JPS63271708A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS63271708A JPS63271708A JP10424187A JP10424187A JPS63271708A JP S63271708 A JPS63271708 A JP S63271708A JP 10424187 A JP10424187 A JP 10424187A JP 10424187 A JP10424187 A JP 10424187A JP S63271708 A JPS63271708 A JP S63271708A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- soft magnetic
- magnetic
- magnetoresistive
- magnetic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 126
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 80
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 abstract description 19
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- NCAIGTHBQTXTLR-UHFFFAOYSA-N phentermine hydrochloride Chemical compound [Cl-].CC(C)([NH3+])CC1=CC=CC=C1 NCAIGTHBQTXTLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は再生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係り、
高密度磁気記録再生、特に狭トラツク記録信号の再生に
好適な磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
高密度磁気記録再生、特に狭トラツク記録信号の再生に
好適な磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
（従来の技術〕
磁気記録の高密度化が進むのに伴ってトラック密度も高
密度化しなければならなくなる。しかし、トラック幅が
狭くなるにつれて従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに使
用される磁気抵抗素子の出力電圧は、素子に流す信号検
出電流密度を一定とした場合トラック幅に比例して低下
するため、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの再生出力が低下
して良好な信号再生ができなくなるという問題がある。
密度化しなければならなくなる。しかし、トラック幅が
狭くなるにつれて従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに使
用される磁気抵抗素子の出力電圧は、素子に流す信号検
出電流密度を一定とした場合トラック幅に比例して低下
するため、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの再生出力が低下
して良好な信号再生ができなくなるという問題がある。
このため、特開昭６０−２５６９０９に記載されている
第５図に示すような薄膜磁気ヘサド（本発明では磁気抵
抗効果型磁気ヘッドと述べる。）が考案されている。す
なわち、記録媒体からの信号磁束を磁気抵抗効果素子１
に導くための強磁性磁束収束部２と実質的に細条線であ
る磁気抵抗効果素子６とさらに該細条線である磁気抵抗
効果素子６の間に隙間なく埋め込まれた非導電性強磁性
薄膜３とを形成するとともに上記磁気抵抗効果素子６を
電気的に直列に接続して磁気抵抗効果素子全体の抵抗を
増加することにより、信号検出電流密度を変えずに再生
出力を増加した薄膜磁気ヘッドである。
第５図に示すような薄膜磁気ヘサド（本発明では磁気抵
抗効果型磁気ヘッドと述べる。）が考案されている。す
なわち、記録媒体からの信号磁束を磁気抵抗効果素子１
に導くための強磁性磁束収束部２と実質的に細条線であ
る磁気抵抗効果素子６とさらに該細条線である磁気抵抗
