または電気めっき法によりＳｎ層
２６を形成すると、Ｓｎめっき液自体が酸性であること
により、図３（ｂ）に示す様に、ソルダレジスト２５と
配線層２４が接触しているソルダレジスト２５の端部２
７の境界領域の配線層２４がえぐられた形で腐食された
ようになり、配線層２４の強度低下、抵抗値増大や断線
及びソルダレジスト２５の端部２７の洗浄不良による絶
縁不良等の問題が発生する。原因としては、ソルダレジ
スト２５の残留塩素がめっき液や洗浄液の酸と反応し
て、上記問題が発生していると考えられる。
ープキャリア２０では、配線層２４（一般に電解Ｃｕの
配線）上にソルダレジスト２５を設けた後、配線層２４
表面に無電解めっき法または電気めっき法によりＳｎ層
２６を形成すると、Ｓｎめっき液自体が酸性であること
により、図３（ｂ）に示す様に、ソルダレジスト２５と
配線層２４が接触しているソルダレジスト２５の端部２
７の境界領域の配線層２４がえぐられた形で腐食された
ようになり、配線層２４の強度低下、抵抗値増大や断線
及びソルダレジスト２５の端部２７の洗浄不良による絶
縁不良等の問題が発生する。原因としては、ソルダレジ
スト２５の残留塩素がめっき液や洗浄液の酸と反応し
て、上記問題が発生していると考えられる。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑み考案されたもの
で、Ｓｎ層が形成された配線層の信頼性を向上できるテ
ープキャリア及びその製造方法を提供することを目的と
する。
で、Ｓｎ層が形成された配線層の信頼性を向上できるテ
ープキャリア及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するために、まず請求項１においては、絶縁フィ
ルム上に少なくとも銅の配線層、Ｓｎ層及びソルダーレ
ジストが形成されてなるテープキャリアにおいて、前記
絶縁フィルム１と前記銅の配線層２ａとの接触面以外の
前記配線層２ａの表面にＳｎ下地層５を形成し、前記Ｓ
ｎ下地層５上の所定位置にソルダーレジスト６を形成
し、さらにソルダーレジスト６以外の前記Ｓｎ下地層５
上に所定厚のＳｎ層７を形成したことを特徴とするテー
プキャリアとしたものである。
を解決するために、まず請求項１においては、絶縁フィ
ルム上に少なくとも銅の配線層、Ｓｎ層及びソルダーレ
ジストが形成されてなるテープキャリアにおいて、前記
絶縁フィルム１と前記銅の配線層２ａとの接触面以外の
前記配線層２ａの表面にＳｎ下地層５を形成し、前記Ｓ
ｎ下地層５上の所定位置にソルダーレジスト６を形成
し、さらにソルダーレジスト６以外の前記Ｓｎ下地層５
上に所定厚のＳｎ層７を形成したことを特徴とするテー
プキャリアとしたものである。
【０００７】また、請求項２においては、少なくとも以
下の工程を備えていることを特徴とする請求項１に記載
のテープキャリアの製造方法としたものである。 （ａ）スプロケットホール（３）及びデバイスホール
（４）を形成された、少なくとも絶縁フィルム（１）と
銅箔フィルム（２）からなる銅箔付テープを準備する工
程。 （ｂ）銅箔フィルム（２）をパターニング処理して配線
層（２ａ）を形成する工程。 （ｃ）配線層（２ａ）の表面に無電解めっき法又は電解
めっき法によりＳｎ下地層（５）を形成する工程。 （ｄ）Ｓｎ下地層（５）上の所定位置にソルダレジスト
（６）を形成する工程。 （ｅ）ソルダレジスト（６）を除くＳｎ下地層（５）上
に無電解めっき法又は電解めっき法により所定厚のＳｎ
層（７）を形成する工程。
下の工程を備えていることを特徴とする請求項１に記載
のテープキャリアの製造方法としたものである。 （ａ）スプロケットホール（３）及びデバイスホール
（４）を形成された、少なくとも絶縁フィルム（１）と
銅箔フィルム（２）からなる銅箔付テープを準備する工
程。 （ｂ）銅箔フィルム（２）をパターニング処理して配線
層（２ａ）を形成する工程。 （ｃ）配線層（２ａ）の表面に無電解めっき法又は電解
めっき法によりＳｎ下地層（５）を形成する工程。 （ｄ）Ｓｎ下地層（５）上の所定位置にソルダレジスト
（６）を形成する工程。 （ｅ）ソルダレジスト（６）を除くＳｎ下地層（５）上
に無電解めっき法又は電解めっき法により所定厚のＳｎ
層（７）を形成する工程。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１に本発明のテープキャリアの一実施例を示
す断面図を、図２（ａ）〜（ｆ）に本発明のテープキャ
リアの製造方法を工程順に示す断面図を、それぞれ示
す。本発明のテープキャリアは図１に示すように、スプ
ロケットホール３及びデバイスホール４が形成された絶
