KR20060097578A - 플렉서블 회로기판의 제조 방법 - Google Patents

플렉서블 회로기판의 제조 방법 Download PDF

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KR20060097578A
KR20060097578A KR1020060009345A KR20060009345A KR20060097578A KR 20060097578 A KR20060097578 A KR 20060097578A KR 1020060009345 A KR1020060009345 A KR 1020060009345A KR 20060009345 A KR20060009345 A KR 20060009345A KR 20060097578 A KR20060097578 A KR 20060097578A
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도모히로 노무라
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신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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Abstract

아무런 불량이 발생하지 않고, 범프(bump)가 설치된 작은 피치의 배선층을 구비한 플렉서블(flexible) 회로기판(COF 패키지)을 제조하는 것이다.
릴(reel)로부터 인출되어 반송되는 금속박판(1O)에 오목부(1Oa)를 형성하고, 오목부(10a)를 포함하는 부분에 개구부(12a)가 설치된 레지스트 막(12)을 금속박판(10) 위에 형성한다. 그 후에, 금속박판(10)을 도금 급전 경로로 이용하는 전해 도금으로, 레지스트 막(12)의 개구부(12a) 내에 금속층을 형성함으로써, 오목부(10a)에 충전된 범프(18c)와 그것에 연결되는 배선층(18)을 얻는다. 또한, 레지스트 막(12)을 제거하고, 배선층(18)을 덮는 절연층(20)을 형성한 후에, 금속박판(10)을 제거함으로써 범프(18c) 및 배선층(18)을 노출시킨다.
플렉서블 회로기판, 칩 온 필름 방식, 전해 도금, 작은 피치의 배선층, 에칭, 오목부

Description

플렉서블 회로기판의 제조 방법 {METHOD FOR MANUFACTURING OF FLEXIBLE CIRCUIT BOARD}
도 1은 종래 기술의 COF 패키지의 제조 방법을 나타낸 도면(그 1).
도 2는 종래 기술의 COF 패키지의 제조 방법을 나타낸 도면(그 2).
도 3은 종래 기술의 COF 패키지의 제조 방법을 나타낸 도면(그 3).
도 4는 종래 기술의 COF 패키지의 제조 방법을 나타낸 도면(그 4).
도 5(a) 및 (b)는 본 발명의 제 1 실시예의 플렉서블(flexible) 회로기판의 제조 방법을 나타낸 도면(그 1).
도 6은 본 발명의 제 1 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법을 나타낸 도면(그 2).
도 7은 본 발명의 제 1 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법을 나타낸 도면(그 3).
도 8(a) 내지 (d)는 본 발명의 제 1 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법을 나타낸 도면(그 4).
도 9는 본 발명의 제 1 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법을 나타낸 도면(그 5).
도 10은 본 발명의 제 1 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법을 나타낸 도면(그 6).
도 11은 본 발명의 제 1 실시예의 플렉서블 회로기판에 반도체 칩이 설치된 모양을 나타낸 도면.
도 12는 본 발명의 제 1 실시예의 플렉서블 회로기판에 반도체 칩이 설치된 것을 구부려서 전자기기에 설치한 예를 나타내는 단면도.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법을 나타낸 도면(그 1).
도 14는 본 발명의 제 2 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법을 나타낸 도면(그 2).
*도면 부호의 설명*
1, 1a : 플렉서블(flexible) 회로기판
5 : 릴
7 : 상형
7 a : 볼록부
8 : 하형
10 : 금속박판
10a : 오목부
10b : 얼라인먼트 마크
12 : 레지스트 막
12a : 개구부
14 : 배리어 금속층
16 : 구리층
18 : 배선층
18a : 이너 리드
18b : 아우터 리드
18c : 범프
20 : 절연층
22 : 커버 코트층
24 : 언더 필 수지
30 : 반도체 칩
30 a : 접속 패드
본 발명은 플렉서블(flexible) 회로기판의 제조 방법에 관계되며, 보다 구체적으로, COF(Chip on Film) 타입의 패키지에 적용할 수 있는 플렉서블 회로기판의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 액정표시장치의 드라이브 IC의 설치 등에는 배선의 작은 피치에 용이하게 대응할 수 있고, 굴곡성이 우수한 COF(Chip 0n Film) 방식이 TAB(Tape Auto Bonding) 방식의 대체로서 채용되고 있다.