効果素子６の間に隙間なく埋め込まれた非導電性強磁性
薄膜３とを形成するとともに上記磁気抵抗効果素子６を
電気的に直列に接続して磁気抵抗効果素子全体の抵抗を
増加することにより、信号検出電流密度を変えずに再生
出力を増加した薄膜磁気ヘッドである。
しかし、このような構成の薄膜磁気ヘッドでは。
まず記録媒体からの信号磁束量が上記磁気抵抗効果素子
部１に到達する前に上記強磁性磁束収束部２で減衰して
しまう、すなわち再生効率が低下することをさけられな
いという欠点がある。さらにまた、上記非導電性強磁性
薄膜３を上記磁気抵抗素子６間に接触する程に隙間なく
形成することが極めて雅しく１例えばリフトオフ法で形
成した場合でも上記非導電性強磁性薄膜３の側辺部が多
少なりとも凸凹になることはさけられない。このため、
上記非導電性強磁性薄膜３の存在により上記磁気抵抗効
果素子６への信号磁束の導入効率は向上するものの、上
記非導電性強磁性薄膜の側辺部からは磁圧が形成され易
くなり、この影響により上記磁気抵抗素子６の側辺部か
らも磁圧が形成されるため再生出力にバルクハウゼンノ
イズが増加し、Ｓ／Ｎ比が低下するという欠点があった
。
部１に到達する前に上記強磁性磁束収束部２で減衰して
しまう、すなわち再生効率が低下することをさけられな
いという欠点がある。さらにまた、上記非導電性強磁性
薄膜３を上記磁気抵抗素子６間に接触する程に隙間なく
形成することが極めて雅しく１例えばリフトオフ法で形
成した場合でも上記非導電性強磁性薄膜３の側辺部が多
少なりとも凸凹になることはさけられない。このため、
上記非導電性強磁性薄膜３の存在により上記磁気抵抗効
果素子６への信号磁束の導入効率は向上するものの、上
記非導電性強磁性薄膜の側辺部からは磁圧が形成され易
くなり、この影響により上記磁気抵抗素子６の側辺部か
らも磁圧が形成されるため再生出力にバルクハウゼンノ
イズが増加し、Ｓ／Ｎ比が低下するという欠点があった
。
した力ζつで１本発明の目的は上記欠点をなくし、再生
効率の良い、Ｓ／Ｎ比の高い狭トラツク記録信号の再生
に好適な磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することにあ
る。
効率の良い、Ｓ／Ｎ比の高い狭トラツク記録信号の再生
に好適な磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することにあ
る。
上記目的は、上記強磁性磁束収束部２をなくし、記録媒
体に対して直接上記磁気抵抗効果素子部１が対向するよ
うな構成とすると同時に、上記非導電性強磁性薄膜３も
なくして代わりにトラック幅をＤとするとき、Ｄ／２．
５ 以下の幅を持つ矩形状の磁気抵抗効果を有する軟磁
性薄膜帯を少なくとも３つ以上並列に配置する。そして
、さらに電気的に上記各軟磁性薄膜帯を互いに直列に接
続するとともに各軟磁性薄膜帯間の間隔を１μｍ以下と
することにより達成される。
体に対して直接上記磁気抵抗効果素子部１が対向するよ
うな構成とすると同時に、上記非導電性強磁性薄膜３も
なくして代わりにトラック幅をＤとするとき、Ｄ／２．
５ 以下の幅を持つ矩形状の磁気抵抗効果を有する軟磁
性薄膜帯を少なくとも３つ以上並列に配置する。そして
、さらに電気的に上記各軟磁性薄膜帯を互いに直列に接
続するとともに各軟磁性薄膜帯間の間隔を１μｍ以下と
することにより達成される。
上述したように本発明では、前記従来例における強磁性
磁束収束部２をなくし記録媒体に直接磁気抵抗効果素子
部１を対向させるので、記録媒体からの信号磁束は全て
該磁気抵抗効果素子部１に吸い込まれるようになり、上
記強磁性磁束収束部２における信号磁束量の減衰は全く
なくなる。また、非導電性強磁性薄膜３をなくシ、磁気
抵抗効果を有する上記軟磁性薄膜帯の幅をトラック幅（
Ｄ）のＤ／２．５ 以下としたことによる形状効果によ
り、該軟磁性薄膜帯内は単磁区構造を取り易くなる。こ
れに加えて、上記各軟磁性薄膜帯間の間隔を１μｍ以下
に接近させることにより各軟磁性薄膜帯間で磁気的な相
互作用が生じ、各軟磁性薄膜帯内の単磁区構造が安定に
なり、バルクハウゼンノイズの発生がなくなる。さらに
また、上記記録媒体に直接対向した磁気抵抗素子から吸
い込まれた信号磁束量は、軟磁性薄膜帯間の間隔が広い
と磁気抵抗が大きくなるため、次の軟磁性薄膜帯に吸収
されるまでの間に急激に減衰するが、上述したように上
記軟磁性薄膜帯間の間隔を１μｍ以下にすることにより
