JPH09329463A - 検出装置 - Google Patents
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- JPH09329463A JPH09329463A JP8147556A JP14755696A JPH09329463A JP H09329463 A JPH09329463 A JP H09329463A JP 8147556 A JP8147556 A JP 8147556A JP 14755696 A JP14755696 A JP 14755696A JP H09329463 A JPH09329463 A JP H09329463A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
- G01D5/147—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the movement of a third element, the position of Hall device and the source of magnetic field being fixed in respect to each other
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検出装置に電源が供給された瞬間から磁性体
移動体の例えば凹凸のような所定の位置（角度）に対応
した信号が正確に得られる検出装置を得る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（４）と、磁石
（４）と所定の間隙を持って配置され、この磁石（４）
によって発生された磁界を変化させる磁性体回転体
（２）と、この磁性体回転体（２）で変化された磁界に
応じて抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子（１０）と、
この巨大磁気抵抗素子（１０）の出力信号に基づいて磁
性体回転体（２）の移動、並びにこの磁性体回転体
（２）の停止状態における巨大磁気抵抗素子（１０）と
の対向状態を検出する差動増幅回路（１２）等とを備え
る。
移動体の例えば凹凸のような所定の位置（角度）に対応
した信号が正確に得られる検出装置を得る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（４）と、磁石
（４）と所定の間隙を持って配置され、この磁石（４）
によって発生された磁界を変化させる磁性体回転体
（２）と、この磁性体回転体（２）で変化された磁界に
応じて抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子（１０）と、
この巨大磁気抵抗素子（１０）の出力信号に基づいて磁
性体回転体（２）の移動、並びにこの磁性体回転体
（２）の停止状態における巨大磁気抵抗素子（１０）と
の対向状態を検出する差動増幅回路（１２）等とを備え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、印加磁界の変化
を検出する検出装置に関し、特に例えば内燃機関の回転
情報を検出する場合等に用いて好適な検出装置に関する
ものである。
を検出する検出装置に関し、特に例えば内燃機関の回転
情報を検出する場合等に用いて好適な検出装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子と
いう）は、強磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ
等）薄膜の磁化方向と電流方向のなす角度によって抵抗
値が変化する素子である。このＭＲ素子は、電流方向と
磁化方向とが直角に交わるときに抵抗値は最小になり、
０度すなわち電流方向と磁化方向とが同一あるいは全く
逆方向になるとき抵抗値が最大になる。この抵抗値の変
化をＭＲ効果またはＭＲ変化率と呼び、一般にＮｉ−Ｆ
ｅで２〜３％、Ｎｉ−Ｃｏで５〜６％である。
いう）は、強磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ
等）薄膜の磁化方向と電流方向のなす角度によって抵抗
値が変化する素子である。このＭＲ素子は、電流方向と
磁化方向とが直角に交わるときに抵抗値は最小になり、
０度すなわち電流方向と磁化方向とが同一あるいは全く
逆方向になるとき抵抗値が最大になる。この抵抗値の変
化をＭＲ効果またはＭＲ変化率と呼び、一般にＮｉ−Ｆ
ｅで２〜３％、Ｎｉ−Ｃｏで５〜６％である。
【０００３】図３２は従来の検出装置を示す構成図であ
り、図３２の（ａ）はその側面図、図３２の（ｂ）はそ
の斜視図である。この検出装置は、回転軸１と、少なく
とも１つ以上の凹凸を有し、回転軸１と同期して回転す
る磁性体回転体２と、この磁性体回転体２と所定の間隙
を持って配置されたＭＲ素子３と、ＭＲ素子３に磁界を
与える磁石４とからなり、ＭＲ素子３は、磁気抵抗パタ
ーン３ａと、薄膜面（感磁面）３ｂとを有する。そこ
で、磁性体回転体２が回転することでＭＲ素子３の感磁
面３ｂの磁界が変化し、磁気抵抗パターン３ａの抵抗値
が変化する。
り、図３２の（ａ）はその側面図、図３２の（ｂ）はそ
の斜視図である。この検出装置は、回転軸１と、少なく
とも１つ以上の凹凸を有し、回転軸１と同期して回転す
る磁性体回転体２と、この磁性体回転体２と所定の間隙
を持って配置されたＭＲ素子３と、ＭＲ素子３に磁界を
与える磁石４とからなり、ＭＲ素子３は、磁気抵抗パタ
ーン３ａと、薄膜面（感磁面）３ｂとを有する。そこ
で、磁性体回転体２が回転することでＭＲ素子３の感磁
面３ｂの磁界が変化し、磁気抵抗パターン３ａの抵抗値
が変化する。
【０００４】図３３は上述のＭＲ素子を用いた従来の検
出装置を示すブロック図である。この検出装置は、磁性
体回転体２と所定の間隙を持って配置され、磁石４より
磁界が与えられるＭＲ素子を用いたホイートストンブリ
ッジ回路１１と、このホイートストンブリッジ回路１１
の出力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅回
路１２の出力と基準値ＶT1，ＶT2と比較して“Ｏ”また
は“１”の信号を出力する比較回路１３と、この比較回
路１３の出力を保持する保持回路３０と、この保持回路
３０の出力を更に波形整形して立ち上がり、立ち下がり
の急峻な“Ｏ”または“１”の信号を出力端子１５に出
力する波形整形回路１４とを備える。
出装置を示すブロック図である。この検出装置は、磁性
体回転体２と所定の間隙を持って配置され、磁石４より
磁界が与えられるＭＲ素子を用いたホイートストンブリ
ッジ回路１１と、このホイートストンブリッジ回路１１
の出力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅回
路１２の出力と基準値ＶT1，ＶT2と比較して“Ｏ”また
は“１”の信号を出力する比較回路１３と、この比較回
路１３の出力を保持する保持回路３０と、この保持回路
３０の出力を更に波形整形して立ち上がり、立ち下がり
の急峻な“Ｏ”または“１”の信号を出力端子１５に出
力する波形整形回路１４とを備える。
【０００５】次に、動作について、図３４を参照して説
明する。磁性体回転体２が回転することで、図３４の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１を構成する各ＭＲ素子に磁界変化が与えら
れる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応して各Ｍ
Ｒ素子の感磁面に磁界の変化が発生し、ホイートストン
ブリッジ回路１１の中点電圧も同様に変化する。
明する。磁性体回転体２が回転することで、図３４の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１を構成する各ＭＲ素子に磁界変化が与えら
れる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応して各Ｍ
Ｒ素子の感磁面に磁界の変化が発生し、ホイートストン
ブリッジ回路１１の中点電圧も同様に変化する。
【０００６】そして、この中点電圧の差が差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、図３４の（ｂ）
に示すような、図３４の（ａ）に示す磁性体回転体２の
凹凸に対応した出力が得られる。この差動増幅回路１２
の出力が比較回路１３で基準値ＶT1，ＶT2と比較されて
“Ｏ”または“１”の信号に変換され、一旦保持回路３
０で保持され、この信号は更に波形整形回路１４で波形
整形され、この結果、その出力側即ち出力端子１５には
図３４の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、立ち下が
りの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られる。
１２により増幅され、その出力側には、図３４の（ｂ）
に示すような、図３４の（ａ）に示す磁性体回転体２の
凹凸に対応した出力が得られる。この差動増幅回路１２
の出力が比較回路１３で基準値ＶT1，ＶT2と比較されて
“Ｏ”または“１”の信号に変換され、一旦保持回路３
０で保持され、この信号は更に波形整形回路１４で波形
整形され、この結果、その出力側即ち出力端子１５には
図３４の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、立ち下が
りの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の検出
装置は、以上のように構成されているので、以下のよう
な問題点があった。即ち、従来の検出装置で用いている
ＭＲ素子は、図３５に示すように印加磁界の変化による
抵抗値変化にヒステリシスは存在しないため、図３４に
示すように磁性体回転体の凹凸の検出においては凹凸の
エッジにおいて出力が変化し、凹部と凸部では同じ出力
となるため凹凸のエッジ検出と保持回路が必要になる。
また、凹部と凸部で出力に差がないため、検出装置に電
源が供給された瞬間から磁性体回転体の凹凸に対応する
正確な信号を得ること（以下、パワーオン機能という）
は不可能である。このように、従来の検出装置は、磁性
体回転体の凹凸に対応した信号が得られず、また、パワ
ーオン機能が得られないという問題点があった。
装置は、以上のように構成されているので、以下のよう
な問題点があった。即ち、従来の検出装置で用いている
ＭＲ素子は、図３５に示すように印加磁界の変化による
抵抗値変化にヒステリシスは存在しないため、図３４に
示すように磁性体回転体の凹凸の検出においては凹凸の
エッジにおいて出力が変化し、凹部と凸部では同じ出力
となるため凹凸のエッジ検出と保持回路が必要になる。
また、凹部と凸部で出力に差がないため、検出装置に電
源が供給された瞬間から磁性体回転体の凹凸に対応する
正確な信号を得ること（以下、パワーオン機能という）
は不可能である。このように、従来の検出装置は、磁性
体回転体の凹凸に対応した信号が得られず、また、パワ
ーオン機能が得られないという問題点があった。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、磁性体移動体の例えば凹凸の
ような所定の位置（角度）に対応した信号が正確に得ら
れ、また、パワーオン機能が得られる検出装置を提供す
ることを目的とする。
るためになされたもので、磁性体移動体の例えば凹凸の
ような所定の位置（角度）に対応した信号が正確に得ら
れ、また、パワーオン機能が得られる検出装置を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発
生手段と所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手
段によって発生された磁界を変化させる磁界変化付与手
段と、この磁界変化付与手段で変化された磁界を検出す
る磁気検出素子と、この磁気検出素子の出力信号に基づ
いて磁界変化付与手段の変位、並びにこの磁界変化付与
手段の停止状態における磁気検出素子との対向状態を検
出する検出手段とを備えたものである。
る検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発
生手段と所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手
段によって発生された磁界を変化させる磁界変化付与手
段と、この磁界変化付与手段で変化された磁界を検出す
る磁気検出素子と、この磁気検出素子の出力信号に基づ
いて磁界変化付与手段の変位、並びにこの磁界変化付与
手段の停止状態における磁気検出素子との対向状態を検
出する検出手段とを備えたものである。
【００１０】請求項２記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、磁気検出素子として、磁界変化
付与手段で変化された磁界のいずれの変化方向に対して
も均一な抵抗値の変化範囲とならないように動作領域を
設定され、上記変化された磁界を検出する巨大磁気抵抗
素子を用いるものである。
求項１の発明において、磁気検出素子として、磁界変化
付与手段で変化された磁界のいずれの変化方向に対して
も均一な抵抗値の変化範囲とならないように動作領域を
設定され、上記変化された磁界を検出する巨大磁気抵抗
素子を用いるものである。
【００１１】請求項３記載の発明に係る検出装置は、請
求項２の発明において、磁界変化付与手段の変位方向を
含む面と平行方向に巨大磁気抵抗素子の感磁面中心と磁
界発生手段の中心とをずらすようにしたものである。
求項２の発明において、磁界変化付与手段の変位方向を
含む面と平行方向に巨大磁気抵抗素子の感磁面中心と磁
界発生手段の中心とをずらすようにしたものである。
【００１２】請求項４記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、磁気検出素子の出力信号を交流
結合処理する処理手段を備えたものである。
求項１の発明において、磁気検出素子の出力信号を交流
結合処理する処理手段を備えたものである。
【００１３】請求項５記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、検出手段として該磁気検出素子
の出力信号に基づいて磁界変化付与手段の変位を検出す
る第１の検出手段および磁界変化付与手段の停止状態に
おける磁気検出素子との対向状態を検出する第２の検出
手段を備え、さらに、記磁気検出素子を少なくとも１辺
に用いたブリッジ回路を備え、このブリッジ回路の出力
に基づいて第１の検出手段を作動し、ブリッジ回路の全
体の抵抗値に基づいて第２の検出手段を作動するもので
ある。
求項１の発明において、検出手段として該磁気検出素子
の出力信号に基づいて磁界変化付与手段の変位を検出す
る第１の検出手段および磁界変化付与手段の停止状態に
おける磁気検出素子との対向状態を検出する第２の検出
手段を備え、さらに、記磁気検出素子を少なくとも１辺
に用いたブリッジ回路を備え、このブリッジ回路の出力
に基づいて第１の検出手段を作動し、ブリッジ回路の全
体の抵抗値に基づいて第２の検出手段を作動するもので
ある。
【００１４】請求項６記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、検出手段として磁気検出素子の
出力信号に基づいて磁界変化付与手段の変位を検出する
第１の検出手段および磁界変化付与手段の停止状態にお
ける磁気検出素子との対向状態を検出する第２の検出手
段を備え、さらに、磁気検出素子として第１の磁気検出
素子と第２の磁気検出素子を備え、第１の磁気検出素子
の出力に基づいて第１の検出手段を作動し、第２の磁気
検出素子の出力に基づいて第２の検出手段を作動するも
のである。
求項１の発明において、検出手段として磁気検出素子の
出力信号に基づいて磁界変化付与手段の変位を検出する
第１の検出手段および磁界変化付与手段の停止状態にお
ける磁気検出素子との対向状態を検出する第２の検出手
段を備え、さらに、磁気検出素子として第１の磁気検出
素子と第２の磁気検出素子を備え、第１の磁気検出素子
の出力に基づいて第１の検出手段を作動し、第２の磁気
検出素子の出力に基づいて第２の検出手段を作動するも
のである。
【００１５】請求項７記載の発明に係る検出装置は、請
求項１または２の発明において、磁界変化付与手段を少
なくとも１つの凹凸を有する磁性体移動体で構成したも
のである。
求項１または２の発明において、磁界変化付与手段を少
なくとも１つの凹凸を有する磁性体移動体で構成したも
のである。
【００１６】請求項８記載の発明に係る検出装置は、請
求項１または２の発明において、磁界発生手段と磁界変
化付与手段を少なくとも１つの磁極を有する磁性体移動
体で構成し、磁界を発生し、且つ変化させるようにした
ものである。
求項１または２の発明において、磁界発生手段と磁界変
化付与手段を少なくとも１つの磁極を有する磁性体移動
体で構成し、磁界を発生し、且つ変化させるようにした
ものである。
【００１７】請求項９記載の発明に係る検出装置は、請
求項７または８の発明において、磁性体移動体は、回転
軸に同期して回転する磁性体回転体であるものである。
求項７または８の発明において、磁性体移動体は、回転
軸に同期して回転する磁性体回転体であるものである。
【００１８】請求項１０記載の発明に係る検出装置は、
請求項９の発明において、少なくとも磁気検出素子を含
む検出装置本体を備え、磁性体回転体を内燃機関のクラ
ンク軸またはカム軸に装着し、磁性体回転体が磁気検出
素子に対向するように検出装置本体を内燃機関の近傍に
配置したものである。
請求項９の発明において、少なくとも磁気検出素子を含
む検出装置本体を備え、磁性体回転体を内燃機関のクラ
ンク軸またはカム軸に装着し、磁性体回転体が磁気検出
素子に対向するように検出装置本体を内燃機関の近傍に
配置したものである。
【００１９】請求項１１記載の発明に係る検出装置は、
請求項１０の発明において、磁性体回転体に対して検出
装置本体を回転軸方向に配置したものである。
請求項１０の発明において、磁性体回転体に対して検出
装置本体を回転軸方向に配置したものである。
【００２０】請求項１２記載の発明に係る検出装置は、
請求項１１の発明において、検出装置本体は、少なくと
も磁気検出素子を内蔵するハウジングを備え、磁性体回
転体を、ハウジングの側面に形成された空間部にこの磁
性体回転体の少なくとも周辺部が磁気検出素子と対向し
て位置するように配置したものである。
請求項１１の発明において、検出装置本体は、少なくと
も磁気検出素子を内蔵するハウジングを備え、磁性体回
転体を、ハウジングの側面に形成された空間部にこの磁
性体回転体の少なくとも周辺部が磁気検出素子と対向し