종래의 COF 패키지의 제조 방법은, 도 1에 나타나 있는 바와 같이, 우선, 릴(reel)로부터 인출되어 반송되는 동(銅)박이 부착된 폴리이미드 테입(100)의 동박을 포토리소그래피에 의해 패터닝함으로써, 이너 리드(102a) 및 아우터 리드(102b)를 포함하는 배선층(102)을 형성한다. 그 후에, 이너 리드(102a) 및 아우터 리드(102b)가 노출하도록, 커버 코트층(104)을 배선층(102) 위로 형성한다.
이어서, 도 2에 나타나 있는 바와 같이, 반도체 칩이 접속되는 이너 리드(102)의 부분이 노출하도록 연속한 슬릿 모양의 개구부(106a)가 설치된 레지스트 막(106)을 배선층(l02) 위로 형성한다. 계속해서, 도 3에 나타나 있는 바와 같이 레지스트 막(106)의 개구부(106a) 내에 노출하는 이너 리드(102a)의 부분에 구리 도금을 실시함으로써 범프(108)를 형성한다. 계속해서, 레지스트 막(106)을 제거한 후에, 커버 코트층(104)으로부터 노출하는 범프(l08) 및 배선층(102)에 니켈 도금을 실시하고, 그 후에 금 도금을 실시한다. 이에 따라 도 4에 나타나 있는 바와 같이, 반도체 칩에 접속하기 위한 범프(108)를 각 이너 리드(l02a)에 구비한, COF 타입의 플렉서블 회로기판을 얻을 수 있다. (특허문헌 1, 일본국 공개특허공보 특개평9-283925호)
그러나, 폴리이미드 테입은, 강성이 약하고, 또 제조 공정에서 신축이 발생하기 쉽기 때문에, 테입의 박막화나 배선층의 한층 더 작은 피치화가 진행되면, 릴 투 릴(reel to reel) 반송할 때에 테입을 잘 반송할 수 없게 되거나, 포토리소그래피에서의 고정밀도의 위치 맞춤이 곤란해질 우려가 있다.
또한, 도 3 및 도 4에 나타나 있는 바와 같이, 범프(108)가 형성되는 부분을 획정하기 위한 레지스트 막(106)의 개구부(106a)는, 복수의 이너 리드(102a)를 넘도록 슬릿 모양으로 형성됨으로써, 이너 리드(l02a)의 가로 방향에 범프(108)가 비대해서 형성되기 때문에, 이웃하는 범프(108) 상호간이 전기적으로 쇼트할 우려가 있다. 또한 종래 기술에서는, 범프의 배치를 번갈아 해서 갈지자 배열의 범프를 형성하는 것이 곤란하다.
또한, 범프의 높이는, 도금 조건에 의해 조정할 필요가 있으므로, 회로기판 내 또는 회로기판 간에서 범프의 높이가 허용값 이상에 분포해버리는 경우가 많다.
본 발명은 이상의 과제를 감안하여 창작된 것으로, 아무런 불량이 발생하지 않고, 범프가 설치된 작은 피치의 배선층을 구비한 COF 패키지를 제조할 수 있는 플렉서블 회로기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은 플렉서블 회로기판의 제조 방법에 관한 것으로, 릴로부터 인출되어 반송되는 금속박판에 오목부를 형성하는 공정과, 상기 금속박판의 상기 오목부를 포함하는 부분에, 개구부가 설치된 레지스트 막을 상기 금속박판 위에 형성하는 공정과, 상기 금속박판을 도금 급전 경로로 이용하는 전해 도금으로 상기 레지스트 막의 개구부 내에 금속층을 형성함으로써, 상기 오목부에 충전된 범프와 상기 범프에 연결되는 배선층을 얻는 공정과, 상기 레지스트 막을 제거하는 공정과, 상기 배선층을 피복하는 절연층을 형성하는 공정과, 상기 금속박판을 제거함으로써 상기 범프 및 상기 배선층을 노출시키는 공정을 갖는 것 을 특징으로 한다.
