JP3699294B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂絶縁層を有するプリント配線板の製造方法に関し、特に、配線層を確実に形成することのできるプリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、樹脂製のプリント配線板を製造するにあたり、配線層は、例えば次のようにして、樹脂絶縁層上に形成されている。
即ち、図１２（ａ）に部分拡大図を示すように、表面に樹脂絶縁層１０２を有する被積層基板１０１を用意し、その全面に無電解メッキを施して、無電解メッキ層１０３を形成する。
【０００３】
次に、図１２（ｂ）に示すように、無電解メッキ層１０３上に感光性のドライフィルム１０４を全面に貼り付ける。さらに、図１２（ｃ）に示すように、これを露光・現像して、所定パターンのメッキレジスト層１０５を形成する。
次に、図１３（ａ）に示すように、電解メッキを施し、メッキレジスト層１０５から露出した無電解メッキ層１０３上に、電解メッキを厚付けして、電解メッキ層１０６を形成する。その後、メッキレジスト層１０５を剥離して、クイックエッチングを行い、不要な無電解メッキ層１０３等をエッチングして除去すると、図１３（ｂ）に示すように、樹脂絶縁層１０２上に配線層１０７が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ドライフィルム１０４から所定パターンのメッキレジスト層１０５を形成する際（図１２（ｂ）及び（ｃ）参照）、例えば、現像で現像液を噴射したときに、メッキレジスト層１０５の一部が、無電解メッキ層１０３から剥がれたり、浮いたりしてしまうことがある。特に、導体間隙ＤＡ（図１３（ｂ）参照）が小さい導体パターンを持つ配線層１０７を形成する場合、即ち、メッキレジスト層１０５のパターンの幅ＲＡ（図１２（ｃ）参照）が狭くなると、メッキレジスト層１０５がその部分で無電解メッキ層１０３から剥がれたり、浮いたりし易くなる。メッキレジスト層１０５に剥がれや浮きが生じると、その剥がれた部分の無電解メッキ層１０３上にも電解メッキ層が形成されるので、ショートを生じることになる。
【０００５】
本発明者は、検討の結果、メッキレジスト層１０５と無電解メッキ層１０３との密着強度は、無電解メッキ層１０３の表面粗さに影響されることを見出した。即ち、無電解メッキ層１０３の表面粗さが大きいと、メッキレジスト層１０５が無電解メッキ層１０３から剥がれたり、浮いたりし易くなることを見出した。
【０００６】
通常、樹脂絶縁層１０２上に配線層１０７を形成する場合、樹脂絶縁層１０２と配線層１０７（無電解メッキ層１０３）との密着強度を、アンカー効果により高くするために、無電解メッキ層１０３を形成する前に、予め樹脂絶縁層１０２の表面１０２Ａを粗化している（図１２（ａ）参照）。このように粗化された樹脂絶縁層１０２上に、無電解メッキ層１０３を形成すると、無電解メッキ層１０３の表面１０３Ａも、樹脂絶縁層１０２の表面１０２Ａと同様に粗面となる。このため、メッキレジスト層１０５が無電解メッキ層１０３から剥がれ易くなると考えられた。
【０００７】
また、配線層１０７の導体間隙ＤＡが小さくなるほど、無電解メッキ層１０３の表面粗さを小さくしないと、メッキレジスト層１０５の剥がれや浮きが生じ易いことも見出した。即ち、メッキレジスト層１０５の剥がれ易さは、配線層１０７の導体間隙ＤＡの大きさ、及び無電解メッキ層１０３の表面粗さと関係があることも判ってきた。
【０００８】
本発明はかかる知見に鑑みてなされたものであって、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制し、樹脂絶縁層上に確実に配線層を形成することのできるプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、１５≦Ｘ≦２５の範囲で、式 Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【００１０】
このプリント配線板は、最も幅狭な導体間隙Ｘ（μｍ）が１５μｍから２５μｍの範囲の導体パターンを有する配線層を備える。
本発明によれば、樹脂絶縁層は、配線層との密着強度や、さらに樹脂絶縁層を積層する場合には、樹脂絶縁層同士の密着強度を高くするために、その表面が粗化されている。そして、無電解メッキ層形成工程で、この粗化された樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30が、Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たすように、例えば厚付けするなどして、無電解メッキ層を形成する。
【００１１】
このように表面粗さＲ30の小さい無電解メッキ層を形成すると、レジスト層形成工程で、無電解メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を高くすることができる。このため、樹脂絶縁層の表面が大きく粗化されていても、無電解メッキ層の表面粗さＲ30を上記式を満たすように小さくすることで、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制し、歩留まり８０％以上を確保することができる。
【００１２】
従って、その後、配線層形成工程で、電解メッキを施す際、メッキレジスト層の剥がれや浮きが抑制されているので、ショートを生じ難く、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成することができる。さらに、樹脂絶縁層が粗化されていることにより、樹脂絶縁層と配線層（無電解メッキ層）との密着強度も高い。このため、樹脂絶縁層上に確実に配線層を形成することができる。
【００１３】
なお、本明細書中で、３０μｍ間１０点平均粗さＲ30とは、３０μｍの間隔において、ＪＩＳ規定の表面粗さＲｚの測定方法に準じて測定された表面粗さをいう。各点の測定は、電子顕微鏡または光学顕微鏡下で無電解メッキ層等の切断面を拡大して行う。また、プリント配線板製造後に、無電解メッキ層の表面粗さＲ30を測定する場合において、樹脂絶縁層にビアが形成されているときには、このビアの側面に形成された無電解メッキ層の表面粗さＲ30を便宜的に測定することもできる。
【００１４】
ここで、樹脂絶縁層としては、配線層（無電解メッキ層）との密着性や熱膨張率等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂等の樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
【００１５】
また、樹脂絶縁層の表面は、配線層等との密着強度を考慮して粗化されていれば良く、その表面粗さは適宜選択することができる。また、樹脂絶縁層の表面は、例えば、クロム酸や過マンガン酸カリウムなどで化学的に粗化されたものの他、研磨などで物理的に粗化されたものでも良い。
また、メッキレジスト層の形成方法としては、例えば、感光性のドライフィルムを貼り付け、所定のパターンに露光・現像して形成すれば良い。あるいは、レジスト層を全面に塗布し、所定のパターンに露光・現像して形成しても良い。
【００１６】
また、プリント配線板としては、樹脂絶縁層と配線層とを備えるものであれば良く、例えば、コア基板の片面あるいは両面に、あるいはコア基板なしで、絶縁層と配線層とを順に複数層積層したものなどが挙げられる。さらに、プリント配線板の主面上に、集積回路チップ等の電子部品を搭載したり、他の基板に接続したりするための接続パッドや、入出力端子としてのピンなどを備えるものでも良い。
【００１７】
さらに、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範囲で、式 Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法とすると良い。
【００１８】
本発明によれば、無電解メッキ層形成工程で、粗化された樹脂絶縁層上に、配線層のうち、最も幅狭な導体間隙Ｘ（μｍ）に対して、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たすように、無電解メッキ層を形成する。つまり、無電解メッキ層の表面粗さＲ30をさらに小さい値とする。
【００１９】
このため、レジスト層形成工程で、無電解メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を、より高くすることができるので、メッキレジスト層の剥がれや浮きをより抑制し、歩留まり９０％以上を確保することができる。
従って、その後、配線層形成工程で、よりショートを生じ難く、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成することができるので、より確実に配線層を形成することができる。
【００２０】
さらに、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範囲で、式 Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法とすると良い。
【００２１】
本発明によれば、無電解メッキ層形成工程で、粗化された樹脂絶縁層上に、配線層のうち、最も幅狭な導体間隙Ｘ（μｍ）に対して、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすように、無電解メッキ層を形成する。つまり、無電解メッキ層の表面粗さＲ30をさらに小さい値とする。
【００２２】
このため、レジスト層形成工程で、無電解メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を、さらに高くすることができるので、メッキレジスト層の剥がれや浮きをさらに抑制し、歩留まりほぼ１００％を確保することができる。
従って、その後、配線層形成工程で、さらにショートを生じ難く、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成することができるので、さらに確実に配線層を形成することができる。
【００２３】
さらに、上記のプリント配線板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30が、前記式及びＲ30≧０．５μｍを満たすことを特徴とするプリント配線板の製造方法とするのが好ましい。
【００２４】
