JP2007059627A - Tab用テープキャリアの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】搬送孔の形成工程以前の工程で位置合わせすることができるとともに、TAB用テープキャリアの強度の低下を防止することができ、さらに、得られたTAB用テープキャリアの高密度化を図ることのできる、TAB用テープキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】補強層4の上に、ベース絶縁層2を形成し、そのベース絶縁層2の上に、導体パターン7、搬送部導体層13および位置決めマーク23を同時に形成した後、導体パターン7の中継リードを被覆するように、位置決めマーク23を基準として、感光性ソルダレジストから、カバー絶縁層12を形成し、ベース絶縁層2に、送り孔15を穿孔して、同時に、送り孔15の形成予定領域24に設けられている位置決めマーク23を除去した後、配線部補強層開口部14と搬送部補強層開口部17とを形成して、TAB用テープキャリア1を得る。
【選択図】図7
【解決手段】補強層4の上に、ベース絶縁層2を形成し、そのベース絶縁層2の上に、導体パターン7、搬送部導体層13および位置決めマーク23を同時に形成した後、導体パターン7の中継リードを被覆するように、位置決めマーク23を基準として、感光性ソルダレジストから、カバー絶縁層12を形成し、ベース絶縁層2に、送り孔15を穿孔して、同時に、送り孔15の形成予定領域24に設けられている位置決めマーク23を除去した後、配線部補強層開口部14と搬送部補強層開口部17とを形成して、TAB用テープキャリア1を得る。
【選択図】図7
Description
本発明は、TAB用テープキャリアの製造方法、詳しくは、位置決めマークを形成する工程を含むTAB用テープキャリアに関する。
TAB用テープキャリアは、TAB(Tape Automated Bonding)法によって、半導体素子が実装されるテープキャリアであって、電子部品の分野において広く用いられている。
TAB用テープキャリアは、ベース絶縁層と、そのベース絶縁層の上に配線回路パターンとして形成される導体パターンと、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備えており、そのTAB用テープキャリアの製造工程において、TAB用テープキャリアには、TAB用テープキャリアの両側縁に、長手方向に間隔を隔てて設けられる搬送孔としてのパーフォレーション孔やスプロケットホールなどが形成される。
TAB用テープキャリアは、ベース絶縁層と、そのベース絶縁層の上に配線回路パターンとして形成される導体パターンと、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを備えており、そのTAB用テープキャリアの製造工程において、TAB用テープキャリアには、TAB用テープキャリアの両側縁に、長手方向に間隔を隔てて設けられる搬送孔としてのパーフォレーション孔やスプロケットホールなどが形成される。
また、近年、電子機器の軽量化、薄型化および小型化の要求に伴って、TAB用テープキャリアに実装される、半導体素子の高密度化が図られている。
このようなTAB用テープキャリアの製造工程において、通常、位置決め用穴やアライメントマークなどの位置決めマークを利用して、位置合わせをしている。
TAB用テープキャリアの製造工程において、位置決めマークとして、例えば、パーフォレーション孔の少なくとも1つを位置決め用穴とすることが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。また、例えば、パーフォレーション孔以外に、少なくとも1つの位置決め用穴を設けることが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。また、例えば、スプロケットホール間の所定位置にアライメントマークを設けることが提案されている(例えば、特許文献3参照。)。さらにまた、例えば、スプロケット予備孔を正規のスプロケット孔予定領域内に設けることが提案されている(例えば、特許文献4参照。)。
特開平5−13512号公報
特開平5−13511号公報
特開2001―230279号公報
特開平5―74864号公報
このようなTAB用テープキャリアの製造工程において、通常、位置決め用穴やアライメントマークなどの位置決めマークを利用して、位置合わせをしている。
TAB用テープキャリアの製造工程において、位置決めマークとして、例えば、パーフォレーション孔の少なくとも1つを位置決め用穴とすることが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。また、例えば、パーフォレーション孔以外に、少なくとも1つの位置決め用穴を設けることが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。また、例えば、スプロケットホール間の所定位置にアライメントマークを設けることが提案されている(例えば、特許文献3参照。)。さらにまた、例えば、スプロケット予備孔を正規のスプロケット孔予定領域内に設けることが提案されている(例えば、特許文献4参照。)。
特許文献1に記載されるような位置決めマークは、パーフォレーション孔を位置決め用穴とするので、パーフォレーション孔を形成する以前の工程での位置合わせができない。さらに、特許文献2および3に記載されるような位置決めマークは、パーフォレーション孔やスプロケットホールなどの形成予定領域以外に形成され、別途、位置決めマークを形成する位置を確保する必要があるため、TAB用テープキャリアの高密度が図れず、半導体素子の実装の高密度化を図ることが困難である。また、特許文献2および3に記載されるような位置決めマークは、パーフォレーション孔やスプロケットホールとともに、TAB用テープキャリアを貫通する穴であるため、TAB用テープキャリアの強度が低下し、破損するおそれがある。さらに、特許文献4に記載されるスプロケット予備孔は、スプロケット孔を形成する以前の工程で形成するので、スプロケット孔を形成する以前の工程で位置合わせをすることはできるが、やはり貫通孔として形成するので、TAB用テープキャリアの強度が低下し、破損するおそれがある。
