KR100932832B1 - 음각된 미세 회로에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅 하는방법 - Google Patents
음각된 미세 회로에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅 하는방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 COF(Chip On Film)를 엣칭(Etching) 공정을 하지 않고 COF를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본원 발명은 테프론 필름(Teflon Film) 또는 실리콘 고무로된 필름을 Roll to Roll 기계에 의해 음각시키는 공정과, 상기 음각된 부위에 도전성 물질을 충진시키고 연마한 후 충진된 부위만 Cu로 도금두께를 7∼8㎛ 성장시키는 공정과, 테프론 상에 성장된 Cu 회로위에 폴리이미드(Polyimide) 수지를 다이캐스팅(Diecasting)하는 공정과, 테프론 필름과 다이캐스팅된 폴리이미드를 분리시키는 공정으로 최종 제품을 만드는 방법이다.
테프론 수지 필름, 테프론 수지가 음각된 형상(테프론 수지 필름 음각), 음각된 테프론 수지 위에 마스킹(Masking)
Description
본 발명은 테프론 수지 필름위에 음각되고 Cu가 성장된 전체표면에 폴리이미드 수지를 직접 다이캐스팅하여 COF를 만드는 것에 대한 것이다. 테프론 수지상에 먼저 설계된 패턴(Pattern)을 음각 각인하고서 음각된 부위만 Cu가 성장되고, 상기 표면에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅하여 COF를 만드는 것에 대한 것이며, 다이캐스팅한 후 테프론 수지 필름과 폴리이미드 수지가 분리되어 COF를 만드는 제조방법에 관한 것이다.
종래 기술은 폴리이미드에 결합된 Cu면을 노광, 현상한 후 엣칭하여 회로를 구현하는 기술이다. 그러나 본 발명은 종래 기술과는 다른 방법인 엣칭을 하지 않고 생산하며 친환경적이다. 먼저 테프론 수지 필름상에 설계된 패턴이 음각 각인되고 음각된 회로만 도금을 하면 테프론 수지 필름표면에서 입상된 상태로 구성된다. 한편, 상기 표면에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅을 하게 되고 분리시키면, 테프론 수지 필름으로부터 다이캐스팅 되어진 폴리이미드 수지에는 테프론 수지 필름상에서 입상된 Cu 또는 합금 금속은 폴리이미드 수지에는 뿌리부로 바뀌어서 옮겨지고 테프론 수지 필름상에서 뿌리부는 폴리이미드 수지에서는 입상부로 구성되는 제조방법이다.
즉, 뿌리부를 가지게 되고 입상부가 만들어지는 방법이며 뿌리부의 양과 입상부의 양을 조절할 수가 있다. 따라서 Fine Pitch에서 우려되는 폴리이미드와 접착력을 정상적으로 해결하는 제조방법이다.
본 발명의 COF를 생산하는 공정에서는 엣칭을 하지 않고서 먼저 테프론 수지 필름을 음각하고 음각된 부위에 마스크(Mask)를 사용하여 도전성 물질을 충진시키고 필요한만큼 Cu를 성장시키는 공정으로서 미세 패턴을 구현할 수 있으며 또한, 뿌리부와 입상부로 나뉘어 회로를 구현함으로서 극미세 패턴에 아주 적합한 기술이다. 한편으로 Roll To Roll 공법으로 생산됨으로써 양산성과 접착력이 우수하고 엣칭으로 불가능한 극미세 패턴이 구현가능한 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 COF 제조방법은 테프론 수지필름 또는 실리콘 고무로 된 필름에 Roller 금형을 사용하여 설계된 패턴대로 테프론 수지필름 또는 실리콘 고무로 된 필름을 음각 각인시키고 음각된 부위만 도전성 물질을 충진시켜 도금하는 단계, 음각된 부분만 Cu가 성장되어 입상되는 단계, Cu가 성장된 테프론 수지필름 또는 실리콘 고무로된 필름 전체표면에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅하는 단계, Cu가 성장된 테프론 수지필름 또는 실리콘 고무로 된 필름으로부터 다이캐스팅 된 폴리이므드 수지를 분리시키는 단계를 포함하여 구성된다.