て位置するように配置したものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る検出装置の
一実施の形態を図について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図であり、図１の（ａ）はその側面図、図１の（ｂ）
はその斜視図である。この検出装置は、回転軸１と、少
なくとも１つ以上の凹凸を具備し、回転軸１と同期して
回転する磁界変化付与手段としての磁性体回転体２と、
この磁性体回転体２と所定の間隙を持って配置された磁
気検出素子例えば巨大磁気抵抗素子（以下、ＧＭＲ素子
と云う）１０と、ＧＭＲ素子１０に磁界を与える磁界発
生手段としての磁石４とからなり、ＧＭＲ素子１０は、
感磁パターンとしての磁気抵抗パターン１０ａと、薄膜
面（感磁面）１０ｂとを有する。そこで、磁性体回転体
２が回転することで、ＧＭＲ素子１０の感磁面１０ｂの
磁界が変化し、磁気抵抗パターン１０ａの抵抗値が変化
する。
一実施の形態を図について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図であり、図１の（ａ）はその側面図、図１の（ｂ）
はその斜視図である。この検出装置は、回転軸１と、少
なくとも１つ以上の凹凸を具備し、回転軸１と同期して
回転する磁界変化付与手段としての磁性体回転体２と、
この磁性体回転体２と所定の間隙を持って配置された磁
気検出素子例えば巨大磁気抵抗素子（以下、ＧＭＲ素子
と云う）１０と、ＧＭＲ素子１０に磁界を与える磁界発
生手段としての磁石４とからなり、ＧＭＲ素子１０は、
感磁パターンとしての磁気抵抗パターン１０ａと、薄膜
面（感磁面）１０ｂとを有する。そこで、磁性体回転体
２が回転することで、ＧＭＲ素子１０の感磁面１０ｂの
磁界が変化し、磁気抵抗パターン１０ａの抵抗値が変化
する。
【００２２】ここで、ＧＭＲ素子１０は、例えば日本応
用磁気学会誌Vol.15,No.51991,p813〜821の「人工格子
の磁気抵抗効果」と題する論文に記載されている数オン
グストロームから数十オングストロームの厚さの磁性層
と非磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工
格子膜であり、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ、（パーマロイ／Ｃｕ
／Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ、（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎが知られており、
これは、上述のＭＲ素子と比較して格段に大きなＭＲ効
果（ＭＲ変化率）を有すると共に、隣り合った磁性層の
磁化の向きの相対角度にのみ依存するので、外部磁界の
向きが電流に対してどのような角度差をもっていても同
じ抵抗値の変化が得られるいわゆる面内感磁の素子であ
る。
用磁気学会誌Vol.15,No.51991,p813〜821の「人工格子
の磁気抵抗効果」と題する論文に記載されている数オン
グストロームから数十オングストロームの厚さの磁性層
と非磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工
格子膜であり、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ、（パーマロイ／Ｃｕ
／Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ、（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎが知られており、
これは、上述のＭＲ素子と比較して格段に大きなＭＲ効
果（ＭＲ変化率）を有すると共に、隣り合った磁性層の
磁化の向きの相対角度にのみ依存するので、外部磁界の
向きが電流に対してどのような角度差をもっていても同
じ抵抗値の変化が得られるいわゆる面内感磁の素子であ
る。
【００２３】そこで、磁界の変化を検出するためにＧＭ
Ｒ素子１０で実質的に感磁面を形成し、その感磁面の各
端に電極を形成してブリッジ回路を形成し、このブリッ
ジ回路の対向する２つの電極間に定電圧、定電流の電源
を接続し、ＧＭＲ素子１０の抵抗値変化を電圧変化に変
換して、このＧＭＲ素子１０に作用している磁界変化を
検出することが考えられる。また、ここで、図４に示す
ように、数オングストロームから数十オングストローム
の厚さの磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設定する
ことで、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシ
スを持たせたＧＭＲ素子１０を得ることができる。因
に、図４においては、一例として、Ｃｏ層が１５オング
ストローム、Ｃｕ層が９オングストロームの積層体から
なるヒステリシス特性を有しないＧＭＲ素子を、Ｃｏ層
が１５オングストローム、Ｃｕ層が２２オングストロー
ムの積層体からなるＧＭＲ素子とすることにより、印加
磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持たせた
ものである。
Ｒ素子１０で実質的に感磁面を形成し、その感磁面の各
端に電極を形成してブリッジ回路を形成し、このブリッ
ジ回路の対向する２つの電極間に定電圧、定電流の電源
を接続し、ＧＭＲ素子１０の抵抗値変化を電圧変化に変
換して、このＧＭＲ素子１０に作用している磁界変化を
検出することが考えられる。また、ここで、図４に示す
ように、数オングストロームから数十オングストローム
の厚さの磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設定する
ことで、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシ
スを持たせたＧＭＲ素子１０を得ることができる。因
に、図４においては、一例として、Ｃｏ層が１５オング
ストローム、Ｃｕ層が９オングストロームの積層体から
なるヒステリシス特性を有しないＧＭＲ素子を、Ｃｏ層
が１５オングストローム、Ｃｕ層が２２オングストロー
ムの積層体からなるＧＭＲ素子とすることにより、印加
磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持たせた
ものである。
【００２４】図２は上述のヒステリシス特性を有するＧ
ＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図である。こ
の検出装置は、磁性体回転体２と所定の間隙を持って配
置され、磁石４より磁界が与えられるＧＭＲ素子を用い
たホイートストンブリッジ回路１１Ａと、このホイート
ストンブリッジ回路１１Ａの出力を増幅する差動増幅回
路１２と、この差動増幅回路１２の出力を基準値と比較
して“Ｏ”または“１”の信号を出力する比較回路１３
と、この比較回路１３の出力を更に波形整形して立ち上
がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の信号を
出力端子１５に出力する波形整形回路１４とを備える。
ホイートストンブリッジ回路１１Ａ、差動増幅回路１
２、比較回路１３および波形整形回路１４は検出手段を
構成する。
ＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図である。こ
の検出装置は、磁性体回転体２と所定の間隙を持って配
置され、磁石４より磁界が与えられるＧＭＲ素子を用い
たホイートストンブリッジ回路１１Ａと、このホイート
ストンブリッジ回路１１Ａの出力を増幅する差動増幅回
路１２と、この差動増幅回路１２の出力を基準値と比較
して“Ｏ”または“１”の信号を出力する比較回路１３
と、この比較回路１３の出力を更に波形整形して立ち上
がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の信号を
出力端子１５に出力する波形整形回路１４とを備える。
ホイートストンブリッジ回路１１Ａ、差動増幅回路１
２、比較回路１３および波形整形回路１４は検出手段を
構成する。
【００２５】図３は図２のブロック図の具体的回路構成
の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回路１
１Ａは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，１０
Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａと１
０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して電源
端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの各一
端は共通接続され、接続点１７を介して接地され、ＧＭ
Ｒ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続さ
れ、ＧＭＲ素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９に
接続される。
の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回路１
１Ａは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，１０
Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａと１
０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して電源
端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの各一
端は共通接続され、接続点１７を介して接地され、ＧＭ
Ｒ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続さ
れ、ＧＭＲ素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９に
接続される。
【００２６】そして、ホイートストンブリッジ回路１１
Ａの接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のア
ンプ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵
抗器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され
ると共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回
路に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、比
較回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の
非反転入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続さ
れると共に抵抗器を介して自己の出力端子に接続され
る。比較回路１３の出力側は、波形整形回路１４のトラ
ンジスタ１４ａのベースに接続され、そのコレクタは出
力端子１５に接続されると共に抵抗器を介して電源端子
Ｖccに接続され、そのエミッタは接地される。
Ａの接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のア
ンプ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵
抗器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され
ると共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回
路に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、比
較回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の
非反転入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続さ
れると共に抵抗器を介して自己の出力端子に接続され
る。比較回路１３の出力側は、波形整形回路１４のトラ
ンジスタ１４ａのベースに接続され、そのコレクタは出
力端子１５に接続されると共に抵抗器を介して電源端子
Ｖccに接続され、そのエミッタは接地される。
【００２７】次に、動作について、図５を参照して説明
する。磁性体回転体２が回転することで、図５の（ａ）
に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリッジ回
路１１Ａを構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄには同じ
磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０ＣにはＧ
ＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄとは異なる磁界変化が与えられ
るようになる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応
してＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０Ｂ、１０Ｃの感磁
面に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つのＧＭ
Ｒ素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得られ、その抵抗
値も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０
Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最少となる位置が逆とな
り、ホイートストンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、
１９の中点電圧も同様に変化する。
する。磁性体回転体２が回転することで、図５の（ａ）
に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリッジ回
路１１Ａを構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄには同じ
磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０ＣにはＧ
ＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄとは異なる磁界変化が与えられ
るようになる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応
してＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０Ｂ、１０Ｃの感磁
面に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つのＧＭ
Ｒ素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得られ、その抵抗
値も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０
Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最少となる位置が逆とな
り、ホイートストンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、
１９の中点電圧も同様に変化する。
【００２８】ここで、図４の印加磁界の変化による抵抗
値変化にヒステリシスを持ったＧＭＲ素子と出力の関係
を見ると、例えば磁性体回転体２の凸部がＧＭＲ素子１
０Ａに対向すると磁界がＧＭＲ素子１０Ａの感磁面に対
して垂直となる（磁界強度が小さくなる）のでその抵抗
値はＲ1であるが、逆に磁性体回転体２の凹部がＧＭＲ
素子１０Ａに対向するとＧＭＲ素子１０Ａの感磁面に対
してある角度を持つようになる（磁界強度が大きくな
る）のでその抵抗値はＲ0（＜Ｒ1）となる。
値変化にヒステリシスを持ったＧＭＲ素子と出力の関係
を見ると、例えば磁性体回転体２の凸部がＧＭＲ素子１
０Ａに対向すると磁界がＧＭＲ素子１０Ａの感磁面に対
して垂直となる（磁界強度が小さくなる）のでその抵抗
値はＲ1であるが、逆に磁性体回転体２の凹部がＧＭＲ
素子１０Ａに対向するとＧＭＲ素子１０Ａの感磁面に対
してある角度を持つようになる（磁界強度が大きくな
る）のでその抵抗値はＲ0（＜Ｒ1）となる。
【００２９】同様に、例えば磁性体回転体２の凸部がＧ
ＭＲ素子１０Ｂに対向すると磁界がＧＭＲ素子１０Ｂの
感磁面に対して垂直となる（磁界強度が小さくなる）の
でその抵抗値はＲ1-1であるが、逆に磁性体回転体２の
凹部がＧＭＲ素子１０Ｂに対向するとＧＭＲ素子１０Ｂ
の感磁面に対してある角度を持つようになる（磁界強度
が大きくなる）のでその抵抗値はＲ0-1（＜Ｒ1-1）とな
る。他のＧＭＲ素子１０Ｃ，１０Ｄについても同様に考
えることができる。従って、このようにＧＭＲ素子でホ
イートストンブリッジ回路１１を構成することで、その
接続点１８、１９の中点電圧ＶNは、図４に示すように
磁性体回転体２の凹部と凸部でホイートストンブリッジ
回路１１Ａの出力に差が生じる。
ＭＲ素子１０Ｂに対向すると磁界がＧＭＲ素子１０Ｂの
感磁面に対して垂直となる（磁界強度が小さくなる）の
でその抵抗値はＲ1-1であるが、逆に磁性体回転体２の
凹部がＧＭＲ素子１０Ｂに対向するとＧＭＲ素子１０Ｂ
の感磁面に対してある角度を持つようになる（磁界強度
が大きくなる）のでその抵抗値はＲ0-1（＜Ｒ1-1）とな
る。他のＧＭＲ素子１０Ｃ，１０Ｄについても同様に考
えることができる。従って、このようにＧＭＲ素子でホ
イートストンブリッジ回路１１を構成することで、その
接続点１８、１９の中点電圧ＶNは、図４に示すように
磁性体回転体２の凹部と凸部でホイートストンブリッジ
回路１１Ａの出力に差が生じる。
【００３０】そして、この中点電圧の差が差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、図５の（ｂ）に
示すような、図５の（ａ）に示す磁性体回転体２の凹凸
に対応した出力、つまり、実質的に一つのＧＭＲ素子の
４倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出力