、上記磁気抵抗が大幅に減少するとともに各軟磁性薄膜
帯の反磁界も磁気的相互作用により減少するので、信号
磁束量の減衰を抑えることが可能となる。したがって、
記録媒体からの深さ方向での信号磁束量の減衰による磁
気抵抗効果素子出力の低下を極力抑えることができる。
磁束収束部２をなくし記録媒体に直接磁気抵抗効果素子
部１を対向させるので、記録媒体からの信号磁束は全て
該磁気抵抗効果素子部１に吸い込まれるようになり、上
記強磁性磁束収束部２における信号磁束量の減衰は全く
なくなる。また、非導電性強磁性薄膜３をなくシ、磁気
抵抗効果を有する上記軟磁性薄膜帯の幅をトラック幅（
Ｄ）のＤ／２．５ 以下としたことによる形状効果によ
り、該軟磁性薄膜帯内は単磁区構造を取り易くなる。こ
れに加えて、上記各軟磁性薄膜帯間の間隔を１μｍ以下
に接近させることにより各軟磁性薄膜帯間で磁気的な相
互作用が生じ、各軟磁性薄膜帯内の単磁区構造が安定に
なり、バルクハウゼンノイズの発生がなくなる。さらに
また、上記記録媒体に直接対向した磁気抵抗素子から吸
い込まれた信号磁束量は、軟磁性薄膜帯間の間隔が広い
と磁気抵抗が大きくなるため、次の軟磁性薄膜帯に吸収
されるまでの間に急激に減衰するが、上述したように上
記軟磁性薄膜帯間の間隔を１μｍ以下にすることにより
、上記磁気抵抗が大幅に減少するとともに各軟磁性薄膜
帯の反磁界も磁気的相互作用により減少するので、信号
磁束量の減衰を抑えることが可能となる。したがって、
記録媒体からの深さ方向での信号磁束量の減衰による磁
気抵抗効果素子出力の低下を極力抑えることができる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
第１図（ａ）は本発明の一実施例による磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの一部切欠き正面図であり、第１図（ｂ）は
第１図（ａ）のＡ−Ａ’断面図である０本実施例ではガ
ラスなどの非磁性材料あるいは磁気シールドを兼ねた各
種フェライトなどの磁性材料からなる基板４上に５ｉＯ
ｚやＡＱｚＯｓなどからなる絶縁層５を介してバイアス
磁界印加手段である膜厚５０〜３００ｍｍでＣｏＰｔ合
金等からなる永久磁石膜１６を形成し、さらにその上に
上記絶縁層５と同材料よりなる絶縁層１７を介して、矩
形状の磁気抵抗効果を有する膜厚４５ｎｍ （２５〜１
１００ｎの範囲内であればよい）の軟磁性薄膜帯６を３
本並列に形成し磁気抵抗効果素子部１を構成した。
磁気ヘッドの一部切欠き正面図であり、第１図（ｂ）は
第１図（ａ）のＡ−Ａ’断面図である０本実施例ではガ
ラスなどの非磁性材料あるいは磁気シールドを兼ねた各
種フェライトなどの磁性材料からなる基板４上に５ｉＯ
ｚやＡＱｚＯｓなどからなる絶縁層５を介してバイアス
磁界印加手段である膜厚５０〜３００ｍｍでＣｏＰｔ合
金等からなる永久磁石膜１６を形成し、さらにその上に
上記絶縁層５と同材料よりなる絶縁層１７を介して、矩
形状の磁気抵抗効果を有する膜厚４５ｎｍ （２５〜１
１００ｎの範囲内であればよい）の軟磁性薄膜帯６を３
本並列に形成し磁気抵抗効果素子部１を構成した。
該軟磁性薄膜帯６は、Ｎｉ−Ｆｅ合金およびＮ１−Ｇｏ
金合金どの磁気抵抗効果を有する合金よりなり、ＥＢ蒸
着法など各種蒸着法あるいはスパッタリング法などの薄
膜形成法により成膜された後ホトリソグラフィーの手法
によりパターニングされる。また、該軟磁性薄膜帯６の
幅はトラック幅（Ｄ）のＤ／２．５ 以下にすると同時
に該軟磁性薄膜帯６の間隔７は１μｍ以下と極めて狭く
する。このためのエツチングにはイオンミリング等のド
ライエツチング法が適する。
金合金どの磁気抵抗効果を有する合金よりなり、ＥＢ蒸
着法など各種蒸着法あるいはスパッタリング法などの薄
膜形成法により成膜された後ホトリソグラフィーの手法
によりパターニングされる。また、該軟磁性薄膜帯６の
幅はトラック幅（Ｄ）のＤ／２．５ 以下にすると同時
に該軟磁性薄膜帯６の間隔７は１μｍ以下と極めて狭く
する。このためのエツチングにはイオンミリング等のド
ライエツチング法が適する。
上記軟磁性薄膜帯６を形成した後、引き続きＡＱやＡｕ
あるいはＡ ｕ ／ Ｔｉ等よりなる導電体８を第１図
（ａ）に示す如く形成した。この際、各３本の軟磁性薄
膜帯６も電気的に直列に各軟磁性薄膜帯６の端部９，１
０で上記導電体８と同一材料によって接続される。
あるいはＡ ｕ ／ Ｔｉ等よりなる導電体８を第１図