본 발명에서는, 우선, 릴로부터 인출되어 릴 투 릴 반송되는 금속박판에 프레스가공 등에 의해 오목부가 형성된다. 그 후에, 금속박막의 오목부를 포함하는 부분에 개구부가 설치된 레지스트 막이 포토리소그래피에 의해 형성된다. 이때, 호적인 태양에서는, 금속박판에 오목부의 형성과 동시에 얼라인먼트 마크가 형성되고, 레지스트 막의 개구부는 금속박판의 오목부에 고정밀도로 위치 맞춤된 상태로 형성된다.
이어서, 레지스트 막의 개구부에 노출하는 금속박판의 오목부를 포함하는 부분에 전해 도금에 의해 금속층을 형성하여, 오목부에 충전된 범프와 그것에 연결되는 배선층을 얻는다. 이렇게 함으로써, 범프는 배선층의 소요부(이너 리드)에 고정밀도로 위치 맞춤되어 자기정합적으로 형성된다. 또한 금속박판의 오목부의 형상에 의해 범프가 획정되므로, 종래 기술과 같은 배선층 위에 도금으로 범프를 형성할 경우보다도, 범프의 형상에 재현성이 있고, 범프 높이의 불균일도 각별히 작게 할 수 있다.
또한, 배선층은 금속박판을 시드층에 이용하는 세미 애더티브법으로 형성되므로, 배선 형성 공정에서 시드층을 에칭할 필요가 없고, 배선층의 미세화에 용이하게 대응할 수 있다.
계속해서, 레지스트 막이 제거된 후에, 배선층을 피복하는, 플렉서블성을 가지는 절연층이 형성된다. 또한, 금속박판이 배선층에 대하여 선택적으로 제거되어서, 범프가 설치된 배선층이 절연층으로부터 노출한다. 이에 따라 플렉서블 기판 으로서 기능하는 절연층에 배선층이 매설되어, 그 배선층으로부터 범프가 돌출하는 구조의 플렉서블 회로기판을 얻을 수 있다.
본 발명에서는, 릴 투 릴(reel to reel) 방식에서 반송하는 공정으로는 어느 정도의 강성을 가지는 금속박판이 가기판으로서 기능하므로, 박막의 폴리이미드 테입을 릴 투 릴 방식으로 반송하여 각종 처리를 행해서 필름 패키지를 제조하는 방법보다도, 반송시의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 플렉서블 회로기판의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
흔히, 많은 비용이 드는 포토리소그래피의 공정을 종래 기술보다 삭감할 수 있으므로, 제조 비용의 면에서도 유리해진다.
특허문헌 1에는, 금속판에 형성된 구멍에 전해 도금에 의해 범프를 형성하고, 절연층의 비아홀을 거쳐서 범프에 접속되는 배선층을 형성한 후에, 금속판을 범프에 대하여 선택적으로 제거하는 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 1에서는, 금속판으로서, 릴로부터 인출되어 릴 투 릴 반송되는 플렉서블성 있는 물질을 사용하는 것에 관해서 조금도 고려되어 있지 않다. 또한, 특허문헌 1에서는, 범프와 배선층의 위치는 별공정의 포토리소그래피에 의해 획정되는 것이며, 본 발명과 같은 범프를 배선층에 자기정합적으로 배치하는 기술사상은 없다. 이와 같이, 특허문헌 1은 본 발명의 구성을 시사한 것은 아니다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대해서, 첨부 도면을 참조해서 설명한다.