は，比較回路１３に供給されてその比較レベルである基
準値ＶT3（ＶT1，ＶT2相当）と比較されて“Ｏ”または
“１”の信号に変換され、この信号は更に波形整形回路
１４で波形整形され、この結果、その出力側即ち出力端
子１５には図５の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、
立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られ
る。ここで、比較回路１３は磁性体回転体２の凹凸に対
応した差動増幅回路１２の出力のエッジに関係すること
なく、実質的にその瞬時値と基準値ＶT3を比較すること
ができ、このため、差動増幅回路１２の出力は、電源投
入時、磁性体回転体２の凹凸に確実に対応しているの
で、パワーオン機能が得られることになる。なお、ここ
では、ＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回路を構成
するとしたが、同様のブリッジ回路構成であれば同じ効
果を得ることができる。
１２により増幅され、その出力側には、図５の（ｂ）に
示すような、図５の（ａ）に示す磁性体回転体２の凹凸
に対応した出力、つまり、実質的に一つのＧＭＲ素子の
４倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出力
は，比較回路１３に供給されてその比較レベルである基
準値ＶT3（ＶT1，ＶT2相当）と比較されて“Ｏ”または
“１”の信号に変換され、この信号は更に波形整形回路
１４で波形整形され、この結果、その出力側即ち出力端
子１５には図５の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、
立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られ
る。ここで、比較回路１３は磁性体回転体２の凹凸に対
応した差動増幅回路１２の出力のエッジに関係すること
なく、実質的にその瞬時値と基準値ＶT3を比較すること
ができ、このため、差動増幅回路１２の出力は、電源投
入時、磁性体回転体２の凹凸に確実に対応しているの
で、パワーオン機能が得られることになる。なお、ここ
では、ＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回路を構成
するとしたが、同様のブリッジ回路構成であれば同じ効
果を得ることができる。
【００３１】このように、本実施の形態では、ＧＭＲ素
子の積層をなす磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設
定することで、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒス
テリシスを持たせたＧＭＲ素子を得ることができる。こ
のＧＭＲ素子のヒステリシスによって磁性体回転体の凹
部と凸部でホイートストンブリッジ回路の出力に差が生
じるため、検出装置に電源が供給された瞬間から磁性体
回転体の凹凸に対応した出力を得ることが可能となり、
パワーオン機能を安定して得られるようになる。また、
磁性体回転体の凹凸の検出においては実質的に差動増幅
回路の出力の瞬時値を検出しているので凹凸のエッジ検
出と保持回路が不要になる。
子の積層をなす磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設
定することで、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒス
テリシスを持たせたＧＭＲ素子を得ることができる。こ
のＧＭＲ素子のヒステリシスによって磁性体回転体の凹
部と凸部でホイートストンブリッジ回路の出力に差が生
じるため、検出装置に電源が供給された瞬間から磁性体
回転体の凹凸に対応した出力を得ることが可能となり、
パワーオン機能を安定して得られるようになる。また、
磁性体回転体の凹凸の検出においては実質的に差動増幅
回路の出力の瞬時値を検出しているので凹凸のエッジ検
出と保持回路が不要になる。
【００３２】実施の形態２．図６はこの発明の実施の形
態２を示す構成図であり、図６の（ａ）はその側面図、
図６の（ｂ）はその平面図である。実施の形態１では、
印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持っ
たＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回路を構成する
場合であったが、本実施の形態では、ＧＭＲ素子の感磁
面中心と磁石の中心とを一致させないでずらして配置
し、図７に示すように、実質的にヒステリシスの大きな
位置を動作させるものである。従って、本実施の形態で
は、図６（ｂ）に示すように、ＧＭＲ素子１０の感磁面
１０ｂ中心と磁石４の中心とを一致させないで、磁性体
回転体２の例えば回転方向と逆方向に所定量Ｌ1だけず
らして配置する。このＬ1の値はＧＭＲ素子の大きさに
もよるが、例えば0.1〜10mm程度の範囲の内から任意の
値を選択してよい。その他の構成は、図１の場合と同様
である。また、本実施の形態で用いられるブロック図お
よびその具体的回路構成も、図２および図３の場合と同
様であるので、その記載を省略する。
態２を示す構成図であり、図６の（ａ）はその側面図、
図６の（ｂ）はその平面図である。実施の形態１では、
印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持っ
たＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回路を構成する
場合であったが、本実施の形態では、ＧＭＲ素子の感磁
面中心と磁石の中心とを一致させないでずらして配置
し、図７に示すように、実質的にヒステリシスの大きな
位置を動作させるものである。従って、本実施の形態で
は、図６（ｂ）に示すように、ＧＭＲ素子１０の感磁面
１０ｂ中心と磁石４の中心とを一致させないで、磁性体
回転体２の例えば回転方向と逆方向に所定量Ｌ1だけず
らして配置する。このＬ1の値はＧＭＲ素子の大きさに
もよるが、例えば0.1〜10mm程度の範囲の内から任意の
値を選択してよい。その他の構成は、図１の場合と同様
である。また、本実施の形態で用いられるブロック図お
よびその具体的回路構成も、図２および図３の場合と同
様であるので、その記載を省略する。
【００３３】次に、動作について、図８を参照して説明
する。磁性体回転体２が回転することで、図８の（ａ）
に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリッジ回
路１１Ａを構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄには同じ
磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０ＣにはＧ
ＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄとは異なる磁界変化が与えられ
るようになる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応
してＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０Ｂ、１０Ｃの感磁
面に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つのＧＭ
Ｒ素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得られ、その抵抗
値も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０
Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最少となる位置が逆とな
り、ホイートストンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、
１９の中点電圧も同様に変化する。
する。磁性体回転体２が回転することで、図８の（ａ）
に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリッジ回
路１１Ａを構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄには同じ
磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０ＣにはＧ
ＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄとは異なる磁界変化が与えられ
るようになる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応
してＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０Ｂ、１０Ｃの感磁
面に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つのＧＭ
Ｒ素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得られ、その抵抗
値も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０
Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最少となる位置が逆とな
り、ホイートストンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、
１９の中点電圧も同様に変化する。
【００３４】ここで、図７の印加磁界の変化による抵抗
値変化にヒステリシスを持ったＧＭＲ素子と出力の関係
を見ると、ＧＭＲ素子１０Ａ〜１０Ｄの動作は基本的に
図４で説明した場合と同様であるが、ＧＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｄの抵抗値の変化範囲と、ＧＭＲ素子１０Ｃと１
０Ｂの抵抗値の変化範囲とは図７に示すような関係とな
る。従って、ＧＭＲ素子の感磁面中心と磁石の中心とを
一致させないでずらして配置することで、ホイートスト
ンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、１９の中点電圧Ｖ
N1（＞ＶN）は、図７に示すように磁性体回転体２の凹
部と凸部でホイートストンブリッジ回路１１Ａの出力に
さらに大きな差を生じる。
値変化にヒステリシスを持ったＧＭＲ素子と出力の関係
を見ると、ＧＭＲ素子１０Ａ〜１０Ｄの動作は基本的に
図４で説明した場合と同様であるが、ＧＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｄの抵抗値の変化範囲と、ＧＭＲ素子１０Ｃと１
０Ｂの抵抗値の変化範囲とは図７に示すような関係とな
る。従って、ＧＭＲ素子の感磁面中心と磁石の中心とを
一致させないでずらして配置することで、ホイートスト
ンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、１９の中点電圧Ｖ
N1（＞ＶN）は、図７に示すように磁性体回転体２の凹
部と凸部でホイートストンブリッジ回路１１Ａの出力に
さらに大きな差を生じる。
【００３５】そして、この中点電圧の差が差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、図８の（ｂ）に
示すような、図８の（ａ）に示す磁性体回転体２の凹凸
に対応した出力、つまり、実質的に一つのＧＭＲ素子の
４倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出力
は，比較回路１３に供給されてその比較レベルである基
準値ＶT3（ＶT1，ＶT2相当）と比較されて“Ｏ”または
“１”の信号に変換され、この信号は更に波形整形回路
１４で波形整形され、この結果、その出力側即ち出力端
子１５には図８の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、
立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られ
る。
１２により増幅され、その出力側には、図８の（ｂ）に
示すような、図８の（ａ）に示す磁性体回転体２の凹凸
に対応した出力、つまり、実質的に一つのＧＭＲ素子の
４倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出力
は，比較回路１３に供給されてその比較レベルである基
準値ＶT3（ＶT1，ＶT2相当）と比較されて“Ｏ”または
“１”の信号に変換され、この信号は更に波形整形回路
１４で波形整形され、この結果、その出力側即ち出力端
子１５には図８の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、
立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られ
る。
【００３６】ここで、比較回路１３は磁性体回転体２の
凹凸に対応した差動増幅回路１２の出力のエッジに関係
することなく、実質的にその瞬時値と基準値ＶT3を比較
することができ、このため、差動増幅回路１２の出力
は、電源投入時、磁性体回転体２の凹凸に確実に対応し
ているので、パワーオン機能が得られることになる。な
お、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回
路を構成するとしたが、同様のブリッジ回路構成であれ
ば同じ効果を得ることができる。
凹凸に対応した差動増幅回路１２の出力のエッジに関係
することなく、実質的にその瞬時値と基準値ＶT3を比較
することができ、このため、差動増幅回路１２の出力
は、電源投入時、磁性体回転体２の凹凸に確実に対応し
ているので、パワーオン機能が得られることになる。な
お、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回
路を構成するとしたが、同様のブリッジ回路構成であれ
ば同じ効果を得ることができる。
【００３７】このように、本実施の形態では、ＧＭＲ素
子の積層をなす磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設
定し、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシス
を持たせたＧＭＲ素子を、その感磁面中心と磁石の中心
とを一致させないでずらして配置して、ヒステリシスの
大きな位置を動作させることにより、ＧＭＲ素子のヒス
テリシスによって磁性体回転体の凹部と凸部でホイート
ストンブリッジ回路の出力に大きな差を生じさせること
ができ、検出装置に電源が供給された瞬間から磁性体回
転体の凹凸に対応した出力を得ることが可能となり、パ
ワーオン機能を安定して得られるようになる。また、磁
性体回転体の凹凸の検出においては実質的に差動増幅回
路の出力の瞬時値を検出しているので凹凸のエッジ検出
と保持回路が不要になる。また、レベルの大きな検出出
力が得られるので、より検出精度が向上し、外来ノイズ
等にも強くなり、Ｓ／Ｎ比等が改善される。
子の積層をなす磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設
定し、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシス
を持たせたＧＭＲ素子を、その感磁面中心と磁石の中心
とを一致させないでずらして配置して、ヒステリシスの
大きな位置を動作させることにより、ＧＭＲ素子のヒス
テリシスによって磁性体回転体の凹部と凸部でホイート
ストンブリッジ回路の出力に大きな差を生じさせること
ができ、検出装置に電源が供給された瞬間から磁性体回
転体の凹凸に対応した出力を得ることが可能となり、パ
ワーオン機能を安定して得られるようになる。また、磁
性体回転体の凹凸の検出においては実質的に差動増幅回
路の出力の瞬時値を検出しているので凹凸のエッジ検出
と保持回路が不要になる。また、レベルの大きな検出出
力が得られるので、より検出精度が向上し、外来ノイズ
等にも強くなり、Ｓ／Ｎ比等が改善される。
【００３８】実施の形態３．図９はこの発明の実施の形
態３を示す構成図であり、図９の（ａ）はその側面図、
図９の（ｂ）はその平面図である。実施の形態２では、
印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持っ
たＧＭＲ素子の感磁面中心と磁石の中心とを一致させな
いでずらして配置する場合に、そのずらす方向を磁性体
回転体の回転方向と逆方向にずらした場合であったが、
本実施の形態では、これとは逆に磁性体回転体の回転方
向にずらし、図１０に示すように、実質的にヒステリシ
スの大きな位置を動作させるものである。
態３を示す構成図であり、図９の（ａ）はその側面図、
図９の（ｂ）はその平面図である。実施の形態２では、
印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持っ
たＧＭＲ素子の感磁面中心と磁石の中心とを一致させな
いでずらして配置する場合に、そのずらす方向を磁性体
回転体の回転方向と逆方向にずらした場合であったが、
本実施の形態では、これとは逆に磁性体回転体の回転方
向にずらし、図１０に示すように、実質的にヒステリシ
スの大きな位置を動作させるものである。
【００３９】従って、本実施の形態では、図９（ｂ）に
示すように、ＧＭＲ素子１０の感磁面１０ｂ中心と磁石
４の中心とを一致させないで、磁性体回転体２の例えば
回転方向に所定量Ｌ2だけずらして配置する。このＬ2の
値はＧＭＲ素子の大きさにもよるが、例えば0.1〜10mm
程度の範囲の内から任意の値を選択してよい。その他の
構成は、図１および図６の場合と同様である。また、本
実施の形態で用いられるブロック図およびその具体的回
路構成も、図２および図３の場合と同様であるので、そ
の記載を省略する。また、その動作も、図１０と図７の
特性の対比からも分かるように、ＧＭＲ素子１０Ａ、１
０ＤとＧＭＲ素子１０Ｃ、１０Ｂの抵抗値の変化範囲が
逆になっている以外は同じであるので、その説明を省略
する。
示すように、ＧＭＲ素子１０の感磁面１０ｂ中心と磁石
４の中心とを一致させないで、磁性体回転体２の例えば
回転方向に所定量Ｌ2だけずらして配置する。このＬ2の
値はＧＭＲ素子の大きさにもよるが、例えば0.1〜10mm
程度の範囲の内から任意の値を選択してよい。その他の
構成は、図１および図６の場合と同様である。また、本
実施の形態で用いられるブロック図およびその具体的回
路構成も、図２および図３の場合と同様であるので、そ