本発明の目的は、搬送孔の形成工程以前の工程で位置合わせすることができるとともに、TAB用テープキャリアの強度の低下を防止することができ、さらに、得られたTAB用テープキャリアの高密度化を図ることのできる、TAB用テープキャリアの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明のTAB用テープキャリアの製造方法は、基材上に、複数の導体パターンを互いに間隔を隔てて連続的に形成するTAB用テープキャリアの製造方法において、前記基材を搬送するための搬送孔の形成予定領域内において、前記基材上に、位置決めマークを形成する工程と、前記搬送孔の形成予定領域に前記搬送孔を形成して、前記位置決めマークを除去する工程とを含むことを特徴としている。
また、本発明のTAB用テープキャリアの製造方法は、前記基材上に、複数の前記導体パターンを形成する工程を含み、前記位置決めマークは、複数の前記導体パターンを形成する工程において、複数の前記導体パターンと同時に形成することが好適である。
本発明のTAB用テープキャリアの製造方法によれば、搬送孔の形成予定領域内において、基材上に、位置決めマークを形成するので、搬送孔の形成工程以前の工程で位置決めマークを基準として位置合わせすることができるとともに、搬送孔の形成予定領域以外に、別途、位置決めマークを形成する位置を確保する必要がなく、半導体素子の実装の高密度化を図ることができる。その結果、電子機器の軽量化、薄型化および小型化を図ることができる。
また、本発明のTAB用テープキャリアの製造方法によれば、位置決めマークは、基材を貫通する穴ではなく、基材上に形成されている。そのため、TAB用テープキャリアの強度の低下を防止することができる。その結果、TAB用テープキャリアの製造工程において、TAB用テープキャリアの破損を防止することができる。
さらに、本発明のTAB用テープキャリアの製造方法において、位置決めマークを、導体パターンと同時に形成すれば、位置決めマークを、別途形成する場合の工数や手間を省くことができる。そのため、TAB用テープキャリアの製造コストを低減することができる。
さらに、本発明のTAB用テープキャリアの製造方法において、位置決めマークを、導体パターンと同時に形成すれば、位置決めマークを、別途形成する場合の工数や手間を省くことができる。そのため、TAB用テープキャリアの製造コストを低減することができる。
図1は、本発明のTAB用テープキャリアの製造方法により製造されるTAB用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図、図2は、図1に示すTAB用テープキャリアの配線部の拡大平面図、図3は、図1に示すTAB用テープキャリアの部分底面図、図4は、図1に示すTAB用テープキャリアの拡大断面図、図5は、図1に示すTAB用テープキャリアの搬送部の拡大平面図である。
図1において、このTAB用テープキャリア1は、長手方向に連続して延びるテープ状の基材としてのベース絶縁層2と、そのベース絶縁層2の表面に形成され、導体パターン7が設けられる複数の配線部3と、そのベース絶縁層2の裏面に形成される補強層4(図3参照)と、このTAB用テープキャリア1を搬送するための搬送部5とを備えている。
配線部3は、ベース絶縁層2の表面において、ベース絶縁層2の長手方向(TAB用テープキャリア1の長手方向と同じ、以下、単に長手方向という場合がある。)において、互いに間隔を隔てて、連続的に複数設けられている。
配線部3は、ベース絶縁層2の表面において、ベース絶縁層2の長手方向(TAB用テープキャリア1の長手方向と同じ、以下、単に長手方向という場合がある。)において、互いに間隔を隔てて、連続的に複数設けられている。
各配線部3には、図2に示すように、その中央に、半導体素子を実装(載置)するための平面視略矩形状の実装部6が設けられている。また、実装部6の長手方向両側には、導体パターン7がそれぞれ形成されている。
この導体パターン7は、ベース絶縁層2の表面において、互いに間隔を隔てて配置される複数の配線8からなり、各配線8は、インナリード9、アウタリード10および中継リード11を一体的に備えている。
この導体パターン7は、ベース絶縁層2の表面において、互いに間隔を隔てて配置される複数の配線8からなり、各配線8は、インナリード9、アウタリード10および中継リード11を一体的に備えている。
各インナリード9は、実装部6内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔ててTAB用テープキャリア1の幅方向(長手方向と直交する方向、以下、単に幅方向という場合がある。)に並列配置されている。各インナリード9のピッチ(すなわち、1つのインナリード9の幅(底面幅)と、2つのインナリード9間の幅(間隔)との合計の長さ)IPは、80μm以下、好ましくは、40μm以下で、通常、20μm以上に設定されている。
また、各インナリード9の幅(底面幅)は、5〜40μm、好ましくは、10〜15μm、2つのインナリード9間の幅(間隔)は、5〜40μm、好ましくは、10〜20μmに設定されている。
各アウタリード10は、配線部3における長手方向両端部に臨み、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔てて幅方向に並列配置されている。各アウタリード10のピッチ(すなわち、1つのアウタリード10の幅(底面幅)と、2つのアウタリード10間の幅(間隔)との合計の長さ)OPは、各インナリード9のピッチIPに対して、例えば、50〜1000%程度に設定されている。すなわち、各アウタリード10のピッチOPは、各インナリード9のピッチIPに対して、広幅あるいは狭幅に設定してもよく、また、各インナリード9のピッチIPと実質的に同幅で設定することもできる。
各アウタリード10は、配線部3における長手方向両端部に臨み、長手方向に沿って延び、互いに間隔を隔てて幅方向に並列配置されている。各アウタリード10のピッチ(すなわち、1つのアウタリード10の幅(底面幅)と、2つのアウタリード10間の幅(間隔)との合計の長さ)OPは、各インナリード9のピッチIPに対して、例えば、50〜1000%程度に設定されている。すなわち、各アウタリード10のピッチOPは、各インナリード9のピッチIPに対して、広幅あるいは狭幅に設定してもよく、また、各インナリード9のピッチIPと実質的に同幅で設定することもできる。
