JP2000298162A - 磁気検出素子とその製造方法及び磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出素子とその製造方法及び磁気検出装置Info
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- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度を向上させ、かつ使用温度範囲を拡大す
る。 【解決手段】 巨大磁気抵抗素子７と、巨大磁気抵抗素
子７によって検出される磁界の変化に基づいて所定の演
算処理を行う集積回路４５とを備えて成り、この磁気検
出素子２８を巨大磁気検出素子７の抵抗値が最大値とな
る磁化以上で巨大磁気検出素子７の飽和磁界に０．８を
かけ合わせた磁界以下の範囲の中で動作させることとす
る。
る。 【解決手段】 巨大磁気抵抗素子７と、巨大磁気抵抗素
子７によって検出される磁界の変化に基づいて所定の演
算処理を行う集積回路４５とを備えて成り、この磁気検
出素子２８を巨大磁気検出素子７の抵抗値が最大値とな
る磁化以上で巨大磁気検出素子７の飽和磁界に０．８を
かけ合わせた磁界以下の範囲の中で動作させることとす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁界の変化を検
出する磁気検出素子に関し、特に出力レベルの大きな巨
大磁気抵抗素子を備えた磁気検出素子及びその製造方法
と磁気検出装置に関するものである。
出する磁気検出素子に関し、特に出力レベルの大きな巨
大磁気抵抗素子を備えた磁気検出素子及びその製造方法
と磁気検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁気抵抗素子（以下、ＭＲ（Ｍ
ａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子という）は、
強磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等）薄膜の
磁化方向と電流方向のなす角度によって抵抗値が変化す
る素子である。このようなＭＲ素子は、電流方向と磁化
方向が直角に交わるときに抵抗値が最小になり、電流方
向と磁化方向のなす角が０度、すなわち同一あるいは全
く逆の方向になるときにその抵抗値が最大になる。この
ような抵抗値の変化をＭＲ変化率と呼び、一般にＮｉ−
Ｆｅで２〜３％、Ｎｉ−Ｃｏで５〜６％である。
ａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子という）は、
強磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等）薄膜の
磁化方向と電流方向のなす角度によって抵抗値が変化す
る素子である。このようなＭＲ素子は、電流方向と磁化
方向が直角に交わるときに抵抗値が最小になり、電流方
向と磁化方向のなす角が０度、すなわち同一あるいは全
く逆の方向になるときにその抵抗値が最大になる。この
ような抵抗値の変化をＭＲ変化率と呼び、一般にＮｉ−
Ｆｅで２〜３％、Ｎｉ−Ｃｏで５〜６％である。
【０００３】図９及び図１０は従来の磁気検出装置の構
成を示す側面図及び斜視図である。図９に示すように、
従来の磁気検出装置は、回転軸４１と、少なくとも１つ
以上の凹凸を外周側に有し、回転軸４１の回転に同期し
て回転する円板状の磁性回転体４２と、この磁性回転体
４２の外周側と所定の間隙をもって配置されたＭＲ素子
４３と、このＭＲ素子４３の背部に固着され、このＭＲ
素子４３に磁界を与える磁石４４と、ＭＲ素子４３の出
力を処理する集積回路４５とからなり、ＭＲ素子４３
は、磁気抵抗パターン４６と、薄膜面（感磁面）４７と
を備える。このような磁気検出装置において、磁性回転
体４２が回転することでＭＲ素子４３の感磁面である薄
膜面４７を貫く磁界が変化し、磁気抵抗パターン４６の
抵抗値が変化する。しかし、このような磁気検出装置で
用いられている磁気検出素子のＭＲ素子４３は出力レベ
ルが小さいため、精度の高い検出ができず、これを解決
するために、出力レベルの大きな巨大磁気抵抗素子（以
下、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔ
ａｎｃｅ）素子という。）を用いた磁気検出素子が、近
時提案されている。
成を示す側面図及び斜視図である。図９に示すように、
従来の磁気検出装置は、回転軸４１と、少なくとも１つ
以上の凹凸を外周側に有し、回転軸４１の回転に同期し
て回転する円板状の磁性回転体４２と、この磁性回転体
４２の外周側と所定の間隙をもって配置されたＭＲ素子
４３と、このＭＲ素子４３の背部に固着され、このＭＲ
素子４３に磁界を与える磁石４４と、ＭＲ素子４３の出
力を処理する集積回路４５とからなり、ＭＲ素子４３
は、磁気抵抗パターン４６と、薄膜面（感磁面）４７と
を備える。このような磁気検出装置において、磁性回転
体４２が回転することでＭＲ素子４３の感磁面である薄
膜面４７を貫く磁界が変化し、磁気抵抗パターン４６の
抵抗値が変化する。しかし、このような磁気検出装置で
用いられている磁気検出素子のＭＲ素子４３は出力レベ
ルが小さいため、精度の高い検出ができず、これを解決
するために、出力レベルの大きな巨大磁気抵抗素子（以
下、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔ
ａｎｃｅ）素子という。）を用いた磁気検出素子が、近
時提案されている。
【０００４】図１１は、従来のＧＭＲ素子の特性を示す
図である。図１１の特性を示すＧＭＲ素子は、日本応用
磁気学会誌Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ．５１９９１，第８１３
〜８２１頁の「人工格子の磁気抵抗効果」と題する論文
に記載されている数オングストロームから数十オングス
トロームの厚さの磁性層と非磁性層とを交互に積層させ
たいわゆる人工格子膜としての積層体（Ｆｅ／Ｃｒ、パ
ーマロイ／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ／Ｃｕ、ＦｅＣｏ／
Ｃｕ）である。この積層体は、上述のＭＲ素子と比較し
て格段に大きなＭＲ効果（ＭＲ変化率）を有するととも
に、外部磁界の向きが電流に対してどのような角度であ
っても同じ抵抗値の変化が得られる素子である。磁界の
変化を検出するためにＧＭＲ素子で実質的に感磁面を形
成し、その感磁面の各端に電極を形成してブリッジ回路
を形成し、このブリッジ回路の対向する２つの電極間に
定電圧、定電流の電源を接続し、ＧＭＲ素子の抵抗値変
化を電圧変化に変換して、このＧＭＲ素子に作用してい
る磁界変化を検出することが考えられる。
図である。図１１の特性を示すＧＭＲ素子は、日本応用
磁気学会誌Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ．５１９９１，第８１３
〜８２１頁の「人工格子の磁気抵抗効果」と題する論文
に記載されている数オングストロームから数十オングス
トロームの厚さの磁性層と非磁性層とを交互に積層させ
たいわゆる人工格子膜としての積層体（Ｆｅ／Ｃｒ、パ
ーマロイ／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ／Ｃｕ、ＦｅＣｏ／
Ｃｕ）である。この積層体は、上述のＭＲ素子と比較し
て格段に大きなＭＲ効果（ＭＲ変化率）を有するととも
に、外部磁界の向きが電流に対してどのような角度であ
っても同じ抵抗値の変化が得られる素子である。磁界の
変化を検出するためにＧＭＲ素子で実質的に感磁面を形
成し、その感磁面の各端に電極を形成してブリッジ回路
を形成し、このブリッジ回路の対向する２つの電極間に
定電圧、定電流の電源を接続し、ＧＭＲ素子の抵抗値変
化を電圧変化に変換して、このＧＭＲ素子に作用してい
る磁界変化を検出することが考えられる。
【０００５】図１２および図１３は、従来のＧＭＲ素子
を用いた磁気検出装置の構成を示す側面図および斜視図
である。図１２および図１３において、この磁気検出装
置は、回転軸４１と、少なくとも１つ以上の凹凸を外周
に有し、回転軸４１の回転に同期して回転する磁界変化
付与手段としての円板状の磁性回転体４２と、この磁性
回転体４２の外周と所定の間隙をもって配置されたＧＭ
Ｒ素子４８と、このＧＭＲ素子４８に磁界を与える磁界
発生手段としての磁石４４と、ＧＭＲ素子４８の出力を
処理する集積回路４５とからなり、ＧＭＲ素子４８は、
感磁パターンとしての磁気抵抗パターン４９と、薄膜面
５０とを有する。このような磁気検出装置では、磁性回
転体４２が回転することで、ＧＭＲ素子４８の薄膜面
（感磁面）５０を貫く磁界が変化し、磁気抵抗パターン
４９の抵抗値が変化する。
を用いた磁気検出装置の構成を示す側面図および斜視図
である。図１２および図１３において、この磁気検出装
置は、回転軸４１と、少なくとも１つ以上の凹凸を外周
に有し、回転軸４１の回転に同期して回転する磁界変化
付与手段としての円板状の磁性回転体４２と、この磁性
回転体４２の外周と所定の間隙をもって配置されたＧＭ
Ｒ素子４８と、このＧＭＲ素子４８に磁界を与える磁界
発生手段としての磁石４４と、ＧＭＲ素子４８の出力を
処理する集積回路４５とからなり、ＧＭＲ素子４８は、
感磁パターンとしての磁気抵抗パターン４９と、薄膜面
５０とを有する。このような磁気検出装置では、磁性回
転体４２が回転することで、ＧＭＲ素子４８の薄膜面