縁フィルム１に配線層２ａ、Ｓｎ下地層５、ソルダレジ
スト６及びＳｎ層７が形成されたものである。絶縁フィ
ルム１上に形成された配線層２ａの表面を覆うようにＳ
ｎ下地層５が形成されており、Ｓｎ層７めっき時のめっ
き液による配線層２ａの局所的な腐食現象は発生せず、
また、ソルダレジスト６の残留塩素によるめっき液及び
洗浄液の酸との反応もなくなる。
明する。図１に本発明のテープキャリアの一実施例を示
す断面図を、図２（ａ）〜（ｆ）に本発明のテープキャ
リアの製造方法を工程順に示す断面図を、それぞれ示
す。本発明のテープキャリアは図１に示すように、スプ
ロケットホール３及びデバイスホール４が形成された絶
縁フィルム１に配線層２ａ、Ｓｎ下地層５、ソルダレジ
スト６及びＳｎ層７が形成されたものである。絶縁フィ
ルム１上に形成された配線層２ａの表面を覆うようにＳ
ｎ下地層５が形成されており、Ｓｎ層７めっき時のめっ
き液による配線層２ａの局所的な腐食現象は発生せず、
また、ソルダレジスト６の残留塩素によるめっき液及び
洗浄液の酸との反応もなくなる。
【０００９】以下本発明のテープキャリアの製造方法に
ついて述べる。図２（ａ）〜（ｆ）にテープキャリアの
製造方法を工程順に示す断面図を示す。まず、絶縁フィ
ルム１と銅箔フィルム２からなる銅箔付テープ（図２
（ａ）参照）に絶縁フィルム搬送用のスプロケットホー
ル３及び半導体素子を搭載するデバイスホール４を形成
する（図２（ｂ）参照）。加工法として、スプロケット
ホール３は金型を用いたプレス成型にて、デバイスホー
ル４は銅箔フィルム２を残す必要があることからレーザ
ー加工が用いられる。また、ここで使用される銅箔付テ
ープは絶縁フィルムに直接銅箔フィルムを形成した２層
テープや絶縁フィルムに接着層を介して銅箔フィルムを
貼り付けた３層テープ等が使用できる。なお、絶縁フィ
ルムにプレス成形にて、スプロケットホール及びデバイ
スホールを形成して、その後接着層を介して銅箔フィル
ムを貼り付けてもよい。
ついて述べる。図２（ａ）〜（ｆ）にテープキャリアの
製造方法を工程順に示す断面図を示す。まず、絶縁フィ
ルム１と銅箔フィルム２からなる銅箔付テープ（図２
（ａ）参照）に絶縁フィルム搬送用のスプロケットホー
ル３及び半導体素子を搭載するデバイスホール４を形成
する（図２（ｂ）参照）。加工法として、スプロケット
ホール３は金型を用いたプレス成型にて、デバイスホー
ル４は銅箔フィルム２を残す必要があることからレーザ
ー加工が用いられる。また、ここで使用される銅箔付テ
ープは絶縁フィルムに直接銅箔フィルムを形成した２層
テープや絶縁フィルムに接着層を介して銅箔フィルムを
貼り付けた３層テープ等が使用できる。なお、絶縁フィ
ルムにプレス成形にて、スプロケットホール及びデバイ
スホールを形成して、その後接着層を介して銅箔フィル
ムを貼り付けてもよい。
【００１０】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
銅箔フィルム２をパターニング処理して配線層２ａを形
成する（図２（ｃ）参照）。この工程は、レジストパタ
ーンの形成とエッチングを使った方法が一般に用いられ
る。
銅箔フィルム２をパターニング処理して配線層２ａを形
成する（図２（ｃ）参照）。この工程は、レジストパタ
ーンの形成とエッチングを使った方法が一般に用いられ
る。
【００１１】次に、無電解めっき法にて、絶縁フィルム
１との接触面以外の配線層２ａの表面にＳｎ下地層５を
形成する（図２（ｄ）参照）。
１との接触面以外の配線層２ａの表面にＳｎ下地層５を
形成する（図２（ｄ）参照）。
【００１２】次に、Ｓｎ下地層５上の所定位置にソルダ
レジスト６を形成する（図２（ｅ）参照）。尚、ソルダ
レジスト６は可撓性のある樹脂が望ましい。
レジスト６を形成する（図２（ｅ）参照）。尚、ソルダ
レジスト６は可撓性のある樹脂が望ましい。
【００１３】次に、ソルダレジスト６を除くＳｎ下地層
５上に電解めっきにより所定厚のＳｎ層７を形成するこ
とにより本発明のテープキャリア１０が得られる（図２
（ｆ）参照）。
５上に電解めっきにより所定厚のＳｎ層７を形成するこ
とにより本発明のテープキャリア１０が得られる（図２
（ｆ）参照）。
【００１４】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、５０μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁フ
ィルム１上に１８μｍ厚の銅箔フィルムを形成した２層
ＴＡＢテープ（エスパネックス：新日鉄化学（株）製）