各中継リード11は、各インナリード9と各アウタリード10とが連続するように、各インナリード9と各アウタリード10とを中継しており、各アウタリード10のピッチOPが各インナリード9のピッチIPに対して広幅に設定されている場合には、ピッチの狭いインナリード9側からピッチの広いアウタリード10側に向かって、次第に幅方向に広がる放射状で配置されている。
また、各中継リード11が配置される部分には、ソルダレジストなどのカバー絶縁層12が設けられている。すなわち、カバー絶縁層12は、実装部6を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード11を覆うように設けられている。
なお、導体パターン7が、アディティブ法により形成される場合には、図4に示すように、ベース絶縁層2と導体パターン7との間には、金属薄膜21が介在されている。
なお、導体パターン7が、アディティブ法により形成される場合には、図4に示すように、ベース絶縁層2と導体パターン7との間には、金属薄膜21が介在されている。
補強層4は、図3に示すように、ベース絶縁層2の裏面に積層されている。補強層4には、図1および図3に示すように、各配線部3との対向位置に、配線部補強層開口部14が形成されている。各配線部補強層開口部14は、各配線部3に対応して、補強層4が底面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。この補強層4は、ベース絶縁層2を下側から補強している。
搬送部5は、図1および図3に示すように、TAB用テープキャリア1の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。搬送部5には、図4に示すように、補強導体層13が設けられるとともに、搬送孔としての送り孔15と、搬送部導体層開口部16と、搬送部補強層開口部17とが開口されている。
搬送部導体層13は、図1に示すように、各搬送部5において、ベース絶縁層2の上に、長手方向に沿って連続するように形成されている。各搬送部導体層13は、図5に示すように、その幅L1が、例えば、2.5〜5.0mmに設定されている。この搬送部導体層13は、搬送部5において、ベース絶縁層2を上側から補強している。
搬送部導体層13は、図1に示すように、各搬送部5において、ベース絶縁層2の上に、長手方向に沿って連続するように形成されている。各搬送部導体層13は、図5に示すように、その幅L1が、例えば、2.5〜5.0mmに設定されている。この搬送部導体層13は、搬送部5において、ベース絶縁層2を上側から補強している。
送り孔15は、図1および図5に示すように、このTAB用テープキャリア1を搬送するために、スプロケットなどを噛合させることができるように形成されている。送り孔15は、各搬送部導体層13と対向するベース絶縁層2の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、等間隔毎に複数形成されている。各送り孔15は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。また、各送り孔15は、図4および図5に示すように、ベース絶縁層2が平面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。各送り孔15は、図5では、矩形であるが、円形であってもよい。好ましくは、矩形であり、その一辺の長さL2が、一般の規格に基づき、1.42mmまたは1.98mmに設定されている。
搬送部導体層開口部16は、図1および図5に示すように、各送り孔15に対応して、各搬送部導体層13の幅方向中央において、長手方向に沿って、等間隔毎に複数形成されている。各搬送部導体層開口部16は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。また、各搬送部導体開口部16は、図4および図5に示すように、各送り孔15との対向位置において、搬送部導体層13が、送り孔15よりやや大きい平面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。各搬送部導体層開口部16は、各送り孔15を囲むように形成され、図5では、矩形であるが、円形であってもよい。好ましくは、矩形であり、その一辺の長さL3は、1.45〜2.00mm(送り孔15の一辺の長さL2が1.42mmである場合)、または、2.00〜2.60mm(送り孔15の一辺の長さL2が、1.98mmである場合)に設定されている。
搬送部補強層開口部17は、図3に示すように、各搬送部導体層13と対向する補強層4の幅方向両側縁部において、各送り孔15に対応して、長手方向に沿って、等間隔毎に複数形成されている。各搬送部補強層開口部17は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。また、各搬送部補強層開口部17は、図4に示すように、各送り孔15との対向位置において、補強層4が、送り孔15よりやや大きい(搬送部導体層開口部16と略同じ大きさ)平面視略矩形状に開口されることにより、形成されている。各搬送部補強層開口部17は、各送り孔15を囲むように形成され、図3では、矩形であるが、円形であってもよい。好ましくは、矩形であり、その一辺の長さL4は、1.45〜2.00mm(送り孔15の一辺の長さL2が1.42mmである場合)、または、2.00〜2.60mm(送り孔15の一辺の長さL2が、1.98mmである場合)に設定されている。
図6および図7は、本発明のTAB用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す製造工程図、図10は、図7(f)における搬送部(点線で囲まれた範囲)の拡大平面図である。次に、このTAB用テープキャリア1の製造方法について、図5〜図7および図10を参照して説明する。