（ａ）に示す如く形成した。この際、各３本の軟磁性薄
膜帯６も電気的に直列に各軟磁性薄膜帯６の端部９，１
０で上記導電体８と同一材料によって接続される。
ここで、上述のようにＡＱ、ＡｕあるいはＡｕ／ Ｔ
ｉ等で各軟磁性薄膜帯６の端部９，１０を接続しなくて
も、第２図に示す如く該軟磁性薄膜帯６のパターン自体
を端部９，１０が互いに連続しているような形状として
もよい。
ｉ等で各軟磁性薄膜帯６の端部９，１０を接続しなくて
も、第２図に示す如く該軟磁性薄膜帯６のパターン自体
を端部９，１０が互いに連続しているような形状として
もよい。
以上のように導電体８．接合部９，１０を形成した後、
さらに５ｉＯｚあるいはＡ Ｑ ｚ Ｏａ等よりなる絶
縁層１１をスパッタリング等の方法により積層し、そし
て最後に保護板１２としてガラス板あるいは磁気シール
ドを兼ねた各種フェライト磁性板等を接着剤等により接
着し磁気抵抗効果型磁気ヘッド１３を作製した。
さらに５ｉＯｚあるいはＡ Ｑ ｚ Ｏａ等よりなる絶
縁層１１をスパッタリング等の方法により積層し、そし
て最後に保護板１２としてガラス板あるいは磁気シール
ドを兼ねた各種フェライト磁性板等を接着剤等により接
着し磁気抵抗効果型磁気ヘッド１３を作製した。
本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッド１３では、記録媒
体１４から出る信号磁束１５を、該記録媒体１４に直接
対向した上記軟磁性薄膜帯６より吸収するため、第５図
に記載したような強磁性磁束収束部２での信号磁束量の
減衰は全くない。したがって、いま、第１図（ａ）の各
軟磁性薄膜帯６内の電流の向きが実線で示した矢印のよ
うに、まぬ磁化の向きが同一方向のバイアス磁界を受け
て磁線で示した矢印のようになっているとすれば、上記
記録媒体に対向した軟磁性薄膜帯６より吸収された矢印
方向の信号磁束１５は、各軟磁性薄膜帯６の抵抗を増加
するように働くので、上記磁気抵抗効果素子部１の出力
としては、各軟磁性薄膜帯６の抵抗の増加分の和になる
はずである。しかし、上記軟磁性薄膜帯６間の間隔７が
広い場合、この間の磁気抵抗が大きくなり、信号磁束量
は記、録媒体から遠ざかるほど減衰するため出力も低下
する。このため、上記間隔７を狭くする必要がある。第
３図曲線（ａ）（ｂ）（ｃ）は並列に並べた上記軟磁性
薄膜帯６の数をパラメータとした場合の上記間隔７と磁
気抵抗効果型磁気ヘッド１３の出力との関係を示した図
である。上記間隔が図中矢印で示したように１μｍ以下
になると大幅に出力が増加することがわかる。これは上
記間隔が１μｍ以下になるとこの間隔での磁気抵抗が急
激に減少するとともに、上記各軟磁性薄膜帯６の反磁界
も磁気的相互作用により減少するので、上記信号磁束量
の深さ方向での減衰が非常に小さくなることによると考
えられる。したがって、上記軟磁性薄膜帯６間の間隔７
は１μｍ以下にする必要がある。
体１４から出る信号磁束１５を、該記録媒体１４に直接
対向した上記軟磁性薄膜帯６より吸収するため、第５図
に記載したような強磁性磁束収束部２での信号磁束量の
減衰は全くない。したがって、いま、第１図（ａ）の各
軟磁性薄膜帯６内の電流の向きが実線で示した矢印のよ
うに、まぬ磁化の向きが同一方向のバイアス磁界を受け
て磁線で示した矢印のようになっているとすれば、上記
記録媒体に対向した軟磁性薄膜帯６より吸収された矢印
方向の信号磁束１５は、各軟磁性薄膜帯６の抵抗を増加
するように働くので、上記磁気抵抗効果素子部１の出力
としては、各軟磁性薄膜帯６の抵抗の増加分の和になる
はずである。しかし、上記軟磁性薄膜帯６間の間隔７が
広い場合、この間の磁気抵抗が大きくなり、信号磁束量
は記、録媒体から遠ざかるほど減衰するため出力も低下
する。このため、上記間隔７を狭くする必要がある。第
３図曲線（ａ）（ｂ）（ｃ）は並列に並べた上記軟磁性
薄膜帯６の数をパラメータとした場合の上記間隔７と磁
気抵抗効果型磁気ヘッド１３の出力との関係を示した図
である。上記間隔が図中矢印で示したように１μｍ以下
になると大幅に出力が増加することがわかる。これは上
記間隔が１μｍ以下になるとこの間隔での磁気抵抗が急
激に減少するとともに、上記各軟磁性薄膜帯６の反磁界
も磁気的相互作用により減少するので、上記信号磁束量
の深さ方向での減衰が非常に小さくなることによると考
えられる。したがって、上記軟磁性薄膜帯６間の間隔７
は１μｍ以下にする必要がある。