（感磁面）５０を貫く磁界が変化し、磁気抵抗パターン
４９の抵抗値が変化する。
【０００６】図１４は従来のＧＭＲ素子を用いた磁気検
出装置を示すブロック図であり、図１５は従来のＧＭＲ
素子を用いた磁気検出装置の詳細を示すブロック図であ
る。図１４および図１５に示す磁気検出装置は、磁性回
転体４２と所定の間隙をもって配置され、磁石４４より
磁界が与えられるＧＭＲ素子４８を用いたホイートスト
ンブリッジ回路５１と、このホイートストンブリッジ回
路５１の出力を増幅する差動増幅回路５２と、この差動
増幅回路５２の出力を基準値と比較して“０”または
“１”の信号を出力する比較回路５３と、この比較回路
５３の出力を受けてスイッチングする出力回路５４とを
備える。
出装置を示すブロック図であり、図１５は従来のＧＭＲ
素子を用いた磁気検出装置の詳細を示すブロック図であ
る。図１４および図１５に示す磁気検出装置は、磁性回
転体４２と所定の間隙をもって配置され、磁石４４より
磁界が与えられるＧＭＲ素子４８を用いたホイートスト
ンブリッジ回路５１と、このホイートストンブリッジ回
路５１の出力を増幅する差動増幅回路５２と、この差動
増幅回路５２の出力を基準値と比較して“０”または
“１”の信号を出力する比較回路５３と、この比較回路
５３の出力を受けてスイッチングする出力回路５４とを
備える。
【０００７】図１６は従来のＧＭＲ素子を用いた磁気検
出装置の回路構成の一例を示す図である。図１６におい
て、ホイートストンブリッジ回路５１は、例えば各辺に
それぞれＧＭＲ素子４８ａ，４８ｂ，４８ｃおよび４８
ｄを有し、ＧＭＲ素子４８ａとＧＭＲ素子４８ｃは電源
端子ＶＣＣに接続され、ＧＭＲ素子４８ｂとＧＭＲ素子
４８ｄは接地され、ＧＭＲ素子４８ａとＧＭＲ素子４８
ｂの各他端は接続点５５に接続され、ＧＭＲ素子４８ｃ
とＧＭＲ素子４８ｄの各他端は接続点５６に接続され
る。
出装置の回路構成の一例を示す図である。図１６におい
て、ホイートストンブリッジ回路５１は、例えば各辺に
それぞれＧＭＲ素子４８ａ，４８ｂ，４８ｃおよび４８
ｄを有し、ＧＭＲ素子４８ａとＧＭＲ素子４８ｃは電源
端子ＶＣＣに接続され、ＧＭＲ素子４８ｂとＧＭＲ素子
４８ｄは接地され、ＧＭＲ素子４８ａとＧＭＲ素子４８
ｂの各他端は接続点５５に接続され、ＧＭＲ素子４８ｃ
とＧＭＲ素子４８ｄの各他端は接続点５６に接続され
る。
【０００８】ホイートストンブリッジ回路５１の接続点
５５が抵抗器５７を介して差動増幅回路５８のアンプ５
９の反転入力端子に接続され、接続点５６が抵抗器６０
を介してアンプ５９の非反転入力端子に接続されるとと
もに、更に抵抗器６１を介して、電源端子ＶＣＣから供
給される電圧にもとづいて基準電圧を構成する分圧回路
６２に接続される。また、アンプ５９の出力端子は抵抗
器６３を介して自己の反転入力端子に接続されるととも
に、比較回路６４のアンプ６５の反転入力端子に接続さ
れ、アンプ６５の非反転入力端子は、電源端子ＶＣＣか
ら供給される電圧にもとづいて基準電圧を構成する分圧
回路６６に接続されるとともに、抵抗器６７を介してア
ンプ６５の出力端子に接続される。そして、比較回路６
４の出力端は、出力回路６８のトランジスタ６９のベー
スに接続され、トランジスタ６９のコレクタは、出力回
路６８の出力端子７０に接続されるとともに、抵抗器７
１を介して電源端子ＶＣＣに接続され、そのエミッタは
接地される。
５５が抵抗器５７を介して差動増幅回路５８のアンプ５
９の反転入力端子に接続され、接続点５６が抵抗器６０
を介してアンプ５９の非反転入力端子に接続されるとと
もに、更に抵抗器６１を介して、電源端子ＶＣＣから供
給される電圧にもとづいて基準電圧を構成する分圧回路
６２に接続される。また、アンプ５９の出力端子は抵抗
器６３を介して自己の反転入力端子に接続されるととも
に、比較回路６４のアンプ６５の反転入力端子に接続さ
れ、アンプ６５の非反転入力端子は、電源端子ＶＣＣか
ら供給される電圧にもとづいて基準電圧を構成する分圧
回路６６に接続されるとともに、抵抗器６７を介してア
ンプ６５の出力端子に接続される。そして、比較回路６
４の出力端は、出力回路６８のトランジスタ６９のベー
スに接続され、トランジスタ６９のコレクタは、出力回
路６８の出力端子７０に接続されるとともに、抵抗器７
１を介して電源端子ＶＣＣに接続され、そのエミッタは
接地される。
【０００９】図１７は、従来の磁気検出素子の構成を示
す図であり、図１８は、従来の磁気検出素子の動作を示
す特性図である。図１７に示すように、ホイートストン
ブリッジは、ＧＭＲ素子４８（４８ａないし４８ｄから
構成される）を備える。磁性回転体４２が回転すると、
図１８に示すように、ＧＭＲ素子４８（４８ａないし４
８ｄ）に供給される磁界が変化し、差動増幅回路５８の
出力端には図１８に示すように、磁性回転体４２の凹凸
に対応した出力が得られる。この差動増幅回路５８の出
力は、比較回路６４に供給されて、その比較レベルであ
る基準値と比較されて“０”または“１”の信号に変換
され、この信号は更に出力回路６８で波形整形され、こ
の結果、その出力端子７０には図１８に示すようにその
立ち上がり、立ち下がりの急峻な“０”または“１”の
出力が得られる。
す図であり、図１８は、従来の磁気検出素子の動作を示
す特性図である。図１７に示すように、ホイートストン
ブリッジは、ＧＭＲ素子４８（４８ａないし４８ｄから
構成される）を備える。磁性回転体４２が回転すると、
図１８に示すように、ＧＭＲ素子４８（４８ａないし４
８ｄ）に供給される磁界が変化し、差動増幅回路５８の
出力端には図１８に示すように、磁性回転体４２の凹凸
に対応した出力が得られる。この差動増幅回路５８の出
力は、比較回路６４に供給されて、その比較レベルであ
る基準値と比較されて“０”または“１”の信号に変換
され、この信号は更に出力回路６８で波形整形され、こ
の結果、その出力端子７０には図１８に示すようにその
立ち上がり、立ち下がりの急峻な“０”または“１”の
出力が得られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
磁気検出素子に用いられるＧＭＲ素子の特性は印加磁界
に対してヒステリシスを有しており、磁気検出装置で設
定されている磁界範囲が小さい場合には感度が低下し、
検出が困難となるおそれがある。また、各磁界における
ＧＭＲ素子の抵抗値は、一般の金属膜と同様、温度によ
って変化するので、ＧＭＲ素子の磁気特性は温度依存性
を有する。磁気検出装置で設定されている磁界範囲で室
温では充分な検出感度を有していても使用温度が上昇す
ると検出が困難になる場合が生じるおそれもある。この
ため、磁気検出素子と対向する回転体の凹凸の間隙が一
部狭くなっている場合のように磁界範囲がその部分だけ
極端に小さくなるような場合には充分な出力信号が得ら
れないという問題点があった。また、自動車搭載用途な
どの使用環境温度が厳しい場合（例えば−４０℃以上１
５℃以下）には、高温側で出力が得られない場合が生ず
るという問題点があった。なお、自動車搭載では、この
素子はエンジン制御やブレーキ制御用にエンジンの回転
数や車輪の回転数を計測する等の用途が考えられる。
磁気検出素子に用いられるＧＭＲ素子の特性は印加磁界
に対してヒステリシスを有しており、磁気検出装置で設
定されている磁界範囲が小さい場合には感度が低下し、
検出が困難となるおそれがある。また、各磁界における
ＧＭＲ素子の抵抗値は、一般の金属膜と同様、温度によ
って変化するので、ＧＭＲ素子の磁気特性は温度依存性
を有する。磁気検出装置で設定されている磁界範囲で室
温では充分な検出感度を有していても使用温度が上昇す
ると検出が困難になる場合が生じるおそれもある。この
ため、磁気検出素子と対向する回転体の凹凸の間隙が一
部狭くなっている場合のように磁界範囲がその部分だけ
極端に小さくなるような場合には充分な出力信号が得ら
れないという問題点があった。また、自動車搭載用途な
どの使用環境温度が厳しい場合（例えば−４０℃以上１
５℃以下）には、高温側で出力が得られない場合が生ず
るという問題点があった。なお、自動車搭載では、この
素子はエンジン制御やブレーキ制御用にエンジンの回転
数や車輪の回転数を計測する等の用途が考えられる。
【００１１】従って、この発明は、上述のような課題を
解決するためになされたものであり、広い使用環境温度
範囲を有し、かつ、検出感度の高い磁気検出装置を提供
することを目的とする。
解決するためになされたものであり、広い使用環境温度
範囲を有し、かつ、検出感度の高い磁気検出装置を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１で
は、巨大磁気抵抗素子を備えて磁気検出素子を構成して
なり、当該巨大磁気抵抗素子を、巨大磁気検出素子の飽
和磁界に０．８をかけ合わせた磁界以下の範囲の中で動
作させることを特徴とする。
は、巨大磁気抵抗素子を備えて磁気検出素子を構成して
なり、当該巨大磁気抵抗素子を、巨大磁気検出素子の飽
和磁界に０．８をかけ合わせた磁界以下の範囲の中で動
作させることを特徴とする。
【００１３】また、請求項２では、巨大磁気抵抗素子の
抵抗値が最大値となる磁界以上で動作させる。
抵抗値が最大値となる磁界以上で動作させる。
【００１４】また、請求項３では、集積回路を当該磁気
検出素子に設けた。
検出素子に設けた。
【００１５】また、請求項４の発明では、上記磁気検出
素子で用いられる巨大磁気検出素子がＦｅ（ｘ）Ｃｏ
（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］とＣｕの繰り返しにより