( 제 1 실시예)
도 5 내지 도 11은 본 발명의 제 1 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법을 나타낸 도면이다. 도 5(a)에 나타나 있는 바와 같이, 우선, 릴(권회체) 5로부터 인출되어 반송되는 긴 자모양의 금속박판(10)을 준비한다. 금속박판(10)으로서 각종 금속 재료를 사용할 수 있지만, 적합하게는 리드프레임을 제조할 때에 사용되는, 가요성을 가지는 동(銅) 박판이 사용되며, 그 두께는 0.1 내지 0.2mm 정도이다. 본 실시예에서는 릴(5)로부터 인출되어진 금속박판(10)이 가기판으로서 사용되며, 소위, 릴 투 릴 반송에 의해 금속박판(10)이 가공되거나, 그 위에 배선층이나 절연층 등이 형성된다. 본 실시예의 금속박판(10)은 가요성과 어느 정도의 강성을 아울러 가지므로, 박막의 폴리이미드 테입을 릴 투 릴 반송으로 처리할 경우와 달리, 반송시의 어긋남 등의 불량이 발생하기 어려워져, 반송시의 신뢰성을 각별히 향상시킬 수 있다.
그 후에, 도 5(b)에 나타나 있는 바와 같이, 볼록부(7a)를 구비한 상형(7) 및 하형(8)을 가지는 금형에 금속박판(10)을 반송하고, 금형에서 금속박판(10)을 프레스가공한다. 이에 따라 도 6에 나타나 있는 바와 같이, 금속박판(1O)의 윗면측에 복수 개의 오목부(1Oa)가 형성된다. 이때 동시에, 긴 자 모양의 금속박판(10)의 양단부에 관통공을 형성해서, 얼라인먼트 마크(10b, 도 6의 평면도)로 한다.
이어서, 도 7에 나타나 있는 바와 같이, 포토리소그래피에 의해 금속박판(10)의 오목부(10a)를 포함하는 부분에 개구부(12a)가 설치된 레지스트 막(12)을 금속박판(10) 위에 형성한다. 이때, 레지스트 막(12)에의 노광은, 얼라인먼트 마 크(10b)를 이용해서 위치 맞춤된 상태에서 행해지므로, 레지스트 막(12)의 개구부(12a)는 오목부(10a)에 고도로 위치 맞춤된 상태로 형성된다. 레지스트 막(12)으로서 드라이 필름 레지스트를 사용해도 좋고, 액상의 레지스트를 도포해 형성해도 좋다.
계속해서, 도 8(a)에 나타나 있는 바와 같이, 금속박판(10)을 도금 급전 경로로 이용하는 전해 도금에 의해, 레지스트 막(12)의 개구부(12a)에 노출하는 금속박판(10)의 오목부(10a)를 포함하는 부분 위로, 니켈(Ni) 또는 금(Au)으로 이루어진, 막 두께가 1μm 정도의 배리어 금속층(14)을 형성한다. 또한, 같은 전해 도금에 의해 배리어 금속층(14) 위에 막 두께가 9μm 정도의 구리층(16)을 형성한다. 그 후에, 레지스트 막(12)이 제거된다.
이에 따라, 도 8(b)에 나타나 있는 바와 같이, 배리어 금속층(14)과 구리층(16)에 의해 구성되는 배선층(18)이 형성됨과 동시에, 금속박판(10)의 오목부(10a)에 배리어 금속층(14) 및 구리층(16)이 충전되어서 배선층(18)에 연결되는 범프(18c)가 형성된다. 배선층(18)은, 이너 리드(18a)와 아우터 리드(18b)를 포함해서 구성되며, 범프(18c)는 이너 리드(18a)의 하측에 돌출해서 설치된다.
이와 같이, 배선층(18)은 레지스트 막(12)의 개구부(12a)에 의해 획정되고, 범프(18c)는 금속박판(10)의 오목부(10a)에 의해 획정된다. 이 때, 레지스트 막(12)의 개구부(12a)는, 금속박판(10)의 오목부(10a)에 얼라인먼트 마크(10b)에 의해 위치 맞춤되어 형성되므로, 범프(18c)는 배선층(18)의 이너 리드(18a)에 고정밀도로 맞춤되어 형성된다. 또한, 범프(18c)의 크기 및 높이는, 금속박판(10)에 프 레스가공으로 설치되는 오목부(10a)의 형상에 의해 결정되므로, 범프(18c)의 형상에 재현성이 있고, 인접하는 범프(18c)뿐만 아니라 복수 개의 플렉서블 회로기판 간에 있어서도 범프 높이의 불균일을 작게 할 수 있다. 이와 같이, 본 실시예에서는 배선층(18)의 이너 리드(18a)에 연결되는 범프(18c)가 배선층(18)에 대하여 자기정합적으로 형성된다.