また曲線（ａ）は並列に並べた上記軟磁性薄膜？ｆ−６
の数を３本とした場合の結果で１曲線（ｂ）（ｃ）は５
本、７本と上記軟磁性薄膜帯６の数を増加した場合（但
し帯幅は同じ）の結果であるが、これより上記磁気抵抗
効果型磁気ヘッド１３の出力を増加するには上記軟磁性
薄膜ＩＩ６の数を増加すればよいことがわかる０以上、
第３図の結果がら効果的に上記磁気ヘッド１３の出力を
増加するには上記軟磁性薄膜帯６の数を増やすと同時に
上記軟磁性薄膜帯６間の間隔７をより狭くするとよいこ
とがわかる。
の数を３本とした場合の結果で１曲線（ｂ）（ｃ）は５
本、７本と上記軟磁性薄膜帯６の数を増加した場合（但
し帯幅は同じ）の結果であるが、これより上記磁気抵抗
効果型磁気ヘッド１３の出力を増加するには上記軟磁性
薄膜ＩＩ６の数を増加すればよいことがわかる０以上、
第３図の結果がら効果的に上記磁気ヘッド１３の出力を
増加するには上記軟磁性薄膜帯６の数を増やすと同時に
上記軟磁性薄膜帯６間の間隔７をより狭くするとよいこ
とがわかる。
なお、第３図中には示さなかったが、上記軟磁性薄膜帯
の数が従来のように１本の場合には信号検出電流密度を
同一にし、帯幅を同等にしても、あるいは帯幅を上記３
本の′＃！ｒＩＩｉの和に等しくしてもトータルの電気
抵抗値は第１図に示した実施例の磁気抵抗素子部１の抵
抗値の１７３の値となり、出力も１／３と小さくなる。
の数が従来のように１本の場合には信号検出電流密度を
同一にし、帯幅を同等にしても、あるいは帯幅を上記３
本の′＃！ｒＩＩｉの和に等しくしてもトータルの電気
抵抗値は第１図に示した実施例の磁気抵抗素子部１の抵
抗値の１７３の値となり、出力も１／３と小さくなる。
一方、第４図は上記軟磁性薄膜帯６の幅と上記磁気抵抗
効果型磁気ヘッド１３の出力波形にみられるバルクハウ
ゼンノイズ量との関係を示した図である。第４図中の曲
ｍ （ｄ）は本実施例の上記軟磁性薄膜帯６の数が３本
の場合であるが、曲線（ａ）は比較のために上記軟磁性
薄膜帯６の数を１本とした場合について示したものであ
る。但し。
効果型磁気ヘッド１３の出力波形にみられるバルクハウ
ゼンノイズ量との関係を示した図である。第４図中の曲
ｍ （ｄ）は本実施例の上記軟磁性薄膜帯６の数が３本
の場合であるが、曲線（ａ）は比較のために上記軟磁性
薄膜帯６の数を１本とした場合について示したものであ
る。但し。
横軸は上、記軟磁性薄膜帯の幅をトラック幅りで規格化
した値で示しである。同図を見るとわかるように、曲線
（ｄ）（ｅ）ともバルクハウゼンノイズの量はＤ／２．
５ の幅（図中矢印の位置）以下になると大幅に低下し
、そして曲、Ｗｉ （ｄ）の上記薄膜帯の数が３本と、
多い方がバルクハウゼンノイズの低下量はより大きい。
した値で示しである。同図を見るとわかるように、曲線
（ｄ）（ｅ）ともバルクハウゼンノイズの量はＤ／２．
５ の幅（図中矢印の位置）以下になると大幅に低下し
、そして曲、Ｗｉ （ｄ）の上記薄膜帯の数が３本と、
多い方がバルクハウゼンノイズの低下量はより大きい。
これは、Ｄ／２．５幅以下になると形状効果により上記
軟磁性薄膜帯６内が単磁区構造を取り易くなるというこ
とと、上記薄膜帯の数を増やした場合、上記薄膜帯間の
間隔７が１μｍ以下と狭いので磁気的な相互作用が各薄
膜帯間で働き各薄膜帯内の単磁区構造がより安定になる
ためと考えられる。したがって、本発明における上記軟
磁性薄膜帯６の幅はトラック幅りのＤ／２．５ 以下に
すれば、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１３の出力に影
響を及ぼすバルクハウゼンノイズの量を大幅に低減する
ことができる。
軟磁性薄膜帯６内が単磁区構造を取り易くなるというこ
とと、上記薄膜帯の数を増やした場合、上記薄膜帯間の
間隔７が１μｍ以下と狭いので磁気的な相互作用が各薄
膜帯間で働き各薄膜帯内の単磁区構造がより安定になる
ためと考えられる。したがって、本発明における上記軟
磁性薄膜帯６の幅はトラック幅りのＤ／２．５ 以下に
すれば、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッド１３の出力に影
響を及ぼすバルクハウゼンノイズの量を大幅に低減する
ことができる。
なお、本実施例では磁気シールド層を設けない場合とフ
ェライト等のバルクの磁性体を上部・下部磁気シールド
に使用する場合の実施例について述べたが、この他、磁