삭제
이와 같이 본 발명에 의한 COF는 엣칭을 전혀하지 않고 회로가 뿌리부와 입상부로 구성되고 한편, 수직방향으로 Cu가 형성됨으로 극미세회로의 장점이 있으며 음각 각인된 부위만 Cu가 성장되고 폴리이미드 수지에는 뿌리부분으로 결합되어 접착력이 우수한 장점을 가진다.
본 발명은 첫째로 테프론 수지필름을 음각 각인하는 공정과 둘째는 음각 각인된 부위만 도전성 물질을 충진시키고 Cu 도금을 하는 공정과 셋째로는 Cu 도금이된 전체 표면에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅하는 공정과 냉각 후 분리시키는 공정으로 제조되는 COF에 대한 것이다. 따라서 본 발명을 도시된 도면을 통해 말하되, 상기 순서에 따라 차례로 설명한다.
1. 음각된 미세회로에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅하여 COF를 제조하는 방법
[제 1단계]
본 발명은 이형성이 우수하고 열에 강한 테프론 수지필름(1) 또는 실리콘 고무로 된 필름을 포함한 필름 중 어느 하나를 설계된 금형(7)이 부착된 Roller 기계를 사용하여 회로를 Roll To Roll 기계에서 음각 각인하고, 다시 음각된 부위에 마스크(9)를 사용하여 도전성 물질(Ag paste)을 충진시키고, 150℃ 에 5∼10분간 열처리를 마친 후 Cu 도금을 충진된 표면에서 7∼8㎛ 두께로 성장시키면 테프론 수지필름(1)상에서는 뿌리부와 입상부로 구성된 반제품이(도4) 만들어 진다. 이 같은 공정을 A공정이라 칭하고 상기와 같이 테프론 수지필름(1) 또는 실리콘 고무로 된 필름상에 만들어진 제품을 폴리이미드 수지(5)와 열융착하여 결합시켜서(도5) COF를 제조한다. 한편 폴리이미드 수지필름을 제조하는 공정으로서 다이캐스팅 공정이 있으며 액상의 폴리이미드 수지를 여러 개의 Roller를 통과 시키면서 폴리이미드 수지를 원하는 두께로 만드는 것을 말한다. 이같은 공정을 B공정이라 칭하고, 한편 A공정과 B공정이 결합된 이후 다시 냉각 후 분리시키면 테프론 수지 또는 실리콘 고무로 된 필름으로부터 폴리이미드 필름(6)상으로 회로부위가 전이도어 뿌리부와 입상부로 구성된 제품을 만들게 되는 것이다. 이때에 Cu 도금시 염소이온을 차단시켜서 (-)극에서 성장되는 Cu 표면을 돌기현상으로 만들어서 폴리이미드와 접착면적을 증대시키는 것을 특징으로 하는 COF 제조방법이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 참조된 도면을 토대로 설명하면 다음과 같다.
제 1도에서는
이형성이 우수하고 열에 강한 테프론 수지필름(1) 또는 실리콘 고무로 된 필름을 Roller 기계에 장착 하는 실시 예이다. 본 발명에서 테프론 수지(1)필름 또는 실리콘 고무로 된 필름을 음각 각인하기 위하여 설계된 회로(8)의 금형(7)이 준비되고, 또한 이를 음각 각인 처리하는 Roll To Roll 기계가 준비된다.
제 2도에서는
준비된 테프론 수지 필름(1) 또는 실리콘 고무로 된 필름상에 음각 각인을 하게 되며 Roll to Roll로 양산되어진다.
제 3도에서는
제 2도에서 음각 각인된 부위에 마스크(9)를 씌우고 설계된 회로(8) 부위만 도전성 물질(3)을 충진시킨다.