この方法では、まず、図6(a)に示すように、補強層4を用意する。補強層4としては、例えば、銅箔やステンレス箔などの金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。なお、ステンレス箔としては、AISI(米国鉄鋼協会)の規格に基づいて、例えば、SUS301、SUS304、SUS305、SUS309、SUS310、SUS316、SUS317、SUS321、SUS347などが用いられる。また、補強層4の厚みは、例えば、3〜100μm、好ましくは、5〜30μm、さらに好ましくは、8〜20μmである。
この方法では、まず、図6(a)に示すように、補強層4を用意する。補強層4としては、例えば、銅箔やステンレス箔などの金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。なお、ステンレス箔としては、AISI(米国鉄鋼協会)の規格に基づいて、例えば、SUS301、SUS304、SUS305、SUS309、SUS310、SUS316、SUS317、SUS321、SUS347などが用いられる。また、補強層4の厚みは、例えば、3〜100μm、好ましくは、5〜30μm、さらに好ましくは、8〜20μmである。
なお、図1〜図4においては、1列のTAB用テープキャリア1を示しているが、通常は、補強層4の幅方向に複数列のTAB用テープキャリア1を同時に作製した後、1列ごとにスリットする。例えば、幅250mmの補強層4では、幅48mmのTAB用テープキャリア1を4列同時に作製し、幅300mmの補強層4では、幅70mmのTAB用テープキャリア1を4列同時に作製する。
次いで、図6(b)に示すように、その補強層4の上にベース絶縁層2を形成する。
ベース絶縁層2の形成は、補強層4の上に、ポリイミド樹脂前駆体を含有する樹脂溶液を、補強層4の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、形成する。
ポリイミド樹脂前駆体としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンとの反応により得られるポリアミック酸樹脂が用いられる。樹脂溶液は、例えば、ポリアミック酸樹脂を有機溶媒に溶解して、ワニスとして調製する。
ベース絶縁層2の形成は、補強層4の上に、ポリイミド樹脂前駆体を含有する樹脂溶液を、補強層4の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、形成する。
ポリイミド樹脂前駆体としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンとの反応により得られるポリアミック酸樹脂が用いられる。樹脂溶液は、例えば、ポリアミック酸樹脂を有機溶媒に溶解して、ワニスとして調製する。
また、樹脂溶液の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の方法が用いられる。
なお、樹脂溶液に、公知の感光剤を配合すれば、樹脂溶液を補強層4の上に塗布した後に、露光および現像することにより、ベース絶縁層2をパターンとして形成することもできる。
なお、樹脂溶液に、公知の感光剤を配合すれば、樹脂溶液を補強層4の上に塗布した後に、露光および現像することにより、ベース絶縁層2をパターンとして形成することもできる。
なお、ベース絶縁層2は、予め加工されたポリイミド樹脂のドライフィルムを、補強層4の上に、必要により接着剤層を介して貼着することにより、形成することもできる。
このようにして形成されたベース絶縁層2の厚みは、例えば、50μm以下、好ましくは、30μm以下、さらに好ましくは、15μm以下、通常、3μm以上である。
次いで、この方法では、図6(c)に示すように、ベース絶縁層2の表面の全面に、種膜(下地)となる金属薄膜21を形成する。
このようにして形成されたベース絶縁層2の厚みは、例えば、50μm以下、好ましくは、30μm以下、さらに好ましくは、15μm以下、通常、3μm以上である。
次いで、この方法では、図6(c)に示すように、ベース絶縁層2の表面の全面に、種膜(下地)となる金属薄膜21を形成する。
金属薄膜21の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、金属薄膜21となる金属は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層2の表面の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する。なお、金属薄膜21の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、100〜600Å、銅薄膜の厚さが、500〜2000Åとなるように設定する。
次いで、図6(d)に示すように、金属薄膜21の上に、めっきレジスト22を形成する。めっきレジスト22は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像する公知の方法により、導体パターン7、搬送部導体層開口部16が形成される搬送部導体層13および後述する位置決めマーク23と反転するレジストパターンとして形成する。
次いで、図6(e)に示すように、めっきレジスト22から露出する金属薄膜21の上に、導体パターン7と、搬送部導体層13と、位置決めマーク23とを同時に形成する。これらは、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などから形成される。好ましくは、銅から形成される。また、これらを同時に形成するには、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。また、これらの厚みは、例えば、5μm以上、好ましくは、8〜15μmである。
次いで、図7(f)に示すように、めっきレジスト22を、例えば、化学エッチング(ウェットエッチング)などの公知のエッチング法または剥離によって除去し、続いて、導体パターン7、搬送部導体層13および位置決めマーク23から露出する金属薄膜21(つまり、めっきレジスト22が形成されていた部分の金属薄膜21)を、同じく、化学エッチング(ウェットエッチング)など公知のエッチング法により除去する。