또한, 후술하는 제 2 실시예에서 설명하는 바와 같이, 금속박판(10)에 설치한 오목부(10a)의 위치는 자유롭게 배치할 수 있으므로, 범프(18c)를 갈지자 배열로 배치하는 것도 가능하다.
이어서, 도 8(c)에 나타난 바와 같이, 배선층(18)을 피복하는 절연층(20)을 금속박판(10) 위에 형성한다. 절연층(20)으로서 경화 후에 플렉서블성을 가지는 수지, 예를 들면, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 또는 폴리페닐렌 에테르계 수지가 사용된다. 그러한 수지층의 형성 방법으로는, 배선층(18)이 형성된 금속박판(10) 위에 수지 필름을 라미네이트한 후, 80 내지 140℃의 온도에서 열 프레스해서 경화시키는 방법이 있다. 또는, 수지층을 스핀 코트법 또는 인쇄에 의해 형성하도록 하여도 좋다.
이어서, 도 8(d)에 나타나 있는 바와 같이, 금속박판(10)을, 배선층(18)의 배리어 금속층(14)에 대하여 선택적으로 에칭해서 제거한다. 금속박판(10)의 에칭은, 금속박판(10)이 구리로 이루어진 경우, 염화제2철수용액, 염화제2구리수용액 또는 과황산암모늄수용액 등을 이용한 습식 에칭이 채용된다. 이때, 배선층(18)의 배리어 금속층(14, Ni 또는 Au)이 금속박판(10)을 에칭할 때의 에칭스톱층으로서 기능하고, 금속박판(10)만을 선택적으로 제거할 수 있다.
도 9에는 도 8(d)의 구조체를 상하 반전시킨 상태가 나타나 있다. 도 9에 나타나 있는 바와 같이, 금속박판(10)을 제거함으로써, 절연층(20)이 플렉서블 기판으로서 기능하고, 필요로 하는 배선층(18)이, 그 배리어 금속층(14)이 노출한 상태로 절연층(20)에 매설되어 형성된다. 그리고 배선층(18)은 이너 리드(18a)와 아우터 리드(18b)를 구비하고 있어, 이너 리드(18a)로부터 상측에 돌출해서 설치된 범프(18c)가 노출한다.
또한, 도 10에 나타나 있는 바와 같이, 이너 리드(18a) 및 아우터 리드(18b)가 노출하도록, 배선층(18)을 피복하는 땜납 레지스트 등의 커버 코트층(22)을 형성한다.
이에 따라, 본 실시예의 플렉서블 회로기판(1)을 얻을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법에서는, 우선, 릴(5)로부터 인출되어 릴 투 릴 반송되는 금속박판(10)에 프레스가공에 의해 오목부(1Oa)와 얼라인먼트 마크(1Ob)가 형성된다. 이어서, 금속박막(1O)의 오목부(1Oa)를 포함하는 부분에 개구부(12a)를 구비한 레지스트 막(12)이 포토리소그래피에 의해 형성된다. 이 때, 금속박판(10)에는 얼라인먼트 마크(1Ob)가 형성되어 있으므로, 레지스트 막(12)의 개구부(12a)는 금속박판(10)의 오목부(10a)에 고정밀도로 위치 맞춤된 상태로 형성된다.
이어서, 레지스트 막(12)의 개구부(12a)에 노출하는 금속박판(10)의 오목부(10a)를 포함하는 부분에 전해 도금에 의해 배리어 금속층(14) 및 구리층(16)으로 구성되는 배선층(18)이 형성된다. 이때, 오목부(10a)에 의해 범프(18c)가 획정되어 형성되며, 그것에 연결되는 배선층(18)이 레지스트 막(12)의 개구부(12a)에 의해 획정되어 형성된다. 이 때문에, 범프(18c)는 배선층(18)의 이너 리드(18a)의 소요부에 고정밀도로 위치 맞춤되어서 형성된다. 또한 금속박판(10)의 오목부(10a)의 형상에 의해 범프(18c)가 획정되므로, 범프(18c)의 형상에 재현성이 있는 동시에, 인접하는 범프(18c)의 높이의 불균일을 종래 기술과 같은 배선층 위에 도금으로 형성할 경우보다도 각별히 작게 할 수 있다.