제 4도에서는
회로 부위만 도전성 물질을 충진시키고 그 표면에 Cu 도금두께를 7∼8㎛만큼 성장시킨다.
제 5도에서는
테프론 수지 필름(1) 또는 실리콘 고무로 된 필름상에 뿌리부와 입상부로 구성된 회로에 폴리이미드 수지를 원하는 두께만큼 도포하면서 여러개의 열 Roller를 사용하여 다이캐스팅한다. 이때 다이캐스팅은 기존 폴리이미드를 만드는 공법과 같은 공정이 되며 또 테프론 수지필름 또는 실리콘 고무로 된 필름에 회로가 구현된 상태에 다이캐스팅하는 즉, 엣칭 하지 않고서 원하는 제품을 만드는 방법이다.
제 6도에서는
제 5도에 테프론 수지 필름과 결합 융착된 폴리이미드 수지를 분리시키는 공법이다. 이 때 분리시에는 이형성이 우수한 테프론 수지 필름 또는 실리콘 고무로 된 필름에는 전혀 회로가 존재하지 않고서 전부 폴리이미드수지(6)에 회로가, 전이된 상태로 제품인, COF가 되는 것이다.
도 1은 테프론 수지 필름이 Roll to Roll 기계에 장착된 도면,
도 2는 테프론 수지가 음각된 도면,
도 3은 테프론 수지필름에 마스크를 사용하여 음각된 테프론 수지 필름에 전도성 물질이 충진된 도면,
도 4는 음각된 테프론 수지필름에 전도성 물질 위에 Cu가 7∼8㎛ 성장된 모습의 도면,
도 5는 Cu가 성장된 테프론 수지필름 위에 폴리이미드를 다이캐스팅한 도면,
도 6은 Cu가 성장된 테프론 수지필름으로부터 폴리이미드 필름으로 회로가 전이된 상태의 도면이다.
＜도면의 주요 부분에 관한 부분의 설명＞
1 : 테프론 수지필름 2 : 음각된 테프론 수지필름
3 : 음각된 부위에 도전성 물질이 충진된 수지 필름
4 : Cu가 성장된 테프론 수지 필름 5 : 다이캐스팅한 폴리이미드
6 : 분리된 폴리이미드 7 : 열 Roller 금형
8 : 설계된 회로 9 : 금속 마스크
Claims (7)
- COF 제조방법에 있어서,제 1 단계: 이형성이 우수하고 열에 강한 테프론 수지필름 또는 실리콘 고무로 된 필름에 Roller 금형을 사용하여 음각 각인하는 단계;제 2 단계: 상기 음각된 부위만 도전성 물질을 마스크(Mask)를 사용하여 충진하는 단계;제 3 단계: 상기 충진된 표면위에 Cu 도금을 7∼8㎛ 하는 단계;제 4 단계: 상기 전체 표면에 폴리이미드 수지를 다이케스팅하는 단계;제 5 단계: 테프론 수지필름 또는 실리콘 고무로 된 필름에 경합 융착된 폴리이미드 수지를 분리시키는 단계; 포함하여 COF를 제작하는 것을 특징으로 하는 COF 제조방법
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,이형성이 우수하고 열에 강한 테프론 수지필름 또는 실리콘 고무로 된 필름을 포함한 필름 중에 어느 하나를 사용하여 표면위에 액상 폴리이미드 수지를 여러 개의 열 Roller를 사용하여 결합 및 융착시키는 것을 특징으로 하여 COF를 제조하는 방법
- 청구항 1에 있어서,테프론 수지필름 또는 실리콘 고무로 된 필름을 포함한 필름 중 어느 하나를 사용한 필름에서 분리되어 폴리이미드 수지필름상으로 회로 부위가 전이되고 뿌리부와 입상부로 구성되어 제조되는 것을 특징으로 하여 COF를 제조하는 방법
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