を用い、金型を用いたパンチングにて搬送用のスプロケ
ットホール３を、エキシマレーザ加工機を用いて、デバ
イスホール４をそれぞれ形成した。具体的には、エキシ
マレーザの加工条件はエネルギ密度２Ｊ／ｃｍ2、加工
速度１２ｍｍ／ｓｅｃでレーザーをスキャンすることで
絶縁フィルム１を加工した。
まず、５０μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁フ
ィルム１上に１８μｍ厚の銅箔フィルムを形成した２層
ＴＡＢテープ（エスパネックス：新日鉄化学（株）製）
を用い、金型を用いたパンチングにて搬送用のスプロケ
ットホール３を、エキシマレーザ加工機を用いて、デバ
イスホール４をそれぞれ形成した。具体的には、エキシ
マレーザの加工条件はエネルギ密度２Ｊ／ｃｍ2、加工
速度１２ｍｍ／ｓｅｃでレーザーをスキャンすることで
絶縁フィルム１を加工した。
【００１５】次に、通常のフォトリソグラフィ法とエッ
チング法により、銅箔フィルム２上に感光性レジストを
コートし、また、絶縁フィルム１側の少なくとも銅が露
出しているデバイスホ−ル４の部分にはエッチング保護
用のレジストをコートした後、フォトマスクを用いて露
光し、現像することで所定のレジストパターンを形成
し、次いで、第２塩化鉄液を用い、銅箔フィルム２の露
出部をエッチングをすることで所望の配線層２ａを形成
した。
チング法により、銅箔フィルム２上に感光性レジストを
コートし、また、絶縁フィルム１側の少なくとも銅が露
出しているデバイスホ−ル４の部分にはエッチング保護
用のレジストをコートした後、フォトマスクを用いて露
光し、現像することで所定のレジストパターンを形成
し、次いで、第２塩化鉄液を用い、銅箔フィルム２の露
出部をエッチングをすることで所望の配線層２ａを形成
した。
【００１６】次に、レジストパターンをを剥離した後、
配線層２ａ上に無電解Ｓｎめっきにより、厚さ０．２μ
ｍのＳｎ下地層５を形成し、８０℃１時間加熱した。
配線層２ａ上に無電解Ｓｎめっきにより、厚さ０．２μ
ｍのＳｎ下地層５を形成し、８０℃１時間加熱した。
【００１７】次に、Ｓｎ下地層５上の所定位置に変成ウ
レタン樹脂にエポキシ樹脂を混合した可撓性樹脂（ＵＦ
Ｒ−１０００：味の素（株）製）をスクリーン印刷し、
乾燥・硬化してソルダレジスト６を形成した。
レタン樹脂にエポキシ樹脂を混合した可撓性樹脂（ＵＦ
Ｒ−１０００：味の素（株）製）をスクリーン印刷し、
乾燥・硬化してソルダレジスト６を形成した。
【００１８】次に、ソルダレジスト６を除くＳｎ下地層
５上に電解めっきにより０.２５±０.０５μｍ厚のＳｎ
層７を形成することにより本発明のテープキャリア１０
を作製した。
５上に電解めっきにより０.２５±０.０５μｍ厚のＳｎ
層７を形成することにより本発明のテープキャリア１０
を作製した。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のテープキ
ャリア及びその製造方法によれば、絶縁フィルム１上に
形成された配線層２ａの表面を覆うようにＳｎ下地層５
が形成されているため、Ｓｎ層７めっき時のめっき液に
よる配線層２ａの局所的な腐食現象は発生せず、また、
ソルダレジスト６の残留塩素によるめっき液及び洗浄液
の酸との反応もなくなり、信頼性のある配線層を有する
テープキャリアが得られる。
ャリア及びその製造方法によれば、絶縁フィルム１上に
形成された配線層２ａの表面を覆うようにＳｎ下地層５
が形成されているため、Ｓｎ層７めっき時のめっき液に
よる配線層２ａの局所的な腐食現象は発生せず、また、
ソルダレジスト６の残留塩素によるめっき液及び洗浄液
の酸との反応もなくなり、信頼性のある配線層を有する
テープキャリアが得られる。
【図１】本発明のテープキャリアの一実施例の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明のテープキャリアの
一実施例の製造方法を工程順に示す断面図である。
一実施例の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３】（ａ）は、従来のテープキャリアの一例の構造
を示す断面図である。（ｂ）は、従来のテープキャリア
のＡ部の拡大図を示す部分断面図である。
を示す断面図である。（ｂ）は、従来のテープキャリア
のＡ部の拡大図を示す部分断面図である。
１、２１……絶縁フィルム ２……銅箔フィルム ２ａ、２４……配線層 ３、２２……スプロケットホール ４、２３……デバイスホール ５……Ｓｎ下地層 ６、２５……ソルダレジスト １、２６……Ｓｎ層 １０……本発明のテープキャリア １７……ソルダーレジスト端部と配線層の境界領域を示