樹脂絶縁層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30が、上記式Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）、Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）、または、Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たし、かつ、Ｒ30≧０．５μｍを満たす場合には、無電解メッキ層を薄付けしたとき、具体的には１μｍ以下に薄付けしたとき、無電解メッキ層の表面粗さも、樹脂絶縁層の表面粗さとほとんど変わらなくなる。即ち、樹脂絶縁層の表面粗さがＲ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たすとき、無電解メッキ層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30も、この式を満たす。また、樹脂絶縁層の表面粗さがＲ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たすとき、無電解メッキ層の表面粗さＲ30も、この式を満たす。また、樹脂絶縁層の表面粗さがＲ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすとき、無電解メッキ層の表面粗さＲ30も、この式を満たす。
【００２５】
従って、メッキレジスト層と無電解メッキ層との密着強度が高くされるので、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制することができる上、無電解メッキ層を薄く付ければ足りるので、その時間とコストを削減することができる。しかも、樹脂絶縁層の表面粗さＲ30が０．５μｍ以上では、樹脂絶縁層と配線層（無電解メッキ層）との密着強度も確保することができる。
【００２６】
なお、樹脂絶縁層の表面粗さが、式 Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）よりも、式 Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）、さらには、式 Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすようにすれば、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制する効果がより高くなる。このため、プリント配線板製造時の歩留まりもより向上させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しつつ説明する。
本実施形態で製造されるプリント配線板１について、図１（ａ）に主面１Ａ側から見た平面図を、図１（ｂ）に図１（ａ）の破線部における部分拡大図を示す。
【００２８】
このプリント配線板１は、図１（ａ）に示すように、主面１Ａ及び裏面（図示しない）を有し、４２．５×４２．５ｍｍの略正方形板状をなす。この主面１Ａ側には、集積回路チップを搭載するためのＩＣ搭載領域２が形成されている。また、主面１Ａ側には、配線層３が形成されている。
図１（ｂ）に示すように、配線層３の一部は、図中上下方向に、一定の導体間隙Ｘで櫛状に並んで形成されている。この部分の配線層３の導体幅ＤＨは２０μｍであり、導体間隙Ｘは２０μｍである。
【００２９】
なお、このプリント配線板１において、配線層３のうち、図１（ｂ）に示す部分の導体間隙Ｘが、最も幅狭（２０μｍ）にされている。このため、プリント配線板１を製造するにあたり、後述するように、樹脂絶縁層上に無電解Ｃｕメッキ層を形成する際、この部分に対応するメッキレジスト層が、無電解Ｃｕメッキ層から最も剥がれたり、浮いたりし易い。
【００３０】
次に、上記プリント配線板１の製造方法について、図２〜図４を参照しつつ説明する。
まず、被積層基板１１を用意する。図２（ａ）は、被積層基板１１のうち図１（ｂ）のＡ−Ａ断面に対応した部分の部分拡大断面図を示す（図２〜図４の各図についても同じ。）。
この被積層基板１１は、公知の手法により、ＢＴレジンからなるコア基板１２の両面に、エポキシ系樹脂からなる樹脂絶縁層１３，１４が積層されたものである。これら樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１３Ｂ（被積層基板１１の主面１１Ａ及び裏面１１Ｂ）は、過マンガン酸カリウムによって予め粗化されており、その３０μｍ間１０点平均粗さＲ30は、約１．３μｍとされている。
【００３１】
次に、無電解メッキ層形成工程において、図２（ｂ）に示すように、被積層基板１１の全面に無電解Ｃｕメッキ（奥野製薬社製メッキ液ビルドカッパー）を施し、厚さ０．７μｍの無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を形成する。
このとき、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の厚さが、１μｍ以下と比較的薄いため、その下の樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30の影響を強く受ける。このため、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30は、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30とほぼ同等の約１．３μｍとなる。
【００３２】
このように樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30を、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の所望の表面粗さＲ30と同等にしておくと、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を薄く付けても、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａで所望の粗さＲ30が得られるので、その時間やコストを削減することができる。しかも、樹脂絶縁層１３，１４が予め粗化されていることにより、樹脂絶縁層１３，１４と無電解Ｃｕメッキ層１７，１８との密着強度は、十分に高くなっている。
【００３３】
次に、レジスト層形成工程において、図３（ａ）に示すように、これら無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上に、アクリル系樹脂（水溶性アクリル）からなる感光性のドライフィルム（ニチゴーモートン社製ＮＩＴ２２５）２１，２２をそれぞれ全面に貼り付ける。
【００３４】
次に、図３（ｂ）に示すように、貼り付けたドライフィルム２１，２２を、所定パターンのマスク（図示しない）を用いて露光し、その後現像して、配線層３等に対応した所定パターンのメッキレジスト層２３，２４を形成する。
その際、特に現像液（Ｎａ2ＣＯ3１．１ｗｔ％）を噴射するときに、その圧力でメッキレジスト層２３，２４、中でもパターンの幅ＲＢが最も狭くなっている部分（図３（ｂ）で示す部分）が剥がれ易い。特に、本実施形態にように、配線層の最も幅狭な導体間隙Ｘ（２０μｍ）が狭くなっている場合には、メッキレジスト層２３，２４の剥がれや浮きが発生しやすい。
【００３５】
しかし、本実施形態では、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30は、約１．３μｍと小さくされているので、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８とメッキレジスト層２３，２４との密着強度が、十分に高い。このため、この工程で、メッキレジスト層２３，２４が無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から剥がれたり、浮いたりし難い。
【００３６】
次に、配線層形成工程において、図４（ａ）に示すように、電解Ｃｕメッキを施し、メッキレジスト層２３，２４から露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上に、厚さ１５μｍの電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成する。
その際、メッキレジスト層２３，２４には剥がれや浮きがなく、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８に密着しているので、ショートを生じることなく、露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上にだけ、電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成することができる。
【００３７】
その後、メッキレジスト層２３，２４を剥離し、クイックエッチングにより、露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を除去して、図４（ｂ）に示すように、配線層３，４を形成する。
このとき、エッチング液は全面に噴射されるので、露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８が除去されるとともに、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面も一部除去される。しかし、電解Ｃｕメッキ層２７，２８（厚さ１５μｍ）は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８（厚さ０．７μｍ）よりも十分に厚く形成されているので、配線層３，４がエッチングにより除去されてしまうことはない。
このようにして、被積層基板１１の樹脂絶縁層１３，１４上に配線層３，４が形成され、プリント配線板１が完成する。
【００３８】
なお、本実施形態では、被積層基板１１の樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａを過マンガン酸カリウムにより粗化しているが、樹脂絶縁層の材質に応じて、例えばクロム酸などにより粗化しても良い。また、その表面１３Ａ，１４Ａを研磨して粗化しても良い。
また、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30は、約１．３μｍとされているが、樹脂絶縁層１３，１４と配線層３とのアンカー効果をより高くしたい場合には、表面粗さＲ30をより大きくすることもできる。この場合、無電解メッキ層形成工程で、無電解メッキを厚く付けることにより、無電解メッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａを所望の表面粗さ、例えばＲ30＝１．３μｍとする。
【００３９】
また、本実施形態では、配線層形成工程で、メッキレジスト層２３，２４を剥離した後、そのままの状態で、エッチング液を噴射して、配線層３，４を形成している。しかし、メッキレジスト層２３，２４を剥離した後、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面に、ＮｉメッキやＳｎメッキなどの保護膜を形成してから、エッチングを行ってもよい。この場合は、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面が、保護膜によってエッチング液から保護されるので、配線層３，４の表面はエッチングされなくなる。