なる積層膜よりなり、かつＣｕ層１層の厚さに対する磁
気抵抗変化が第２のピーク近傍となるＣｕ厚を用い、か
つＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］とＣｕ
をひとくくりとした積層回数が１０以上でかつ４０以下
であることを特徴とする。
素子で用いられる巨大磁気検出素子がＦｅ（ｘ）Ｃｏ
（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］とＣｕの繰り返しにより
なる積層膜よりなり、かつＣｕ層１層の厚さに対する磁
気抵抗変化が第２のピーク近傍となるＣｕ厚を用い、か
つＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］とＣｕ
をひとくくりとした積層回数が１０以上でかつ４０以下
であることを特徴とする。
【００１６】また、請求項５では、上記Ｆｅ（ｘ）Ｃｏ
（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の膜厚が１０Å以上でか
つ３０Å以下であることを特徴とする。
（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の膜厚が１０Å以上でか
つ３０Å以下であることを特徴とする。
【００１７】また、請求項６では、上記積層膜の最上層
がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］層であ
ることを特徴とする。
がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］層であ
ることを特徴とする。
【００１８】また、請求項７では、上記積層膜の最上層
のＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］層の上
に保護膜を形成したことを特徴とする。
のＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］層の上
に保護膜を形成したことを特徴とする。
【００１９】また、請求項８では、上記巨大磁気抵抗素
子となる抵抗パターンの側面が基板表面に対して２０°
以上でかつ８０°以下のテーパーを形成したことを特徴
とする。
子となる抵抗パターンの側面が基板表面に対して２０°
以上でかつ８０°以下のテーパーを形成したことを特徴
とする。
【００２０】また、請求項９では、上記巨大磁気抵抗素
子となる抵抗パターンの側面が基板表面に対して４０°
以上でかつ６５°以下のテーパーを形成したことを特徴
とする
子となる抵抗パターンの側面が基板表面に対して４０°
以上でかつ６５°以下のテーパーを形成したことを特徴
とする
【００２１】また、請求項１０では、保護膜を、最上層
製造時の真空を破らないで薄膜処理で形成する。
製造時の真空を破らないで薄膜処理で形成する。
【００２２】さらに、請求項１１では、磁気検出装置と
して、外周に沿って凹凸を有し、回転軸を中心に回転す
る磁性回転体と、磁性回転体の外周に対向するように配
設される磁石と、磁石の磁性回転体の外周に対向する位
置に付設される上記磁気検出素子とを備えてなり、磁気
検出素子は、磁性回転体の回転に伴う磁性回転体と磁石
との間の磁界の変化を検出し、検出結果にもとづき磁性
回転体の回転量を検出する巨大磁気抵抗素子を具備す
る。
して、外周に沿って凹凸を有し、回転軸を中心に回転す
る磁性回転体と、磁性回転体の外周に対向するように配
設される磁石と、磁石の磁性回転体の外周に対向する位
置に付設される上記磁気検出素子とを備えてなり、磁気
検出素子は、磁性回転体の回転に伴う磁性回転体と磁石
との間の磁界の変化を検出し、検出結果にもとづき磁性
回転体の回転量を検出する巨大磁気抵抗素子を具備す
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る磁気検出素
子及びその製造方法と磁気検出装置の一実施の形態を図
にもとづいて説明する。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１に係る
磁気検出素子およびその装置を構成するＧＭＲ素子の磁
気特性を示す図である。図１に示すように、この発明の
実施の形態１に係るＧＭＲ素子の磁気特性を示す磁気曲
線は、磁界０の近傍に抵抗値の最大値（以下Ｒmaxとい
う）を有し、磁界の増大とともに抵抗値は減少してい
き、充分大きな磁界（例えば２ＫＯｅ以上）である飽和
状態をとる。この飽和状態での抵抗値をＲminと定義す
る。磁界を飽和磁界から戻して行くと磁界を増大させた
場合とは異なる経路で磁界０まで抵抗値が上昇してい
く、いわゆるヒステリシスを有する。一般に飽和磁界と
は、飽和状態に達する最小磁界を意味するが、規程が曖
昧であるので、本発明においては、飽和磁界を「Ｒmin
に１％抵抗値を上乗せした値（Ｒmin×１．０１）と磁
界を増大させた場合の磁気抵抗曲線との交点の磁界」と
定義する。図２及び図３に示すように、磁気検出素子を
備える磁気検出装置は、外周に沿って少なくとも１つ以
上の凹凸を有し、回転軸２９の回転に同期して回転する
円板状の磁性回転体３０と、この磁性回転体３０と所定
の間隙をもって磁性回転体３０の外周に対向するように
配置された磁気検出素子２８と、磁気検出素子２８に備
えられたＧＭＲ素子７に磁界を与える磁石３１と、ＧＭ
Ｒ素子７の出力を処理する集積回路４５とを備える。磁
石３１の漏洩磁束の大きさと磁石３１とＧＭＲ素子７と
の距離と磁性回転体３０とＧＭＲ素子７の間隔によって
ＧＭＲ素子７で検知する磁界幅は様々に変化させること
ができる。それらを調整し、ＧＭＲ素子７の抵抗値が最
大値となる磁界以上でＧＭＲ素子７の飽和磁界に０．８
をかけ合わせた磁界以下の範囲の中にＧＭＲ素子７で検
知する磁界幅が収まるようにする。
子及びその製造方法と磁気検出装置の一実施の形態を図
にもとづいて説明する。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１に係る
磁気検出素子およびその装置を構成するＧＭＲ素子の磁
気特性を示す図である。図１に示すように、この発明の
実施の形態１に係るＧＭＲ素子の磁気特性を示す磁気曲
線は、磁界０の近傍に抵抗値の最大値（以下Ｒmaxとい
う）を有し、磁界の増大とともに抵抗値は減少してい
き、充分大きな磁界（例えば２ＫＯｅ以上）である飽和
状態をとる。この飽和状態での抵抗値をＲminと定義す
る。磁界を飽和磁界から戻して行くと磁界を増大させた
場合とは異なる経路で磁界０まで抵抗値が上昇してい
く、いわゆるヒステリシスを有する。一般に飽和磁界と
は、飽和状態に達する最小磁界を意味するが、規程が曖
昧であるので、本発明においては、飽和磁界を「Ｒmin
に１％抵抗値を上乗せした値（Ｒmin×１．０１）と磁
界を増大させた場合の磁気抵抗曲線との交点の磁界」と
定義する。図２及び図３に示すように、磁気検出素子を
備える磁気検出装置は、外周に沿って少なくとも１つ以
上の凹凸を有し、回転軸２９の回転に同期して回転する
円板状の磁性回転体３０と、この磁性回転体３０と所定
の間隙をもって磁性回転体３０の外周に対向するように
配置された磁気検出素子２８と、磁気検出素子２８に備
えられたＧＭＲ素子７に磁界を与える磁石３１と、ＧＭ
Ｒ素子７の出力を処理する集積回路４５とを備える。磁
石３１の漏洩磁束の大きさと磁石３１とＧＭＲ素子７と
の距離と磁性回転体３０とＧＭＲ素子７の間隔によって
ＧＭＲ素子７で検知する磁界幅は様々に変化させること
ができる。それらを調整し、ＧＭＲ素子７の抵抗値が最
大値となる磁界以上でＧＭＲ素子７の飽和磁界に０．８
をかけ合わせた磁界以下の範囲の中にＧＭＲ素子７で検
知する磁界幅が収まるようにする。
【００２４】図２では、磁性回転体３０の外周に対して
対面するシリコン基板等の基板１の前面に積層処理技術
で設けられたＧＭＲ素子７及び集積回路４５より成る磁
気検出素子２８が配置される。この磁気検出素子２８の
背面に磁石３１が図外の取付け手段で配置されている。
本発明の実施の形態１では、磁気検出素子２８の基板１
の前面に備えられたＧＭＲ素子７の感磁面における検出
方向の磁界変化が、ＧＭＲ素子７の抵抗値が最大値とな
る磁界以上で動作させる。さらに、好ましくは、ＧＭＲ
素子７の飽和磁界に０．８をかけ合わせた磁界以下の範
囲の中で動作させるものであるので、これを満足するよ
うな配置であれば、どのような配置でもよい。例えば、
図３では、磁性回転体３０の凹凸面に対して磁気検出素
子２８に備えられたＧＭＲ素子７の面がほぼ垂直になる
ように配置され、ＧＭＲ素子７の直上（もしくは直下で
あってもよい）に磁石３１が配置されている。この場合
も、図外の集積回路がＧＭＲ素子７の近傍に取り付けら
れている。
対面するシリコン基板等の基板１の前面に積層処理技術
で設けられたＧＭＲ素子７及び集積回路４５より成る磁
気検出素子２８が配置される。この磁気検出素子２８の
背面に磁石３１が図外の取付け手段で配置されている。
本発明の実施の形態１では、磁気検出素子２８の基板１
の前面に備えられたＧＭＲ素子７の感磁面における検出
方向の磁界変化が、ＧＭＲ素子７の抵抗値が最大値とな
る磁界以上で動作させる。さらに、好ましくは、ＧＭＲ
素子７の飽和磁界に０．８をかけ合わせた磁界以下の範
囲の中で動作させるものであるので、これを満足するよ
うな配置であれば、どのような配置でもよい。例えば、
図３では、磁性回転体３０の凹凸面に対して磁気検出素
子２８に備えられたＧＭＲ素子７の面がほぼ垂直になる
ように配置され、ＧＭＲ素子７の直上（もしくは直下で