搬送部導体層13には、上記した電解めっきにより、搬送部導体層開口部16が同時に形成される。
また、位置決めマーク23は、次のカバー絶縁層12の形成工程や検査工程などにおいて、位置合わせ(アライメント)のために用いられ、上記した電解めっきにより、搬送部導体層13と同時に形成される搬送部導体層開口部16内において、搬送部導体層13と同時に形成される。この位置決めマーク23は、図10に示すように、各搬送部導体層開口部16内に、適宜形成され、また、各位置決めマーク23は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている(図7(f)参照)。
また、位置決めマーク23は、次のカバー絶縁層12の形成工程や検査工程などにおいて、位置合わせ(アライメント)のために用いられ、上記した電解めっきにより、搬送部導体層13と同時に形成される搬送部導体層開口部16内において、搬送部導体層13と同時に形成される。この位置決めマーク23は、図10に示すように、各搬送部導体層開口部16内に、適宜形成され、また、各位置決めマーク23は、それぞれ幅方向において対向するように形成されている(図7(f)参照)。
より具体的には、各位置決めマーク23は、各搬送部導体層開口部16内のベース絶縁層2の上において、次に形成する送り孔15の形成予定領域24内に形成されている。各位置決めマーク23は、送り孔15の形成予定領域24の中央において、平面視円形状に形成されている。なお、位置決めマーク23は、図10では、平面視円形状に形成されているが、矩形など適宜の形状で形成することができる。また、位置決めマーク23は、TAB用テープキャリア1の位置決め精度を考慮すると、好ましくは、平面視円形状である。位置決めマーク23が平面視円形状の場合には、その直径L5が、例えば、0.1〜2.6mm、好ましくは、0.3〜1.0mmに設定され、位置決めマーク23が平面視矩形状の場合には、その一辺の長さが、例えば、0.1〜2.6mm、好ましくは、0.3〜1.0mmに設定される。
次いで、この方法では、図7(g)に示すように、各配線8の中継リード11を被覆するカバー絶縁層12を、実装部6を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成する。カバー絶縁層12は、感光性ソルダレジストなどから、露光および現像する公知の方法により形成する。カバー絶縁層12の厚みは、例えば、5〜30μm、好ましくは、5〜20μmである。なお、このカバー絶縁層12の形成工程では、上記した位置決めマーク23を基準として、感光性ソルダレジストの露光位置などを、位置決めしている。
次いで、この方法では、図7(h)に示すように、ベース絶縁層2に、送り孔15を形成して、同時に、位置決めマーク23を除去する。送り孔15は、各搬送部導体層開口部16内のベース絶縁層2を、搬送部導体層開口部16よりもやや小さく穿孔することにより形成する。これによって、送り孔15の形成予定領域24に設けられている位置決めマーク23が除去される。また、このベース絶縁層2の穿孔と同時に、送り孔15の形成予定領域24に対応する補強層4も穿孔される。
送り孔15の穿孔は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の穿孔方法を用いることができ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。
次いで、この方法では、図7(i)に示すように、補強層4に、配線部補強層開口部14と搬送部補強層開口部17とを形成して、TAB用テープキャリア1を得る。
補強層4に、配線部補強層開口部14と搬送部補強層開口部17を形成するには、補強層4における配線部3と対向する部分と、補強層4における搬送部導体層13に対向する部分とを、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、化学エッチング(ウェットエッチング)などの公知の方法によって、開口する。例えば、エッチングする場合には、補強層4における、配線部補強層開口部14および搬送部補強層開口部17の形成部分以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などのエッチング液を用いて、エッチングした後、エッチングレジストを除去する。
次いで、この方法では、図7(i)に示すように、補強層4に、配線部補強層開口部14と搬送部補強層開口部17とを形成して、TAB用テープキャリア1を得る。
補強層4に、配線部補強層開口部14と搬送部補強層開口部17を形成するには、補強層4における配線部3と対向する部分と、補強層4における搬送部導体層13に対向する部分とを、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、化学エッチング(ウェットエッチング)などの公知の方法によって、開口する。例えば、エッチングする場合には、補強層4における、配線部補強層開口部14および搬送部補強層開口部17の形成部分以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などのエッチング液を用いて、エッチングした後、エッチングレジストを除去する。
上記したTAB用テープキャリア1の製造方法では、導体パターン7を、金属薄膜21とめっきレジスト22とを形成して電解めっきするアディティブ法により形成したが、導体パターン7を、導体層18とエッチングレジスト31とを形成してエッチングするサブトラクディブ法により形成することもできる。
図8および図9は、本発明のTAB用テープキャリアの製造方法の他の実施形態を示す製造工程図である。
図8および図9は、本発明のTAB用テープキャリアの製造方法の他の実施形態を示す製造工程図である。
次に、サブトラクディブ法によりTAB用テープキャリア1を製造する場合の、TAB用テープキャリアの製造方法について、図8〜図10を参照して説明する。
この方法では、まず、図8(a)に示すように、補強層4と、補強層4の上に形成されたベース絶縁層2と、ベース絶縁層2の上に形成された導体層18とを備える三層基材を用意する。
この方法では、まず、図8(a)に示すように、補強層4と、補強層4の上に形成されたベース絶縁層2と、ベース絶縁層2の上に形成された導体層18とを備える三層基材を用意する。