気的なシールドのために軟磁性体薄膜を禎層した構造の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの場合についても同様の効果
が得られる。
ェライト等のバルクの磁性体を上部・下部磁気シールド
に使用する場合の実施例について述べたが、この他、磁
気的なシールドのために軟磁性体薄膜を禎層した構造の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの場合についても同様の効果
が得られる。
さらに、本実施例では永久磁石バイアス法の場合につい
て示したが、電流バイアス法あるいはソフトフィルムバ
イアス法等でも同様の効果を有する。但し、ソフトフィ
ルムバイアス法の場合には。
て示したが、電流バイアス法あるいはソフトフィルムバ
イアス法等でも同様の効果を有する。但し、ソフトフィ
ルムバイアス法の場合には。
ソフトフィルムを上記軟磁性薄膜帯６に対して交互に該
薄膜帯の上・下に配置を変える必要がある。
薄膜帯の上・下に配置を変える必要がある。
本発明では、磁気記録媒体に対向した上記強磁性磁束収
束部２をなくし直接上記磁気抵抗効果素子部１を対向さ
せると同時に、上記磁気抵抗効果素子部１を構成する少
なくとも３つ以上の並列に並べられた軟磁性薄膜′＃Ｆ
６の間隔７を１μｍ以下と極めて狭くすることにより、
上記磁気記録媒体から生ずる信号磁束を上記磁気抵抗効
果素子部１にほとんど全て吸収することができ、かつ該
信号磁束量の上記軟磁性薄膜ＩＦ６間における減衰も極
めて少なく抑えることができるので、磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの再生効率を高める効果がある。
束部２をなくし直接上記磁気抵抗効果素子部１を対向さ
せると同時に、上記磁気抵抗効果素子部１を構成する少
なくとも３つ以上の並列に並べられた軟磁性薄膜′＃Ｆ
６の間隔７を１μｍ以下と極めて狭くすることにより、
上記磁気記録媒体から生ずる信号磁束を上記磁気抵抗効
果素子部１にほとんど全て吸収することができ、かつ該
信号磁束量の上記軟磁性薄膜ＩＦ６間における減衰も極
めて少なく抑えることができるので、磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの再生効率を高める効果がある。
また、本発明では、上記軟磁性ｗｔ瞑帯６の幅をトラッ
ク幅りのＤ／２．５ 以下とし、さらに該薄膜帯６間に
埋め込まれた上記非導電性強磁性薄膜３をなくし、代わ
りに該薄［帯６間の間隔７を１μｍ以下にして少なくと
も３つ以上の薄膜帯を並列に並べることにより、個々の
薄膜帯内部の磁区構造を単磁区構造に保つことができる
ので、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドに生ずるバルクハ
ウゼンノイズを抑える効果がある。さらに１本発明では
、上記強磁性磁束収束部２と上記非導電性強磁性薄膜３
とを作製する工程をなくすことが可能となり、上記磁気
抵抗効果型磁気ヘッド製造工程を簡略化できるので、上
記磁気ヘッド製造歩留を向上する効果がある。
ク幅りのＤ／２．５ 以下とし、さらに該薄膜帯６間に
埋め込まれた上記非導電性強磁性薄膜３をなくし、代わ
りに該薄［帯６間の間隔７を１μｍ以下にして少なくと
も３つ以上の薄膜帯を並列に並べることにより、個々の
薄膜帯内部の磁区構造を単磁区構造に保つことができる
ので、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドに生ずるバルクハ
ウゼンノイズを抑える効果がある。さらに１本発明では
、上記強磁性磁束収束部２と上記非導電性強磁性薄膜３
とを作製する工程をなくすことが可能となり、上記磁気
抵抗効果型磁気ヘッド製造工程を簡略化できるので、上
記磁気ヘッド製造歩留を向上する効果がある。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの一部切欠き正面図および断面図、第２図
は本発明の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの正面図
、第３図は軟磁性薄膜帯の間隔とヘッド出力の特性図、
第４図は軟磁性薄膜帯の幅とバルクハウゼンノイズの関
係を示す特性図、第５図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの正面図である。 １・・・磁気抵抗効果素子部、２・・・強磁性磁束収束