あってもよい）に磁石３１が配置されている。この場合
も、図外の集積回路がＧＭＲ素子７の近傍に取り付けら
れている。
【００２５】ＧＭＲ素子７が検知する磁界幅がＲmaxの
磁界より小さい磁界まで広がるとその磁界幅における磁
気抵抗曲線のヒステリシスが大きくなり、回転体３０の
凹凸のエッジを検出する場合の精度が低下したり、磁気
検出素子２８と対向する回転体３０の凹凸の間隔が一部
狭くなっている場合のように磁界範囲がその部分だけ極
端に小さくなるような場合には充分な出力信号が得られ
ないという弊害をもたらす。また、一般的にＧＭＲ膜の
飽和磁界は、温度の上昇とともに小さくなってくるの
で、場合によっては、室温における飽和磁界に０．８を
かけた磁界が、温度上昇とともに飽和磁界を超える場合
も生じる。室温における飽和磁界近傍での抵抗変化率
（％／Ｏe）は、もともと比較的小さな値しかなく、温
度上昇とともに抵抗変化率（％／Ｏe）は、さらに小さ
くなってゆく。抵抗変化率（％／Ｏe）の大小が出力に
係わってくるので、出力低下が大きくなる。このよう
に、ＧＭＲ素子７の飽和磁界に０．８をかけ合わせた磁
界より大きな磁界までＧＭＲ素子７が検知する磁界幅が
広がると高温動作時の出力低下が顕著となるという弊害
をもたらす。ＧＭＲ素子７の抵抗値が最大値となる磁界
以上でＧＭＲ素子７の飽和磁界に０．８をかけ合わせた
磁界以下の範囲でＧＭＲ素子７を動作させることにより
上記のような弊害が解消でき、使用温度範囲の拡大と高
感度化を進めることができる。このように、実施の形態
１では、磁気検出素子２８に備えられたＧＭＲ素子７の
感磁面における検出方向の磁界変化が、ＧＭＲ素子７の
抵抗値が最大値となる磁界以上でＧＭＲ素子７の飽和磁
界に０．８をかけ合わせた磁界以下の範囲の中で動作さ
せるものであるので、広い使用環境温度範囲を有し、か
つ、検出感度の高い磁気検出素子を提供することができ
る。なお、この０．８をかけ合わせた磁界以下の下限に
ついては、次のとおりである。「０．８をかけ合わせた
磁界」をＨssと仮に名づけると、高温動作時の出力低下
という観点でみると −Ｈss≦Ｈ≦＋Ｈss というのが有効範囲といえると思われる。
磁界より小さい磁界まで広がるとその磁界幅における磁
気抵抗曲線のヒステリシスが大きくなり、回転体３０の
凹凸のエッジを検出する場合の精度が低下したり、磁気
検出素子２８と対向する回転体３０の凹凸の間隔が一部
狭くなっている場合のように磁界範囲がその部分だけ極
端に小さくなるような場合には充分な出力信号が得られ
ないという弊害をもたらす。また、一般的にＧＭＲ膜の
飽和磁界は、温度の上昇とともに小さくなってくるの
で、場合によっては、室温における飽和磁界に０．８を
かけた磁界が、温度上昇とともに飽和磁界を超える場合
も生じる。室温における飽和磁界近傍での抵抗変化率
（％／Ｏe）は、もともと比較的小さな値しかなく、温
度上昇とともに抵抗変化率（％／Ｏe）は、さらに小さ
くなってゆく。抵抗変化率（％／Ｏe）の大小が出力に
係わってくるので、出力低下が大きくなる。このよう
に、ＧＭＲ素子７の飽和磁界に０．８をかけ合わせた磁
界より大きな磁界までＧＭＲ素子７が検知する磁界幅が
広がると高温動作時の出力低下が顕著となるという弊害
をもたらす。ＧＭＲ素子７の抵抗値が最大値となる磁界
以上でＧＭＲ素子７の飽和磁界に０．８をかけ合わせた
磁界以下の範囲でＧＭＲ素子７を動作させることにより
上記のような弊害が解消でき、使用温度範囲の拡大と高
感度化を進めることができる。このように、実施の形態
１では、磁気検出素子２８に備えられたＧＭＲ素子７の
感磁面における検出方向の磁界変化が、ＧＭＲ素子７の
抵抗値が最大値となる磁界以上でＧＭＲ素子７の飽和磁
界に０．８をかけ合わせた磁界以下の範囲の中で動作さ
せるものであるので、広い使用環境温度範囲を有し、か
つ、検出感度の高い磁気検出素子を提供することができ
る。なお、この０．８をかけ合わせた磁界以下の下限に
ついては、次のとおりである。「０．８をかけ合わせた
磁界」をＨssと仮に名づけると、高温動作時の出力低下
という観点でみると −Ｈss≦Ｈ≦＋Ｈss というのが有効範囲といえると思われる。
【００２６】実施の形態２．図４は、この発明の実施の
形態２に係るＧＭＲ素子の単位磁界当りの抵抗変化率と
積層回数の関係を示す図である。図４には、上記ＧＭＲ
素子７がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］
の層とＣｕの層との繰り返しによりなる積層膜よりな
り、かつ上記Ｃｕ層として、このＣｕ層１層の厚さに対
する磁気抵抗変化が第２のピーク近傍となるＣｕ厚を用
いた場合の単位磁界あたりの抵抗変化率とＦｅ（ｘ）Ｃ
ｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］とＣｕをひとくくりと
した積層回数との関係が示されてある。ここで、「ひと
くくり」の語の定義については後述する。図４に示す単
位磁界当りの抵抗変化率（以下では、磁界感度と称す）
は、磁性層としてＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦
０．３］を用いた場合には、積層回数１５回から３０回
付近で大きな値を採り、磁気検出素子として１５０℃付
近の高温においても充分な検出感度を有するためには、
積層回数１０回から４０回の範囲で使用するのが良い。
積層回数１０回未満や４０回を超えた場合には、どのサ
ンプルでも充分な磁界感度は得られない。このように、
実施の形態２では、ＧＭＲ素子７がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１
−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層とＣｕの層との繰り返し
によりなる積層膜よりなり、かつＣｕ層１層の厚さに対
する磁気抵抗変化が第２のピーク近傍となるＣｕ厚を用
いた場合の単位磁界あたりの抵抗変化率とＦｅ（ｘ）Ｃ
ｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層とＣｕの層とをひ
とくくりとした積層回数を１０回以上４０回以下とした
ので、磁気検出素子２８の感度向上を図ることができ
る。
形態２に係るＧＭＲ素子の単位磁界当りの抵抗変化率と
積層回数の関係を示す図である。図４には、上記ＧＭＲ
素子７がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］
の層とＣｕの層との繰り返しによりなる積層膜よりな
り、かつ上記Ｃｕ層として、このＣｕ層１層の厚さに対
する磁気抵抗変化が第２のピーク近傍となるＣｕ厚を用
いた場合の単位磁界あたりの抵抗変化率とＦｅ（ｘ）Ｃ
ｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］とＣｕをひとくくりと
した積層回数との関係が示されてある。ここで、「ひと
くくり」の語の定義については後述する。図４に示す単
位磁界当りの抵抗変化率（以下では、磁界感度と称す）
は、磁性層としてＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦
０．３］を用いた場合には、積層回数１５回から３０回
付近で大きな値を採り、磁気検出素子として１５０℃付
近の高温においても充分な検出感度を有するためには、
積層回数１０回から４０回の範囲で使用するのが良い。
積層回数１０回未満や４０回を超えた場合には、どのサ
ンプルでも充分な磁界感度は得られない。このように、
実施の形態２では、ＧＭＲ素子７がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１
−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層とＣｕの層との繰り返し
によりなる積層膜よりなり、かつＣｕ層１層の厚さに対
する磁気抵抗変化が第２のピーク近傍となるＣｕ厚を用
いた場合の単位磁界あたりの抵抗変化率とＦｅ（ｘ）Ｃ
ｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層とＣｕの層とをひ
とくくりとした積層回数を１０回以上４０回以下とした
ので、磁気検出素子２８の感度向上を図ることができ
る。
【００２７】実施の形態３．図５は、この発明の実施の
形態３に係るＧＭＲ素子の単位磁界当たりの抵抗変化率
とＦｅＣｏ層の厚さとの関係を示す図である。図５に
は、図４にて最も良好な特性を示したＧＭＲ素子がＦｅ
（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［ｘ＝０．１］の層とＣｕの層と
の繰り返しによりなる積層膜よりなり、かつ上記Ｃｕ層
として、Ｃｕ層１層の厚さに対する磁気抵抗変化が第２
のピーク近傍となるＣｕ厚を用いた場合の単位磁界当り
の抵抗変化率とＦｅ０．１Ｃｏ０．９の１層当りの膜厚
との関係が示されている。図５に示す単位磁界当りの抵
抗変化率は、ＦｅＣｏ層の厚さが１０Åの付近から急激
に立ち上がり、１２Åから２０Å付近で充分大きな値を
示し、３０Åより大きくなると充分な磁界感度が得られ
なくなる。従って、ＦｅＣｏ層１層当りの膜厚が１０Å
以上３０Å以下の範囲でＧＭＲ素子７を形成するのが良
い。このように、実施の形態３では、ＧＭＲ素子７がＦ
ｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層とＣｕ
の層の繰り返しによりなる積層膜よりなり、かつ上記Ｃ