【００４０】
上記プリント配線板１の配線層３について、最も幅狭な導体間隙Ｘを様々に変更して、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30と、レジスト層形成工程後の歩留まりとの関係について、以下に述べるように調査し、その結果を図５〜図８の各グラフに示した。
【００４１】
まず、配線層３が、最も幅狭な導体間隙Ｘが２０μｍである導体パターンを有する上記プリント配線板１について、以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30を様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30とメッキレジスト層２３，２４形成後の歩留まりとの関係について、図５のグラフにまとめた。
図５に示すグラフの横軸は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）を示し、縦軸は、メッキレジスト層２３，２４形成後の歩留まり（％）を示す（図６〜図８についても同じ。）。
【００４２】
なお、レジスト層形成工程で、メッキレジスト層２３，２４が、無電解メッキ層１７，１８から剥がれたり、浮いたりすることなく形成された試料については、配線層形成工程において、ショートを生じることなく、確実に配線層３，４を形成することができた。これに対し、メッキレジスト層２３，２４が無電解メッキ層１７，１８から剥がれたり浮いたりした試料は、いずれもショートを生じた。
【００４３】
このグラフから判るように、配線層３のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝２０μｍでは、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が、図中にＢ100で示すように、０．９７μｍ以下で、歩留まりがほぼ１００％になる。一方、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が０．９７μｍ以上になると、歩留まりが徐々に低下し始める。特に、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が約２μｍを越えると、急激に歩留まりが低下する。
なお、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まりを８０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を、図中にＢ80で示すように、Ｒ30＝１．９６μｍ以下にすれば良いことが判る。また、歩留まりを９０％以上にするには、図中にＢ90で示すように、Ｒ30＝１．６７μｍ以下にすれば良く、また、歩留まりをほぼ１００％にするには、図中にＢ100で示すように、Ｒ30＝０．９７μｍ以下にすれば良いことが判る。
【００４４】
次に、上記プリント配線板１の配線層３について、最も幅狭な導体間隙Ｘを２０μｍから１５μｍに変更したプリント配線板についても、上記調査と同様にして調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30とメッキレジスト層形成後の歩留まりとの関係について、図６のグラフにまとめた。
【００４５】
このグラフから判るように、配線層のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝１５μｍでは、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が約０．９μｍ以下で、レジスト層形成工程後の歩留まりが高くなる。一方、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が約１．５μｍ以上では、メッキレジスト層形成後の歩留まりは、ほとんどない。
【００４６】
最も幅狭な導体間隙がＸ＝２０μｍである上記調査と比べると、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を小さい値にしないと、歩留まりが高くならない。また、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が約０．９μｍを越えると、大きな割合で歩留まりが低下していく。
なお、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まりを８０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を、図中にＡ80で示すように、Ｒ30＝０．９０μｍ以下にすれば良いことが判る。また、歩留まりを９０％以上にするには、図中にＡ90で示すように、Ｒ30＝０．７６μｍ以下にすれば良く、また、歩留まりをほぼ１００％にするには、図中にＡ100で示すように、Ｒ30＝０．５０μｍ以下にすれば良いことが判る。
【００４７】
次に、上記プリント配線板１の配線層３について、最も幅狭な導体間隙Ｘを２０μｍから２５μｍに変更したプリント配線板についても、上記各調査と同様にして以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30とメッキレジスト層形成後の歩留まりとの関係について、図７のグラフにまとめた。
【００４８】
このグラフから判るように、配線層のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝２５μｍでは、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が、図中にＣ100で示すように、１．３５μｍ以下で、歩留まりがほぼ１００％になる。一方、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が１．３５μｍ以上になると、歩留まりが徐々に低下し始める。しかし、配線層のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝２０μｍの場合と比べると、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が大きくなっても、歩留まりの低下の割合が小さい。
なお、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まりを８０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を、図中にＣ80で示すように、Ｒ30＝５．３２μｍ以下にすれば良いことが判る。また、歩留まりを９０％以上にするには、図中にＣ90で示すように、Ｒ30＝３．９１μｍ以下にすれば良く、また、歩留まりをほぼ１００％にするには、図中にＣ100で示すように、Ｒ30＝１．３５μｍ以下にすれば良いことが判る。
【００４９】
次に、上記プリント配線板１の配線層３について、最も幅狭な導体間隙Ｘを２０μｍから３２μｍに変更したプリント配線板についても、上記各調査と同様にして以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30とメッキレジスト層形成後の歩留まりとの関係について、図８のグラフにまとめた。
【００５０】
このグラフから判るように、配線層のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝３２μｍでは、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が、図中にＤ100で示すように、１．７４μｍ以下で、歩留まりがほぼ１００％になる。一方、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が１．７４μｍ以上になると、歩留まりが徐々に低下し始める。しかし、導体間隙がそれぞれＸ＝１５，２０，２５μｍである上記各調査と比べると、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が大きくなったとき、歩留まりの低下の割合がさらに小さくなっている。
なお、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まりを９０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を、図中にＤ90で示すように、Ｒ30＝５．５９μｍ以下にすれば良いことが判る。また、歩留まりをほぼ１００％にするには、図中にＤ100で示すように、Ｒ30＝１．７４μｍ以下にすれば良いことが判る。
【００５１】
以上の各調査から、配線層のうち、最も幅狭な導体間隙Ｘが大きくなるにつれて、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が大きくても良いことが判る（図５〜図８参照）。
つまり、所望の歩留まりを得るには、最も幅狭な導体間隙Ｘが小さいほど、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を小さくする必要があり、逆に、最も幅狭な導体間隙Ｘが大きくなると、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が大きくても良いという相関関係を有する。また、より高い歩留まりを得るためには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30をより小さくしなけらばならない。
【００５２】
そこで、レジスト層形成工程後に、８０％、９０％及びほぼ１００％の歩留まりをそれぞれ得るために必要な無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を求めるために、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘと無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30との関係について調べた。図９〜図１１のグラフを参照しつつ、以下に説明する。
【００５３】
まず、メッキレジスト層形成後の歩留まりを８０％以上とする場合の最も幅狭な導体間隙Ｘと無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30との関係について、図９に示す。このグラフの横軸は、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘ（μｍ）を示し、縦軸は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）を示す（図１０及び図１１についても同じ。）。なお、図中のＡ80，Ｂ80，Ｃ80の各点は、図５〜図７に示すＡ80，Ｂ80，Ｃ80にそれぞれ対応している。