三層基材を形成する補強層4は、上記と同様の金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、5〜30μm、さらに好ましくは、8〜20μmである。
三層基材を形成するベース絶縁層2は、上記と同様の合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、10〜40μm、さらに好ましくは、20〜30μmである。
三層基材を形成するベース絶縁層2は、上記と同様の合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、10〜40μm、さらに好ましくは、20〜30μmである。
三層基材を形成する導体層18は、上記と同様の金属から形成され、好ましくは、銅から形成される。その厚みは、上記と同様であり、好ましくは、8〜15μmである。
次いで、この方法では、図8(b)に示すように、導体層18の上に、エッチングレジスト31を形成する。
エッチングレジスト31は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像する公知の方法により、導体パターン7、搬送部導体層開口部16が形成される搬送部導体層13および位置決めマーク23と同一のレジストパターンとして形成する。
次いで、この方法では、図8(b)に示すように、導体層18の上に、エッチングレジスト31を形成する。
エッチングレジスト31は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像する公知の方法により、導体パターン7、搬送部導体層開口部16が形成される搬送部導体層13および位置決めマーク23と同一のレジストパターンとして形成する。
次いで、この方法では、図8(c)に示すように、エッチングレジスト31から露出する導体層18をエッチングして、上記したパターンで、導体パターン7、搬送部導体層13および位置決めマーク23を形成する。導体層18のエッチングは、例えば、化学エッチング(ウェットエッチング)が用いられる。
次いで、この方法では、図8(d)に示すように、エッチングレジスト31を、例えば、化学エッチング(ウェットエッチング)などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
次いで、この方法では、図8(d)に示すように、エッチングレジスト31を、例えば、化学エッチング(ウェットエッチング)などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
搬送部導体層13には、上記したエッチングにより、搬送部導体層開口部16が同時に形成される。
また、位置決めマーク23も、上記したエッチングにより、搬送部導体層13と同時に形成される搬送部導体層開口部16内において、搬送部導体層13と同時に形成される。
より具体的には、各位置決めマーク23は、上記と同様の形状で、各搬送部導体層開口部16内のベース絶縁層2の上において、次に形成する送り孔15の形成予定領域24内に形成される。
また、位置決めマーク23も、上記したエッチングにより、搬送部導体層13と同時に形成される搬送部導体層開口部16内において、搬送部導体層13と同時に形成される。
より具体的には、各位置決めマーク23は、上記と同様の形状で、各搬送部導体層開口部16内のベース絶縁層2の上において、次に形成する送り孔15の形成予定領域24内に形成される。
次いで、図9(e)に示すように、各配線8の中継リード11を被覆するカバー絶縁層12を、実装部6を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成する。カバー絶縁層12は、上記と同様の感光性ソルダレジストから、上記と同様の方法により形成する。カバー絶縁層12の厚みは、上記と同様であり、好ましくは、5〜20μmである。
次いで、この方法では、図9(f)に示すように、ベース絶縁層2に、送り孔15を形成して、同時に、位置決めマーク23を除去する。送り孔15の穿孔は、上記と同様の方法が用いられ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。また、このベース絶縁層2の穿孔と同時に、送り孔15の形成予定領域24に対応する補強層4も穿孔される。
次いで、この方法では、図9(f)に示すように、ベース絶縁層2に、送り孔15を形成して、同時に、位置決めマーク23を除去する。送り孔15の穿孔は、上記と同様の方法が用いられ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。また、このベース絶縁層2の穿孔と同時に、送り孔15の形成予定領域24に対応する補強層4も穿孔される。
次いで、この方法では、図9(g)に示すように、補強層4に、配線部補強層開口部14と搬送部補強層開口部17とを形成して、TAB用テープキャリア1を得る。配線部補強層開口部14および搬送部補強層開口部17は、上記と同様の形状で、同様の方法により開口する。
上記したTAB用テープキャリア1の製造方法によれば、送り孔15の形成予定領域24内において、ベース絶縁層2の上に、位置決めマーク23を形成するので、送り孔15の形成工程以前の工程(カバー絶縁層12の形成工程)で位置決めマーク23を基準として位置合わせすることができるとともに、送り孔15の形成予定領域24以外に、別途、位置決めマーク23を形成する位置を確保する必要がなく、半導体素子の実装の高密度化を図ることができる。その結果、電子機器の軽量化、薄型化および小型化を図ることができる。
上記したTAB用テープキャリア1の製造方法によれば、送り孔15の形成予定領域24内において、ベース絶縁層2の上に、位置決めマーク23を形成するので、送り孔15の形成工程以前の工程(カバー絶縁層12の形成工程)で位置決めマーク23を基準として位置合わせすることができるとともに、送り孔15の形成予定領域24以外に、別途、位置決めマーク23を形成する位置を確保する必要がなく、半導体素子の実装の高密度化を図ることができる。その結果、電子機器の軽量化、薄型化および小型化を図ることができる。