ｕ層として、Ｃｕ層１層の厚さに対する磁気抵抗変化が
第２のピーク近傍となるＣｕ厚を用いた場合のＦｅ
（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の膜厚を１０
Å以上３０Å以下としたので、磁気抵抗素子２８の感度
向上を図ることができる。
形態３に係るＧＭＲ素子の単位磁界当たりの抵抗変化率
とＦｅＣｏ層の厚さとの関係を示す図である。図５に
は、図４にて最も良好な特性を示したＧＭＲ素子がＦｅ
（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［ｘ＝０．１］の層とＣｕの層と
の繰り返しによりなる積層膜よりなり、かつ上記Ｃｕ層
として、Ｃｕ層１層の厚さに対する磁気抵抗変化が第２
のピーク近傍となるＣｕ厚を用いた場合の単位磁界当り
の抵抗変化率とＦｅ０．１Ｃｏ０．９の１層当りの膜厚
との関係が示されている。図５に示す単位磁界当りの抵
抗変化率は、ＦｅＣｏ層の厚さが１０Åの付近から急激
に立ち上がり、１２Åから２０Å付近で充分大きな値を
示し、３０Åより大きくなると充分な磁界感度が得られ
なくなる。従って、ＦｅＣｏ層１層当りの膜厚が１０Å
以上３０Å以下の範囲でＧＭＲ素子７を形成するのが良
い。このように、実施の形態３では、ＧＭＲ素子７がＦ
ｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層とＣｕ
の層の繰り返しによりなる積層膜よりなり、かつ上記Ｃ
ｕ層として、Ｃｕ層１層の厚さに対する磁気抵抗変化が
第２のピーク近傍となるＣｕ厚を用いた場合のＦｅ
（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の膜厚を１０
Å以上３０Å以下としたので、磁気抵抗素子２８の感度
向上を図ることができる。
【００２８】実施の形態４．図６ないし図７は、この発
明の実施の形態４に係るＧＭＲ素子の膜構成を示す断面
図である。まず、図６に示すように、ＧＭＲ素子膜５の
形成過程において、例えば、Ｓｉ基板などの基板１上に
形成されたＳｉ熱酸化膜等の下地層２の表面に、ＦｅＣ
ｏの層９ａを形成してから、その上にＣｕの層１０、Ｆ
ｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層９、Ｃ
ｕの層１０、ＦｅＣｏの層９を順次積層していく。Ｆｅ
Ｃｏの層９とＣｕの層１０のペア層９０を１０から４０
回積層し、最上層が図６に示す如くＦｅＣｏの層９とな
るように形成する。ＦｅＣｏの層９に比べて導電率の高
い材料であるＣｕの層１０を最上層とした場合には、Ｇ
ＭＲ効果に寄与しない電子が表面付近を流れる確率が増
え、結果として磁気抵抗変化率（ＭＲ比）の低下を招く
ため、最上層は図６に示す如くＦｅＣｏの層９である事
が良い。そして、図７に示すように、最上層のＦｅＣｏ
の層９のさらに上に続けて保護膜８としてＳｉＮｘ膜を
形成することによって、後の写真製版工程などでＧＭＲ
素子膜５の酸化を防止でき、ＧＭＲ素子７の特性を安定
化させることができる。上記保護膜８としてのＳｉＮｘ
膜は最上層のＦｅＣｏの層９の形成後真空を破らずに続
けて形成する。すなわち、Ｆｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）
［０≦ｘ≦０．３］の層９とＣｕの層１０の繰返しによ
り積層してなるＧＭＲ素子膜５（積層膜）を設け、この
ＧＭＲ素子膜５の最上層の上に保護膜８を形成して巨大
磁気抵抗素子を製造するのであるが、上記最上層を真空
中のスパッタリングや低温プラズマＣＶＤや真空蒸着等
の薄膜処理技術により形成した後、上記保護膜８も、真
空を破ることなく、薄膜処理により形成する。このこと
により、ＧＭＲ素子膜５の自然酸化をも抑制することが
でき、安定化に対してさらに効果的に作用する。上記保
護膜８としては、ＳｉＮｘ膜の代わりに酸化Ｓｉ膜や酸
化Ｔａ膜などの誘電体膜の他、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、
Ｚｒなどの金属膜やそれらを組み合せた金属膜やそれら
の酸化膜や窒化膜を用いることができる。いずれもＧＭ
Ｒ素子膜５の特性を損なわないようにスパッタリングや
低温プラズマＣＶＤや真空蒸着によって形成することが
できる。このように、この発明の実施の形態４において
は、図７に示す如くＧＭＲ素子膜５の最上層をＦｅＣｏ
層９としたので、ＧＭＲ素子７の磁気特性を向上させる
ことができ、ＧＭＲ素子膜５形成後に保護膜８を形成し
たことによりＧＭＲ素子７の信頼性を向上させることが
できる。ここで、前述の、「ひとくくり」の語の定義に
ついて説明する。図６や図７で示した積層構造をした膜
において、図中、９がＦｅＣｏの層、１０がＣｕの層で
あるが、基板１から順次、基板１／下地層２／最下部の
ＦｅＣｏの層９ａ／［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏの層９］
／［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏの層９］／［Ｃｕの層１０
／ＦｅＣｏの層９］・・・／［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏ
の層９］というように［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏの層
９］のペア層９０の繰り返しで積層構造が出来上がって
いる。「ひとくくり」と言っているのは、この［Ｃｕの
層１０／ＦｅＣｏの層９］のペア層９０のことである。
最初のＦｅＣｏ以外の、一組の積層構造のものと考えて
よい。この積層構造を簡略化して記述すると、最下部の
ＦｅＣｏの層９ａ／［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏの層９］
×ｎ（ひとくくりの数がｎ個）となり、このときのｎを
積層回数として表記している。この場合の最下部のＦｅ
Ｃｏの層９ａは、必ず必要と言うものではないが、あっ
た方が安定して製造ができるので、入れている。［Ｃｕ
の層１０／ＦｅＣｏの層９］×ｎだけを表す呼び名とし
てＣｕの層１０とＦｅＣｏの層９とのペア層９０を「ひ
とくくり」と言っている。
明の実施の形態４に係るＧＭＲ素子の膜構成を示す断面
図である。まず、図６に示すように、ＧＭＲ素子膜５の
形成過程において、例えば、Ｓｉ基板などの基板１上に
形成されたＳｉ熱酸化膜等の下地層２の表面に、ＦｅＣ
ｏの層９ａを形成してから、その上にＣｕの層１０、Ｆ
ｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層９、Ｃ
ｕの層１０、ＦｅＣｏの層９を順次積層していく。Ｆｅ
Ｃｏの層９とＣｕの層１０のペア層９０を１０から４０
回積層し、最上層が図６に示す如くＦｅＣｏの層９とな
るように形成する。ＦｅＣｏの層９に比べて導電率の高
い材料であるＣｕの層１０を最上層とした場合には、Ｇ
ＭＲ効果に寄与しない電子が表面付近を流れる確率が増
え、結果として磁気抵抗変化率（ＭＲ比）の低下を招く
ため、最上層は図６に示す如くＦｅＣｏの層９である事
が良い。そして、図７に示すように、最上層のＦｅＣｏ
の層９のさらに上に続けて保護膜８としてＳｉＮｘ膜を
形成することによって、後の写真製版工程などでＧＭＲ
素子膜５の酸化を防止でき、ＧＭＲ素子７の特性を安定
化させることができる。上記保護膜８としてのＳｉＮｘ
膜は最上層のＦｅＣｏの層９の形成後真空を破らずに続
けて形成する。すなわち、Ｆｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）
［０≦ｘ≦０．３］の層９とＣｕの層１０の繰返しによ
り積層してなるＧＭＲ素子膜５（積層膜）を設け、この
ＧＭＲ素子膜５の最上層の上に保護膜８を形成して巨大
磁気抵抗素子を製造するのであるが、上記最上層を真空
中のスパッタリングや低温プラズマＣＶＤや真空蒸着等
の薄膜処理技術により形成した後、上記保護膜８も、真
空を破ることなく、薄膜処理により形成する。このこと
により、ＧＭＲ素子膜５の自然酸化をも抑制することが
でき、安定化に対してさらに効果的に作用する。上記保
護膜８としては、ＳｉＮｘ膜の代わりに酸化Ｓｉ膜や酸
化Ｔａ膜などの誘電体膜の他、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、
Ｚｒなどの金属膜やそれらを組み合せた金属膜やそれら
の酸化膜や窒化膜を用いることができる。いずれもＧＭ
Ｒ素子膜５の特性を損なわないようにスパッタリングや
低温プラズマＣＶＤや真空蒸着によって形成することが
できる。このように、この発明の実施の形態４において
は、図７に示す如くＧＭＲ素子膜５の最上層をＦｅＣｏ
層９としたので、ＧＭＲ素子７の磁気特性を向上させる
ことができ、ＧＭＲ素子膜５形成後に保護膜８を形成し
たことによりＧＭＲ素子７の信頼性を向上させることが
できる。ここで、前述の、「ひとくくり」の語の定義に
ついて説明する。図６や図７で示した積層構造をした膜
において、図中、９がＦｅＣｏの層、１０がＣｕの層で
あるが、基板１から順次、基板１／下地層２／最下部の
ＦｅＣｏの層９ａ／［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏの層９］
／［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏの層９］／［Ｃｕの層１０
／ＦｅＣｏの層９］・・・／［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏ
の層９］というように［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏの層
９］のペア層９０の繰り返しで積層構造が出来上がって
いる。「ひとくくり」と言っているのは、この［Ｃｕの
層１０／ＦｅＣｏの層９］のペア層９０のことである。
最初のＦｅＣｏ以外の、一組の積層構造のものと考えて
よい。この積層構造を簡略化して記述すると、最下部の
ＦｅＣｏの層９ａ／［Ｃｕの層１０／ＦｅＣｏの層９］
×ｎ（ひとくくりの数がｎ個）となり、このときのｎを
積層回数として表記している。この場合の最下部のＦｅ
Ｃｏの層９ａは、必ず必要と言うものではないが、あっ
た方が安定して製造ができるので、入れている。［Ｃｕ
の層１０／ＦｅＣｏの層９］×ｎだけを表す呼び名とし
てＣｕの層１０とＦｅＣｏの層９とのペア層９０を「ひ
とくくり」と言っている。
【００２９】実施の形態５．図８（ａ），（ｂ）は、こ
の発明の実施の形態５に係るＧＭＲ素子７のパターン化
を行った際の膜構成を示す断面図である。ＧＭＲ素子７
は、ペア層９０をｎ回積層して成るＧＭＲ素子５をパタ
ーン化することで形成されるが、このＧＭＲ素子５のパ
ターン化に際しては、ＧＭＲ膜５上に形成された保護膜
８上に写真製版技術によりレジストに素子パターンを転
写し、イオンビームエッチング（ＩＢＥ）を用いてエッ
チングを行い、最後にレジスト除去をするという方法が
とられている。図８（ａ）は基板１に対するイオンビー
ムの入射角を０度にてエッチングを実施した後にレジス
トパターンを除去したＧＭＲ素子７の断面図であるが、
レジストパターンの側壁に再付着した膜１１が縦方向の
突起として残り、この突起がＧＭＲ膜５の側壁保護を主
たる目的とした最終保護膜形成の障害となる。これに対
し、図８（ｂ）は基板１に対してイオンビームに入射角
度を持たせた場合のエッチングを実施した後にレジスト
パターンを除去したＧＭＲ素子７の断面図である。図８
（ａ）で見られた再付着膜１１の残りがなくなり、かつ
側面にテーパーがつき、最終保護膜形成におけるカバー
レッジを向上させる。このときのテーパー角１２は２０
°以上８０°以下で充分効果があるが、パターン幅の精
度やパターン幅の縮小やパターン間の間隔の縮小などの
点で４０°以上がさらに好ましく、また、再付着膜１１
の残りが確率的にほとんど０になることを考慮した量産
性を考えると６５°以下がさらに好ましい。このよう
に、実施の形態５では、ＧＭＲ素子７のパターンに２０
°以上８０°以下、好ましくは、４０°以上６５°以下
のテーパー角１２を設けたので、ＧＭＲ素子７の信頼性
を向上させることができる。なお、ＧＭＲ素子７は基板
１の上に積層処理技術で形成するとして説明したが、Ｇ
ＭＲ素子７自体を別の基板上に製造しておいたものを、
基板１の上に接着してもよい。
の発明の実施の形態５に係るＧＭＲ素子７のパターン化
を行った際の膜構成を示す断面図である。ＧＭＲ素子７
は、ペア層９０をｎ回積層して成るＧＭＲ素子５をパタ
ーン化することで形成されるが、このＧＭＲ素子５のパ
ターン化に際しては、ＧＭＲ膜５上に形成された保護膜
８上に写真製版技術によりレジストに素子パターンを転
写し、イオンビームエッチング（ＩＢＥ）を用いてエッ
チングを行い、最後にレジスト除去をするという方法が
とられている。図８（ａ）は基板１に対するイオンビー
ムの入射角を０度にてエッチングを実施した後にレジス
トパターンを除去したＧＭＲ素子７の断面図であるが、
レジストパターンの側壁に再付着した膜１１が縦方向の
突起として残り、この突起がＧＭＲ膜５の側壁保護を主
たる目的とした最終保護膜形成の障害となる。これに対
し、図８（ｂ）は基板１に対してイオンビームに入射角
度を持たせた場合のエッチングを実施した後にレジスト
パターンを除去したＧＭＲ素子７の断面図である。図８
（ａ）で見られた再付着膜１１の残りがなくなり、かつ
側面にテーパーがつき、最終保護膜形成におけるカバー
レッジを向上させる。このときのテーパー角１２は２０
°以上８０°以下で充分効果があるが、パターン幅の精
度やパターン幅の縮小やパターン間の間隔の縮小などの
点で４０°以上がさらに好ましく、また、再付着膜１１
の残りが確率的にほとんど０になることを考慮した量産
性を考えると６５°以下がさらに好ましい。このよう
に、実施の形態５では、ＧＭＲ素子７のパターンに２０
°以上８０°以下、好ましくは、４０°以上６５°以下
のテーパー角１２を設けたので、ＧＭＲ素子７の信頼性
を向上させることができる。なお、ＧＭＲ素子７は基板
１の上に積層処理技術で形成するとして説明したが、Ｇ
ＭＲ素子７自体を別の基板上に製造しておいたものを、
基板１の上に接着してもよい。
【００３０】
【発明の効果】この発明の請求項１では、磁気検出素子
は、巨大磁気抵抗素子を備えてなり、この巨大磁気検出
素子の飽和磁界に０．８をかけ合わせた磁界以下の範囲
の中で動作させることを特徴とするので、磁気検出素子
の感度を向上させることができるとともに、使用温度範
囲の拡大を図ることができる。
は、巨大磁気抵抗素子を備えてなり、この巨大磁気検出
素子の飽和磁界に０．８をかけ合わせた磁界以下の範囲
の中で動作させることを特徴とするので、磁気検出素子
の感度を向上させることができるとともに、使用温度範
囲の拡大を図ることができる。
【００３１】請求項２では、巨大磁気抵抗素子を、巨大
磁気抵抗素子の抵抗値が最大値となる磁界以上で動作さ
せるようにしたので、さらに感度を向上でき、使用温度
範囲の拡大がはかれる。
磁気抵抗素子の抵抗値が最大値となる磁界以上で動作さ
せるようにしたので、さらに感度を向上でき、使用温度
範囲の拡大がはかれる。
【００３２】請求項３では、積層回路を磁気検出素子に
設けたので、集積回路を保持するための他の保持部材を
必要としなくなる。
設けたので、集積回路を保持するための他の保持部材を
必要としなくなる。
【００３３】また、請求項４では上記巨大磁気検出素子
がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層と
Ｃｕの層の繰り返しによりなる積層膜よりなり、かつＣ
ｕの層として、Ｃｕの層１層の厚さに対する磁気抵抗変
化が第２のピーク近傍となるＣｕの層の層厚を用い、か
つＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層と
Ｃｕの層をひとくくりとした積層回数が１０以上でかつ
４０以下であることを特徴とするので、良好な磁気特性
を示し、感度の高い磁気検出素子を提供することができ
る。
がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層と
Ｃｕの層の繰り返しによりなる積層膜よりなり、かつＣ
ｕの層として、Ｃｕの層１層の厚さに対する磁気抵抗変
化が第２のピーク近傍となるＣｕの層の層厚を用い、か
つＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層と
Ｃｕの層をひとくくりとした積層回数が１０以上でかつ
４０以下であることを特徴とするので、良好な磁気特性
を示し、感度の高い磁気検出素子を提供することができ
る。
【００３４】また、請求項５の発明によれば、上記Ｆｅ
（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層の膜厚が
１０Å以上でかつ３０Å以下であることを特徴とするの
で、良好な磁気特性を示し、感度の高い磁気検出素子を
提供することができる。
（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層の膜厚が
１０Å以上でかつ３０Å以下であることを特徴とするの
で、良好な磁気特性を示し、感度の高い磁気検出素子を
提供することができる。
【００３５】また、請求項６の発明によれば、上記積層
膜の最上層がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．
３］の層であることを特徴とするので、良好な磁気特性
を示す巨大磁気抵抗素子を提供できる。
膜の最上層がＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．
３］の層であることを特徴とするので、良好な磁気特性
を示す巨大磁気抵抗素子を提供できる。
【００３６】また、請求項７の発明によれば、上記積層
膜の最上層のＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．
３］の層の上に保護膜を形成したことを特徴とするの
で、磁気抵抗素子の信頼性を向上させることができる。
膜の最上層のＦｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．
３］の層の上に保護膜を形成したことを特徴とするの
で、磁気抵抗素子の信頼性を向上させることができる。
【００３７】また、請求項８の発明によれば、巨大磁気
抵抗素子となる抵抗パターンの側面が基板表面に対して
２０°以上でかつ８０°以下となるテーパーを形成した
ので、最終保護膜を安定して形成でき、磁気検出素子の
信頼性を向上できる。
抵抗素子となる抵抗パターンの側面が基板表面に対して
２０°以上でかつ８０°以下となるテーパーを形成した
ので、最終保護膜を安定して形成でき、磁気検出素子の
信頼性を向上できる。
【００３８】また、請求項９の発明によれば、抵抗パタ
ーンの側面が基板表面に対し４０°以上でかつ６５°以
下のテーパーを形成したことを特徴とするので、最終保
護膜をさらに安定して形成することができ、磁気検出素
子の信頼性がさらに向上する。
ーンの側面が基板表面に対し４０°以上でかつ６５°以
下のテーパーを形成したことを特徴とするので、最終保
護膜をさらに安定して形成することができ、磁気検出素
子の信頼性がさらに向上する。
【００３９】また、請求項１０の発明によれば、上記積
層膜を形成した後、真空を破らずに上記保護膜を形成し
たことを特徴とするので、磁気抵抗素子の信頼性を向上
させることができる。
層膜を形成した後、真空を破らずに上記保護膜を形成し
たことを特徴とするので、磁気抵抗素子の信頼性を向上
させることができる。
【００４０】さらに、請求項１１の発明によれば、磁気
検出装置は、外周に沿って凹凸を有し、回転軸を中心に
回転する磁性回転体と、磁性回転体の外周に対向するよ
うに配設される磁石と、磁石の磁性回転体の外周に対向
して付設される上記磁気検出素子とを備えてなり、磁気
検出素子は、上記巨大磁気抵抗素子より形成したので、
これにより広い温度範囲、例えば４０℃〜１５０℃とい
った範囲で磁性回転体の回転に伴う磁性回転体と磁石の
間の磁界の変化を高感度で検出することが可能で、検出
結果に基づき磁性回転体の回転量を検出するので、感度
が高く、使用温度範囲の広い磁気検出装置を提供するこ
とができる。
検出装置は、外周に沿って凹凸を有し、回転軸を中心に
回転する磁性回転体と、磁性回転体の外周に対向するよ
うに配設される磁石と、磁石の磁性回転体の外周に対向
して付設される上記磁気検出素子とを備えてなり、磁気
検出素子は、上記巨大磁気抵抗素子より形成したので、
これにより広い温度範囲、例えば４０℃〜１５０℃とい
った範囲で磁性回転体の回転に伴う磁性回転体と磁石の
間の磁界の変化を高感度で検出することが可能で、検出
結果に基づき磁性回転体の回転量を検出するので、感度
が高く、使用温度範囲の広い磁気検出装置を提供するこ
とができる。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る磁気検出素子
に用いる巨大磁気抵抗素子の磁気特性を示す図である。
に用いる巨大磁気抵抗素子の磁気特性を示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置
の構成を示す斜視図である。
の構成を示す斜視図である。
【図３】 この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置
の構成を示す斜視図である。
の構成を示す斜視図である。
【図４】 この発明の実施の形態２に係る磁気検出素子
に用いる巨大磁気抵抗素子の単位磁界あたりの抵抗変化
率と積層回数の関係を示す図である。
に用いる巨大磁気抵抗素子の単位磁界あたりの抵抗変化
率と積層回数の関係を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態３に係る磁気検出素子
に用いる巨大磁気抵抗素子の単位磁界あたりの抵抗変化
率とＦｅＣｏの層の厚さの関係を示す図である。
に用いる巨大磁気抵抗素子の単位磁界あたりの抵抗変化
率とＦｅＣｏの層の厚さの関係を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態４に係る磁気検出素子
に用いる巨大磁気抵抗素子の膜構成を示す断面図であ
る。
に用いる巨大磁気抵抗素子の膜構成を示す断面図であ
る。
【図７】 この発明の実施の形態４に係る磁気検出素子
に用いる巨大磁気抵抗素子の膜構成を示す断面図であ
る。
に用いる巨大磁気抵抗素子の膜構成を示す断面図であ
る。
【図８】 この発明の実施の形態５に係る磁気検出素子
に用いる巨大磁気抵抗素子の側面部の断面図である。
に用いる巨大磁気抵抗素子の側面部の断面図である。
【図９】 従来の磁気検出装置の構成を示す側面図であ
る。
る。
【図１０】 従来の磁気検出装置の構成を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１１】 従来のＧＭＲ素子の特性を示す図である。
【図１２】 従来のＧＭＲ素子を用いた磁気検出装置の
構成を示す側面図である。
構成を示す側面図である。
【図１３】 従来のＧＭＲ素子を用いた磁気検出装置の
構成を示す斜視図である
構成を示す斜視図である
【図１４】 従来のＧＭＲ素子を用いた磁気検出装置を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図１５】 従来のＧＭＲ素子を用いた磁気検出装置の
詳細を示すブロック図である。
詳細を示すブロック図である。
【図１６】 従来のＧＭＲ素子を用いた磁気検出装置の
回路構成の一例を示す図である。
回路構成の一例を示す図である。
【図１７】 従来の磁気検出素子の構成を示す図であ
る。
る。
【図１８】 従来の磁気検出素子の動作を示す特性図で
ある。
ある。
１ 基板、２ 下地層、５ ＧＭＲ素子膜、７ ＧＭＲ
素子（巨大磁気抵抗素子）、８ 窒化Ｓｉ膜（保護
膜）、９ Ｆｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．
３］の層、１０ Ｃｕの層、１１ 再付着膜、１２ テ
ーパー角、２８ 磁気検出素子、３０磁性回転体、３１
磁石。
素子（巨大磁気抵抗素子）、８ 窒化Ｓｉ膜（保護
膜）、９ Ｆｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．
３］の層、１０ Ｃｕの層、１１ 再付着膜、１２ テ
ーパー角、２８ 磁気検出素子、３０磁性回転体、３１
磁石。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川野 裕司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 深見 達也 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 堤 和彦 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 川喜多 生也 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AD55 AD63 AD65 BA09
Claims (11)
- 【請求項１】 巨大磁気抵抗素子を備えてなり、上記巨
大磁気抵抗素子を、この巨大磁気抵抗素子の飽和磁界に
０．８をかけ合わせた磁界以下の範囲の中で動作させる
ようにしたことを特徴とする磁気検出素子。 - 【請求項２】 上記巨大磁気抵抗素子を、この巨大磁気
抵抗素子の抵抗値が最大値となる磁界以上で動作させる
ようにしたことを特徴とする請求項１に記載の磁気検出
素子。 - 【請求項３】 上記巨大磁気抵抗素子により検出される
磁界の変化にもとづいて所定の演算を行う集積回路を設
けたことを特徴とする請求項１に記載の磁気検出素子。 - 【請求項４】 上記巨大磁気検出素子がＦｅ（ｘ）Ｃｏ
（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層とＣｕの層の繰り返
しにより積層してなる積層膜より構成され、かつ上記Ｃ
ｕの層として、このＣｕの層の１層の厚さに対する磁気
抵抗変化が第２のピーク近傍となるＣｕ厚を用い、かつ
上記Ｆｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層
とＣｕの層をひとくくりとした積層回数が１０以上でか
つ４０以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁
気検出素子。 - 【請求項５】 上記Ｆｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ
≦０．３］の層の膜厚が１０Å以上でかつ３０Å以下で
あることを特徴とする請求項４に記載の磁気検出素子。 - 【請求項６】 上記積層膜の最上層がＦｅ（ｘ）Ｃｏ
（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層であることを特徴と
する請求項４に記載の磁気検出素子。 - 【請求項７】 上記積層膜の最上層のＦｅ（ｘ）Ｃｏ
（１−ｘ）［０≦ｘ≦０．３］の層の上に保護膜を形成
したことを特徴とする請求項６に記載の磁気検出素子。 - 【請求項８】 上記巨大磁気抵抗素子となる抵抗パター
ンの側面がこの巨大磁気抵抗素子を保持するための基板
の表面に対して２０°以上でかつ８０°以下となるテー
パーを形成したことを特徴とする請求項１に記載の磁気
検出素子。 - 【請求項９】 上記巨大抵抗素子となる抵抗パターンの
側面がこの巨大磁気抵抗素子を保持する基板の表面に対
して４０°以上でかつ６５°以下となるテーパーを形成
したことを特徴とする請求項１に記載の磁気検出素子。 - 【請求項１０】 Ｆｅ（ｘ）Ｃｏ（１−ｘ）［０≦ｘ≦
０．３］の層とＣｕの層の繰り返しにより積層してなる
積層膜より構成され、上記積層膜の最上層の上に保護膜
を形成した巨大磁気抵抗素子を備えた磁気検出素子の製
造方法において、最上層を真空中でのスパッタリングや
低温プラズマＣＶＤや真空蒸着等の薄膜処理により形成
した後、上記保護膜も、上記真空を破ることなく、薄膜
処理により形成したことを特徴とする磁気検出素子の製
造方法。 - 【請求項１１】 外周に沿って凹凸を有し、回転軸を中
心に回転する磁性回転体と、上記磁性回転体の外周に対
向するように配設される磁石と、上記磁石の上記磁性回
転体の外周に対向する位置に付設される磁気検出素子と
を備えてなり、上記磁気検出素子は、上記磁性回転体の
回転に伴う上記磁性回転体と上記磁石との間の磁界の変
化を検出し、当該検出結果に基づき上記磁性回転体の回
転量を検出するとともに、飽和磁界に０．８をかけ合せ
た磁界以下の範囲の中で動作させるようにした巨大磁気
抵抗素子を備える磁気検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10592699A JP3562993B2 (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 磁気検出装置 |
| US09/422,973 US6323644B1 (en) | 1999-04-13 | 1999-10-22 | Rotation sensor |
| DE19954053A DE19954053B4 (de) | 1999-04-13 | 1999-11-10 | Magnetfelddetektorelement, Verfahren zur Herstellung eines Magnetfelddetektorelements und Magnetfelddetektorgerät |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10592699A JP3562993B2 (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 磁気検出装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004133294A Division JP3967733B2 (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | 磁気検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000298162A true JP2000298162A (ja) | 2000-10-24 |
| JP3562993B2 JP3562993B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=14420475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10592699A Expired - Lifetime JP3562993B2 (ja) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | 磁気検出装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3562993B2 (ja) |
| DE (1) | DE19954053B4 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2006032710A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Yamaha Corp | 磁気センサの製造方法 |
| US7633132B2 (en) | 2003-07-18 | 2009-12-15 | Yamaha Corporation | Magnetic sensor and manufacturing method therefor |
| JPWO2008059913A1 (ja) * | 2006-11-17 | 2010-03-04 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子及び磁気センサ、ならびに前記磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| CN103842839A (zh) * | 2011-08-04 | 2014-06-04 | 法国大陆汽车公司 | 用于机动车辆的凸轮轴传感器的自动校准方法 |
| JP2017173323A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 東フロコーポレーション株式会社 | 流量計 |
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| JP2001124589A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-05-11 | Asahi Optical Co Ltd | 磁気式エンコーダを搭載した測量機 |
| JP2008021524A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Tokai Rika Co Ltd | 非接触スイッチ |
| US8610430B2 (en) * | 2008-05-30 | 2013-12-17 | Infineon Technologies Ag | Bias field generation for a magneto sensor |
| EP2932284A4 (en) * | 2012-12-17 | 2016-09-07 | Inst Geolog Nuclear Sciences | MAGNETOMETER WITH LARGE DYNAMIC RANGE |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2648942B1 (fr) | 1989-06-27 | 1995-08-11 | Thomson Csf | Capteur a effet magnetoresistif |
| US5585196A (en) | 1993-03-12 | 1996-12-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| EP0685746A3 (en) | 1994-05-30 | 1996-12-04 | Sony Corp | Magnetoresistive effect device having improved thermal resistance. |
| DE4427495C2 (de) | 1994-08-03 | 2000-04-13 | Siemens Ag | Sensoreinrichtung mit einem GMR-Sensorelement |
| KR970003289A (ko) | 1995-06-01 | 1997-01-28 | 세키사와 다다시 | 거대 자기저항소자 및 그 제조방법 |
| JPH09329461A (ja) | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
| JPH10232242A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
| JPH10239338A (ja) | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
-
1999
- 1999-04-13 JP JP10592699A patent/JP3562993B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-22 US US09/422,973 patent/US6323644B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-10 DE DE19954053A patent/DE19954053B4/de not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| US7633132B2 (en) | 2003-07-18 | 2009-12-15 | Yamaha Corporation | Magnetic sensor and manufacturing method therefor |
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| JPWO2008059913A1 (ja) * | 2006-11-17 | 2010-03-04 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子及び磁気センサ、ならびに前記磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| CN103842839A (zh) * | 2011-08-04 | 2014-06-04 | 法国大陆汽车公司 | 用于机动车辆的凸轮轴传感器的自动校准方法 |
| JP2017173323A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 東フロコーポレーション株式会社 | 流量計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3562993B2 (ja) | 2004-09-08 |
| DE19954053A1 (de) | 2000-11-02 |
| US6323644B1 (en) | 2001-11-27 |
| DE19954053B4 (de) | 2005-04-14 |
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