【００５４】
このグラフは、上記調査より求めた各グラフ（図５〜図７参照）より、最も幅狭な導体間隙が、Ｘ＝１５，２０，２５μｍのそれぞれについて、歩留まりが８０％となるときの表面粗さＲ30を求め、これらの点（Ａ80，Ｂ80，Ｃ80）をもとに近似したグラフである。このグラフは、式 Ｒ30＝０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）で表される。
このグラフより、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を、式 Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たす値とすれば、メッキレジスト層形成後の歩留まりを８０％以上にすることができることになる。
【００５５】
次に、メッキレジスト層形成後の歩留まりを９０％以上とする場合の最も幅狭な導体間隙Ｘと無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30との関係について、図１０に示す。なお、図中のＡ90，Ｂ90，Ｃ90，Ｄ90の各点は、図５〜図８に示すＡ90，Ｂ90，Ｃ90，Ｄ90にそれぞれ対応している。
このグラフも、上記調査より求めた各グラフ（図５〜図８参照）より、最も幅狭な導体間隙が、Ｘ＝１５，２０，２５，３２μｍのそれぞれについて、歩留まりが９０％となるときの表面粗さＲ30を求め、これらの点（Ａ90，Ｂ90，Ｃ90，Ｄ90）をもとに近似したグラフである。このグラフは、式 Ｒ30＝０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）で表される。
このグラフより、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を、式 Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たす値とすれば、メッキレジスト層形成後の歩留まりを９０％以上にすることができることになる。
【００５６】
次に、メッキレジスト層形成後の歩留まりをほぼ１００％とする場合の最も幅狭な導体間隙Ｘと無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30との関係について、図１１に示す。なお、図中のＡ100，Ｂ100，Ｃ100，Ｄ100の各点は、図５〜図８に示すＡ100，Ｂ100，Ｃ100，Ｄ100にそれぞれ対応している。
このグラフも、上記調査より求めた各グラフ（図５〜図８参照）より、最も幅狭な導体間隙が、Ｘ＝１５，２０，２５，３２μｍのそれぞれについて、歩留まりがほぼ１００％となる値のうち、最も大きい表面粗さＲ30をそれぞれ求め、これらの点（Ａ100，Ｂ100，Ｃ100，Ｄ100）をもとに近似したグラフである。このグラフは、式 Ｒ30＝２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）で表される。
このグラフより、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を、式 Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たす値とすれば、メッキレジスト層形成後の歩留まりをほぼ１００％にすることができることになる。
【００５７】
このように、図９〜図１１のグラフより、配線層のうち最も幅狭な導体間隙が１５≦Ｘ≦２５の範囲において、Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を設定すれば、メッキレジスト層形成後の歩留まり８０％以上を得ることができる。
また、配線層のうち最も幅狭な導体間隙が１５≦Ｘ≦３２の範囲において、Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を設定すれば、メッキレジスト層形成後の歩留まり９０％以上を得ることができる。
また、配線層のうち最も幅狭な導体間隙が１５≦Ｘ≦３２の範囲において、Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を設定すれば、メッキレジスト層形成後の歩留まりほぼ１００％を得ることができる。
【００５８】
以上で説明したように、本実施形態のプリント配線板の製造方法でよれば、無電解メッキ層形成工程において、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30が、Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）、Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）、及び、Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８が形成される。
【００５９】
このため、レジスト層形成工程において、所定パターンのメッキレジスト層を形成する際、メッキレジスト層と無電解Ｃｕメッキ層１７，１８との密着強度を十分に高くすることができる。よって、この工程で、メッキレジスト層の一部が、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から剥がれたり、浮いたりするのを抑制することができる。
従って、その後配線層形成工程で、電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成する際、所定の位置にだけ、確実に電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成することができるので、確実に配線層を形成することができ、プリント配線板の製造時の歩留まりを向上させることができる。
【００６０】
以上において、本発明を各実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、配線層は、一定の導体間隙Ｘで導体が櫛上に並んだ導体パターンを有しているが（図１（ｂ）参照）、導体同士が平行に並んでいない導体パターンをなす配線層においても、本発明を適用することができる。このような場合でも、導体間隙が最も幅狭な部分で、メッキレジスト層が無電解Ｃｕメッキ層から最も剥がれ易くなるので、本発明の適用により、この部分のメッキレジスト層の剥がれや浮きを抑制することができ、この部分でのショートの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１に係るプリント配線板を示す図であり、（ａ）は主面側から見た平面図を示し、（ｂ）は（ａ）の破線部における部分拡大図を示す。
【図２】実施形態１に係るプリント配線板の製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は被積層基板を示し、（ｂ）は無電解Ｃｕメッキ層を形成した状態を示す。
【図３】実施形態１に係るプリント配線板をの製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）はドライフィルムを貼り付けた状態を示し、（ｂ）はメッキレジスト層を形成した状態を示す。
【図４】実施形態１に係るプリント配線板をの製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は電解Ｃｕメッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は配線層を形成した状態を示す。
【図５】実施形態１に係り、導体間隙２０μｍにおける無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図６】実施形態１に係り、導体間隙１５μｍにおける無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図７】実施形態１に係り、導体間隙２５μｍにおける無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図８】実施形態１に係り、導体間隙３２μｍにおける無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図９】実施形態１に係り、歩留まり８０％における導体間隙と無電解Ｃｕメッキの表面粗さとの関係を示すグラフである。
【図１０】実施形態１に係り、歩留まり９０％における導体間隙と無電解Ｃｕメッキの表面粗さとの関係を示すグラフである。
【図１１】実施形態１に係り、歩留まり１００％における導体間隙と無電解Ｃｕメッキの表面粗さとの関係を示すグラフである。
【図１２】従来技術に係るプリント配線板の製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は樹脂絶縁層上に無電解メッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は無電解メッキ層上にドライフィルムを貼付した状態を示し、（ｃ）はメッキレジスト層を形成した状態を示す。
【図１３】従来技術に係るプリント配線板の製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は電解メッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は配線層を形成した状態を示す。
【符号の説明】
１ プリント配線板
３，４ 配線層
１１ 被積層基板
１３，１４ 樹脂絶縁層
１３Ａ，１４Ａ （樹脂絶縁層の）表面
１７，１８ 無電解Ｃｕメッキ層
１７Ａ，１８Ａ （無電解Ｃｕメッキ層の）表面
２３，２４ メッキレジスト層
２７，２８ 電解Ｃｕメッキ層
Ｘ 導体間隙
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂絶縁層を有するプリント配線板の製造方法に関し、特に、配線層を確実に形成することのできるプリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、樹脂製のプリント配線板を製造するにあたり、配線層は、例えば次のようにして、樹脂絶縁層上に形成されている。
即ち、図１２（ａ）に部分拡大図を示すように、表面に樹脂絶縁層１０２を有する被積層基板１０１を用意し、その全面に無電解メッキを施して、無電解メッキ層１０３を形成する。
【０００３】
次に、図１２（ｂ）に示すように、無電解メッキ層１０３上に感光性のドライフィルム１０４を全面に貼り付ける。さらに、図１２（ｃ）に示すように、これを露光・現像して、所定パターンのメッキレジスト層１０５を形成する。