の記載を省略する。また、その動作も、図１０と図７の
特性の対比からも分かるように、ＧＭＲ素子１０Ａ、１
０ＤとＧＭＲ素子１０Ｃ、１０Ｂの抵抗値の変化範囲が
逆になっている以外は同じであるので、その説明を省略
する。
【００４０】このように、本実施の形態では、ＧＭＲ素
子の積層をなす磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設
定し、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシス
を持たせたＧＭＲ素子を、その感磁面中心と磁石の中心
とを一致させないでずらして配置して、ヒステリシスの
大きな位置を動作させることにより、ＧＭＲ素子のヒス
テリシスによって磁性体回転体の凹部と凸部でホイート
ストンブリッジ回路の出力に大きな差を生じさせること
ができ、検出装置に電源が供給された瞬間から磁性体回
転体の凹凸に対応した出力を得ることが可能となり、パ
ワーオン機能を安定して得られるようになる。また、磁
性体回転体の凹凸の検出においては実質的に差動増幅回
路の出力の瞬時値を検出しているので凹凸のエッジ検出
と保持回路が不要になる。また、レベルの大きな検出出
力が得られるので、より検出精度が向上し、外来ノイズ
等にも強くなり、Ｓ／Ｎ比等が改善される。
子の積層をなす磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設
定し、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシス
を持たせたＧＭＲ素子を、その感磁面中心と磁石の中心
とを一致させないでずらして配置して、ヒステリシスの
大きな位置を動作させることにより、ＧＭＲ素子のヒス
テリシスによって磁性体回転体の凹部と凸部でホイート
ストンブリッジ回路の出力に大きな差を生じさせること
ができ、検出装置に電源が供給された瞬間から磁性体回
転体の凹凸に対応した出力を得ることが可能となり、パ
ワーオン機能を安定して得られるようになる。また、磁
性体回転体の凹凸の検出においては実質的に差動増幅回
路の出力の瞬時値を検出しているので凹凸のエッジ検出
と保持回路が不要になる。また、レベルの大きな検出出
力が得られるので、より検出精度が向上し、外来ノイズ
等にも強くなり、Ｓ／Ｎ比等が改善される。
【００４１】実施の形態４．図１１はこの発明の実施の
形態４を示すブロック図であり、図２と対応する部分に
は同一符号を付し、その詳細説明を省略する。また、本
実施の形態における磁性体回転体とＧＭＲ素子の配置関
係等については、図１の場合と同様であるので、ここで
はその記載を省略している。
形態４を示すブロック図であり、図２と対応する部分に
は同一符号を付し、その詳細説明を省略する。また、本
実施の形態における磁性体回転体とＧＭＲ素子の配置関
係等については、図１の場合と同様であるので、ここで
はその記載を省略している。
【００４２】図１１は上述のＧＭＲ素子を用いた検出装
置を示すブロック図である。この検出装置は、磁性体回
転体２と所定の間隙を持って配置され、磁石４より磁界
が与えられるＧＭＲ素子を用いたホイートストンブリッ
ジ回路１１Ａと、このホイートストンブリッジ回路１１
Ａの出力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅
回路１２の出力の直流分をカットし、交流分のみを出力
する処理手段としての交流結合回路２０と、この交流結
合回路２０の出力を基準値と比較して“Ｏ”または
“１”の信号を出力する比較回路１３と、差動増幅回路
１２の出力に基づいてパワーオン機能を検出するパワー
オン機能検出回路２１と、比較回路１３の出力とパワー
オン機能検出回路２１の出力を切り換えて出力するスイ
ッチ回路２２と、スイッチ回路２２からの出力を波形整
形して立ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または
“１”の信号を出力端子１５に出力する波形整形回路１
４とを備える。ホイートストンブリッジ回路１１Ａ、差
動増幅回路１２、比較回路１３および波形整形回路１４
は第１の検出手段を構成し、ホイートストンブリッジ回
路１１Ａ、差動増幅回路１２およびパワーオン機能検出
回路２１は第２の検出手段を構成する。
置を示すブロック図である。この検出装置は、磁性体回
転体２と所定の間隙を持って配置され、磁石４より磁界
が与えられるＧＭＲ素子を用いたホイートストンブリッ
ジ回路１１Ａと、このホイートストンブリッジ回路１１
Ａの出力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅
回路１２の出力の直流分をカットし、交流分のみを出力
する処理手段としての交流結合回路２０と、この交流結
合回路２０の出力を基準値と比較して“Ｏ”または
“１”の信号を出力する比較回路１３と、差動増幅回路
１２の出力に基づいてパワーオン機能を検出するパワー
オン機能検出回路２１と、比較回路１３の出力とパワー
オン機能検出回路２１の出力を切り換えて出力するスイ
ッチ回路２２と、スイッチ回路２２からの出力を波形整
形して立ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または
“１”の信号を出力端子１５に出力する波形整形回路１
４とを備える。ホイートストンブリッジ回路１１Ａ、差
動増幅回路１２、比較回路１３および波形整形回路１４
は第１の検出手段を構成し、ホイートストンブリッジ回
路１１Ａ、差動増幅回路１２およびパワーオン機能検出
回路２１は第２の検出手段を構成する。
【００４３】図１２は図１１のブロック図の具体的回路
構成の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回
路１１Ａは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，
１０Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して
電源端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの
各一端は共通接続され、接続点１７を介して接地され、
ＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続
され、ＧＭＲ素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９
に接続される。
構成の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回
路１１Ａは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，
１０Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して
電源端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの
各一端は共通接続され、接続点１７を介して接地され、
ＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続
され、ＧＭＲ素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９
に接続される。
【００４４】そして、ホイートストンブリッジ回路１１
Ａの接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のア
ンプ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵
抗器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され
ると共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回
路に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、例
えばコンデンサを用いた交流結合回路２０を介して比較
回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非
反転入力端子は基準電源を構成する抵抗器からなる分圧
回路に接続されると共に別な抵抗器を介して自己の出力
端子に接続される。また、差動増幅回路１２のアンプ１
２ａの出力端子はパワーオン機能検出回路２１のアンプ
２１ａの反転入力端子に接続され、アンプ２１ａの非反
転入力端子は電源端子ＶCCとグランド間に接続された分
圧抵抗器２１ｂおよび２１ｃの接続点に接続される。
Ａの接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のア
ンプ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵
抗器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され
ると共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回
路に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、例
えばコンデンサを用いた交流結合回路２０を介して比較
回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非
反転入力端子は基準電源を構成する抵抗器からなる分圧
回路に接続されると共に別な抵抗器を介して自己の出力
端子に接続される。また、差動増幅回路１２のアンプ１
２ａの出力端子はパワーオン機能検出回路２１のアンプ
２１ａの反転入力端子に接続され、アンプ２１ａの非反
転入力端子は電源端子ＶCCとグランド間に接続された分
圧抵抗器２１ｂおよび２１ｃの接続点に接続される。
【００４５】比較回路１３の出力端子はスイッチ回路２
２の固定端子ａに接続され、パワーオン機能検出回路２
１の出力端子はスイッチ回路２２の固定端子ｂに接続さ
れる。スイッチ回路２２の可動端子ｃは波形整形回路１
４のトランジスタ１４ａのベースに接続され、そのコレ
クタは出力端子１５に接続されると共に抵抗器を介して
電源端子Ｖccに接続され、そのエミッタは接地される。
なお、スイッチ回路２２は、電源投入時即ちパワーオン
機能検出時は固定端子ｂ側に接続され、これより所定時
間後は自動的に固定端子ａ側に切り換わるようになされ
ている。
２の固定端子ａに接続され、パワーオン機能検出回路２
１の出力端子はスイッチ回路２２の固定端子ｂに接続さ
れる。スイッチ回路２２の可動端子ｃは波形整形回路１
４のトランジスタ１４ａのベースに接続され、そのコレ
クタは出力端子１５に接続されると共に抵抗器を介して
電源端子Ｖccに接続され、そのエミッタは接地される。
なお、スイッチ回路２２は、電源投入時即ちパワーオン
機能検出時は固定端子ｂ側に接続され、これより所定時
間後は自動的に固定端子ａ側に切り換わるようになされ
ている。
【００４６】次に、動作について、図１３を参照して説
明する。磁性体回転体２が回転することで、図１３の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１Ａを構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄに
は同じ磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｃ
にはＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄとは異なる磁界変化が与
えられるようになる。この結果、磁性体回転体２の凹凸
に対応してＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０Ｂ、１０Ｃ
の感磁面に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つ
のＧＭＲ素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得られ、そ
の抵抗値も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄ
と１０Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最少となる位置が逆
となり、ホイートストンブリッジ回路１１Ａの接続点１
８、１９の中点電圧も同様に変化する。
明する。磁性体回転体２が回転することで、図１３の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１Ａを構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄに
は同じ磁界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｃ
にはＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄとは異なる磁界変化が与
えられるようになる。この結果、磁性体回転体２の凹凸
に対応してＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０Ｂ、１０Ｃ
の感磁面に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つ
のＧＭＲ素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得られ、そ
の抵抗値も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄ
と１０Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最少となる位置が逆
となり、ホイートストンブリッジ回路１１Ａの接続点１
８、１９の中点電圧も同様に変化する。
【００４７】そして、この中点電圧の差が差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、図１３の（ｂ）
に示すような、図１３の（ａ）に示す磁性体回転体２の
凹凸に対応した出力ＶD0、つまり、実質的に一つのＧＭ
Ｒ素子の４倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２
の出力は、電源投入時はパワーオン機能検出回路２１の
アンプ２１ａの反転入力端子に供給され、その非反転入
力端子に分圧抵抗器２１ｂおよび２１ｃより与えられる
基準値（比較レベル）ＶTOを比較される。そして、パワ
ーオン機能検出回路２１は差動増幅回路１２の出力のレ
ベルが基準値ＶTOを越えると、図１３の（ｃ）に示すよ
うな出力ＶPOを発生する。この出力ＶPOはスイッチ回路
２２の固定端子ｂ側を通って波形整形回路１４に供給さ
れ、ここで波形整形されて出力端子１５に出力される。
これにより、検出装置に電源が供給された瞬間から磁性
体回転体２の凹凸に対応する正確な信号を得ることがで
きる。
１２により増幅され、その出力側には、図１３の（ｂ）
に示すような、図１３の（ａ）に示す磁性体回転体２の
凹凸に対応した出力ＶD0、つまり、実質的に一つのＧＭ
Ｒ素子の４倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２
の出力は、電源投入時はパワーオン機能検出回路２１の
アンプ２１ａの反転入力端子に供給され、その非反転入
力端子に分圧抵抗器２１ｂおよび２１ｃより与えられる
基準値（比較レベル）ＶTOを比較される。そして、パワ
ーオン機能検出回路２１は差動増幅回路１２の出力のレ
ベルが基準値ＶTOを越えると、図１３の（ｃ）に示すよ
うな出力ＶPOを発生する。この出力ＶPOはスイッチ回路
２２の固定端子ｂ側を通って波形整形回路１４に供給さ
れ、ここで波形整形されて出力端子１５に出力される。
これにより、検出装置に電源が供給された瞬間から磁性
体回転体２の凹凸に対応する正確な信号を得ることがで
きる。
【００４８】さて、電源投入時即ちパワーオン機能検出
時から所定時間後はスイッチ回路２２が固定端子ａ側を
切り換わるので、差動増幅回路１２の出力ＶDOは交流結
合回路２０で直流分（オフセット分）がカットされ、図
１３の（ｅ）に示すように、その交流分のみを含む出力
ＶA0が得られる。ここで、Ｖ3は交流結合回路２０の基
準電位で実質的に０Ｖである。この交流結合回路２０の
ＶA0は比較回路１３に供給されてその比較レベルである
基準値ＶT1，ＶT2と比較されて“Ｏ”または“１”の信
号に変換され、この信号はスイッチ回路２２の固定端子
ａ側を通って更に波形整形回路１４に供給され、ここで
波形整形され、この結果、その出力側即ち出力端子１５
には図１３の（ｄ）に示すようにその立ち上がり、立ち
下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られる。
なお、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ
回路を構成するとしたが、同様のブリッジ回路構成であ
れば同じ効果を得ることができる。
時から所定時間後はスイッチ回路２２が固定端子ａ側を
切り換わるので、差動増幅回路１２の出力ＶDOは交流結
合回路２０で直流分（オフセット分）がカットされ、図
１３の（ｅ）に示すように、その交流分のみを含む出力
ＶA0が得られる。ここで、Ｖ3は交流結合回路２０の基
準電位で実質的に０Ｖである。この交流結合回路２０の
ＶA0は比較回路１３に供給されてその比較レベルである
基準値ＶT1，ＶT2と比較されて“Ｏ”または“１”の信
号に変換され、この信号はスイッチ回路２２の固定端子
ａ側を通って更に波形整形回路１４に供給され、ここで
波形整形され、この結果、その出力側即ち出力端子１５
には図１３の（ｄ）に示すようにその立ち上がり、立ち
下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られる。
なお、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ
回路を構成するとしたが、同様のブリッジ回路構成であ
れば同じ効果を得ることができる。
【００４９】このように、本実施の形態では、ＧＭＲ素
子で構成したホイートストンブリッジ回路の差動出力を
増幅する差動増幅回路の出力と比較回路を交流結合回路
にて接続することであらゆる温度範囲において磁性体回
転体の凹凸に対応した信号を正確に得ることができ、さ
らに、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシス
を持ったＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回路を構
成し、パワーオン機能の検出時には、交流結合回路の入
力信号にてパワーオン機能検出回路において信号を処
理、出力することで、検出装置に電源が供給された瞬間
から磁性体回転体の凹凸に対応した出力を得ることが可
能となり、パワーオン機能を安定して得られるようにな
る。また、磁性体回転体の凹凸の検出においては実質的
に差動増幅回路の出力の瞬時値を検出しているので凹凸
のエッジ検出と保持回路が不要になる。なお、さらに安
定してパワーオン機能を得るために、ＧＭＲ素子の感磁
面中心と磁石の中心とを一致させないでずらして配置
し、磁性体回転体の凹凸でのホイートストンブリッジ回
路の出力差をさらに大きく得るようにして、ヒステリシ
スの大きな位置を動作させるようにしてもよい。
子で構成したホイートストンブリッジ回路の差動出力を
増幅する差動増幅回路の出力と比較回路を交流結合回路
にて接続することであらゆる温度範囲において磁性体回
転体の凹凸に対応した信号を正確に得ることができ、さ
らに、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステリシス
を持ったＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回路を構
成し、パワーオン機能の検出時には、交流結合回路の入
力信号にてパワーオン機能検出回路において信号を処
理、出力することで、検出装置に電源が供給された瞬間
から磁性体回転体の凹凸に対応した出力を得ることが可
能となり、パワーオン機能を安定して得られるようにな
る。また、磁性体回転体の凹凸の検出においては実質的
に差動増幅回路の出力の瞬時値を検出しているので凹凸
のエッジ検出と保持回路が不要になる。なお、さらに安
定してパワーオン機能を得るために、ＧＭＲ素子の感磁
面中心と磁石の中心とを一致させないでずらして配置
し、磁性体回転体の凹凸でのホイートストンブリッジ回
路の出力差をさらに大きく得るようにして、ヒステリシ
スの大きな位置を動作させるようにしてもよい。
【００５０】実施の形態５．図１４はこの発明の実施の
形態５を示すブロック図であり、図１１と対応する部分
には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。また、
本実施の形態における磁性体回転体とＧＭＲ素子の配置
関係等については、図１の場合と同様であるので、ここ
ではその記載を省略している。但し、本実施の形態で使
用されるＧＭＲ素子は、実施の形態１〜４で用いられた
ヒステリシス特性を有するＧＭＲ素子と異なり、ヒステ
リシス特性を有しない通常のＧＭＲ素子である。
形態５を示すブロック図であり、図１１と対応する部分
には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。また、
本実施の形態における磁性体回転体とＧＭＲ素子の配置
関係等については、図１の場合と同様であるので、ここ
ではその記載を省略している。但し、本実施の形態で使
用されるＧＭＲ素子は、実施の形態１〜４で用いられた
ヒステリシス特性を有するＧＭＲ素子と異なり、ヒステ
リシス特性を有しない通常のＧＭＲ素子である。
【００５１】上記実施の形態４では、印加磁界の変化に
よる抵抗値変化にヒステリシスを持ったＧＭＲ素子でホ
イートストンブリッジ回路を構成して交流結合処理前の
信号でパワーオン機能を、交流結合を行った信号で検出
装置に電源が供給された瞬間以後の回転体の凹凸に対応
した信号を得る場合であったが、本実施の形態では上述
のヒステリシスを持ったＧＭＲ素子以外でパワーオン機
能を得るために、磁性体回転体の凹凸による磁界変化を
検出するＧＭＲ素子と直列に固定抵抗を接続し、パワー
オン機能検出時のみこの固定抵抗によってＧＭＲ素子の
抵抗値を検出するものである。
よる抵抗値変化にヒステリシスを持ったＧＭＲ素子でホ
イートストンブリッジ回路を構成して交流結合処理前の
信号でパワーオン機能を、交流結合を行った信号で検出
装置に電源が供給された瞬間以後の回転体の凹凸に対応
した信号を得る場合であったが、本実施の形態では上述
のヒステリシスを持ったＧＭＲ素子以外でパワーオン機
能を得るために、磁性体回転体の凹凸による磁界変化を
検出するＧＭＲ素子と直列に固定抵抗を接続し、パワー
オン機能検出時のみこの固定抵抗によってＧＭＲ素子の
抵抗値を検出するものである。
【００５２】図１４はヒステリシス特性を有しない通常
のＧＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図であ
る。この検出装置は、磁性体回転体２と所定の間隙を持
って配置され、磁石４より磁界が与えられるヒステリシ
ス特性を有しない通常のＧＭＲ素子を用いたホイートス
トンブリッジ回路１１Ｂと、このホイートストンブリッ
ジ回路１１Ｂの出力を増幅する差動増幅回路１２と、こ
の差動増幅回路１２の出力の直流分をカットし、交流分
のみを出力する交流結合回路２０と、この交流結合回路
２０の出力を基準値と比較して“Ｏ”または“１”の信
号を出力する比較回路１３と、ホイートストンブリッジ
回路１１Ｂの中点電圧に基づいてパワーオン機能を検出
するパワーオン機能検出回路２１Ａと、比較回路１３の
出力とパワーオン機能検出回路２１Ａの出力を切り換え
て出力するスイッチ回路２２と、スイッチ回路２２から
の出力を波形整形して立ち上がり、立ち下がりの急峻な
“Ｏ”または“１”の信号を出力端子１５に出力する波
形整形回路１４とを備える。ホイートストンブリッジ回
路１１Ｂ、差動増幅回路１２、比較回路１３および波形
整形回路１４は第１の検出手段を構成し、ホイートスト
ンブリッジ回路１１Ｂおよびパワーオン機能検出回路２
１Ａは第２の検出手段を構成する。
のＧＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図であ
る。この検出装置は、磁性体回転体２と所定の間隙を持
って配置され、磁石４より磁界が与えられるヒステリシ
ス特性を有しない通常のＧＭＲ素子を用いたホイートス
トンブリッジ回路１１Ｂと、このホイートストンブリッ
ジ回路１１Ｂの出力を増幅する差動増幅回路１２と、こ
の差動増幅回路１２の出力の直流分をカットし、交流分
のみを出力する交流結合回路２０と、この交流結合回路
２０の出力を基準値と比較して“Ｏ”または“１”の信
号を出力する比較回路１３と、ホイートストンブリッジ
回路１１Ｂの中点電圧に基づいてパワーオン機能を検出
するパワーオン機能検出回路２１Ａと、比較回路１３の
出力とパワーオン機能検出回路２１Ａの出力を切り換え
て出力するスイッチ回路２２と、スイッチ回路２２から
の出力を波形整形して立ち上がり、立ち下がりの急峻な
“Ｏ”または“１”の信号を出力端子１５に出力する波
形整形回路１４とを備える。ホイートストンブリッジ回
路１１Ｂ、差動増幅回路１２、比較回路１３および波形
整形回路１４は第１の検出手段を構成し、ホイートスト
ンブリッジ回路１１Ｂおよびパワーオン機能検出回路２
１Ａは第２の検出手段を構成する。
【００５３】図１５は図１４のブロック図の具体的回路
構成の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回
路１１Ｂは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，
１０Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して
電源端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの
各一端は共通接続され、接続点１７を介してパワーオン
機能検出回路２１Ａに接続され、ＧＭＲ素子１０Ａと１
０Ｂの各他端は接続点１８に接続され、ＧＭＲ素子１０
Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９に接続される。
構成の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回
路１１Ｂは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，
１０Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して
電源端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの
各一端は共通接続され、接続点１７を介してパワーオン
機能検出回路２１Ａに接続され、ＧＭＲ素子１０Ａと１
０Ｂの各他端は接続点１８に接続され、ＧＭＲ素子１０
Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９に接続される。
【００５４】そして、ホイートストンブリッジ回路１１
Ｂの接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のア
ンプ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵
抗器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され
ると共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回
路に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、例
えばコンデンサを用いた交流結合回路２０を介して比較
回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非
反転入力端子は基準電源を構成する抵抗器からなる分圧
回路に接続されると共に別な抵抗器を介して自己の出力
端子に接続される。
Ｂの接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のア
ンプ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵
抗器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され
ると共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回
路に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、例
えばコンデンサを用いた交流結合回路２０を介して比較
回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非
反転入力端子は基準電源を構成する抵抗器からなる分圧
回路に接続されると共に別な抵抗器を介して自己の出力
端子に接続される。
【００５５】また、パワーオン機能検出回路２１Ａのア
ンプ２１ａの反転入力端子はホイートストンブリッジ回
路１１Ｂの接続点１７とグランド間に接続されたパワー
オン機能検出用固定抵抗である抵抗器２１ｄの一端に接
続され、アンプ２１ａの非反転入力端子は電源端子ＶCC
とグランド間に接続された分圧抵抗器２１ｂおよび２１
ｃの接続点に接続される。そして、抵抗器２１ｄと並列
にスイッチ２１ｅが接続される。なお、スイッチ２１ｅ
は、電源投入時即ちパワーオン機能検出時はオフとさ
れ、これより所定時間後は自動的にオンするようになさ
れている。比較回路２３の出力端子はスイッチ回路２２
の固定端子ａに接続され、パワーオン機能検出回路２１
Ａの出力端子はスイッチ回路２２の固定端子ｂに接続さ
れる。スイッチ回路２２の可動端子ｃは波形整形回路１
４のトランジスタ１４ａのベースに接続され、そのコレ
クタは出力端子１５に接続されると共に抵抗器を介して
電源端子Ｖccに接続され、そのエミッタは接地される。
なお、スイッチ回路２２は、電源投入時即ちパワーオン
機能検出時は固定端子ｂ側に接続され、これより所定時
間後は自動的に固定端子ａ側に切り換わるようになされ
ている。
ンプ２１ａの反転入力端子はホイートストンブリッジ回
路１１Ｂの接続点１７とグランド間に接続されたパワー
オン機能検出用固定抵抗である抵抗器２１ｄの一端に接
続され、アンプ２１ａの非反転入力端子は電源端子ＶCC
とグランド間に接続された分圧抵抗器２１ｂおよび２１
ｃの接続点に接続される。そして、抵抗器２１ｄと並列
にスイッチ２１ｅが接続される。なお、スイッチ２１ｅ
は、電源投入時即ちパワーオン機能検出時はオフとさ
れ、これより所定時間後は自動的にオンするようになさ
れている。比較回路２３の出力端子はスイッチ回路２２
の固定端子ａに接続され、パワーオン機能検出回路２１
Ａの出力端子はスイッチ回路２２の固定端子ｂに接続さ
れる。スイッチ回路２２の可動端子ｃは波形整形回路１
４のトランジスタ１４ａのベースに接続され、そのコレ
クタは出力端子１５に接続されると共に抵抗器を介して
電源端子Ｖccに接続され、そのエミッタは接地される。
なお、スイッチ回路２２は、電源投入時即ちパワーオン
機能検出時は固定端子ｂ側に接続され、これより所定時
間後は自動的に固定端子ａ側に切り換わるようになされ
ている。
【００５６】次に、動作について説明する。なお、電源
投入時即ちパワーオン機能検出時以外の動作について
は、図１２の場合と同様であるので、その説明を省略す
る。いま、検出装置に電源が供給された瞬間の磁性体回
転体２（図１参照）の凹凸位置に対応してホイートスト
ンブリッジ回路１１Ｂを構成している各ＧＭＲ素子１０
Ａ〜１０Ｄの抵抗値が違っており、全抵抗値に差が生じ
る。例えば、磁性体回転体２の凹部を検出する場合と凸
部を検出する場合でホイートストンブリッジ回路１１Ｂ
の全抵抗値に差が生じており、その抵抗値の差を接続点
１７に直列に接続しているパワーオン機能検出用固定抵
抗である抵抗器２１ｄに生じる電圧値として検出し、こ
れをパワーオン機能検出回路２１Ａのアンプ２１ａの反
転入力端子に供給し、その非反転入力端子に分圧抵抗器
２１ｂおよび２１ｃより与えられる基準値（比較レベ
ル）と比較する。
投入時即ちパワーオン機能検出時以外の動作について
は、図１２の場合と同様であるので、その説明を省略す
る。いま、検出装置に電源が供給された瞬間の磁性体回
転体２（図１参照）の凹凸位置に対応してホイートスト
ンブリッジ回路１１Ｂを構成している各ＧＭＲ素子１０
Ａ〜１０Ｄの抵抗値が違っており、全抵抗値に差が生じ
る。例えば、磁性体回転体２の凹部を検出する場合と凸
部を検出する場合でホイートストンブリッジ回路１１Ｂ
の全抵抗値に差が生じており、その抵抗値の差を接続点
１７に直列に接続しているパワーオン機能検出用固定抵
抗である抵抗器２１ｄに生じる電圧値として検出し、こ
れをパワーオン機能検出回路２１Ａのアンプ２１ａの反
転入力端子に供給し、その非反転入力端子に分圧抵抗器
２１ｂおよび２１ｃより与えられる基準値（比較レベ
ル）と比較する。
【００５７】パワーオン機能検出回路２１Ａは抵抗器２
１ｄの電圧値のレベルが基準値を越えると、これをパワ
ーオン機能検出出力としてスイッチ回路２２の固定端子
ｂを通して波形整形回路１４に供給し、ここで波形整形
して出力端子１５に出力する。これにより、検出装置に
電源が供給された瞬間から磁性体回転体２の凹凸に対応
する正確な信号を得ることができる。そして、パワーオ
ン機能検出後、スイッチ２１ｅをオンしてホイートスト
ンブリッジ回路１１Ｂの接続点１７をグランドに接続
し、スイッチ回路２２は固定端子ａ側に接続すること
で、これ以降は、上述と同様の回路動作で磁性体回転体
２の凹凸に対応した信号を得ることができるようにな
る。なお、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートストンブリ
ッジ回路を構成するとしたが、同様のブリッジ回路構成
であれば同じ効果を得ることができる。
１ｄの電圧値のレベルが基準値を越えると、これをパワ
ーオン機能検出出力としてスイッチ回路２２の固定端子
ｂを通して波形整形回路１４に供給し、ここで波形整形
して出力端子１５に出力する。これにより、検出装置に
電源が供給された瞬間から磁性体回転体２の凹凸に対応
する正確な信号を得ることができる。そして、パワーオ
ン機能検出後、スイッチ２１ｅをオンしてホイートスト
ンブリッジ回路１１Ｂの接続点１７をグランドに接続
し、スイッチ回路２２は固定端子ａ側に接続すること
で、これ以降は、上述と同様の回路動作で磁性体回転体
２の凹凸に対応した信号を得ることができるようにな
る。なお、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートストンブリ
ッジ回路を構成するとしたが、同様のブリッジ回路構成
であれば同じ効果を得ることができる。
【００５８】このように、本実施の形態では、ヒステリ
シスを持ったＧＭＲ素子以外でパワーオン機能を得るた
めに、磁性体回転体の凹凸による磁界変化を検出するＧ
ＭＲ素子と直列に固定抵抗を接続し、パワーオン機能検
出時のみこの固定抵抗によってＧＭＲ素子の抵抗値を検
出し、この抵抗値に対応した電圧値をパワーオン機能検
出回路で検出するようにしたので、検出装置に電源が供
給された瞬間から磁性体回転体の凹凸に対応した出力を
得ることが可能となり、パワーオン機能を安定して得ら
れるようになる。また、磁性体回転体の凹凸の検出にお
いては実質的に差動増幅回路の出力の瞬時値を検出して
いるので凹凸のエッジ検出と保持回路が不要になる。ま
た、ＧＭＲ素子で検出した磁界の変化を交流結合処理す
ることで、ブリッジを構成しているＧＭＲ素子の温度係
数がどのような値であってもあらゆる温度範囲において
磁性体回転体の凹凸に対応した信号を正確に得ることが
できる。なお、ＧＭＲ素子として上述のヒステリシス特
性を有するものを用いてもよく、また、さらに安定して
パワーオン機能を得るために、このＧＭＲ素子の感磁面
中心と磁石の中心とを一致させないでずらして配置し、
磁性体回転体の凹凸でのホイートストンブリッジ回路の
出力差をさらに大きく得るようにして、ヒステリシスの
大きな位置を動作させるようにしてもよい。
シスを持ったＧＭＲ素子以外でパワーオン機能を得るた
めに、磁性体回転体の凹凸による磁界変化を検出するＧ
ＭＲ素子と直列に固定抵抗を接続し、パワーオン機能検
出時のみこの固定抵抗によってＧＭＲ素子の抵抗値を検
出し、この抵抗値に対応した電圧値をパワーオン機能検
出回路で検出するようにしたので、検出装置に電源が供
給された瞬間から磁性体回転体の凹凸に対応した出力を
得ることが可能となり、パワーオン機能を安定して得ら
れるようになる。また、磁性体回転体の凹凸の検出にお
いては実質的に差動増幅回路の出力の瞬時値を検出して
いるので凹凸のエッジ検出と保持回路が不要になる。ま
た、ＧＭＲ素子で検出した磁界の変化を交流結合処理す
ることで、ブリッジを構成しているＧＭＲ素子の温度係
数がどのような値であってもあらゆる温度範囲において
磁性体回転体の凹凸に対応した信号を正確に得ることが
できる。なお、ＧＭＲ素子として上述のヒステリシス特
性を有するものを用いてもよく、また、さらに安定して
パワーオン機能を得るために、このＧＭＲ素子の感磁面
中心と磁石の中心とを一致させないでずらして配置し、
磁性体回転体の凹凸でのホイートストンブリッジ回路の
出力差をさらに大きく得るようにして、ヒステリシスの
大きな位置を動作させるようにしてもよい。
【００５９】実施の形態６．図１６はこの発明の実施の
形態６を示すブロック図であり、図１４と対応する部分
には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。また、
本実施の形態における磁性体回転体とＧＭＲ素子の配置
関係等については、図１の場合と同様であるので、ここ
ではその記載を省略している。但し、本実施の形態でも
使用されるＧＭＲ素子は、実施の形態１〜４で用いられ
たヒステリシス特性を有するＧＭＲ素子と異なり、ヒス
テリシス特性を有しない通常のＧＭＲ素子である。上記
実施の形態５では、磁性体回転体の凹凸による磁界変化
を検出するＧＭＲ素子と直列に固定抵抗を接続し、パワ
ーオン機能検出時のみこの固定抵抗によってＧＭＲ素子
の抵抗値を検出することでパワーオン機能を得る場合で
あったが、本実施の形態では、磁性体回転体の凹凸によ
る磁界変化を検出するＧＭＲ素子とは別にパワーオン機
能検出用に専用のＧＭＲ素子を設け、その素子でパワー
オン機能を得るようにするものである。
形態６を示すブロック図であり、図１４と対応する部分
には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。また、
本実施の形態における磁性体回転体とＧＭＲ素子の配置
関係等については、図１の場合と同様であるので、ここ
ではその記載を省略している。但し、本実施の形態でも
使用されるＧＭＲ素子は、実施の形態１〜４で用いられ
たヒステリシス特性を有するＧＭＲ素子と異なり、ヒス
テリシス特性を有しない通常のＧＭＲ素子である。上記
実施の形態５では、磁性体回転体の凹凸による磁界変化
を検出するＧＭＲ素子と直列に固定抵抗を接続し、パワ
ーオン機能検出時のみこの固定抵抗によってＧＭＲ素子
の抵抗値を検出することでパワーオン機能を得る場合で
あったが、本実施の形態では、磁性体回転体の凹凸によ
る磁界変化を検出するＧＭＲ素子とは別にパワーオン機
能検出用に専用のＧＭＲ素子を設け、その素子でパワー
オン機能を得るようにするものである。
【００６０】図１６はヒステリシス特性を有しない通常
のＧＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図であ
る。この検出装置は、磁性体回転体２と所定の間隙を持
って配置され、磁石４より磁界が与えられるヒステリシ
ス特性を有しない通常のＧＭＲ素子を用いたホイートス
トンブリッジ回路１１Ｂと、このホイートストンブリッ
ジ回路１１Ｂの出力を増幅する差動増幅回路１２と、こ
の差動増幅回路１２の出力の直流分をカットし、交流分
のみを出力する交流結合回路２０と、この交流結合回路
２０の出力を基準値と比較して“Ｏ”または“１”の信
号を出力する比較回路１３と、専用のに設けたＧＭＲ素
子の出力に基づいてパワーオン機能を検出するパワーオ
ン機能検出回路２１Ｂと、比較回路１３の出力とパワー
オン機能検出回路２１Ｂの出力を切り換えて出力するス
イッチ回路２２と、スイッチ回路２２からの出力を波形
整形して立ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または
“１”の信号を出力端子１５に出力する波形整形回路１
４とを備える。ホイートストンブリッジ回路１１Ｂ、差
動増幅回路１２、比較回路１３および波形整形回路１４
は第１の検出手段を構成し、パワーオン機能検出回路２
１Ｂは第２の検出手段を構成する。
のＧＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図であ
る。この検出装置は、磁性体回転体２と所定の間隙を持
って配置され、磁石４より磁界が与えられるヒステリシ
ス特性を有しない通常のＧＭＲ素子を用いたホイートス
トンブリッジ回路１１Ｂと、このホイートストンブリッ
ジ回路１１Ｂの出力を増幅する差動増幅回路１２と、こ
の差動増幅回路１２の出力の直流分をカットし、交流分
のみを出力する交流結合回路２０と、この交流結合回路
２０の出力を基準値と比較して“Ｏ”または“１”の信
号を出力する比較回路１３と、専用のに設けたＧＭＲ素
子の出力に基づいてパワーオン機能を検出するパワーオ
ン機能検出回路２１Ｂと、比較回路１３の出力とパワー
オン機能検出回路２１Ｂの出力を切り換えて出力するス
イッチ回路２２と、スイッチ回路２２からの出力を波形
整形して立ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または
“１”の信号を出力端子１５に出力する波形整形回路１
４とを備える。ホイートストンブリッジ回路１１Ｂ、差
動増幅回路１２、比較回路１３および波形整形回路１４
は第１の検出手段を構成し、パワーオン機能検出回路２
１Ｂは第２の検出手段を構成する。
【００６１】図１７は図１６のブロック図の具体的回路
構成の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回
路１１Ｂは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，
１０Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して
電源端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの
各一端は共通接続され、接続点１７を介して接地され、
ＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続
され、ＧＭＲ素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９
に接続される。
構成の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回
路１１Ｂは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，
１０Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して
電源端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの
各一端は共通接続され、接続点１７を介して接地され、
ＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続
され、ＧＭＲ素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９
に接続される。
【００６２】そして、ホイートストンブリッジ回路１１
Ｂの接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のア
ンプ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵
抗器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され
ると共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回
路に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、例
えばコンデンサを用いた交流結合回路２０を介して比較
回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非
反転入力端子は基準電源を構成する抵抗器からなる分圧
回路に接続されると共に別な抵抗器を介して自己の出力
端子に接続される。
Ｂの接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のア
ンプ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵
抗器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続され
ると共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回
路に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、例
えばコンデンサを用いた交流結合回路２０を介して比較
回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非
反転入力端子は基準電源を構成する抵抗器からなる分圧
回路に接続されると共に別な抵抗器を介して自己の出力
端子に接続される。
【００６３】また、パワーオン機能検出回路２１Ｂのア
ンプ２１ａの反転入力端子は電源端子ＶCCとグランド間
に接続されたパワーオン機能検出用の専用のＧＭＲ素子
２１ｆの一端に接続され、アンプ２１ａの非反転入力端
子は電源端子ＶCCとグランド間に接続された分圧抵抗器
２１ｂおよび２１ｃの接続点に接続される。比較回路２
３の出力端子はスイッチ回路２２の固定端子ａに接続さ
れ、パワーオン機能検出回路２１Ｂの出力端子はスイッ
チ回路２２の固定端子ｂに接続される。スイッチ回路２
２の可動端子ｃは波形整形回路１４のトランジスタ１４
ａのベースに接続され、そのコレクタは出力端子１５に
接続されると共に抵抗器を介して電源端子Ｖccに接続さ
れ、そのエミッタは接地される。ここで、ＧＭＲ素子１
０Ａ〜１０Ｄは第１の磁気検出素子、ＧＭＲ素子２１ｆ
は第２の磁気検出素子を構成する。
ンプ２１ａの反転入力端子は電源端子ＶCCとグランド間
に接続されたパワーオン機能検出用の専用のＧＭＲ素子
２１ｆの一端に接続され、アンプ２１ａの非反転入力端
子は電源端子ＶCCとグランド間に接続された分圧抵抗器
２１ｂおよび２１ｃの接続点に接続される。比較回路２
３の出力端子はスイッチ回路２２の固定端子ａに接続さ
れ、パワーオン機能検出回路２１Ｂの出力端子はスイッ
チ回路２２の固定端子ｂに接続される。スイッチ回路２
２の可動端子ｃは波形整形回路１４のトランジスタ１４
ａのベースに接続され、そのコレクタは出力端子１５に
接続されると共に抵抗器を介して電源端子Ｖccに接続さ
れ、そのエミッタは接地される。ここで、ＧＭＲ素子１
０Ａ〜１０Ｄは第１の磁気検出素子、ＧＭＲ素子２１ｆ
は第２の磁気検出素子を構成する。
【００６４】次に、動作について説明する。なお、電源
投入時即ちパワーオン機能検出時以外の動作について
は、図１２の場合と同様であるので、その説明を省略す
る。いま、検出装置に電源が供給された瞬間の磁性体回
転体２（図１参照）の凹凸位置に対応したパワーオン機
能検出用ＧＭＲ素子２１ｆの抵抗値に対応した電圧値を
パワーオン機能検出回路２１Ｂのアンプ２１ａの反転入
力端子に供給し、その非反転入力端子に分圧抵抗器２１
ｂおよび２１ｃより与えられる基準値（比較レベル）と
比較する。
投入時即ちパワーオン機能検出時以外の動作について
は、図１２の場合と同様であるので、その説明を省略す
る。いま、検出装置に電源が供給された瞬間の磁性体回
転体２（図１参照）の凹凸位置に対応したパワーオン機
能検出用ＧＭＲ素子２１ｆの抵抗値に対応した電圧値を
パワーオン機能検出回路２１Ｂのアンプ２１ａの反転入
力端子に供給し、その非反転入力端子に分圧抵抗器２１
ｂおよび２１ｃより与えられる基準値（比較レベル）と
比較する。
【００６５】パワーオン機能検出回路２１Ｂは抵抗器２
１ｄの電圧値のレベルが基準値を越えると、これをパワ
ーオン機能検出出力としてスイッチ回路２２の固定端子
ｂを通して波形整形回路１４に供給し、ここで波形整形
して出力端子１５に出力する。これにより、検出装置に
電源が供給された瞬間から磁性体回転体２の凹凸に対応
する正確な信号を得ることができる。そして、パワーオ
ン機能検出後、スイッチ回路２２は固定端子ａ側に接続
することで、これ以降は、上述と同様の回路動作で磁性
体回転体２の凹凸に対応した信号を得ることができるよ
うになる。なお、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートスト
ンブリッジ回路を構成するとしたが、同様のブリッジ回
路構成であれば同じ効果を得ることができる。
１ｄの電圧値のレベルが基準値を越えると、これをパワ
ーオン機能検出出力としてスイッチ回路２２の固定端子
ｂを通して波形整形回路１４に供給し、ここで波形整形
して出力端子１５に出力する。これにより、検出装置に
電源が供給された瞬間から磁性体回転体２の凹凸に対応
する正確な信号を得ることができる。そして、パワーオ
ン機能検出後、スイッチ回路２２は固定端子ａ側に接続
することで、これ以降は、上述と同様の回路動作で磁性
体回転体２の凹凸に対応した信号を得ることができるよ
うになる。なお、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートスト
ンブリッジ回路を構成するとしたが、同様のブリッジ回
路構成であれば同じ効果を得ることができる。
【００６６】このように、本実施の形態では、磁性体回
転体の凹凸による磁界変化を検出するＧＭＲ素子とは別
にパワーオン機能検出用に専用のＧＭＲ素子を設け、そ
の素子の抵抗値に対応した電圧値をパワーオン機能検出
回路で検出するようにしたので、検出装置に電源が供給
された瞬間から磁性体回転体の凹凸に対応した出力を得
ることが可能となり、パワーオン機能を安定して得られ
るようになる。また、磁性体回転体の凹凸の検出におい
ては実質的に差動増幅回路の出力の瞬時値を検出してい
るので凹凸のエッジ検出と保持回路が不要になる。ま
た、ＧＭＲ素子で検出した磁界の変化を交流結合処理す
ることで、ブリッジを構成しているＧＭＲ素子の温度係
数がどのような値であってもあらゆる温度範囲において
磁性体回転体の凹凸に対応した信号を正確に得ることが
できる。
転体の凹凸による磁界変化を検出するＧＭＲ素子とは別
にパワーオン機能検出用に専用のＧＭＲ素子を設け、そ
の素子の抵抗値に対応した電圧値をパワーオン機能検出
回路で検出するようにしたので、検出装置に電源が供給
された瞬間から磁性体回転体の凹凸に対応した出力を得
ることが可能となり、パワーオン機能を安定して得られ
るようになる。また、磁性体回転体の凹凸の検出におい
ては実質的に差動増幅回路の出力の瞬時値を検出してい
るので凹凸のエッジ検出と保持回路が不要になる。ま
た、ＧＭＲ素子で検出した磁界の変化を交流結合処理す
ることで、ブリッジを構成しているＧＭＲ素子の温度係
数がどのような値であってもあらゆる温度範囲において
磁性体回転体の凹凸に対応した信号を正確に得ることが
できる。
【００６７】実施の形態７．図１８〜図２１は、本装置
を一例として内燃機関に適用した場合のこの発明の実施
の形態７を示すもので、図１８はその全体を示す構成
図、図１９は検出装置本体と磁性体回転体の配置関係を
示す斜視図、図２０は検出装置本体を示す斜視図、図２
１はその内部構成図である。図において、検出装置本体
５０が内燃機関６０に近傍に設けられ、そのクランク軸
やカム軸等を利用した回転軸５１にシグナルプレートと
しての少なくとも１つ以上の凹凸を具備する上述の磁性
体回転体２相当の磁性体回転体５２がこれと同期して回
転するように設けられる。また、コントロールユニット
６１が検出装置本体５０の回路部に接続されると共に、
内燃機関６０の吸気管６２内に設けられたスロットル弁
６３に接続される。
を一例として内燃機関に適用した場合のこの発明の実施
の形態７を示すもので、図１８はその全体を示す構成
図、図１９は検出装置本体と磁性体回転体の配置関係を
示す斜視図、図２０は検出装置本体を示す斜視図、図２
１はその内部構成図である。図において、検出装置本体
５０が内燃機関６０に近傍に設けられ、そのクランク軸
やカム軸等を利用した回転軸５１にシグナルプレートと
しての少なくとも１つ以上の凹凸を具備する上述の磁性
体回転体２相当の磁性体回転体５２がこれと同期して回
転するように設けられる。また、コントロールユニット
６１が検出装置本体５０の回路部に接続されると共に、
内燃機関６０の吸気管６２内に設けられたスロットル弁
６３に接続される。
【００６８】検出装置本体５０は、磁性体回転体５２に
対して検出装置本体５０内のＧＭＲ素子の感磁面が対向
するように、内燃機関６０の近傍に配置される。検出装
置本体５０は、図２０に示すように、樹脂または非磁性
体からなるハウジング５３および取付け部５４を備え、
ハウジング５３の底部より入出力用のリード線を用いた
電源端子、グランド端子、出力端子等の端子５５が取り
出される。ハウジング５３の内部には、図２１に示すよ
うに、図３で説明したような回路が配置された基板５６
が設けられ、この基板５６の一部に例えばそれぞれ上述
のＧＭＲ素子１０および磁石４相当のＧＭＲ素子５７お
よび磁石５８が搭載される。
対して検出装置本体５０内のＧＭＲ素子の感磁面が対向
するように、内燃機関６０の近傍に配置される。検出装
置本体５０は、図２０に示すように、樹脂または非磁性
体からなるハウジング５３および取付け部５４を備え、
ハウジング５３の底部より入出力用のリード線を用いた
電源端子、グランド端子、出力端子等の端子５５が取り
出される。ハウジング５３の内部には、図２１に示すよ
うに、図３で説明したような回路が配置された基板５６
が設けられ、この基板５６の一部に例えばそれぞれ上述
のＧＭＲ素子１０および磁石４相当のＧＭＲ素子５７お
よび磁石５８が搭載される。
【００６９】次に、動作について説明する。いま、内燃
機関６０の起動により回転軸５１の回転に同期して磁性
体回転体５２が回転すると、その凹凸に対応して、検出
装置本体５０内のＧＭＲ素子５７の感磁面の磁界が変化
し、その抵抗値も同様に変化する。そして、ＧＭＲ素子
５７等で構成されるホイートストンブリッジ回路の中点
電圧の差が差動増幅回路により増幅され、その出力が比
較回路で基準値と比較されて“Ｏ”または“１”の信号
に変換され、この信号は更に波形整形回路で波形整形さ
れ、“Ｏ”または“１”の信号としてコントロールユニ
ット６１に供給される。これにより、コントロールユニ
ット６１は、内燃機関６０の各気筒に対応したクランク
軸やカム軸の回転角度や回転数等を知ることができる。
そして、コントロールユニット６１は、検出装置の出
力、即ち“Ｏ”または“１”の信号や、スロットル弁６
３からの開度情報等に基づいて制御信号を形成し、この
制御信号により図示しない点火プラグの点火タイミング
や燃料噴射弁の噴射タイミング等を制御する。
機関６０の起動により回転軸５１の回転に同期して磁性
体回転体５２が回転すると、その凹凸に対応して、検出
装置本体５０内のＧＭＲ素子５７の感磁面の磁界が変化
し、その抵抗値も同様に変化する。そして、ＧＭＲ素子
５７等で構成されるホイートストンブリッジ回路の中点
電圧の差が差動増幅回路により増幅され、その出力が比