また、上記したTAB用テープキャリア1の製造方法によれば、位置決めマーク23は、ベース絶縁層2を貫通する穴ではなく、ベース絶縁層2の上に形成されている。そのため、TAB用テープキャリア1の強度の低下を防止することができる。その結果、TAB用テープキャリア1の製造工程(カバー絶縁層12の形成工程)において、TAB用テープキャリア1の破損を防止することができる。
さらに、上記したTAB用テープキャリア1の製造方法では、電解めっきにより、位置決めマーク23を、導体パターン7と同時に形成しているので、位置決めマーク23を、別途形成する場合の工数や手間を省くことができる。そのため、TAB用テープキャリア1の製造コストを低減することができる。
また、上記したTAB用テープキャリア1では、搬送部補強層開口部17および搬送部導体層開口部16が、送り孔15の周りを囲むように、送り孔15よりも大きく形成されている。そのため、送り孔15にスプロケットを噛合させたときには、そのスプロケットが、補強層4および搬送部導体層13に接触することなく、ベース絶縁層2のみに接触する。これによって、スプロケットが補強層4および搬送部導体層13と接触することにより、補強層4および搬送部導体層13から金属粉が発生することを防止することができる。その結果、導体パターン7の金属粉に起因する短絡を防止することができる。
また、上記したTAB用テープキャリア1では、搬送部補強層開口部17および搬送部導体層開口部16が、送り孔15の周りを囲むように、送り孔15よりも大きく形成されている。そのため、送り孔15にスプロケットを噛合させたときには、そのスプロケットが、補強層4および搬送部導体層13に接触することなく、ベース絶縁層2のみに接触する。これによって、スプロケットが補強層4および搬送部導体層13と接触することにより、補強層4および搬送部導体層13から金属粉が発生することを防止することができる。その結果、導体パターン7の金属粉に起因する短絡を防止することができる。
なお、上記の説明では、TAB用テープキャリア1の搬送部5に、搬送部導体層13を設けたが、その目的および用途により、搬送部導体層13は、設けなくてもよく、さらには、補強層4も、設けなくてもよい。
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例1
実施例1では、幅250mmの補強層上に、幅48mmのTAB用テープキャリアを4列同時に作製した。
まず、補強層として、厚さ20μmのステンレス箔(SUS304)を用意し(図6(a)参照)、その補強層の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を、塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、厚み20μmのベース絶縁層を形成した(図6(b)参照)。
実施例1
実施例1では、幅250mmの補強層上に、幅48mmのTAB用テープキャリアを4列同時に作製した。
まず、補強層として、厚さ20μmのステンレス箔(SUS304)を用意し(図6(a)参照)、その補強層の上に、ポリアミック酸樹脂溶液を、塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、厚み20μmのベース絶縁層を形成した(図6(b)参照)。
次いで、ベース絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚さ2000Åの金属薄膜を形成した(図6(c)参照)。
次いで、ドライフィルムレジストを露光および現像することにより、めっきレジストを金属薄膜の表面に、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークと反転パターンするレジストパターンとして形成した(図6(d)参照)。
次いで、ドライフィルムレジストを露光および現像することにより、めっきレジストを金属薄膜の表面に、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークと反転パターンするレジストパターンとして形成した(図6(d)参照)。
次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、2.5A/dm2で約20分間電解銅めっきすることにより、厚さ10μmの導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークを同時に形成した(図6(e)参照)。
搬送部導体層の幅は、2.89mmであった。また、搬送部導体層には、電解銅めっきにより、搬送部導体層開口部が同時に形成された。搬送部導体層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、1.82mmであった。位置決めマークは、平面視円形状であり、その直径が、0.50mmであった。
搬送部導体層の幅は、2.89mmであった。また、搬送部導体層には、電解銅めっきにより、搬送部導体層開口部が同時に形成された。搬送部導体層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、1.82mmであった。位置決めマークは、平面視円形状であり、その直径が、0.50mmであった。
次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去し、続いて、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークから露出する金属薄膜を、同じく、化学エッチングにより除去した(図7(f)参照)。
次いで、各配線の中継リードを被覆するカバー絶縁層を、感光性ソルダレジストから、露光および現像して、実装部を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成した。なお、このカバー絶縁層の形成工程では、位置決めマークを基準として、感光性ソルダレジストの露光位置を位置決めした(図7(g)参照)。
次いで、各配線の中継リードを被覆するカバー絶縁層を、感光性ソルダレジストから、露光および現像して、実装部を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成した。なお、このカバー絶縁層の形成工程では、位置決めマークを基準として、感光性ソルダレジストの露光位置を位置決めした(図7(g)参照)。