部、３・・・非導電性強磁性薄膜、４・・・基板、５，
１１・・・絶縁層、６・・・軟磁性薄膜帯（磁気抵抗効
果素子）７・・・軟磁性薄膜帯間の間隔、８・・・導電
体、９゜１０・・・軟磁性薄膜帯の端部、１２・・・保
護板、１３・・・磁気抵抗効果型磁気ヘッド、１４・・
・記録媒体、１５・・・信号磁束、１６・・・永久磁石
膜、１７・・・＠縁第 ｌ η 第２凹 め３０ 弔４Ｉ！１１ トラ、２７副で大釦昶Ｈヒしｔ４１Ｉ葵挙ｒし第５０
型磁気ヘッドの一部切欠き正面図および断面図、第２図
は本発明の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの正面図
、第３図は軟磁性薄膜帯の間隔とヘッド出力の特性図、
第４図は軟磁性薄膜帯の幅とバルクハウゼンノイズの関
係を示す特性図、第５図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの正面図である。 １・・・磁気抵抗効果素子部、２・・・強磁性磁束収束
部、３・・・非導電性強磁性薄膜、４・・・基板、５，
１１・・・絶縁層、６・・・軟磁性薄膜帯（磁気抵抗効
果素子）７・・・軟磁性薄膜帯間の間隔、８・・・導電
体、９゜１０・・・軟磁性薄膜帯の端部、１２・・・保
護板、１３・・・磁気抵抗効果型磁気ヘッド、１４・・
・記録媒体、１５・・・信号磁束、１６・・・永久磁石
膜、１７・・・＠縁第 ｌ η 第２凹 め３０ 弔４Ｉ！１１ トラ、２７副で大釦昶Ｈヒしｔ４１Ｉ葵挙ｒし第５０
Claims (1)
- １、磁気記録媒体に直接対向し、該記録媒体に記録され
た信号磁束を検出する磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効
果素子に検出電流を流すために設けられた導電体とを有
する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗
効果素子が、トラック幅ＤのＤ／２．５以下の幅を持つ
矩形状の磁気抵抗効果を有する少なくとも３つ以上並列
に並べられた軟磁性薄膜帯より成り、さらに各軟磁性薄
膜帯間の間隔が１μｍ以下であると同時に電気的に互い
に直列に接続されていることを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10424187A JPS63271708A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10424187A JPS63271708A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271708A true JPS63271708A (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=14375460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10424187A Pending JPS63271708A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63271708A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0517137A2 (en) * | 1991-06-03 | 1992-12-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording head capable of defining narrow track width and magnetic recording apparatus using the same |
| US5402295A (en) * | 1990-04-16 | 1995-03-28 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording head capable of defining narrow track width and magnetic recording apparatus using the same |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP10424187A patent/JPS63271708A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5402295A (en) * | 1990-04-16 | 1995-03-28 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording head capable of defining narrow track width and magnetic recording apparatus using the same |
| EP0517137A2 (en) * | 1991-06-03 | 1992-12-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording head capable of defining narrow track width and magnetic recording apparatus using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0221540B1 (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| JPH08185612A (ja) | Ｍｒヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH07296331A (ja) | シールド付き書き込みポール構造を持つ磁気ヘッドアセンブリ | |
| JPH05314430A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0916925A (ja) | 誘導型・ｍｒ型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS63271708A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JP2718242B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH07201021A (ja) | 複合型磁気ヘッド | |
| JPS6141044B2 (ja) | ||
| JP3160947B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS58100216A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPH04119509A (ja) | 水平型垂直磁気ヘッド | |
| JPH11112055A (ja) | 磁気センサ | |
| JP2596010B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2000207713A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05242433A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS61248212A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド | |
| JPH05266437A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2731449B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS63138515A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP3606988B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0830925A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06251336A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS60150222A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH06223333A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド |