JPH10232242A - 検出装置 - Google Patents

検出装置

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JPH10232242A
JPH10232242A JP9035108A JP3510897A JPH10232242A JP H10232242 A JPH10232242 A JP H10232242A JP 9035108 A JP9035108 A JP 9035108A JP 3510897 A JP3510897 A JP 3510897A JP H10232242 A JPH10232242 A JP H10232242A
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magnetic
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JP9035108A
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Masahiro Yokoya
昌広 横谷
Izuru Shinjiyou
出 新條
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • G01D5/147—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the movement of a third element, the position of Hall device and the source of magnetic field being fixed in respect to each other
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    • G01—MEASURING; TESTING
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    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁性体移動体の例えば凹凸のような所定の位
置（角度）に対応した信号が正確に得られる温度特性の
優れた検出装置を得る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（４Ａ，４Ｂ，４）
と、磁石と所定の間隙を持って配置され、この磁石によ
って発生された磁界を変化させる磁性体回転体（２Ａ，
２）と、この磁性体回転体で変化された磁界のいずれの
変化方向に対しても均一な抵抗値の変化範囲を動作領域
として設定され、変化された磁界を検出して異なる波高
値の複数の出力を発生する巨大磁気抵抗素子（３Ａ，３
Ｂ，２１）とを備え、磁性体回転体の変位方向を含む面
と平行方向に巨大磁気抵抗素子の中心と磁界発生手段の
中心とをずらす構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、印加磁界の変化
を検出する検出装置に関し、特に例えば内燃機関の回転
情報を検出する場合等に用いて好適な検出装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気検出素子として強磁性体（例
えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等）薄膜の磁化方向と電
流方向のなす角度によって抵抗値が変化する磁気抵抗素
子（以下、ＭＲ素子という）が用いられている。しかし
ながら、このようなＭＲ素子は、出力レベルが小さく精
度のよい検出ができないので、出力レベルの大きな磁気
検出素子として巨大磁気抵抗素子（以下、ＧＭＲ素子と
云う）というものが、近時提案されている。
【０００３】このＧＭＲ素子は、例えば日本応用磁気学
会誌Vol.15,No.51991,p813〜821の「人工格子の磁気抵
抗効果」と題する論文に記載されている数オングストロ
ームから数十オングストロームの厚さの磁性層と非磁性
層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工格子膜で
あり、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ、（パーマロイ／Ｃｕ／Ｃｏ／
Ｃｕ）ｎ、（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎが知られており、これは、
上述のＭＲ素子と比較して格段に大きなＭＲ効果（ＭＲ
変化率）を有すると共に、隣り合った磁性層の磁化の向
きの相対角度にのみ依存するので、外部磁界の向きが電
流に対してどのような角度差をもっていても同じ抵抗値
の変化が得られるいわゆる面内感磁の素子である。
【０００４】そこで、磁界の変化を検出するためにＧＭ
Ｒ素子で実質的に感磁面を形成し、その感磁面の各端に
電極を形成してブリッジ回路を形成し、ＧＭＲ素子の抵
抗値変化を電圧変化に変換して、このＧＭＲ素子に作用
している磁界変化を検出することが提案されている。こ
のＧＭＲ素子は、数オングストロームから数十オングス
トロームの厚さの磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に
設定することで、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒ
ステリシスを持たせることができる。
【０００５】ところで、このようなＧＭＲ素子を組み込
んだブリッジ回路を用いて検出装置を構成した場合に、
このブリッジ回路を構成している各ＧＭＲ素子の特性の
ばらつきや温度係数のばらつきによって上述のヒステリ
シスに違いが生じるためブリッジ回路における一方の対
向する一対のＧＭＲ素子の抵抗値の変化範囲と、他方の
対向する一対のＧＭＲ素子の抵抗値の変化範囲が非対称
になり、正確な検出信号を得られなくなるという問題点
があった。そこで、これらの問題点を解消するため、Ｇ
ＭＲ素子の感磁面中心と磁石の中心とを一致させないで
ずらして配置し、実質的にヒステリシスの大きな位置を
動作させるようにした検出装置が考えられる。
【０００６】図９はその検出装置を示す構成図であり、
図９の（ａ）はその側面図、図９の（ｂ）はその平面図
である。この検出装置は、回転軸１と、少なくとも１つ
以上の凹凸を具備し、回転軸１と同期して回転する磁界
変化付与手段としての磁性体回転体２と、この磁性体回
転体２と所定の間隙を持って配置されたＧＭＲ素子３
と、このＧＭＲ素子３に磁界を与える磁界発生手段とし
ての磁石４とからなり、ＧＭＲ素子３は、薄膜面（感磁
面）に設けられた感磁パターンとしての磁気抵抗パター
ン３ａを有する。なお、ここでは、図９の（ｂ）に示す
ように、ＧＭＲ素子３の感磁面の中心と磁石４の中心と
を一致させないで、磁性体回転体２の例えば回転方向と
逆方向に所定量Ｌだけずらして配置している。そこで、
磁性体回転体２が回転することで、ＧＭＲ素子３の感磁
面の磁界が変化し、磁気抵抗パターン３ａの抵抗値が変
化する。
【０００７】図１０は上述のヒステリシス特性を有する
ＧＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図である。
この検出装置は、磁性体回転体２と所定の間隙を持って
配置され、磁石４より磁界が与えられるＧＭＲ素子を用
いたホイートストンブリッジ回路１１と、このホイート
ストンブリッジ回路１１の出力を増幅する差動増幅回路
１２と、この差動増幅回路１２の出力を基準値と比較し
て“Ｏ”または“１”の信号を出力する比較回路１３
と、この比較回路１３の出力を更に波形整形して立ち上
がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の信号を
出力端子１５に出力する波形整形回路１４と、ＧＭＲ素
子の温度係数に合わせて比較回路１３の基準値（比較レ
ベル）を補償する温度補償回路２０とを備える。
【０００８】図１１は図１０のブロック図の具体的回路
構成の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回
路１１は、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，１
０Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａと
１０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して電
源端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの各
一端は共通接続され、接続点１７を介して接地され、Ｇ
ＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続さ
れ、ＧＭＲ素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９に
接続される。なお、ＧＭＲ素子１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ
および１０Ｄは、実際には図９のＧＭＲ素子３を構成す
る磁気抵抗パターン３ａ内に分離して形成されているも
のであるが、図９では説明の都合上これらを代表してＧ
ＭＲ素子３で一括して表している。
【０００９】そして、ホイートストンブリッジ回路１１
の接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のアン
プ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵抗
器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され
る。更に、アンプ１２ａの出力端子は、比較回路１３の
反転入力端子に接続され、比較回路１３の非反転入力端
子は基準電源を構成する分圧回路に接続されると共に抵
抗器を介して自己の出力端子に接続される。比較回路１
３の出力側は、波形整形回路１４のトランジスタ１４ａ
のベースに接続され、そのコレクタは出力端子１５に接
続されると共に抵抗器を介して電源端子Ｖccに接続さ
れ、そのエミッタは接地される。
【００１０】また、温度補償回路２０のアンプ２０ａの
非反転入力端子は、基準電源を構成する抵抗器２０ｂお
よび２０ｃからなる分圧回路に接続され、アンプ２０ａ
の反転入力端子は比較回路１３の基準電源を構成する分
圧回路に接続される。なお、抵抗器２０ｂおよび２０ｃ
としてはホイートストンブリッジ回路１１を構成するＧ
ＭＲ素子の温度係数に近い温度係数を有するものが使用
される。
【００１１】次に、動作について、図１２を参照して説
明する。磁性体回転体２が回転することで、図１２の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１を構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄには
同じ磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｃに
はＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄとは異なる磁界変化が与え
られるようになる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に
対応してＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０Ｂ、１０Ｃの
感磁面に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つの
ＧＭＲ素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得られ、その
抵抗値も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと
１０Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最少となる位置が逆と
なり、ホイートストンブリッジ回路１１の接続点１８、
１９の中点電圧も同様に変化する。
【００１２】そして、この中点電圧の差が差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、図１２の（ｂ）
に示すような、図１２の（ａ）に示す磁性体回転体２の
凹凸に対応した出力、つまり、実質的に一つのＧＭＲ素
子の４倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出
力は，比較回路１３に供給されてその比較レベルである
基準値ＶTHと比較されて“Ｏ”または“１”の信号に変
換される。ここで、比較回路１３の基準値ＶTHは、温度
補償回路２０により使用されているＧＭＲ素子の温度係
数に応じて調整され、検出装置が温度によるＧＭＲ素子
の特性の変化の影響を受けないようにしている。
【００１３】この比較回路１３からの信号は更に波形整
形回路１４で波形整形され、この結果、その出力側即ち
出力端子１５には図１２の（ｃ）に示すようにその立ち
上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の常に
常に磁性体回転体２の凹凸に対応した信号が正確に得ら
れる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のＧＭ
Ｒ素子を用いた検出装置は、以下のような問題点があっ
た。このことを、上述の図１２と同様磁性体回転体２の
凹凸に対応した差動増幅回路１２と波形整形回路１４の
出力関係を示す図１３を参照して説明する。ＧＭＲ素子
は、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシスが
存在するため、図１３に示すように磁性体回転体２の凹
凸の検出においては凹凸のエッジにおいて出力が変化
し、さらに凹部と凸部で出力に差が生じる。
【００１５】つまり、磁性体回転体２とＧＭＲ素子の距
離（以下、ＧＡＰと称する）により、磁性体回転体２の
凹部と凸部でのＧＭＲ素子の抵抗値が変化し、図１３の
（ｂ）に示すように、差動増幅回路１２の出力ＶDOのレ
ベルはＧＡＰの大きさに応じて変化し、この場合ＧＡＰ
が小さくなるほどそのレベルが大きくなる。従って、こ
の差動増幅回路１２の出力ＶDOを比較回路１３の比較レ
ベルである基準値ＶTHと比較すると、両者の交わる点が
レベルによって異なるので、結果として波形整形回路１
４の出力側に現れる出力のパルス幅も図１３の（ｃ）に
示すように変化し、ＧＡＰが小さくなるほどそのパルス
幅は小さくなり、磁性体回転体２の凹凸に対応した検出
出力が正確に得られなくなる。従って、上述の検出装置
では、比較回路１３の比較レベルをＧＡＰにより変化の
少ない点に微調整する必要があった。また、ＧＭＲ素子
の温度係数に応じて比較回路１３の比較レベルを調整す
る専用の温度補償回路２０を設ける必要もあった。
【００１６】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、簡単な回路構成で、磁性体移
動体の例えば凹凸のような所定の位置（角度）に対応し
た信号が正確に得られる温度特性の優れた検出装置を提
供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発
生手段と所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手
段によって発生された磁界を変化させる磁界変化付与手
段と、この磁界変化付与手段で変化された磁界のいずれ
の変化方向に対しても均一な抵抗値の変化範囲を動作領
域として設定され、変化された磁界を検出して異なる波
高値の複数の出力を発生する磁気検出手段とを備え、磁
界変化付与手段の変位方向を含む面と平行方向に磁気検
出手段の中心と磁界発生手段の中心とをずらすようにし
たものである。
【００１８】請求項２記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、磁界発生手段を複数の磁石で構
成し、且つ磁気検出手段を上記複数の磁石にそれぞれ対
応して設けられた複数の巨大磁気抵抗素子で構成し、複
数の巨大磁気抵抗素子の感磁面中心をそれぞれ複数の磁
石の磁極中心とずらして配置すると共に、複数の巨大磁
気抵抗素子を磁界変化付与手段に対して相互に異なる位
置に配置したものである。
【００１９】請求項３記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、磁界発生手段を単一の磁石で構
成し、且つ磁気検出手段を上記磁石に対応して設けられ
た巨大磁気抵抗素子で構成し、巨大磁気抵抗素子はその
感磁面に異なる波高値の複数の出力に対応して配置され
た複数の磁気抵抗パターンを有し、この複数の磁気抵抗
パターンの内波高値の大きな方の出力を発生する磁気抵
抗パターンを抵抗値の変化が最も大きな位置に配置した
ものである。
【００２０】請求項４記載の発明に係る検出装置は、請
求項２または３の発明において、巨大磁気抵抗素子を用
いてブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路の一辺の
巨大磁気抵抗素子への印加磁界極性と、もう一辺の巨大
磁気抵抗素子への印加磁界極性を異なるようにしたもの
である。
【００２１】請求項５記載の発明に係る検出装置は、請
求項４の発明において、ブリッジ回路を構成する各辺の
巨大磁気抵抗素子の出力特性の交点を検出する手段を備
えたものである。
【００２２】請求項６記載の発明に係る検出装置は、請
求項５の発明において、交点を検出する手段を、ブリッ
ジ回路の中点電圧を増幅する複数のアンプを有する差動
増幅回路と、複数のアンプの出力を比較する比較回路と
で構成したものである。
【００２３】請求項７記載の発明に係る検出装置は、請
求項１〜６のいずれかの発明において、磁界変化付与手
段が少なくとも１つの凹凸を有し、回転軸に同期して回
転する磁性体回転体であるものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る検出装置の
一実施の形態を図について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図であり、図１の（ａ）はその側面図、図１の（ｂ）
はその平面図である。図において、図９と対応する部分
には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。この検
出装置は、回転軸１と、少なくとも１つ以上の凹凸を具
備し、回転軸１と同期して回転する磁界変化付与手段と
しての磁性体回転体２Ａと、この磁性体回転体２Ａとそ
れぞれ異なる所定の間隙即ちＧＡＰを持って配置された
磁気検出手段としてのＧＭＲ素子３Ａおよび３Ｂと、こ
れらＧＭＲ素子３Ａおよび３Ｂにそれぞれ磁界を与える
磁界発生手段としての磁石４Ａおよび４Ｂとからなる。
ＧＭＲ素子３Ａは、薄膜面（感磁面）に設けられた感磁
パターンとしての複数の磁気抵抗パターン３ａ1および
３ａ2 を有し、同様にＧＭＲ素子３Ｂは、薄膜面（感磁
面）に設けられた感磁パターンとしての複数の磁気抵抗
パターン３ｂ1および３ｂ2 を有する。
【００２５】なお、ここでは、図１の（ｂ）に示すよう
に、ＧＭＲ素子３Ａおよび３Ｂの感磁面の中心と磁石４
Ａおよび４Ｂの中心とそれぞれを一致させないで、磁性
体回転体２Ａの例えば回転方向と逆方向に所定量Ｌ1だ
けずらして配置する。このＬ1の値はＧＭＲ素子の大き
さにもよるが、例えば0.1〜10mm程度の範囲の内から任
意の値を選択してよい。
【００２６】また、ＧＭＲ素子３Ａおよび３Ｂは磁性体
回転体２Ａに対してそれぞれ異なる所定の間隙を持って
配置されるが、ここでは、例えば磁性体回転体２Ａに対
してＧＭＲ素子３ＢのＧＡＰがＧＭＲ素子３ＡのＧＡＰ
より小さくなるように配置し、しかもこれらの素子間を
両者の特性が干渉しない程度の所定量Ｌ2に設定する。
また、磁性体回転体２Ａはこれに対して複数のＧＭＲ素
子が配置されることを考慮して、図１の（ａ）に示すよ
うに、図９の磁性体回転体２よりその厚さを厚くするこ
とが好ましい。もっとも、磁性体回転体２Ａの厚さを厚
くする代わりに、ＧＭＲ素子３Ａおよび３Ｂの厚さを薄
くしてもよい。その他の構成は、図９の場合と同様であ
る。
【００２７】図２は上述のヒステリシス特性を有するＧ
ＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図である。こ
の検出装置は、磁性体回転体２Ａと所定の間隙を持って
配置され、磁石４Ａおよび４Ｂよりそれぞれ磁界が与え
られる複数のＧＭＲ素子を用いたホイートストンブリッ
ジ回路１１Ａと、このホイートストンブリッジ回路１１
Ａの出力を増幅する差動増幅回路１２Ａと、この差動増
幅回路１２Ａの出力を基準値と比較して“Ｏ”または
“１”の信号を出力する比較回路１３と、この比較回路
１３の出力を更に波形整形して立ち上がり、立ち下がり
の急峻な“Ｏ”または“１”の信号を出力端子１５に出
力する波形整形回路１４とを備える。
【００２８】図３は図２のブロック図の具体的回路構成
の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回路１
１Ａは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ1，１
０Ａ2，１０Ｂ1および１０Ｂ2を有し、ＧＭＲ素子１０
Ａ1と１０Ｂ1の各一端は共通接続され、接続点１６を介
して電源端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ａ2と１
０Ｂ2の各一端は共通接続され、接続点１７を介して接
地され、ＧＭＲ素子１０Ａ1と１０Ａ2の各他端は接続点
１８に接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂ1と１０Ｂ2の各他端
は接続点１９に接続される。なお、ＧＭＲ素子１０Ａ1
および１０Ａ2は、それぞれ図１の磁気抵抗パターン３
ａ1および３ａ2 に対応し、同様に、ＧＭＲ素子１０Ｂ1
および１０Ｂ2は、それぞれ図１の磁気抵抗パターン３
ｂ1および３ｂ2 に対応するが、図１では説明の都合上
磁気抵抗パターン３ａ1および３ａ2を代表的にＧＭＲ素
子３Ａとして、また磁気抵抗パターン３ｂ1および３ｂ2
を代表的にＧＭＲ素子３Ｂとして表している。
【００２９】そして、ホイートストンブリッジ回路１１
Ａの接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２Ａの
アンプ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が
抵抗器を介して差動増幅回路１２Ａのアンプ１２ｂの反
転入力端子に接続され、アンプ１２ａおよび１２ｂの非
反転入力端子は共に接地される。更に、アンプ１２ａの
出力端子は、比較回路１３の非反転入力端子に抵抗器を
介して接続され、また、アンプ１２ｂの出力端子は、比
較回路１３の非反転入力端子に抵抗器を介して接続さ
れ、比較回路１３の非反転入力端子は更に抵抗器を介し
て自己の出力端子に接続される。比較回路１３の出力側
は、波形整形回路１４のトランジスタ１４ａのベースに
接続され、そのコレクタは出力端子１５に接続されると
共に抵抗器を介して電源端子Ｖccに接続され、そのエミ
ッタは接地される。
【００３０】次に、動作について、図４を参照して説明
する。磁性体回転体２Ａが回転することで、図４の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１Ａを構成するＧＭＲ素子１０Ａ1と１０Ｂ1
には同じ磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ａ2と１
０Ｂ2にはＧＭＲ素子１０Ａ1、１０Ｂ1とは異なる磁界
変化が与えられるようになる。この結果、磁性体回転体
２Ａの凹凸に対応してＧＭＲ素子１０Ａ1、１０Ｂ1と１
０Ａ2、１０Ｂ2の感磁面に磁界の変化が発生し、その抵
抗値も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ1、１０Ｂ1と
１０Ａ2、１０Ｂ2の抵抗値の最大、最少となる位置が逆
となり、ホイートストンブリッジ回路１１Ａの接続点１
８、１９の電圧も同様に変化する。
【００３１】ここで、注目すべきことは、上述のごとく
ホイートストンブリッジ回路１１Ａを構成するＧＭＲ素
子１０Ａ1と１０Ａ2に対応するＧＭＲ素子３Ａ（即ち、
磁気抵抗パターン３ａ1および３ａ2）とＧＭＲ素子１０
Ｂ1と１０Ｂ2に対応するＧＭＲ素子３Ｂ（即ち、磁気抵
抗パターン３ｂ1および３ｂ2）とは、前者より後者が磁
性体回転体２Ａに対して近くになるように配置されてい
るので、ホイートストンブリッジ回路１１Ａの接続点１
８と接続点１７の間に得られる電圧と、接続点１９と接
続点１７の間に得られる電圧とは異なり、この場合、接
続点１９と接続点１７の間に得られる電圧の方が接続点
１８と接続点１７の間に得られる電圧より大きいものと
なる。
【００３２】さて、接続点１８と接続点１７の間に得ら
れる電圧が差動増幅回路１２Ａのアンプ１２ａに供給さ
れて基準値（接地電位）と比較されてその差分が増幅さ
れ、その出力側には、図４の（ｂ）に示すような、図４
の（ａ）に示す磁性体回転体２Ａの凹凸に対応した出力
ＶDO1が得られる。
【００３３】同様に、接続点１９と接続点１７の間に得
られる電圧が差動増幅回路１２Ａのアンプ１２ｂに供給
されて基準値（接地電位）と比較されてその差分が増幅
され、その出力側には、図４の（ｂ）に示すような、図
４の（ａ）に示す磁性体回転体２Ａの凹凸に対応した出
力ＶDO2が得られる。このアンプ１２ｂの出力ＶDO2は、
図４の（ｂ）の波形からも分かるように、ＧＭＲ素子３
ＢがＧＭＲ素子３Ａより磁性体回転体２Ａに対して近く
に配置されている分だけ、アンプ１２ａの出力ＶDO1よ
り波高値（レベル）の高いものとなっている。
【００３４】この差動増幅回路１２Ａのアンプ１２ａお
よび１２ｂの出力ＶDO1およびＶDO2は、それぞれ比較回
路１３の非反転入力端子および反転入力端子に供給され
て比較される。つまり、比較回路１３は実質的に図４の
（ａ）に示す磁性体回転体２Ａの凹凸に対応したアンプ
１２ａおよび１２ｂの出力ＶDO1およびＶDO2の交点を検
出し、この交点における出力ＶDO1の値がＶDO2の値より
大きければ正の信号、小さければ負の信号を出力する。
従って、比較回路１３は図１１で述べたような基準とな
る比較レベルは実質的に不要である。なお、差動増幅回
路１２Ａと比較回路１３は、実質的にホイートストンブ
リッジ回路１１Ａから得られる出力の交点を検出する手
段を構成する。
【００３５】また、ホイートストンブリッジ回路１１Ａ
を構成している各ＧＭＲ素子に特性のばらつきや温度係
数のばらつきがあったとしても、これらのばらつきに対
応して実質的にアンプ１２ａおよび１２ｂの出力ＶDO1
およびＶDO2の交点が磁性体回転体２Ａの凹凸のエッジ
に対応して変化するので、後段にある比較回路１３では
アンプ１２ａおよび１２ｂの出力ＶDO1およびＶDO2をＧ
ＭＲ素子の温度係数等とは無関係に比較動作を行うこと
ができ、よって、図１１で述べたような比較回路１３の
比較レベルを調整する専用の温度補償回路２０を設ける
必要もなくなる。
【００３６】このようにして比較回路１３で比較されて
導出された信号は、更に波形整形回路１４で矩形波信号
に波形整形される。即ち、比較回路１３の出力信号が正
のときは波形整形回路１４のトランジスタ１４ａがオン
して出力側のレベルは０となり、一方比較回路１３の出
力信号が負のときは波形整形回路１４のトランジスタ１
４ａがオフして出力側のレベルは所定の正のレベルとな
る。この出力端子１５には図４の（ｃ）に示すようにそ
の立ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”
の出力が得られ、常に磁性体回転体２Ａの凹凸に対応し
た信号を正確に得られる。
【００３７】このように、本実施の形態では、印加磁界
の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持たせた複数
のＧＭＲ素子を、その感磁面中心と磁石の中心とを一致
させないでずらして配置すると共に、これら複数のＧＭ
Ｒ素子の磁性体回転体に対する距離も相互に異ならせて
配置することで、これらのＧＭＲ素子で構成されるブリ
ッジ回路の後段に設けられる差動増幅回路の複数のアン
プ出力を比較して磁性体回転体の凹凸に対応した出力を
正確に得ることができ、以て、比較の際の基準となる比
較レベルは実質的に不要であり、比較レベルをＧＡＰに
より変化の少ない点に微調整する必要もなくなる。
【００３８】また、ブリッジ回路を構成している各ＧＭ
Ｒ素子に特性のばらつきや温度係数のばらつきがあった
としても、これらのばらつきに対応して実質的に差動増
幅回路に含まれる複数のアンプの出力の交点が磁性体回
転体の凹凸のエッジに対応して変化するので、後段の比
較回路では複数のアンプの出力をＧＭＲ素子の温度係数
等とは無関係に比較動作を行うことができ、以て、慣用
の温度補償回路も不要となる。
【００３９】また、同相出力の交点を検出しているた
め、外来ノイズ等にも強くなり、以て、磁性体回転体の
凹凸に対応した出力を正確に得ることができ、検出装置
の小型化、低廉化と共に、検出精度を向上できるという
効果がある。
【００４０】実施の形態２．図５はこの発明の実施の形
態２を示す構成図であり、図５の（ａ）はその側面図、
図５の（ｂ）はその平面図である。図において、図９と
対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略
する。上記実施の形態では、印加磁界の変化による抵抗
値変化にヒステリシスを持ったＧＭＲ素子を、その感磁
面中心と磁石の中心とを一致させないでずらして配置す
ると共に、それら複数のＧＭＲ素子の磁性体回転体に対
する距離も相互に異ならせて配置する場合であったが、
本実施の形態では、ＧＭＲ素子の感磁面に設けられる磁
気抵抗パターンの配置を考慮することにより、上記実施
の形態と同様の効果を得ようとするものである。
【００４１】この検出装置は、回転軸１と、少なくとも
１つ以上の凹凸を具備し、回転軸１と同期して回転する
磁性体回転体２と、この磁性体回転体２と異なる所定の
間隙即ちＧＡＰを持って配置されたＧＭＲ素子２１と、
このＧＭＲ素子２１に磁界を与える磁石４とからなる。
ＧＭＲ素子２１は、図６に示すように、薄膜面（感磁
面）２１ｂに設けられた感磁パターンとしての複数の磁
気抵抗パターン２１ａ を有する。なお、ここでは、図
５の（ｂ）に示すように、ＧＭＲ素子２１の感磁面２１
ｂの中心と磁石４の中心とを一致させないで、磁性体回
転体２の例えば回転方向と逆方向に所定量Ｌ1だけずら
して配置する。このＬ1の値も、上述と同様の設定の仕
方でよい。
【００４２】さて、ＧＭＲ素子２１の感磁面２１ｂに設
けられる磁気抵抗パターン２１ａの配置であるが、本実
施の形態では、検出装置の回路を構成する差動増幅回路
から相互に波高値の異なる複数の出力を得るために波高
値の高い出力を発生するＧＭＲ素子に対応した磁気抵抗
パターンを感磁面２１ｂの抵抗値変化の最も大きな位置
に配置し、波高値の低い出力を発生するＧＭＲ素子に対
応した磁気抵抗パターンをその周辺に配置するようにす
る。なお、本実施の形態で用いられるブロック図および
その具体的回路構成は、図２および図３の場合と同様の
ものを用いてもよく、従って、その記載を省略する。但
し、本実施の形態では、図２のブロック図の磁石４Ａ、
４Ｂに代えて単一の磁石４を用いる。また、その動作
も、図２および図３とほぼ同じであるので、その説明を
省略する。
【００４３】図７は本実施の形態によるＧＭＲ素子の磁
気抵抗パターンの配置の一例を示すもので、図におい
て、感磁面に各ＧＭＲ素子を構成する磁気抵抗パターン
２１ａ1、２１ａ2、２１ａ3および２１ａ4を設け、図３
のホイートストンブリッジ回路１１Ａを構成しているＧ
ＭＲ素子１０Ｂ1および１０Ｂ2に対応する磁気抵抗パタ
ーン２１ａ3および２１ａ4を感磁面の抵抗値変化の最も
大きな位置即ち中央部分に配置し、ＧＭＲ素子１０Ａ1
および１０Ａ2に対応する磁気抵抗パターン２１ａ1およ
び２１ａ2をその周辺に配置する。
【００４４】かくして、このような磁気抵抗パターンの
配置されたＧＭＲ素子を図５に示すようにその感磁面２
１ｂの中心と磁石４の中心とを一致させないで、磁性体
回転体２に対して所定量Ｌ1だけずらして配置し、ま
た、斯かるＧＭＲ素子を図３に示すようなホイートスト
ンブリッジ回路１１Ａに上述のごとく配置する、即ち接
続点１６と接続点１８の間に磁気抵抗パターン２１ａ1
相当のＧＭＲ素子を接続し、接続点１８と接続点１７の
間に磁気抵抗パターン２１ａ2相当のＧＭＲ素子を接続
し、接続点１６と接続点１９の間に磁気抵抗パターン２
１ａ3相当のＧＭＲ素子を接続し、接続点１９と接続点
１７の間に磁気抵抗パターン２１ａ4相当のＧＭＲ素子
を接続することにより、接続点１８と接続点１７の間に
得られる電圧と、接続点１９と接続点１７の間に得られ
る電圧とは異なり、この場合、接続点１９と接続点１７
の間に得られる電圧の方が接続点１８と接続点１７の間
に得られる電圧より大きいものとなる。
【００４５】従って、この場合も差動増幅回路１２Ａの
アンプ１２ａの出力ＶDO1より波高値（レベル）の高い
出力ＶDO2がアンプ１２ｂより出力される。つまり、接
続点１９と接続点１７の間に得られる電圧即ちアンプ１
２ｂの出力ＶDO2は、接続点１６と接続点１９の間に接
続されるＧＲＭ素子相当の磁気抵抗パターン２１ａ
3と、接続点１９と接続点１７の間に接続されるＧＲＭ
素子相当の磁気抵抗パターン２１ａ4が感磁面の抵抗値
変化の最も大きな位置に配置されている分だけ、その周
辺に配置されている磁気抵抗パターン２１ａ1および２
１ａ2相当のＧＭＲ素子（それぞれ接続点１６と接続点
１８の間および接続点１８と接続点１７の間に接続され
ている）の電圧が供給されるアンプ１２ａの出力ＶDO1
より波高値（レベル）の高いものとなっている。
【００４６】この差動増幅回路１２Ａのアンプ１２ａお
よび１２ｂの出力ＶDO1およびＶDO2は、比較回路１３で
比較し、その比較結果を波形整形回路１４で波形整形す
れば、出力端子１５にその立ち上がり、立ち下がりの急
峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られ、常に磁性体回
転体２Ａの凹凸に対応した信号を正確に得られる。
【００４７】このように、本実施の形態では、印加磁界
の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持たせたＧＭ
Ｒ素子を、その感磁面中心と磁石の中心とを一致させな
いでずらして配置すると共に、ＧＭＲ素子の感磁面に設
けられる磁気抵抗パターンの配置を考慮し、検出装置の
回路を構成する差動増幅回路から相互に波高値の異なる
複数の出力を得るために波高値の高い出力を発生するＧ
ＭＲ素子に対応した磁気抵抗パターンを感磁面の抵抗値
変化の最も大きな位置に配置し、波高値の低い出力を発
生するＧＭＲ素子に対応した磁気抵抗パターンをその周
辺に配置することで、上記実施の形態と同様の効果を得
ることができ、更に本実施の形態では、上記実施の形態
に比し、実質的にＧＭＲ素子とこれに磁界を与える磁石
の組み合わせを１組とすることができるので、構成が簡
単で小型化が可能である。
【００４８】実施の形態３．図８はこの発明の実施の形
態３を示す平面図であり、図７と対応する部分には同一
符号を付し、その詳細説明を省略する。本実施の形態で
は、図７のＧＭＲ素子の感磁面に設けられる磁気抵抗パ
ターンの幾つかを分割して配置したものである。即ち、
図８の（ａ）は磁気抵抗パターン２１ａ1と２１ａ2を２
つに分割し、それぞれ図面上左側より磁気抵抗パターン
２１ａ2、磁気抵抗パターン２１ａ3、磁気抵抗パターン
２１ａ2 磁気抵抗パターン２１ａ1、磁気抵抗パターン
２１ａ4、磁気抵抗パターン２１ａ1と横方向に配列した
場合である。同様に、図８の（ｂ）は磁気抵抗パターン
２１ａ1と２１ａ2を２つに分割し、それぞれ図面上右側
に上より磁気抵抗パターン２１ａ1、磁気抵抗パターン
２１ａ4、磁気抵抗パターン２１ａ1を縦方向に配列し、
左側に上より磁気抵抗パターン２１ａ2、磁気抵抗パタ
ーン２１ａ3、磁気抵抗パターン２１ａ2を縦方向に配列
した場合である。
【００４９】そして、このような磁気抵抗パターンの配
置されたＧＭＲ素子を図５に示すようにその感磁面２１
ｂの中心と磁石４の中心とを一致させないで、磁性体回
転体２に対して所定量Ｌ1だけずらして配置し、また、
斯かるＧＭＲ素子を図３に示すようなホイートストンブ
リッジ回路１１Ａに上述のごとく配置する、即ち接続点
１６と接続点１８の間に２つの磁気抵抗パターン２１ａ
1相当のＧＭＲ素子を接続し、接続点１８と接続点１７
の間に２つの磁気抵抗パターン２１ａ2相当のＧＭＲ素
子を接続し、接続点１６と接続点１９の間に磁気抵抗パ
ターン２１ａ3相当のＧＭＲ素子を接続し、接続点１９
と接続点１７の間に磁気抵抗パターン２１ａ4相当のＧ
ＭＲ素子を接続することにより、接続点１８と接続点１
７の間に得られる電圧と、接続点１９と接続点１７の間
に得られる電圧とは異なり、この場合、接続点１９と接
続点１７の間に得られる電圧の方が接続点１８と接続点
１７の間に得られる電圧より大きいものとなる。
【００５０】なお、図８の（ａ）の場合、磁気抵抗パタ
ーン２１ａ3、磁気抵抗パターン２１ａ4、の部分が抵抗
値変化特性のピークの部分に対応し、磁気抵抗パターン
２１ａ3、磁気抵抗パターン２１ａ4の両側にそれぞれあ
る２つの磁気抵抗パターン２１ａ2と 磁気抵抗パターン
２１ａ1の部分が抵抗値変化特性の傾斜している所定領
域の部分に対応するように配置するものとする。かくし
て、本実施の形態でも、上記実施の形態２とほぼ同様の
効果を得ることができる。
【００５１】実施の形態４．なお、上述した各実施の形
態では、磁界変化付与手段としての磁性体移動体が、回
転軸に同期して回転する磁性体回転体の場合について説
明したが、直線変位する磁性体移動体についても同様に
適用でき、同様の効果を奏する。
【００５２】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発生手段と
所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手段によっ
て発生された磁界を変化させる磁界変化付与手段と、こ
の磁界変化付与手段で変化された磁界のいずれの変化方
向に対しても均一な抵抗値の変化範囲を動作領域として
設定され、変化された磁界を検出して異なる波高値の複
数の出力を発生する磁気検出手段とを備え、磁界変化付
与手段の変位方向を含む面と平行方向に磁気検出手段の
中心と磁界発生手段の中心とをずらすようにしたので、
磁気検出手段の特性のばらつきや温度係数のばらつきに
影響されることなく、磁界変化付与手段の所定位置（角
度）に対応した出力を正確に得ることができ、以て、検
出精度を向上できるという効果がある。
【００５３】請求項２記載の発明によれば、請求項１の
発明において、磁界発生手段を複数の磁石で構成し、且
つ磁気検出手段を上記複数の磁石にそれぞれ対応して設
けられた複数の巨大磁気抵抗素子で構成し、複数の巨大
磁気抵抗素子の感磁面中心をそれぞれ複数の磁石の磁極
中心とずらして配置すると共に、複数の巨大磁気抵抗素
子を磁界変化付与手段に対して相互に異なる位置に配置
したので、巨大磁気抵抗素子の特性のばらつきや温度係
数のばらつきに影響されることなく、磁界変化付与手段
の所定位置（角度）に対応した出力を正確に得ることが
でき、以て、検出精度を向上できるという効果がある。
【００５４】請求項３記載の発明によれば、請求項１の
発明において、磁界発生手段を単一の磁石で構成し、且
つ磁気検出手段を上記磁石に対応して設けられた巨大磁
気抵抗素子で構成し、巨大磁気抵抗素子はその感磁面に
異なる波高値の複数の出力に対応して配置された複数の
磁気抵抗パターンを有し、この複数の磁気抵抗パターン
の内波高値の大きな方の出力を発生する磁気抵抗パター
ンを抵抗値の変化が最も大きな位置に配置したので、巨
大磁気抵抗素子の特性のばらつきや温度係数のばらつき
に影響されることなく、磁界変化付与手段の所定位置
（角度）に対応した出力を正確に得ることができ、以
て、検出精度を向上でき、しかも巨大磁気抵抗素子とこ
れに磁界を与える磁石の組み合わせを１組とすることが
できるので、構成が簡単で小型化が可能になるという効
果がある。
【００５５】請求項４記載の発明によれば、請求項２ま
たは３の発明において、巨大磁気抵抗素子を用いてブリ
ッジ回路を構成し、このブリッジ回路の一辺の巨大磁気
抵抗素子への印加磁界極性と、もう一辺の巨大磁気抵抗
素子への印加磁界極性を異なるようにしたので、磁界変
化付与手段の所定位置（角度）に対応した出力を正確に
得ることができ、また、同相出力の交点を検出している
ため、外来ノイズ等にも強くなり、検出精度が向上する
という効果がある。
【００５６】請求項５記載の発明によれば、請求項４の
発明において、ブリッジ回路を構成する各辺の巨大磁気
抵抗素子の出力特性の交点を検出する手段を備えたの
で、ブリッジ回路の後段における比較動作の際に基準と
なる比較レベルが不要となり、巨大磁気抵抗素子の特性
のばらつきや温度係数のばらつきに影響されることな
く、磁界変化付与手段の所定位置（角度）に対応した出
力を正確に得ることができ、以て、検出精度を向上で
き、また、回路構成が簡略化されるという効果がある。
【００５７】請求項６記載の発明によれば、請求項５の
発明において、交点を検出する手段を、ブリッジ回路の
中点電圧を増幅する複数のアンプを有する差動増幅回路
と、複数のアンプの出力を比較する比較回路とで構成し
たので、比較回路における基準となる比較レベルが不要
となり、巨大磁気抵抗素子の特性のばらつきや温度係数
のばらつきに影響されることなく、磁界変化付与手段の
所定位置（角度）に対応した出力を正確に得ることがで
き、以て、検出精度を向上でき、また、回路構成が簡略
化されるという効果がある。
【００５８】請求項７記載の発明によれば、請求項１〜
６のいずれかの発明において、磁界変化付与手段が少な
くとも１つの凹凸を有し、回転軸に同期して磁性体回転
体の凹凸に対応した出力を正確に得ることができ、検出
装置の小型化、低廉化と共に、検出精度を向上できると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明に係る検出装置の実施の形態１を示
す構成図である。
【図２】 この発明に係る検出装置におけるＧＭＲ素子
を用いた検出装置の回路構成を概略的に示すブロック図
である。
【図３】 図２の具体的回路構成の一例を示す回路図で
ある。
【図４】 この発明に係る検出装置の実施の形態１の動
作説明に供するための波形図である。
【図５】 この発明に係る検出装置の実施の形態２を示
す構成図である。
【図６】 この発明に係る検出装置の実施の形態２にお
けるＧＭＲ素子の磁気抵抗パターンの一例を示す模式図
である。
【図７】 図６の磁気抵抗パターンを拡大して示す模式
図である。
【図８】 この発明に係る検出装置の実施の形態３にお
けるＧＭＲ素子の磁気抵抗パターンの一例を示す模式図
である。
【図９】 ＧＭＲ素子を用いた検出装置を示す構成図で
ある。
【図１０】 ＧＭＲ素子を用いた検出装置の回路構成を
概略的に示すブロック図である。
【図１１】 図１０の具体的回路構成の一例を示す回路
図である。
【図１２】 図１１の動作説明に供するための波形図で
ある。
【図１３】 図９の検出装置の問題点の説明に供するた
めの波形図である
【符号の説明】
１ 回転軸、２，２Ａ 磁性体回転体、３Ａ，３Ｂ，１
０Ａ1，１０Ａ2，１０Ｂ1，１０Ｂ2 ＧＭＲ素子、４，
４Ａ，４Ｂ 磁石、１１Ａ ホイートストンブリッジ回
路、１２Ａ 差動増幅回路、１３ 比較回路、１４ 波
形整形回路。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁界を発生する磁界発生手段と、 上記磁界発生手段と所定の間隙を持って配置され、該磁
    界発生手段によって発生された磁界を変化させる磁界変
    化付与手段と、 該磁界変化付与手段で変化された磁界のいずれの変化方
    向に対しても均一な抵抗値の変化範囲を動作領域として
    設定され、上記変化された磁界を検出して異なる波高値
    の複数の出力を発生する磁気検出手段とを備え、上記磁
    界変化付与手段の変位方向を含む面と平行方向に上記磁
    気検出手段の中心と上記磁界発生手段の中心とをずらす
    ようにしたことを特徴とする検出装置。
  2. 【請求項２】 上記磁界発生手段を複数の磁石で構成
    し、且つ上記磁気検出手段を上記複数の磁石にそれぞれ
    対応して設けられた複数の巨大磁気抵抗素子で構成し、
    上記複数の巨大磁気抵抗素子の感磁面中心をそれぞれ上
    記複数の磁石の磁極中心とずらして配置すると共に、上
    記複数の巨大磁気抵抗素子を上記磁界変化付与手段に対
    して相互に異なる位置に配置したことを特徴とする請求
    項１記載の検出装置。
  3. 【請求項３】 上記磁界発生手段を単一の磁石で構成
    し、且つ上記磁気検出手段を上記磁石に対応して設けら
    れた巨大磁気抵抗素子で構成し、上記巨大磁気抵抗素子
    はその感磁面に上記異なる波高値の複数の出力に対応し
    て配置された複数の磁気抵抗パターンを有し、該複数の
    磁気抵抗パターンの内波高値の大きな方の出力を発生す
    る磁気抵抗パターンを抵抗値の変化が最も大きな位置に
    配置したことを特徴とする請求項１記載の検出装置。
  4. 【請求項４】 上記巨大磁気抵抗素子を用いてブリッジ
    回路を構成し、該ブリッジ回路の一辺の巨大磁気抵抗素
    子への印加磁界極性と、もう一辺の巨大磁気抵抗素子へ
    の印加磁界極性を異なるようにしたことを特徴とする請
    求項２または３記載の検出装置。
  5. 【請求項５】 上記ブリッジ回路を構成する各辺の巨大
    磁気抵抗素子の出力特性の交点を検出する手段を備えた
    ことを特徴とする請求項４記載の検出装置。
  6. 【請求項６】 上記交点を検出する手段を、上記ブリッ
    ジ回路の中点電圧を増幅する複数のアンプを有する差動
    増幅回路と、上記複数のアンプの出力を比較する比較回
    路とで構成したことを特徴とする請求項５記載の検出装
    置。
  7. 【請求項７】 上記磁界変化付与手段が少なくとも１つ
    の凹凸を有し、回転軸に同期して回転する磁性体回転体
    であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載
    の検出装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005300369A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転数センサ
JP2007303891A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Denso Corp 磁気センサ

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6393912B2 (en) * 1998-08-14 2002-05-28 Mts Systems Corporation Electromagnetic method of the angular displacement monitoring
AU6268599A (en) * 1998-09-28 2000-04-17 Seagate Technology Llc Quad-layer gmr sandwich
JP3609645B2 (ja) * 1999-03-11 2005-01-12 株式会社東海理化電機製作所 回転検出センサ
JP3562993B2 (ja) * 1999-04-13 2004-09-08 三菱電機株式会社 磁気検出装置
JP2001124589A (ja) * 1999-10-22 2001-05-11 Asahi Optical Co Ltd 磁気式エンコーダを搭載した測量機
JP3550107B2 (ja) * 2001-05-30 2004-08-04 三菱電機株式会社 回転角度検出装置
DE10340065A1 (de) * 2003-08-28 2005-04-07 Lenord, Bauer & Co. Gmbh Verfahren und Winkelgeber zur Messung der absoluten Winkelposition
JP5314428B2 (ja) * 2005-12-23 2013-10-16 ジーコデール システムズ アクチボラゲット 測位用パターン
US8587297B2 (en) * 2007-12-04 2013-11-19 Infineon Technologies Ag Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material
US9823090B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a target object
US20110187359A1 (en) * 2008-05-30 2011-08-04 Tobias Werth Bias field generation for a magneto sensor
US8174256B2 (en) * 2008-05-30 2012-05-08 Infineon Technologies Ag Methods and systems for magnetic field sensing
US8058870B2 (en) * 2008-05-30 2011-11-15 Infineon Technologies Ag Methods and systems for magnetic sensing
US8610430B2 (en) 2008-05-30 2013-12-17 Infineon Technologies Ag Bias field generation for a magneto sensor
KR101654662B1 (ko) 2012-08-31 2016-09-07 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 자기 저항 센서, 그레디오미터
US9547050B2 (en) * 2012-10-04 2017-01-17 Apple Inc. Method and apparatus for detecting direction of a magnetic field
US10145908B2 (en) 2013-07-19 2018-12-04 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field
US10495699B2 (en) 2013-07-19 2019-12-03 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having an integrated coil or magnet to detect a non-ferromagnetic target
US9810519B2 (en) * 2013-07-19 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as tooth detectors
EA201690632A1 (ru) * 2013-09-25 2016-07-29 Уильям Марш Райс Юниверсити Системы электронного парамагнитного резонанса для оборудования по обеспечению потоков и для каротажа
US10712403B2 (en) 2014-10-31 2020-07-14 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US9720054B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and electronic circuit that pass amplifier current through a magnetoresistance element
US9719806B2 (en) 2014-10-31 2017-08-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing a movement of a ferromagnetic target object
US9823092B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
US10114085B2 (en) * 2016-03-04 2018-10-30 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with improved response immunity
US10260905B2 (en) 2016-06-08 2019-04-16 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors to cancel offset variations
US10041810B2 (en) 2016-06-08 2018-08-07 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for magnetic field sensors that act as movement detectors
US10324141B2 (en) 2017-05-26 2019-06-18 Allegro Microsystems, Llc Packages for coil actuated position sensors
US10837943B2 (en) 2017-05-26 2020-11-17 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with error calculation
US11428755B2 (en) 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
US10310028B2 (en) 2017-05-26 2019-06-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor
US10996289B2 (en) 2017-05-26 2021-05-04 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated position sensor with reflected magnetic field
US10641842B2 (en) 2017-05-26 2020-05-05 Allegro Microsystems, Llc Targets for coil actuated position sensors
JP7001513B2 (ja) * 2018-03-22 2022-01-19 株式会社東海理化電機製作所 磁気センサ
US11255700B2 (en) 2018-08-06 2022-02-22 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor
US10605874B2 (en) 2018-08-06 2020-03-31 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with magnetoresistance elements having varying sensitivity
US10823586B2 (en) 2018-12-26 2020-11-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements
US11061084B2 (en) 2019-03-07 2021-07-13 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deflectable substrate
US10955306B2 (en) 2019-04-22 2021-03-23 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated pressure sensor and deformable substrate
US11280637B2 (en) 2019-11-14 2022-03-22 Allegro Microsystems, Llc High performance magnetic angle sensor
US11237020B2 (en) 2019-11-14 2022-02-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet
US11262422B2 (en) 2020-05-08 2022-03-01 Allegro Microsystems, Llc Stray-field-immune coil-activated position sensor
US11493361B2 (en) 2021-02-26 2022-11-08 Allegro Microsystems, Llc Stray field immune coil-activated sensor
US11578997B1 (en) 2021-08-24 2023-02-14 Allegro Microsystems, Llc Angle sensor using eddy currents

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4039936A (en) * 1976-04-05 1977-08-02 International Business Machines Corporation Interleaved magnetoresistive displacement transducers
DE3438120A1 (de) * 1984-10-18 1986-04-24 Gebhard Balluff Fabrik feinmechanischer Erzeugnisse GmbH & Co, 7303 Neuhausen Stoerfeldfester naeherungsschalter
DE3632624C1 (de) * 1986-09-25 1988-03-10 Balluff Gebhard Feinmech Stoerfeldunempfindlicher Naeherungsschalter
JPH0278913A (ja) 1988-09-14 1990-03-19 Tdk Corp 磁気センサ
US5038130A (en) * 1990-11-06 1991-08-06 Santa Barbara Research Center System for sensing changes in a magnetic field
US5341097A (en) * 1992-09-29 1994-08-23 Honeywell Inc. Asymmetrical magnetic position detector
US5477143A (en) 1994-01-11 1995-12-19 Honeywell Inc. Sensor with magnetoresistors disposed on a plane which is parallel to and displaced from the magnetic axis of a permanent magnet
DE4427495C2 (de) 1994-08-03 2000-04-13 Siemens Ag Sensoreinrichtung mit einem GMR-Sensorelement
US5500589A (en) 1995-01-18 1996-03-19 Honeywell Inc. Method for calibrating a sensor by moving a magnet while monitoring an output signal from a magnetically sensitive component
US5744950A (en) * 1996-05-09 1998-04-28 Ssi Technologies, Inc. Apparatus for detecting the speed of a rotating element including signal conditioning to provide a fifty percent duty cycle
JPH09329461A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Mitsubishi Electric Corp 検出装置
JPH09329463A (ja) 1996-06-10 1997-12-22 Mitsubishi Electric Corp 検出装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005300369A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回転数センサ
JP2007303891A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Denso Corp 磁気センサ
JP4577263B2 (ja) * 2006-05-09 2010-11-10 株式会社デンソー 磁気センサ

Also Published As

Publication number Publication date
DE19732616A1 (de) 1998-08-20
US6169396B1 (en) 2001-01-02
DE19732616C2 (de) 2003-06-12

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