較回路で基準値と比較されて“Ｏ”または“１”の信号
に変換され、この信号は更に波形整形回路で波形整形さ
れ、“Ｏ”または“１”の信号としてコントロールユニ
ット６１に供給される。これにより、コントロールユニ
ット６１は、内燃機関６０の各気筒に対応したクランク
軸やカム軸の回転角度や回転数等を知ることができる。
そして、コントロールユニット６１は、検出装置の出
力、即ち“Ｏ”または“１”の信号や、スロットル弁６
３からの開度情報等に基づいて制御信号を形成し、この
制御信号により図示しない点火プラグの点火タイミング
や燃料噴射弁の噴射タイミング等を制御する。
【００７０】なお、上述の例では、検出装置本体５０に
対する入出力用の端子５５としてリード線を用いる場合
であるが、図２２に示すように、ハウジング５３に対し
て着脱可能なコネクタ５９を用いてもよい。この場合、
端子５５はコネクタ５９に組み込まれ、このコネクタ５
９がハウジング５３側に差し込まれると、端子５５が基
板５６の回路部と接続されることになる。これにより、
取り扱いが容易で、構造的にも簡単となり、また、装置
の組み込みも容易となる。
対する入出力用の端子５５としてリード線を用いる場合
であるが、図２２に示すように、ハウジング５３に対し
て着脱可能なコネクタ５９を用いてもよい。この場合、
端子５５はコネクタ５９に組み込まれ、このコネクタ５
９がハウジング５３側に差し込まれると、端子５５が基
板５６の回路部と接続されることになる。これにより、
取り扱いが容易で、構造的にも簡単となり、また、装置
の組み込みも容易となる。
【００７１】このように、本実施の形態では、小型で安
価な検出装置を用いて内燃機関のクランク軸やカム軸の
回転角度（回転数）を精度よく検出でき、細かい制御が
可能となり、また、内燃機関への搭載性を向上でき、取
り付けが容易で、スペース的にも有利である。また、検
出装置に電源が供給された瞬間から磁性体回転体の凹凸
に対応した出力を正確に得ることができ、パワーオン機
能を安定して得られるので、内燃機関のクランク角を迅
速に検出可能となり、点火タイミングや燃料噴射タイミ
ングを迅速且つ精度よく行うことができ、排気ガス規制
にも容易に対応できる。 また、磁性体回転体の凹凸に
対応したエッジを利用することにより、内燃機関のピス
トンの上死点と対応が可能になり、角度精度を向上でき
る。
価な検出装置を用いて内燃機関のクランク軸やカム軸の
回転角度（回転数）を精度よく検出でき、細かい制御が
可能となり、また、内燃機関への搭載性を向上でき、取
り付けが容易で、スペース的にも有利である。また、検
出装置に電源が供給された瞬間から磁性体回転体の凹凸
に対応した出力を正確に得ることができ、パワーオン機
能を安定して得られるので、内燃機関のクランク角を迅
速に検出可能となり、点火タイミングや燃料噴射タイミ
ングを迅速且つ精度よく行うことができ、排気ガス規制
にも容易に対応できる。 また、磁性体回転体の凹凸に
対応したエッジを利用することにより、内燃機関のピス
トンの上死点と対応が可能になり、角度精度を向上でき
る。
【００７２】実施の形態８．図２３および図２４は、本
装置を一例として内燃機関に適用した場合のこの発明の
実施の形態８を示すもので、図２３は検出装置本体と磁
性体回転体の配置関係を示す斜視図、図２４は検出装置
の内部構成図である。なお、図２３および図２４におい
て、図１９および２１と対応する部分には同一符号を付
し、その詳細説明を省略する。また、その全体を示す構
成図および検出装置本体の斜視図は、それぞれ図１８お
よび図２０と同様であるので、ここでは省略している。
図において、内燃機関６０のクランク軸やカム軸等を利
用した回転軸５１にシグナルプレートとしての磁性体回
転体５２Ａがこれと同期して回転するように設けられ
る。この磁性体回転体５２Ａは磁石で構成され、必要な
信号を得られるように磁石の磁極を着磁したものであ
る。
装置を一例として内燃機関に適用した場合のこの発明の
実施の形態８を示すもので、図２３は検出装置本体と磁
性体回転体の配置関係を示す斜視図、図２４は検出装置
の内部構成図である。なお、図２３および図２４におい
て、図１９および２１と対応する部分には同一符号を付
し、その詳細説明を省略する。また、その全体を示す構
成図および検出装置本体の斜視図は、それぞれ図１８お
よび図２０と同様であるので、ここでは省略している。
図において、内燃機関６０のクランク軸やカム軸等を利
用した回転軸５１にシグナルプレートとしての磁性体回
転体５２Ａがこれと同期して回転するように設けられ
る。この磁性体回転体５２Ａは磁石で構成され、必要な
信号を得られるように磁石の磁極を着磁したものであ
る。
【００７３】磁性体回転体５２Ａに対して検出装置本体
５０内のＧＭＲ素子の感磁面が対向するように検出装置
本体５０が内燃機関６０（図１８）の近傍に配置され
る。検出装置本体５０は樹脂または非磁性体からなるハ
ウジング５３および取付け部５４（図２０）を備え、ハ
ウジング５３の底部より入出力用のリード線を用いた電
源端子、グランド端子、出力端子等の端子５５が取り出
される。ハウジング５３の内部には図３で説明したよう
な回路が配置された基板５６が設けられ、この基板５６
の一部に例えば上述のＧＭＲ素子１０相当のＧＭＲ素子
５７が搭載される。
５０内のＧＭＲ素子の感磁面が対向するように検出装置
本体５０が内燃機関６０（図１８）の近傍に配置され
る。検出装置本体５０は樹脂または非磁性体からなるハ
ウジング５３および取付け部５４（図２０）を備え、ハ
ウジング５３の底部より入出力用のリード線を用いた電
源端子、グランド端子、出力端子等の端子５５が取り出
される。ハウジング５３の内部には図３で説明したよう
な回路が配置された基板５６が設けられ、この基板５６
の一部に例えば上述のＧＭＲ素子１０相当のＧＭＲ素子
５７が搭載される。
【００７４】次に、動作について説明する。いま、内燃
機関６０の起動により回転軸５１の回転に同期して磁性
体回転体５２Ａが回転すると、その磁石の磁極に対応し
て、検出装置本体５０内のＧＭＲ素子５７の感磁面の磁
界が変化し、その抵抗値も同様に変化する。そして、Ｇ
ＭＲ素子５７等で構成されるホイートストンブリッジ回
路の中点電圧の差が差動増幅回路により増幅され、その
出力が比較回路で基準値と比較されて“Ｏ”または
“１”の信号に変換され、この信号は更に波形整形回路
で波形整形され、“Ｏ”または“１”の信号としてコン
トロールユニット６１（図１８）に供給される。これに
より、コントロールユニット６１は、内燃機関６０の各
気筒に対応したクランク軸やカム軸の回転角度や回転数
等を知ることができる。そして、コントロールユニット
６１は、検出装置の出力、即ち“Ｏ”または“１”の信
号や、スロットル弁６３からの開度情報等に基づいて制
御信号を形成し、この制御信号により図示しない点火プ
ラグの点火タイミングや燃料噴射弁の噴射タイミング等
を制御する。
機関６０の起動により回転軸５１の回転に同期して磁性
体回転体５２Ａが回転すると、その磁石の磁極に対応し
て、検出装置本体５０内のＧＭＲ素子５７の感磁面の磁
界が変化し、その抵抗値も同様に変化する。そして、Ｇ
ＭＲ素子５７等で構成されるホイートストンブリッジ回
路の中点電圧の差が差動増幅回路により増幅され、その
出力が比較回路で基準値と比較されて“Ｏ”または
“１”の信号に変換され、この信号は更に波形整形回路
で波形整形され、“Ｏ”または“１”の信号としてコン
トロールユニット６１（図１８）に供給される。これに
より、コントロールユニット６１は、内燃機関６０の各
気筒に対応したクランク軸やカム軸の回転角度や回転数
等を知ることができる。そして、コントロールユニット
６１は、検出装置の出力、即ち“Ｏ”または“１”の信
号や、スロットル弁６３からの開度情報等に基づいて制
御信号を形成し、この制御信号により図示しない点火プ
ラグの点火タイミングや燃料噴射弁の噴射タイミング等
を制御する。
【００７５】なお、上述の例では、検出装置本体５０に
対する入出力用の端子５５としてリード線を用いる場合
であるが、図２５に示すように、ハウジング５３に対し
て着脱可能なコネクタ５９を用いてもよい。この場合端
子５５はコネクタ５９に組み込まれ、このコネクタ５９
がハウジング５３側に差し込まれると、端子５５が基板
５６の回路部と接続されることになる。これにより、取
り扱いが容易で、構造的にも簡単となり、また、装置の
組み込みも容易となる。
対する入出力用の端子５５としてリード線を用いる場合
であるが、図２５に示すように、ハウジング５３に対し
て着脱可能なコネクタ５９を用いてもよい。この場合端
子５５はコネクタ５９に組み込まれ、このコネクタ５９
がハウジング５３側に差し込まれると、端子５５が基板
５６の回路部と接続されることになる。これにより、取
り扱いが容易で、構造的にも簡単となり、また、装置の
組み込みも容易となる。
【００７６】このように、本実施の形態でも、小型で安
価な検出装置を用いて内燃機関のクランク軸やカム軸の
回転角度（回転数）を精度よく検出でき、細かい制御が
可能となり、また、内燃機関への搭載性を向上でき、取
り付けが容易で、スペース的にも有利である。また、検
出装置に電源が供給された瞬間から磁性体回転体の磁石
の磁極に対応した出力を正確に得ることができ、パワー
オン機能を安定して得られるので、内燃機関のクランク
角を迅速に検出可能となり、点火タイミングや燃料噴射
タイミングを迅速且つ精度よく行うことができ、排気ガ
ス規制にも容易に対応できる。
価な検出装置を用いて内燃機関のクランク軸やカム軸の
回転角度（回転数）を精度よく検出でき、細かい制御が
可能となり、また、内燃機関への搭載性を向上でき、取
り付けが容易で、スペース的にも有利である。また、検
出装置に電源が供給された瞬間から磁性体回転体の磁石
の磁極に対応した出力を正確に得ることができ、パワー
オン機能を安定して得られるので、内燃機関のクランク
角を迅速に検出可能となり、点火タイミングや燃料噴射
タイミングを迅速且つ精度よく行うことができ、排気ガ
ス規制にも容易に対応できる。
【００７７】実施の形態９．図２６は、この発明の実施
の形態９を示すもので、図２６の（ａ）は検出装置本体
と磁性体回転体の配置関係を示す斜視図、図２６の
（ｂ）はその側面図である。図において、図１９と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。上述の各実施の形態では、検出装置本体を回転軸に
対して垂直方向に設ける場合であったが、本実施の形態
では、検出装置本体を回転軸に対して同軸方向に設ける
ものである。即ち、図２６の（ａ）に示すように、回転
軸５１に対して検出装置本体５０を同軸方向に設け、図
２６の（ｂ）に示すように、磁性体回転体５２の凹凸部
５２ａが検出装置本体５０のＧＭＲ素子の感磁面に対向
するように配置する。
の形態９を示すもので、図２６の（ａ）は検出装置本体
と磁性体回転体の配置関係を示す斜視図、図２６の
（ｂ）はその側面図である。図において、図１９と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。上述の各実施の形態では、検出装置本体を回転軸に
対して垂直方向に設ける場合であったが、本実施の形態
では、検出装置本体を回転軸に対して同軸方向に設ける
ものである。即ち、図２６の（ａ）に示すように、回転
軸５１に対して検出装置本体５０を同軸方向に設け、図
２６の（ｂ）に示すように、磁性体回転体５２の凹凸部
５２ａが検出装置本体５０のＧＭＲ素子の感磁面に対向
するように配置する。
【００７８】かくして、本実施の形態でも、上記実施の
形態８と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、検出装置本体を回転軸方向に配置できるの
で、実質的に回転軸のスペースを共用でき、半径方向に
装置の形状が大きくならず、小型化を更に向上できる。
形態８と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、検出装置本体を回転軸方向に配置できるの
で、実質的に回転軸のスペースを共用でき、半径方向に
装置の形状が大きくならず、小型化を更に向上できる。
【００７９】実施の形態１０．図２７は、この発明の実
施の形態１１を示すもので、図２７の（ａ）は検出装置
本体と磁性体回転体の配置関係を示す斜視図、図２７の
（ｂ）はその側面図である。図において、図２３と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。本実施の形態でも、上記実施の形態９と同様に、検
出装置本体を回転軸に対して同軸方向に設けるものであ
る。即ち、図２７の（ａ）に示すように、回転軸５１に
対して検出装置本体５０を同軸方向に設け、図２７の
（ｂ）に示すように、磁性体回転体５２Ａの磁極が検出
装置本体５０のＧＭＲ素子の感磁面に対向するように配
置する。
施の形態１１を示すもので、図２７の（ａ）は検出装置
本体と磁性体回転体の配置関係を示す斜視図、図２７の
（ｂ）はその側面図である。図において、図２３と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。本実施の形態でも、上記実施の形態９と同様に、検
出装置本体を回転軸に対して同軸方向に設けるものであ
る。即ち、図２７の（ａ）に示すように、回転軸５１に
対して検出装置本体５０を同軸方向に設け、図２７の
（ｂ）に示すように、磁性体回転体５２Ａの磁極が検出
装置本体５０のＧＭＲ素子の感磁面に対向するように配
置する。
【００８０】かくして、本実施の形態でも、上記実施の
形態８と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、検出装置本体を回転軸方向に配置できるの
で、実質的に回転軸のスペースを共用でき、半径方向に
装置の形状が大きくならず、小型化を更に向上できる。
勿論、磁性体回転体としては、磁石を具備した磁性体回
転体でもよく、同様の効果が得られる。
形態８と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、検出装置本体を回転軸方向に配置できるの
で、実質的に回転軸のスペースを共用でき、半径方向に
装置の形状が大きくならず、小型化を更に向上できる。
勿論、磁性体回転体としては、磁石を具備した磁性体回
転体でもよく、同様の効果が得られる。
【００８１】実施の形態１１．図２８および図２９は、
この発明の実施の形態１１を示すもので、図２８はその
側断面図、図２９は検出装置本体の概略図である。図に
おいて、図１９および図２１と対応する部分には同一符
号を付し、その詳細説明を省略する。上述の各実施の形
態では、検出装置本体のＧＭＲ素子と磁性体回転体が所
定の間隙を持って離れた状態で配置される場合であった
が、本実施の形態では、検出装置本体のＧＭＲ素子と磁
石の間に磁性体回転体を所定の間隙を持って挟み込むよ
うに配置するものである。
この発明の実施の形態１１を示すもので、図２８はその
側断面図、図２９は検出装置本体の概略図である。図に
おいて、図１９および図２１と対応する部分には同一符
号を付し、その詳細説明を省略する。上述の各実施の形
態では、検出装置本体のＧＭＲ素子と磁性体回転体が所
定の間隙を持って離れた状態で配置される場合であった
が、本実施の形態では、検出装置本体のＧＭＲ素子と磁
石の間に磁性体回転体を所定の間隙を持って挟み込むよ
うに配置するものである。
【００８２】検出装置本体５０Ａは、例えば樹脂または
非磁性体からなるハウジング７０と、このハウジング７
０内の空洞部７０ａに設けられた上述のＧＭＲ素子１０
相当のＧＭＲ素子５７等を保護するためのカバー７１
と、取付け部７４とを備え、ハウジング７０内の空洞部
７０ａには図３で説明したような回路が配置された基板
（図示せず）が設けられ、この基板の一部にＧＭＲ素子
５７が搭載される。ＧＭＲ素子５７にはターミナル７２
が電気的に接続され、このターミナル７２が検出装置本
体５０Ａの内部を通って底部まで延在し、これにに入出
力用のリード線を用いた電源端子、グランド端子、出力
端子等の端子７３が接続されて外部に取り出される。ま
た、ハウジング７０の側面の空間部７０ｂの下側に空洞
部７０ａ内のＧＭＲ素子５７の感磁面と対向して磁石５
８が設けられ、これらＧＭＲ素子５７と磁石５８の間
を、回転軸５１と同期して回転する磁性体回転体５２の
少なくともその凹凸部が通るように、磁性体回転体５２
が配置される。
非磁性体からなるハウジング７０と、このハウジング７
０内の空洞部７０ａに設けられた上述のＧＭＲ素子１０
相当のＧＭＲ素子５７等を保護するためのカバー７１
と、取付け部７４とを備え、ハウジング７０内の空洞部
７０ａには図３で説明したような回路が配置された基板
（図示せず）が設けられ、この基板の一部にＧＭＲ素子
５７が搭載される。ＧＭＲ素子５７にはターミナル７２
が電気的に接続され、このターミナル７２が検出装置本
体５０Ａの内部を通って底部まで延在し、これにに入出
力用のリード線を用いた電源端子、グランド端子、出力
端子等の端子７３が接続されて外部に取り出される。ま
た、ハウジング７０の側面の空間部７０ｂの下側に空洞
部７０ａ内のＧＭＲ素子５７の感磁面と対向して磁石５
８が設けられ、これらＧＭＲ素子５７と磁石５８の間
を、回転軸５１と同期して回転する磁性体回転体５２の
少なくともその凹凸部が通るように、磁性体回転体５２
が配置される。
【００８３】このような構成とすることにより、磁石５
８、磁性体回転体５２およびＧＭＲ素子５７を通る磁路
が実質的に形成され、ＧＭＲ素子５７と磁石５８の間
に、磁性体回転体５２の凹部が位置する状態では、磁石
５８からの磁界がＧＭＲ素子５７の感磁面にそのまま与
えられ、一方、磁性体回転体５２の凸部が位置する状態
では、磁石５８からの磁界が磁性体回転体５２の方に流
れて実質的にＧＭＲ素子５７の感磁面に与えられない。
つまり、このことは、実質的に磁性体回転体５２の少な
くとも一部が磁石で構成されているのと同様の状態とな
り、従って、この場合も、パワーオン機能が得られるこ
とになる。
８、磁性体回転体５２およびＧＭＲ素子５７を通る磁路
が実質的に形成され、ＧＭＲ素子５７と磁石５８の間
に、磁性体回転体５２の凹部が位置する状態では、磁石
５８からの磁界がＧＭＲ素子５７の感磁面にそのまま与
えられ、一方、磁性体回転体５２の凸部が位置する状態
では、磁石５８からの磁界が磁性体回転体５２の方に流
れて実質的にＧＭＲ素子５７の感磁面に与えられない。
つまり、このことは、実質的に磁性体回転体５２の少な
くとも一部が磁石で構成されているのと同様の状態とな
り、従って、この場合も、パワーオン機能が得られるこ
とになる。
【００８４】なお、上述の例では、ハウジング７０の側
面の空間部７０ｂの下側に空洞部７０ａ内のＧＭＲ素子
５７の感磁面と対向して磁石５８を設けた場合である
が、図３０に示すように、空間部７０ｂの下側と磁石５
８の間にコア７５を設け、磁気回路を構成するようにし
てもよい。これにより、磁石５８−磁性体回転体５２−