次に、図１３（ａ）に示すように、電解メッキを施し、メッキレジスト層１０５から露出した無電解メッキ層１０３上に、電解メッキを厚付けして、電解メッキ層１０６を形成する。その後、メッキレジスト層１０５を剥離して、クイックエッチングを行い、不要な無電解メッキ層１０３等をエッチングして除去すると、図１３（ｂ）に示すように、樹脂絶縁層１０２上に配線層１０７が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ドライフィルム１０４から所定パターンのメッキレジスト層１０５を形成する際（図１２（ｂ）及び（ｃ）参照）、例えば、現像で現像液を噴射したときに、メッキレジスト層１０５の一部が、無電解メッキ層１０３から剥がれたり、浮いたりしてしまうことがある。特に、導体間隙ＤＡ（図１３（ｂ）参照）が小さい導体パターンを持つ配線層１０７を形成する場合、即ち、メッキレジスト層１０５のパターンの幅ＲＡ（図１２（ｃ）参照）が狭くなると、メッキレジスト層１０５がその部分で無電解メッキ層１０３から剥がれたり、浮いたりし易くなる。メッキレジスト層１０５に剥がれや浮きが生じると、その剥がれた部分の無電解メッキ層１０３上にも電解メッキ層が形成されるので、ショートを生じることになる。
【０００５】
本発明者は、検討の結果、メッキレジスト層１０５と無電解メッキ層１０３との密着強度は、無電解メッキ層１０３の表面粗さに影響されることを見出した。即ち、無電解メッキ層１０３の表面粗さが大きいと、メッキレジスト層１０５が無電解メッキ層１０３から剥がれたり、浮いたりし易くなることを見出した。
【０００６】
通常、樹脂絶縁層１０２上に配線層１０７を形成する場合、樹脂絶縁層１０２と配線層１０７（無電解メッキ層１０３）との密着強度を、アンカー効果により高くするために、無電解メッキ層１０３を形成する前に、予め樹脂絶縁層１０２の表面１０２Ａを粗化している（図１２（ａ）参照）。このように粗化された樹脂絶縁層１０２上に、無電解メッキ層１０３を形成すると、無電解メッキ層１０３の表面１０３Ａも、樹脂絶縁層１０２の表面１０２Ａと同様に粗面となる。このため、メッキレジスト層１０５が無電解メッキ層１０３から剥がれ易くなると考えられた。
【０００７】
また、配線層１０７の導体間隙ＤＡが小さくなるほど、無電解メッキ層１０３の表面粗さを小さくしないと、メッキレジスト層１０５の剥がれや浮きが生じ易いことも見出した。即ち、メッキレジスト層１０５の剥がれ易さは、配線層１０７の導体間隙ＤＡの大きさ、及び無電解メッキ層１０３の表面粗さと関係があることも判ってきた。
【０００８】
本発明はかかる知見に鑑みてなされたものであって、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制し、樹脂絶縁層上に確実に配線層を形成することのできるプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、１５≦Ｘ≦２５の範囲で、式 Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【００１０】
このプリント配線板は、最も幅狭な導体間隙Ｘ（μｍ）が１５μｍから２５μｍの範囲の導体パターンを有する配線層を備える。
本発明によれば、樹脂絶縁層は、配線層との密着強度や、さらに樹脂絶縁層を積層する場合には、樹脂絶縁層同士の密着強度を高くするために、その表面が粗化されている。そして、無電解メッキ層形成工程で、この粗化された樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30が、Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たすように、例えば厚付けするなどして、無電解メッキ層を形成する。
【００１１】
このように表面粗さＲ30の小さい無電解メッキ層を形成すると、レジスト層形成工程で、無電解メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を高くすることができる。このため、樹脂絶縁層の表面が大きく粗化されていても、無電解メッキ層の表面粗さＲ30を上記式を満たすように小さくすることで、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制し、歩留まり８０％以上を確保することができる。
【００１２】
従って、その後、配線層形成工程で、電解メッキを施す際、メッキレジスト層の剥がれや浮きが抑制されているので、ショートを生じ難く、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成することができる。さらに、樹脂絶縁層が粗化されていることにより、樹脂絶縁層と配線層（無電解メッキ層）との密着強度も高い。このため、樹脂絶縁層上に確実に配線層を形成することができる。
【００１３】
なお、本明細書中で、３０μｍ間１０点平均粗さＲ30とは、３０μｍの間隔において、ＪＩＳ規定の表面粗さＲｚの測定方法に準じて測定された表面粗さをいう。各点の測定は、電子顕微鏡または光学顕微鏡下で無電解メッキ層等の切断面を拡大して行う。また、プリント配線板製造後に、無電解メッキ層の表面粗さＲ30を測定する場合において、樹脂絶縁層にビアが形成されているときには、このビアの側面に形成された無電解メッキ層の表面粗さＲ30を便宜的に測定することもできる。
【００１４】
ここで、樹脂絶縁層としては、配線層（無電解メッキ層）との密着性や熱膨張率等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂等の樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
【００１５】
また、樹脂絶縁層の表面は、配線層等との密着強度を考慮して粗化されていれば良く、その表面粗さは適宜選択することができる。また、樹脂絶縁層の表面は、例えば、クロム酸や過マンガン酸カリウムなどで化学的に粗化されたものの他、研磨などで物理的に粗化されたものでも良い。
また、メッキレジスト層の形成方法としては、例えば、感光性のドライフィルムを貼り付け、所定のパターンに露光・現像して形成すれば良い。あるいは、レジスト層を全面に塗布し、所定のパターンに露光・現像して形成しても良い。
【００１６】
また、プリント配線板としては、樹脂絶縁層と配線層とを備えるものであれば良く、例えば、コア基板の片面あるいは両面に、あるいはコア基板なしで、絶縁層と配線層とを順に複数層積層したものなどが挙げられる。さらに、プリント配線板の主面上に、集積回路チップ等の電子部品を搭載したり、他の基板に接続したりするための接続パッドや、入出力端子としてのピンなどを備えるものでも良い。
【００１７】
さらに、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範囲で、式 Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法とすると良い。
【００１８】
本発明によれば、無電解メッキ層形成工程で、粗化された樹脂絶縁層上に、配線層のうち、最も幅狭な導体間隙Ｘ（μｍ）に対して、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たすように、無電解メッキ層を形成する。つまり、無電解メッキ層の表面粗さＲ30をさらに小さい値とする。
【００１９】
このため、レジスト層形成工程で、無電解メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を、より高くすることができるので、メッキレジスト層の剥がれや浮きをより抑制し、歩留まり９０％以上を確保することができる。
従って、その後、配線層形成工程で、よりショートを生じ難く、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成することができるので、より確実に配線層を形成することができる。
【００２０】
さらに、樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリント配線板の製造方法であって、表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範囲で、式 Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法とすると良い。
【００２１】
本発明によれば、無電解メッキ層形成工程で、粗化された樹脂絶縁層上に、配線層のうち、最も幅狭な導体間隙Ｘ（μｍ）に対して、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすように、無電解メッキ層を形成する。つまり、無電解メッキ層の表面粗さＲ30をさらに小さい値とする。
【００２２】
このため、レジスト層形成工程で、無電解メッキ層上にメッキレジスト層を形成する際、無電解メッキ層とメッキレジスト層とを密着強度を、さらに高くすることができるので、メッキレジスト層の剥がれや浮きをさらに抑制し、歩留まりほぼ１００％を確保することができる。
従って、その後、配線層形成工程で、さらにショートを生じ難く、メッキレジスト層から露出した無電解メッキ層上にだけ、電解メッキ層を形成することができるので、さらに確実に配線層を形成することができる。
【００２３】
さらに、上記のプリント配線板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30が、前記式及びＲ30≧０．５μｍを満たすことを特徴とするプリント配線板の製造方法とするのが好ましい。
【００２４】
樹脂絶縁層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30が、上記式Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）、Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）、または、Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たし、かつ、Ｒ30≧０．５μｍを満たす場合には、無電解メッキ層を薄付けしたとき、具体的には１μｍ以下に薄付けしたとき、無電解メッキ層の表面粗さも、樹脂絶縁層の表面粗さとほとんど変わらなくなる。即ち、樹脂絶縁層の表面粗さがＲ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たすとき、無電解メッキ層の表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30も、この式を満たす。また、樹脂絶縁層の表面粗さがＲ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たすとき、無電解メッキ層の表面粗さＲ30も、この式を満たす。また、樹脂絶縁層の表面粗さがＲ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすとき、無電解メッキ層の表面粗さＲ30も、この式を満たす。
【００２５】