또한 범프(18c) 및 배선층(18)은 금속박판(10)이 시드층(도금 급전층)을 겸하는 세미 애더티브법으로 형성되므로, 배선 형성 공정에서 시드층을 에칭하지 않고 배선층(18)을 얻을 수 있다. 따라서 배선층(18)의 한층 더 작은 피치화(라인:space=4O:40μm 이하)에 용이하게 대응할 수 있다.
계속해서, 레지스트 막(12)이 제거된 후에, 배선층(18)을 피복하는 플렉서블성을 가지는 절연층(20)이 형성된다. 또한, 금속박판(10)이 배선층(18)의 배리어 금속층(14)에 대하여 선택적으로 제거되어, 범프(18c)가 설치된 배선층(18)이 노출한다. 그 후에, 배선층(18)의 이너 리드(18a) 및 아우터 리드(18b)가 노출하도록 배선층(18) 위로 커버 코트층(22)이 형성된다.
본 실시예에서는 상기한 효과 이외에, 일반적으로 많은 비용이 드는 포토리소그래피 공정에 관하여, 종래 기술에서는 2회(동박의 패터닝시와 범프 형성시) 필요하지만, 본 실시예에서는 범프 및 배선층을 전해 도금으로 동시에 형성할 때에 필요하게 될 뿐이며, 제조 비용의 면에서도 유리하게 된다.
도 11에는 본 실시예의 플렉서블 회로기판에 반도체 칩이 설치된 일례가 나타나 있다. 도 11에 나타나 있는 바와 같이, 이 예에서는, 플렉서블 회로기판(1)의 좌우로 배선층(18)의 군이 각각 배치되고 있고, 각 배선층(18)의 이너 리드(18a)에는 범프(18c)가 각각 설치되어 있다. 그리고 이너 리드(18a)에 설치된 범프(18c)에 반도체 칩(30)의 접속 패드(30a)가 플립 칩 접속되고, 반도체 칩(30)의 하측 간격에 언더 필 수지(24)가 충전되어서 COF 타입의 반도체장치가 구성된다.
도 11의 예에서는, 플렉서블 회로기판(1)의 양단측에 아우터 리드(18b)가 각각 배치되어, 아우터 리드(18b)는 전자기기의 접속단자(예를 들면, 액정표시장치의 드라이브 회로 등)에 접속된다. 또는, 배선층을 끌어옴으로써 아우터 리드(18b)가 1 군데에 모여져서 배치되도록 해도 좋다.
또한 본 실시예에 따른 플렉서블 회로기판(1)에서는 배선층(18)이 매설된 절연층(20)을 플렉서블 기판으로서 이용하므로, 구부린 상태로 각종의 전자기기에 설치하는 것도 가능하다. 도 12에는 그 일례가 제시되고 있어, 본 실시예의 플렉서블 회로기판이 그 중앙부의 굴곡부 A에서, 이너 리드(18a) 및 아우터 리드(18b)가 외측이 되도록 해서 구부려져 있다. 그리고 이너 리드(18a)의 범프(18c)에 반도체 칩(30)이 설치되고, 전자기기의 접속단자(40)에 아우터 리드(18b)가 접속되어 있다. 이와 같이 설치함으로써, 반도체 칩이 설치되는 회로기판의 면적을 작게 할 수 있으므로 액정표시장치 등의 전자기기의 소형화를 도모할 수 있다.
(제 2 실시예)
도 13 및 도 14는 본 발명의 제 2 실시예의 플렉서블 회로기판의 제조 방법 을 나타낸 도면이다. 제 2 실시예가 제 1 실시예와 다른 점은 범프의 배치를 갈지자 배열로 하는 것에 있다. 제 2 실시예에서는, 제 1 실시예와 같은 공정에 대해서는 그 자세한 설명을 생략한다.