次いで、ベース絶縁層に、パンチング加工により、送り孔を形成して、同時に、位置決めマークを除去した(図7(h)参照)。送り孔は、各搬送部導体層開口部内のベース絶縁層を、搬送部導体層開口部よりもやや小さく穿孔することにより形成した。送り孔は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが1.42mmであった。このベース絶縁層の穿孔と同時に、対応する補強層も穿孔した。
次いで、補強層における配線部と対向する部分と、補強層における搬送部導体層開口部に対向する部分とを、化学エッチングにより、開口して、補強層に、配線部補強層開口部と搬送部補強層開口部とを形成して、TAB用テープキャリアを得た(図7(i)参照)。
なお、搬送部補強層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、1.82mmであった。
なお、搬送部補強層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、1.82mmであった。
実施例2
実施例2では、幅250mmの補強層上に、幅48mmのTAB用テープキャリアを4列同時に作製した。
まず、補強層として、厚み20μmのステンレス箔(SUS304)と、ベース絶縁層として、厚み20μmのポリイミド樹脂層と、導体層として、10μmの銅からなる銅箔とからなる三層基材を用意した(図8(a)参照)。
実施例2では、幅250mmの補強層上に、幅48mmのTAB用テープキャリアを4列同時に作製した。
まず、補強層として、厚み20μmのステンレス箔(SUS304)と、ベース絶縁層として、厚み20μmのポリイミド樹脂層と、導体層として、10μmの銅からなる銅箔とからなる三層基材を用意した(図8(a)参照)。
次いで、ドライフィルムレジストを露光および現像することにより、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークと同一のレジストパターンとして、導体層の上に、エッチングレジストを形成した(図8(b))参照)。
次いで、エッチングレジストから露出する導体層を、化学エッチングを用いてエッチングして、上記したパターンで、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークを形成した(図8(c)参照)。
次いで、エッチングレジストから露出する導体層を、化学エッチングを用いてエッチングして、上記したパターンで、導体パターン、搬送部導体層および位置決めマークを形成した(図8(c)参照)。
搬送部導体層の幅は、4.70mmであった。また、搬送部導体層には、化学エッチングにより、搬送部導体層開口部が同時に形成された。搬送部導体層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、2.38mmであった。位置決めマークは、平面視円形状であり、その直径が、0.50mmであった。
次いで、エッチングレジストを、化学エッチングによって除去した(図8(d)参照)。
次いで、エッチングレジストを、化学エッチングによって除去した(図8(d)参照)。
次いで、各配線の中継リードを被覆するカバー絶縁層を、感光性ソルダレジストから、露光および現像して、実装部を囲むようにして、平面視略矩形枠状に形成した。なお、このカバー絶縁層の形成工程では、位置決めマークを基準として、感光性ソルダレジストの露光位置を位置決めした(図9(e)参照)。
次いで、ベース絶縁層に、パンチング加工により、送り孔を形成して、同時に、位置決めマークを除去した(図9(f)参照)。送り孔は、各搬送部導体層開口部内のベース絶縁層を、搬送部導体層開口部よりもやや小さく穿孔することにより形成した。送り孔は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが1.98mmであった。このベース絶縁層の穿孔と同時に、対応する補強層も穿孔した。
次いで、ベース絶縁層に、パンチング加工により、送り孔を形成して、同時に、位置決めマークを除去した(図9(f)参照)。送り孔は、各搬送部導体層開口部内のベース絶縁層を、搬送部導体層開口部よりもやや小さく穿孔することにより形成した。送り孔は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが1.98mmであった。このベース絶縁層の穿孔と同時に、対応する補強層も穿孔した。
次いで、補強層における配線部と対向する部分と、補強層における搬送部導体層開口部に対向する部分とを、化学エッチングにより、開口して、補強層に、配線部補強層開口部と搬送部補強層開口部とを形成して、TAB用テープキャリアを得た(図9(g)参照)。
なお、搬送部補強層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、1.98mmであった。
なお、搬送部補強層開口部は、平面視矩形状であり、その一辺の長さが、1.98mmであった。
1 TAB用テープキャリア
2 ベース絶縁層
7 導体パターン
15 送り孔
23 位置決めマーク
24 送り孔の形成予定領域
2 ベース絶縁層
7 導体パターン
15 送り孔
23 位置決めマーク
24 送り孔の形成予定領域
Claims (2)
- 基材上に、複数の導体パターンを互いに間隔を隔てて連続的に形成するTAB用テープキャリアの製造方法において、
前記基材を搬送するための搬送孔の形成予定領域内において、前記基材上に、位置決めマークを形成する工程と、
前記搬送孔の形成予定領域に前記搬送孔を形成して、前記位置決めマークを除去する工程と
を含むことを特徴とする、TAB用テープキャリアの製造方法。 - 前記基材上に、複数の前記導体パターンを形成する工程を含み、
前記位置決めマークは、複数の前記導体パターンを形成する工程において、複数の前記導体パターンと同時に形成することを特徴とする、請求項1に記載のTAB用テープキャリアの製造方法。
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