従って、メッキレジスト層と無電解メッキ層との密着強度が高くされるので、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制することができる上、無電解メッキ層を薄く付ければ足りるので、その時間とコストを削減することができる。しかも、樹脂絶縁層の表面粗さＲ30が０．５μｍ以上では、樹脂絶縁層と配線層（無電解メッキ層）との密着強度も確保することができる。
【００２６】
なお、樹脂絶縁層の表面粗さが、式 Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）よりも、式 Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）、さらには、式 Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすようにすれば、メッキレジスト層が無電解メッキ層から剥がれたり、浮いたりするのを抑制する効果がより高くなる。このため、プリント配線板製造時の歩留まりもより向上させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図を参照しつつ説明する。
本実施形態で製造されるプリント配線板１について、図１（ａ）に主面１Ａ側から見た平面図を、図１（ｂ）に図１（ａ）の破線部における部分拡大図を示す。
【００２８】
このプリント配線板１は、図１（ａ）に示すように、主面１Ａ及び裏面（図示しない）を有し、４２．５×４２．５ｍｍの略正方形板状をなす。この主面１Ａ側には、集積回路チップを搭載するためのＩＣ搭載領域２が形成されている。また、主面１Ａ側には、配線層３が形成されている。
図１（ｂ）に示すように、配線層３の一部は、図中上下方向に、一定の導体間隙Ｘで櫛状に並んで形成されている。この部分の配線層３の導体幅ＤＨは２０μｍであり、導体間隙Ｘは２０μｍである。
【００２９】
なお、このプリント配線板１において、配線層３のうち、図１（ｂ）に示す部分の導体間隙Ｘが、最も幅狭（２０μｍ）にされている。このため、プリント配線板１を製造するにあたり、後述するように、樹脂絶縁層上に無電解Ｃｕメッキ層を形成する際、この部分に対応するメッキレジスト層が、無電解Ｃｕメッキ層から最も剥がれたり、浮いたりし易い。
【００３０】
次に、上記プリント配線板１の製造方法について、図２〜図４を参照しつつ説明する。
まず、被積層基板１１を用意する。図２（ａ）は、被積層基板１１のうち図１（ｂ）のＡ−Ａ断面に対応した部分の部分拡大断面図を示す（図２〜図４の各図についても同じ。）。
この被積層基板１１は、公知の手法により、ＢＴレジンからなるコア基板１２の両面に、エポキシ系樹脂からなる樹脂絶縁層１３，１４が積層されたものである。これら樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１３Ｂ（被積層基板１１の主面１１Ａ及び裏面１１Ｂ）は、過マンガン酸カリウムによって予め粗化されており、その３０μｍ間１０点平均粗さＲ30は、約１．３μｍとされている。
【００３１】
次に、無電解メッキ層形成工程において、図２（ｂ）に示すように、被積層基板１１の全面に無電解Ｃｕメッキ（奥野製薬社製メッキ液ビルドカッパー）を施し、厚さ０．７μｍの無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を形成する。
このとき、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の厚さが、１μｍ以下と比較的薄いため、その下の樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30の影響を強く受ける。このため、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30は、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30とほぼ同等の約１．３μｍとなる。
【００３２】
このように樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30を、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の所望の表面粗さＲ30と同等にしておくと、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を薄く付けても、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａで所望の粗さＲ30が得られるので、その時間やコストを削減することができる。しかも、樹脂絶縁層１３，１４が予め粗化されていることにより、樹脂絶縁層１３，１４と無電解Ｃｕメッキ層１７，１８との密着強度は、十分に高くなっている。
【００３３】
次に、レジスト層形成工程において、図３（ａ）に示すように、これら無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上に、アクリル系樹脂（水溶性アクリル）からなる感光性のドライフィルム（ニチゴーモートン社製ＮＩＴ２２５）２１，２２をそれぞれ全面に貼り付ける。
【００３４】
次に、図３（ｂ）に示すように、貼り付けたドライフィルム２１，２２を、所定パターンのマスク（図示しない）を用いて露光し、その後現像して、配線層３等に対応した所定パターンのメッキレジスト層２３，２４を形成する。
その際、特に現像液（Ｎａ2ＣＯ3１．１ｗｔ％）を噴射するときに、その圧力でメッキレジスト層２３，２４、中でもパターンの幅ＲＢが最も狭くなっている部分（図３（ｂ）で示す部分）が剥がれ易い。特に、本実施形態にように、配線層の最も幅狭な導体間隙Ｘ（２０μｍ）が狭くなっている場合には、メッキレジスト層２３，２４の剥がれや浮きが発生しやすい。
【００３５】
しかし、本実施形態では、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30は、約１．３μｍと小さくされているので、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８とメッキレジスト層２３，２４との密着強度が、十分に高い。このため、この工程で、メッキレジスト層２３，２４が無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から剥がれたり、浮いたりし難い。
【００３６】
次に、配線層形成工程において、図４（ａ）に示すように、電解Ｃｕメッキを施し、メッキレジスト層２３，２４から露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上に、厚さ１５μｍの電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成する。
その際、メッキレジスト層２３，２４には剥がれや浮きがなく、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８に密着しているので、ショートを生じることなく、露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８上にだけ、電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成することができる。
【００３７】
その後、メッキレジスト層２３，２４を剥離し、クイックエッチングにより、露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８を除去して、図４（ｂ）に示すように、配線層３，４を形成する。
このとき、エッチング液は全面に噴射されるので、露出した無電解Ｃｕメッキ層１７，１８が除去されるとともに、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面も一部除去される。しかし、電解Ｃｕメッキ層２７，２８（厚さ１５μｍ）は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８（厚さ０．７μｍ）よりも十分に厚く形成されているので、配線層３，４がエッチングにより除去されてしまうことはない。
このようにして、被積層基板１１の樹脂絶縁層１３，１４上に配線層３，４が形成され、プリント配線板１が完成する。
【００３８】
なお、本実施形態では、被積層基板１１の樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａを過マンガン酸カリウムにより粗化しているが、樹脂絶縁層の材質に応じて、例えばクロム酸などにより粗化しても良い。また、その表面１３Ａ，１４Ａを研磨して粗化しても良い。
また、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30は、約１．３μｍとされているが、樹脂絶縁層１３，１４と配線層３とのアンカー効果をより高くしたい場合には、表面粗さＲ30をより大きくすることもできる。この場合、無電解メッキ層形成工程で、無電解メッキを厚く付けることにより、無電解メッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａを所望の表面粗さ、例えばＲ30＝１．３μｍとする。
【００３９】
また、本実施形態では、配線層形成工程で、メッキレジスト層２３，２４を剥離した後、そのままの状態で、エッチング液を噴射して、配線層３，４を形成している。しかし、メッキレジスト層２３，２４を剥離した後、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面に、ＮｉメッキやＳｎメッキなどの保護膜を形成してから、エッチングを行ってもよい。この場合は、電解Ｃｕメッキ層２７，２８の表面が、保護膜によってエッチング液から保護されるので、配線層３，４の表面はエッチングされなくなる。
【００４０】
上記プリント配線板１の配線層３について、最も幅狭な導体間隙Ｘを様々に変更して、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30と、レジスト層形成工程後の歩留まりとの関係について、以下に述べるように調査し、その結果を図５〜図８の各グラフに示した。
【００４１】
まず、配線層３が、最も幅狭な導体間隙Ｘが２０μｍである導体パターンを有する上記プリント配線板１について、以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面１３Ａ，１４Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30を様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30とメッキレジスト層２３，２４形成後の歩留まりとの関係について、図５のグラフにまとめた。
図５に示すグラフの横軸は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）を示し、縦軸は、メッキレジスト層２３，２４形成後の歩留まり（％）を示す（図６〜図８についても同じ。）。