도 13에 나타나 있는 바와 같이, 우선, 제 1 실시예와 마찬가지로, 금속박판(10)에 프레스가공에 의해 오목부(l0a)와 얼라인먼트 마크(10b)를 동시에 형성한다. 제 2 실시예에서는 갈지자 배열의 범프를 형성하기 위해서, 복수 개의 오목부(1Oa)는 한 방향에 있어 엇갈려지도록 배열된다.
그 후에, 제 1 실시예에서 설명한 도 7 내지 도 10의 공정을 수행함으로써, 도 14에 나타나 있는 바와 같이, 각 범프(18c)는 인접하는 방향에서 엇갈린 상태로 배선층(18)의 각 이너 리드(18a)에 각각 위치 맞춤되어 배치되며, 소위 갈지자 배열이 되어 형성된다. 이에 따라, 제 2 실시예의 플렉서블 회로기판(1a)을 얻을 수 있다.
이렇게 본 발명에서는, 범프 배열의 자유도가 높고, 배선층의 이너 리드의 임의 위치에 범프를 고정밀도로 위치 맞춤해서 형성할 수 있다. 제 2 실시예에서는 이너 리드(18a)에 갈지자 배열로 범프(18c)가 설치됨으로써 범프(18c)가 이너 리드(18a)로부터 가로방향으로 나와도 범프(18c) 상호간의 전기적인 쇼트가 발생하기 어려워져, 제 1 실시예보다도 배선층(l8)의 작은 피치화가 가능해진다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는, 아무런 불량이 발생하지 않고, COF 패키지에 적용할 수 있는 플렉서블 회로기판을 수율이 좋게 제조할 수 있다.

Claims (9)

  1. 릴(reel)로부터 인출되어 반송되는 금속박판에 오목부를 형성하는 공정과,
    상기 금속박판의 상기 오목부를 포함하는 부분에 개구부가 설치된 레지스트 막을 상기 금속박판 위에 형성하는 공정과,
    상기 금속박판을 도금 급전 경로로 이용하는 전해 도금으로, 상기 레지스트 막의 개구부 내에 금속층을 형성함으로써, 상기 오목부에 충전된 범프(bump)와 상기 범프에 연결되는 배선층을 얻는 공정과,
    상기 레지스트 막을 제거하는 공정과,
    상기 배선층을 피복하는 절연층을 형성하는 공정과,
    상기 금속박판을 제거함으로써 상기 범프 및 상기 배선층을 노출시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 회로기판의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속박판에 오목부를 형성하는 공정에서, 상기 금속박판에 얼라인먼트 마크를 동시에 형성하고,
    상기 개구부가 설치된 레지스트 막을 형성하는 공정에서, 상기 얼라인먼트 마크를 이용하는 포토리소그래피에 의해 상기 레지스트 막의 개구부는 상기 오목부에 위치 맞춤된 상태로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 회로기판의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 배선층은 이너 리드(inner lead)와 아우터 리드(outer lead)를 포함하고,
    상기 범프는 이너 리드에 설치되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 회로기판의 제조 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속박판에 오목부를 형성하는 공정에서, 금형을 이용한 프레스가공에 의해 상기 오목부를 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 회로기판의 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 범프 및 상기 배선층을 노출시키는 공정 후에,
    상기 배선층의 상기 범프가 설치된 상기 이너 리드 및 상기 아우터 리드가 노출하도록, 상기 배선층을 피복하는 커버 코트층을 형성하는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 회로기판의 제조 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 오목부에 충전된 범프와 상기 범프에 접속된 배선층을 얻는 공정에서, 상기 금속층은 그 하측에 배리어 금속층을 포함해서 형성되고,
    상기 금속박판을 제거할 때에, 상기 배리어 금속층이 에칭스톱층으로서 기능하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 회로기판의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층은 플렉서블성을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 회로기판의 제조 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 금속박판은 동으로 이루어지고, 상기 배리어 금속층은 니켈 또는 금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 회로기판의 제조 방법.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 범프에 반도체 칩이 설치되고, 상기 아우터 리드는 전자기기에 접속되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 회로기판의 제조 방법.
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