す説明図 ２０……従来のテープキャリア
す説明図 ２０……従来のテープキャリア
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁フィルム上に少なくとも銅の配線層、
Ｓｎ層及びソルダーレジストが形成されてなるテープキ
ャリアにおいて、前記絶縁フィルム（１）と前記銅の配
線層（２ａ）との接触面以外の前記配線層（２ａ）の表
面にＳｎ下地層（５）を形成し、前記Ｓｎ下地層（５）
上の所定位置にソルダーレジスト（６）を形成し、さら
にソルダーレジスト（６）以外の前記Ｓｎ下地層（５）
上に所定厚のＳｎ層（７）を形成したことを特徴とする
テープキャリア。 - 【請求項２】少なくとも以下の工程を備えていることを
特徴とする請求項１に記載のテープキャリアの製造方
法。 （ａ）スプロケットホール（３）及びデバイスホール
（４）を形成された、少なくとも絶縁フィルム（１）と
銅箔フィルム（２）からなる銅箔付テープを準備する工
程。 （ｂ）銅箔フィルム（２）をパターニング処理して配線
層（２ａ）を形成する工程。 （ｃ）配線層（２ａ）の表面に無電解めっき法又は電解
めっき法によりＳｎ下地層（５）を形成する工程。 （ｄ）Ｓｎ下地層（５）上の所定位置にソルダレジスト
（６）を形成する工程。 （ｅ）ソルダレジスト（６）を除くＳｎ下地層（５）上
に無電解めっき法又は電解めっき法により所定厚のＳｎ
層（７）を形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228620A JP2001053117A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | テープキャリア及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11228620A JP2001053117A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | テープキャリア及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001053117A true JP2001053117A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16879204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11228620A Pending JP2001053117A (ja) | 1999-08-12 | 1999-08-12 | テープキャリア及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001053117A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329754A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Shindo Denshi Kogyo Kk | テープキャリアの製造方法 |
| KR100437694B1 (ko) * | 2001-08-30 | 2004-06-30 | 스템코 주식회사 | 무전해주석 선도금공정에 의한 필름캐리어 테이프 및ｃｏｆ제조방법 |
| KR100448265B1 (ko) * | 2002-04-24 | 2004-09-10 | 스템코 주식회사 | 테이프 캐리어필름 및 ｃｏｆ의 제조방법 |
-
1999
- 1999-08-12 JP JP11228620A patent/JP2001053117A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329754A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Shindo Denshi Kogyo Kk | テープキャリアの製造方法 |
| KR100437694B1 (ko) * | 2001-08-30 | 2004-06-30 | 스템코 주식회사 | 무전해주석 선도금공정에 의한 필름캐리어 테이프 및ｃｏｆ제조방법 |
| KR100448265B1 (ko) * | 2002-04-24 | 2004-09-10 | 스템코 주식회사 | 테이프 캐리어필름 및 ｃｏｆ의 제조방법 |
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