【００４２】
なお、レジスト層形成工程で、メッキレジスト層２３，２４が、無電解メッキ層１７，１８から剥がれたり、浮いたりすることなく形成された試料については、配線層形成工程において、ショートを生じることなく、確実に配線層３，４を形成することができた。これに対し、メッキレジスト層２３，２４が無電解メッキ層１７，１８から剥がれたり浮いたりした試料は、いずれもショートを生じた。
【００４３】
このグラフから判るように、配線層３のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝２０μｍでは、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が、図中にＢ100で示すように、０．９７μｍ以下で、歩留まりがほぼ１００％になる。一方、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が０．９７μｍ以上になると、歩留まりが徐々に低下し始める。特に、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が約２μｍを越えると、急激に歩留まりが低下する。
なお、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まりを８０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を、図中にＢ80で示すように、Ｒ30＝１．９６μｍ以下にすれば良いことが判る。また、歩留まりを９０％以上にするには、図中にＢ90で示すように、Ｒ30＝１．６７μｍ以下にすれば良く、また、歩留まりをほぼ１００％にするには、図中にＢ100で示すように、Ｒ30＝０．９７μｍ以下にすれば良いことが判る。
【００４４】
次に、上記プリント配線板１の配線層３について、最も幅狭な導体間隙Ｘを２０μｍから１５μｍに変更したプリント配線板についても、上記調査と同様にして調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30とメッキレジスト層形成後の歩留まりとの関係について、図６のグラフにまとめた。
【００４５】
このグラフから判るように、配線層のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝１５μｍでは、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が約０．９μｍ以下で、レジスト層形成工程後の歩留まりが高くなる。一方、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が約１．５μｍ以上では、メッキレジスト層形成後の歩留まりは、ほとんどない。
【００４６】
最も幅狭な導体間隙がＸ＝２０μｍである上記調査と比べると、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を小さい値にしないと、歩留まりが高くならない。また、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が約０．９μｍを越えると、大きな割合で歩留まりが低下していく。
なお、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まりを８０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を、図中にＡ80で示すように、Ｒ30＝０．９０μｍ以下にすれば良いことが判る。また、歩留まりを９０％以上にするには、図中にＡ90で示すように、Ｒ30＝０．７６μｍ以下にすれば良く、また、歩留まりをほぼ１００％にするには、図中にＡ100で示すように、Ｒ30＝０．５０μｍ以下にすれば良いことが判る。
【００４７】
次に、上記プリント配線板１の配線層３について、最も幅狭な導体間隙Ｘを２０μｍから２５μｍに変更したプリント配線板についても、上記各調査と同様にして以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30とメッキレジスト層形成後の歩留まりとの関係について、図７のグラフにまとめた。
【００４８】
このグラフから判るように、配線層のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝２５μｍでは、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が、図中にＣ100で示すように、１．３５μｍ以下で、歩留まりがほぼ１００％になる。一方、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が１．３５μｍ以上になると、歩留まりが徐々に低下し始める。しかし、配線層のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝２０μｍの場合と比べると、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が大きくなっても、歩留まりの低下の割合が小さい。
なお、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まりを８０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を、図中にＣ80で示すように、Ｒ30＝５．３２μｍ以下にすれば良いことが判る。また、歩留まりを９０％以上にするには、図中にＣ90で示すように、Ｒ30＝３．９１μｍ以下にすれば良く、また、歩留まりをほぼ１００％にするには、図中にＣ100で示すように、Ｒ30＝１．３５μｍ以下にすれば良いことが判る。
【００４９】
次に、上記プリント配線板１の配線層３について、最も幅狭な導体間隙Ｘを２０μｍから３２μｍに変更したプリント配線板についても、上記各調査と同様にして以下の調査を行った。即ち、樹脂絶縁層１３，１４の表面粗さＲ30を適宜変更することにより、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を様々に変化させた多数の試料ついて、レジスト層形成工程後の歩留まりを調査した。そして、これらの調査をもとに、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30とメッキレジスト層形成後の歩留まりとの関係について、図８のグラフにまとめた。
【００５０】
このグラフから判るように、配線層のうち最も幅狭な導体間隙がＸ＝３２μｍでは、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が、図中にＤ100で示すように、１．７４μｍ以下で、歩留まりがほぼ１００％になる。一方、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が１．７４μｍ以上になると、歩留まりが徐々に低下し始める。しかし、導体間隙がそれぞれＸ＝１５，２０，２５μｍである上記各調査と比べると、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30が大きくなったとき、歩留まりの低下の割合がさらに小さくなっている。
なお、このグラフより、レジスト層形成工程後の歩留まりを９０％以上にするには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を、図中にＤ90で示すように、Ｒ30＝５．５９μｍ以下にすれば良いことが判る。また、歩留まりをほぼ１００％にするには、図中にＤ100で示すように、Ｒ30＝１．７４μｍ以下にすれば良いことが判る。
【００５１】
以上の各調査から、配線層のうち、最も幅狭な導体間隙Ｘが大きくなるにつれて、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が大きくても良いことが判る（図５〜図８参照）。
つまり、所望の歩留まりを得るには、最も幅狭な導体間隙Ｘが小さいほど、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を小さくする必要があり、逆に、最も幅狭な導体間隙Ｘが大きくなると、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30が大きくても良いという相関関係を有する。また、より高い歩留まりを得るためには、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30をより小さくしなけらばならない。
【００５２】
そこで、レジスト層形成工程後に、８０％、９０％及びほぼ１００％の歩留まりをそれぞれ得るために必要な無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30を求めるために、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘと無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30との関係について調べた。図９〜図１１のグラフを参照しつつ、以下に説明する。
【００５３】
まず、メッキレジスト層形成後の歩留まりを８０％以上とする場合の最も幅狭な導体間隙Ｘと無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30との関係について、図９に示す。このグラフの横軸は、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘ（μｍ）を示し、縦軸は、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面１７Ａ，１８Ａの３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）を示す（図１０及び図１１についても同じ。）。なお、図中のＡ80，Ｂ80，Ｃ80の各点は、図５〜図７に示すＡ80，Ｂ80，Ｃ80にそれぞれ対応している。
【００５４】
このグラフは、上記調査より求めた各グラフ（図５〜図７参照）より、最も幅狭な導体間隙が、Ｘ＝１５，２０，２５μｍのそれぞれについて、歩留まりが８０％となるときの表面粗さＲ30を求め、これらの点（Ａ80，Ｂ80，Ｃ80）をもとに近似したグラフである。このグラフは、式 Ｒ30＝０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）で表される。
このグラフより、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を、式 Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たす値とすれば、メッキレジスト層形成後の歩留まりを８０％以上にすることができることになる。
【００５５】
次に、メッキレジスト層形成後の歩留まりを９０％以上とする場合の最も幅狭な導体間隙Ｘと無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30との関係について、図１０に示す。なお、図中のＡ90，Ｂ90，Ｃ90，Ｄ90の各点は、図５〜図８に示すＡ90，Ｂ90，Ｃ90，Ｄ90にそれぞれ対応している。
このグラフも、上記調査より求めた各グラフ（図５〜図８参照）より、最も幅狭な導体間隙が、Ｘ＝１５，２０，２５，３２μｍのそれぞれについて、歩留まりが９０％となるときの表面粗さＲ30を求め、これらの点（Ａ90，Ｂ90，Ｃ90，Ｄ90）をもとに近似したグラフである。このグラフは、式 Ｒ30＝０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）で表される。
このグラフより、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を、式 Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たす値とすれば、メッキレジスト層形成後の歩留まりを９０％以上にすることができることになる。
【００５６】
次に、メッキレジスト層形成後の歩留まりをほぼ１００％とする場合の最も幅狭な導体間隙Ｘと無電解Ｃｕメッキ層１７，１８の表面粗さＲ30との関係について、図１１に示す。なお、図中のＡ100，Ｂ100，Ｃ100，Ｄ100の各点は、図５〜図８に示すＡ100，Ｂ100，Ｃ100，Ｄ100にそれぞれ対応している。
このグラフも、上記調査より求めた各グラフ（図５〜図８参照）より、最も幅狭な導体間隙が、Ｘ＝１５，２０，２５，３２μｍのそれぞれについて、歩留まりがほぼ１００％となる値のうち、最も大きい表面粗さＲ30をそれぞれ求め、これらの点（Ａ100，Ｂ100，Ｃ100，Ｄ100）をもとに近似したグラフである。このグラフは、式 Ｒ30＝２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）で表される。
このグラフより、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を、式 Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たす値とすれば、メッキレジスト層形成後の歩留まりをほぼ１００％にすることができることになる。
【００５７】
このように、図９〜図１１のグラフより、配線層のうち最も幅狭な導体間隙が１５≦Ｘ≦２５の範囲において、Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を設定すれば、メッキレジスト層形成後の歩留まり８０％以上を得ることができる。
また、配線層のうち最も幅狭な導体間隙が１５≦Ｘ≦３２の範囲において、Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を設定すれば、メッキレジスト層形成後の歩留まり９０％以上を得ることができる。
また、配線層のうち最も幅狭な導体間隙が１５≦Ｘ≦３２の範囲において、Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ１７，１８の表面粗さＲ30を設定すれば、メッキレジスト層形成後の歩留まりほぼ１００％を得ることができる。
【００５８】
以上で説明したように、本実施形態のプリント配線板の製造方法でよれば、無電解メッキ層形成工程において、配線層のうち最も幅狭な導体間隙Ｘに対して、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30が、Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）、Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）、及び、Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）を満たすように、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８が形成される。
【００５９】
このため、レジスト層形成工程において、所定パターンのメッキレジスト層を形成する際、メッキレジスト層と無電解Ｃｕメッキ層１７，１８との密着強度を十分に高くすることができる。よって、この工程で、メッキレジスト層の一部が、無電解Ｃｕメッキ層１７，１８から剥がれたり、浮いたりするのを抑制することができる。
従って、その後配線層形成工程で、電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成する際、所定の位置にだけ、確実に電解Ｃｕメッキ層２７，２８を形成することができるので、確実に配線層を形成することができ、プリント配線板の製造時の歩留まりを向上させることができる。
【００６０】
以上において、本発明を各実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、配線層は、一定の導体間隙Ｘで導体が櫛上に並んだ導体パターンを有しているが（図１（ｂ）参照）、導体同士が平行に並んでいない導体パターンをなす配線層においても、本発明を適用することができる。このような場合でも、導体間隙が最も幅狭な部分で、メッキレジスト層が無電解Ｃｕメッキ層から最も剥がれ易くなるので、本発明の適用により、この部分のメッキレジスト層の剥がれや浮きを抑制することができ、この部分でのショートの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１に係るプリント配線板を示す図であり、（ａ）は主面側から見た平面図を示し、（ｂ）は（ａ）の破線部における部分拡大図を示す。
【図２】実施形態１に係るプリント配線板の製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は被積層基板を示し、（ｂ）は無電解Ｃｕメッキ層を形成した状態を示す。
【図３】実施形態１に係るプリント配線板をの製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）はドライフィルムを貼り付けた状態を示し、（ｂ）はメッキレジスト層を形成した状態を示す。
【図４】実施形態１に係るプリント配線板をの製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は電解Ｃｕメッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は配線層を形成した状態を示す。
【図５】実施形態１に係り、導体間隙２０μｍにおける無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図６】実施形態１に係り、導体間隙１５μｍにおける無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図７】実施形態１に係り、導体間隙２５μｍにおける無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図８】実施形態１に係り、導体間隙３２μｍにおける無電解Ｃｕメッキの表面粗さと歩留まりとの関係を示すグラフである。
【図９】実施形態１に係り、歩留まり８０％における導体間隙と無電解Ｃｕメッキの表面粗さとの関係を示すグラフである。
【図１０】実施形態１に係り、歩留まり９０％における導体間隙と無電解Ｃｕメッキの表面粗さとの関係を示すグラフである。
【図１１】実施形態１に係り、歩留まり１００％における導体間隙と無電解Ｃｕメッキの表面粗さとの関係を示すグラフである。
【図１２】従来技術に係るプリント配線板の製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は樹脂絶縁層上に無電解メッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は無電解メッキ層上にドライフィルムを貼付した状態を示し、（ｃ）はメッキレジスト層を形成した状態を示す。
【図１３】従来技術に係るプリント配線板の製造方法を示す部分拡大断面図であり、（ａ）は電解メッキ層を形成した状態を示し、（ｂ）は配線層を形成した状態を示す。
【符号の説明】
１ プリント配線板
３，４ 配線層
１１ 被積層基板
１３，１４ 樹脂絶縁層
１３Ａ，１４Ａ （樹脂絶縁層の）表面
１７，１８ 無電解Ｃｕメッキ層
１７Ａ，１８Ａ （無電解Ｃｕメッキ層の）表面
２３，２４ メッキレジスト層
２７，２８ 電解Ｃｕメッキ層
Ｘ 導体間隙
Claims (3)
- 樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリント配線板の製造方法であって、
表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、１５≦Ｘ≦２５の範囲で、
式 Ｒ30≦０．０６１ｅｘｐ（０．１８Ｘ）
を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、
上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリント配線板の製造方法であって、
表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範囲で、
式 Ｒ30≦０．１５ｅｘｐ（０．１２Ｘ）
を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、
上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 樹脂絶縁層上に、最も幅狭な導体間隙がＸ（μｍ）である導体パターンを有する配線層を備えるプリント配線板の製造方法であって、
表面が粗化された上記樹脂絶縁層上に、表面の３０μｍ間１０点平均粗さＲ30（μｍ）が、１５≦Ｘ≦３２の範囲で、
式 Ｒ30≦２．０ｅｘｐ（０．０７１Ｘ）
を満たす無電解メッキ層を形成する無電解メッキ層形成工程と、
上記無電解メッキ層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
上記メッキレジスト層から露出した上記無電解メッキ層上に、電解メッキ層を形成した後、上記メッキレジスト層を剥離し、剥離後露出した上記無電解メッキ層をエッチングして、配線層を形成する配線層形成工程と、
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
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-
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