ＧＭＲ素子５７−磁性体回転体５２−コア７５−磁石５
８の閉磁路が実質的に形成され、更に確実な磁気回路が
確立され、検出性が向上する。
面の空間部７０ｂの下側に空洞部７０ａ内のＧＭＲ素子
５７の感磁面と対向して磁石５８を設けた場合である
が、図３０に示すように、空間部７０ｂの下側と磁石５
８の間にコア７５を設け、磁気回路を構成するようにし
てもよい。これにより、磁石５８−磁性体回転体５２−
ＧＭＲ素子５７−磁性体回転体５２−コア７５−磁石５
８の閉磁路が実質的に形成され、更に確実な磁気回路が
確立され、検出性が向上する。
【００８５】かくして、本実施の形態でも、上記実施の
形態７と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、ＧＭＲ素子と磁石の間の磁性体回転体の位置
決めを考慮する必要があるも、パワーオン機能が得られ
る。
形態７と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、ＧＭＲ素子と磁石の間の磁性体回転体の位置
決めを考慮する必要があるも、パワーオン機能が得られ
る。
【００８６】実施の形態１２．図３１は、この発明の実
施の形態１２を示す側断面図である。図において、図２
３および図２８と対応する部分には同一符号を付し、そ
の詳細説明を省略する。上記実施の形態１１では磁性体
回転体として図１９に示すような凹凸を具備した通常の
磁性体回転体を使用した場合であったが、本実施の形態
では、この磁性体回転体として磁石で構成されているか
（図２３参照）、または磁石を搭載したもの（図示せ
ず）であり、ここでは、一例として磁性体回転体が磁石
で構成されている場合である。従って、この場合には、
図２８で用いられている磁石５８は不要である。その他
の構成は図２８と同様である。
施の形態１２を示す側断面図である。図において、図２
３および図２８と対応する部分には同一符号を付し、そ
の詳細説明を省略する。上記実施の形態１１では磁性体
回転体として図１９に示すような凹凸を具備した通常の
磁性体回転体を使用した場合であったが、本実施の形態
では、この磁性体回転体として磁石で構成されているか
（図２３参照）、または磁石を搭載したもの（図示せ
ず）であり、ここでは、一例として磁性体回転体が磁石
で構成されている場合である。従って、この場合には、
図２８で用いられている磁石５８は不要である。その他
の構成は図２８と同様である。
【００８７】そこで、検出装置本体５０Ｂを構成するハ
ウジング７０の側面の空間部７０ｂを空洞部７０ａ内の
ＧＭＲ素子５７の感磁面と対向して回転する磁性体回転
体５２Ａの少なくとも周辺部が通るように、磁性体回転
体５２Ａが配置される。従って、この場合も、磁性体回
転体５２ＡおよびＧＭＲ素子５７を通る磁路が実質的に
形成され、検出性が向上する。勿論、この場合もパワー
オン機能が得られる。かくして、本実施の形態でも、上
記実施の形態９と同様の効果が得られると共に、更に、
本実施の形態では、検出性が向上する。
ウジング７０の側面の空間部７０ｂを空洞部７０ａ内の
ＧＭＲ素子５７の感磁面と対向して回転する磁性体回転
体５２Ａの少なくとも周辺部が通るように、磁性体回転
体５２Ａが配置される。従って、この場合も、磁性体回
転体５２ＡおよびＧＭＲ素子５７を通る磁路が実質的に
形成され、検出性が向上する。勿論、この場合もパワー
オン機能が得られる。かくして、本実施の形態でも、上
記実施の形態９と同様の効果が得られると共に、更に、
本実施の形態では、検出性が向上する。
【００８８】実施の形態１３．なお、上述した各実施の
形態では、磁界変化付与手段としての磁性体移動体が、
回転軸に同期して回転する磁性体回転体の場合について
説明したが、直線変位する磁性体移動体についても同様
に適用でき、同様の効果を奏する。この場合、例えば内
燃機関におけるＥＧＲバルブの弁開度の検出等への適用
が考えられる。
形態では、磁界変化付与手段としての磁性体移動体が、
回転軸に同期して回転する磁性体回転体の場合について
説明したが、直線変位する磁性体移動体についても同様
に適用でき、同様の効果を奏する。この場合、例えば内
燃機関におけるＥＧＲバルブの弁開度の検出等への適用
が考えられる。
【００８９】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発生手段と
所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手段によっ
て発生された磁界を変化させる磁界変化付与手段と、こ
の磁界変化付与手段で変化された磁界を検出する磁気検
出素子と、この磁気検出素子の出力信号に基づいて磁界
変化付与手段の変位、並びにこの磁界変化付与手段の停
止状態における磁気検出素子との対向状態を検出する検
出手段とを備えたので、検出装置に電源が供給された瞬
間から磁界変化付与手段の所定位置に対応した出力を正
確に得ることができ、パワーオン機能が安定して得られ
るという効果がある。
れば、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発生手段と
所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手段によっ
て発生された磁界を変化させる磁界変化付与手段と、こ
の磁界変化付与手段で変化された磁界を検出する磁気検
出素子と、この磁気検出素子の出力信号に基づいて磁界
変化付与手段の変位、並びにこの磁界変化付与手段の停
止状態における磁気検出素子との対向状態を検出する検
出手段とを備えたので、検出装置に電源が供給された瞬
間から磁界変化付与手段の所定位置に対応した出力を正
確に得ることができ、パワーオン機能が安定して得られ
るという効果がある。
【００９０】請求項２記載の発明によれば、請求項１の
発明において、磁気検出素子として、磁界変化付与手段
で変化された磁界のいずれの変化方向に対しても均一な
抵抗値の変化範囲とならないように動作領域を設定さ
れ、上記変化された磁界を検出する巨大磁気抵抗素子を
用いるので、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステ
リシスを持たせた巨大磁気抵抗素子により検出装置に電
源が供給された瞬間から磁界変化付与手段の所定位置に
対応した出力を正確に得ることができ、パワーオン機能
が安定して得られるという効果がある。
発明において、磁気検出素子として、磁界変化付与手段
で変化された磁界のいずれの変化方向に対しても均一な
抵抗値の変化範囲とならないように動作領域を設定さ
れ、上記変化された磁界を検出する巨大磁気抵抗素子を
用いるので、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステ
リシスを持たせた巨大磁気抵抗素子により検出装置に電
源が供給された瞬間から磁界変化付与手段の所定位置に
対応した出力を正確に得ることができ、パワーオン機能
が安定して得られるという効果がある。
【００９１】請求項３記載の発明によれば、請求項２の
発明において、磁界変化付与手段の変位方向を含む面と
平行方向に巨大磁気抵抗素子の感磁面中心と磁界発生手
段の中心とをずらすようにしたので、印加磁界の変化に
よる抵抗値変化にヒステリシスを持たせた巨大磁気抵抗
素子により検出装置に電源が供給された瞬間から磁界変
化付与手段の所定位置に対応した出力を正確に得ること
ができ、パワーオン機能が安定して得られ、しかもレベ
ルの大きな検出出力が得られるので、より検出精度が向
上し、外来ノイズ等にも強くなり、Ｓ／Ｎ比等が改善さ
れるという効果がある。
発明において、磁界変化付与手段の変位方向を含む面と
平行方向に巨大磁気抵抗素子の感磁面中心と磁界発生手
段の中心とをずらすようにしたので、印加磁界の変化に
よる抵抗値変化にヒステリシスを持たせた巨大磁気抵抗
素子により検出装置に電源が供給された瞬間から磁界変
化付与手段の所定位置に対応した出力を正確に得ること
ができ、パワーオン機能が安定して得られ、しかもレベ
ルの大きな検出出力が得られるので、より検出精度が向
上し、外来ノイズ等にも強くなり、Ｓ／Ｎ比等が改善さ
れるという効果がある。
【００９２】請求項４記載の発明によれば、請求項１の
発明において、磁気検出素子の出力信号を交流結合処理
する処理手段を備えたので、あらゆる温度範囲において
磁界変化付与手段の所定位置に対応した信号を正確に得
ることができ、検出精度を向上でき、さらに、印加磁界
の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持った磁気検
出素子を用い、パワーオン機能の検出時には、交流結合
処理前の信号を処理、出力することで、検出装置に電源
が供給された瞬間から磁界変化付与手段の所定位置に対
応した信号を正確に得ることができ、パワーオン機能が
安定して得られるという効果がある。
発明において、磁気検出素子の出力信号を交流結合処理
する処理手段を備えたので、あらゆる温度範囲において
磁界変化付与手段の所定位置に対応した信号を正確に得
ることができ、検出精度を向上でき、さらに、印加磁界
の変化による抵抗値変化にヒステリシスを持った磁気検
出素子を用い、パワーオン機能の検出時には、交流結合
処理前の信号を処理、出力することで、検出装置に電源
が供給された瞬間から磁界変化付与手段の所定位置に対
応した信号を正確に得ることができ、パワーオン機能が
安定して得られるという効果がある。
【００９３】請求項５記載の発明によれば、請求項１の
発明において、検出手段として該磁気検出素子の出力信
号に基づいて磁界変化付与手段の変位を検出する第１の
検出手段および磁界変化付与手段の停止状態における磁
気検出素子との対向状態を検出する第２の検出手段を備
え、さらに、記磁気検出素子を少なくとも１辺に用いた
ブリッジ回路を備え、このブリッジ回路の出力に基づい
て第１の検出手段を作動し、ブリッジ回路の全体の抵抗
値に基づいて第２の検出手段を作動するので、検出装置
に電源が供給された瞬間から磁界変化付与手段の所定位
置に対応した信号を正確に得ることができ、パワーオン
機能が安定して得られるという効果がある。
発明において、検出手段として該磁気検出素子の出力信
号に基づいて磁界変化付与手段の変位を検出する第１の
検出手段および磁界変化付与手段の停止状態における磁
気検出素子との対向状態を検出する第２の検出手段を備
え、さらに、記磁気検出素子を少なくとも１辺に用いた
ブリッジ回路を備え、このブリッジ回路の出力に基づい
て第１の検出手段を作動し、ブリッジ回路の全体の抵抗
値に基づいて第２の検出手段を作動するので、検出装置
に電源が供給された瞬間から磁界変化付与手段の所定位
置に対応した信号を正確に得ることができ、パワーオン
機能が安定して得られるという効果がある。
【００９４】請求項６記載の発明によれば、請求項１の
発明において、検出手段として磁気検出素子の出力信号
に基づいて磁界変化付与手段の変位を検出する第１の検
出手段および磁界変化付与手段の停止状態における磁気
検出素子との対向状態を検出する第２の検出手段を備
え、さらに、磁気検出素子として第１の磁気検出素子と
第２の磁気検出素子を備え、第１の磁気検出素子の出力
に基づいて第１の検出手段を作動し、第２の磁気検出素
子の出力に基づいて第２の検出手段を作動するので、検
出装置に電源が供給された瞬間から磁界変化付与手段の
所定位置に対応した信号を正確に得ることができ、パワ
ーオン機能が安定して得られるという効果がある。
発明において、検出手段として磁気検出素子の出力信号
に基づいて磁界変化付与手段の変位を検出する第１の検
出手段および磁界変化付与手段の停止状態における磁気
検出素子との対向状態を検出する第２の検出手段を備
え、さらに、磁気検出素子として第１の磁気検出素子と
第２の磁気検出素子を備え、第１の磁気検出素子の出力
に基づいて第１の検出手段を作動し、第２の磁気検出素
子の出力に基づいて第２の検出手段を作動するので、検
出装置に電源が供給された瞬間から磁界変化付与手段の
所定位置に対応した信号を正確に得ることができ、パワ
ーオン機能が安定して得られるという効果がある。
【００９５】請求項７記載の発明によれば、請求項１ま
たは２の発明において、磁界変化付与手段を少なくとも
１つの凹凸を有する磁性体移動体で構成したので、小さ
な凹凸の検出まで対応可能となり、検出装置の小型化、
低廉化と共に、検出精度を向上できるという効果があ
る。
たは２の発明において、磁界変化付与手段を少なくとも
１つの凹凸を有する磁性体移動体で構成したので、小さ
な凹凸の検出まで対応可能となり、検出装置の小型化、
低廉化と共に、検出精度を向上できるという効果があ
る。
【００９６】請求項８記載の発明によれば、請求項１ま
たは２の発明において、磁界発生手段と磁界変化付与手
段を少なくとも１つの磁極を有する磁性体移動体で構成
し、磁界を発生し、且つ変化させるようにしたので、検
出装置に電源が供給された瞬間から磁性体移動体に具備
されている磁石の磁極に対応した出力を正確に得ること
が可能となり、パワーオン機能を安定して得られるとい
う効果がある。
たは２の発明において、磁界発生手段と磁界変化付与手
段を少なくとも１つの磁極を有する磁性体移動体で構成
し、磁界を発生し、且つ変化させるようにしたので、検
出装置に電源が供給された瞬間から磁性体移動体に具備
されている磁石の磁極に対応した出力を正確に得ること
が可能となり、パワーオン機能を安定して得られるとい
う効果がある。
【００９７】請求項９記載の発明によれば、請求項７ま
たは８の発明において、磁性体移動体は、回転軸に同期
して回転する磁性体回転体であるので、磁性体回転体の
回転による磁界の変化を確実に検出できるという効果が
ある。
たは８の発明において、磁性体移動体は、回転軸に同期
して回転する磁性体回転体であるので、磁性体回転体の
回転による磁界の変化を確実に検出できるという効果が
ある。
【００９８】請求項１０記載の発明によれば、請求項９
の発明において、少なくとも磁気検出素子を含む検出装
置本体を備え、磁性体回転体を内燃機関のクランク軸ま
たはカム軸に装着し、磁性体回転体が磁気検出素子に対
向するように検出装置本体を内燃機関の近傍に配置した
ので、小型で安価な検出装置を用いて内燃機関のクラン
ク軸やカム軸の回転角度（回転数）を精度よく検出で
き、細かい制御が可能となり、また、内燃機関への搭載
性を向上でき、取り付けが容易で、スペース的にも有利
で、装置のコンパクト化が可能になるという効果があ
る。
の発明において、少なくとも磁気検出素子を含む検出装
置本体を備え、磁性体回転体を内燃機関のクランク軸ま
たはカム軸に装着し、磁性体回転体が磁気検出素子に対
向するように検出装置本体を内燃機関の近傍に配置した
ので、小型で安価な検出装置を用いて内燃機関のクラン
ク軸やカム軸の回転角度（回転数）を精度よく検出で
き、細かい制御が可能となり、また、内燃機関への搭載
性を向上でき、取り付けが容易で、スペース的にも有利
で、装置のコンパクト化が可能になるという効果があ
る。
【００９９】請求項１１記載の発明によれば、請求項１
０の発明において、磁性体回転体に対して検出装置本体
を回転軸方向に配置したので、実質的に回転軸のスペー
スを共用でき、半径方向に装置の形状が大きくならず、
小型化を更に促進できるという効果がある。
０の発明において、磁性体回転体に対して検出装置本体
を回転軸方向に配置したので、実質的に回転軸のスペー
スを共用でき、半径方向に装置の形状が大きくならず、
小型化を更に促進できるという効果がある。
【０１００】請求項１２記載の発明によれば、請求項１
１の発明において、検出装置本体は、少なくとも磁気検
出素子を内蔵するハウジングを備え、磁性体回転体を、
ハウジングの側面に形成された空間部にこの磁性体回転
体の少なくとも周辺部が磁気検出素子と対向して位置す
るように配置したので、回転体と巨大磁気抵抗素子を通
る磁路が実質的に形成され、回転体の少なくとも一部が
磁石で構成されているのと同様の状態となり、以て、検
出装置に電源が供給された瞬間から回転体の回転角度に
対応した出力を正確に得ることが可能となり、パワーオ
ン機能が得られるという効果がある。
１の発明において、検出装置本体は、少なくとも磁気検
出素子を内蔵するハウジングを備え、磁性体回転体を、
ハウジングの側面に形成された空間部にこの磁性体回転
体の少なくとも周辺部が磁気検出素子と対向して位置す
るように配置したので、回転体と巨大磁気抵抗素子を通
る磁路が実質的に形成され、回転体の少なくとも一部が
磁石で構成されているのと同様の状態となり、以て、検
出装置に電源が供給された瞬間から回転体の回転角度に
対応した出力を正確に得ることが可能となり、パワーオ
ン機能が得られるという効果がある。
【図１】 この発明に係る検出装置の実施の形態１を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】 この発明に係る検出装置の実施の形態１の回
路構成を示すブロック図である。
路構成を示すブロック図である。
【図３】 図２の具体的回路構成の一例を示す回路図で
ある。
ある。
【図４】 この発明に係る検出装置の実施の形態１にお
けるＧＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値の変化を示す
特性図である。
けるＧＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値の変化を示す
特性図である。
【図５】 この発明に係る検出装置の実施の形態１の動
作説明に供するための波形図である。
作説明に供するための波形図である。
【図６】 この発明に係る検出装置の実施の形態２を示
す構成図である。
す構成図である。
【図７】 この発明に係る検出装置の実施の形態２にお
けるＧＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値の変化を示す
特性図である。
けるＧＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値の変化を示す
特性図である。
【図８】 この発明に係る検出装置の実施の形態２の動
作説明に供するための波形図である。
作説明に供するための波形図である。
【図９】 この発明に係る検出装置の実施の形態３を示
す構成図である。
す構成図である。
【図１０】 この発明に係る検出装置の実施の形態３に
おけるＧＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値の変化を示
す特性図である。
おけるＧＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値の変化を示
す特性図である。
【図１１】 この発明に係る検出装置の実施の形態４の
回路構成を示すブロック図である。
回路構成を示すブロック図である。
【図１２】 図１１の具体的回路構成の一例を示す回路
図である。
図である。
【図１３】 この発明に係る検出装置の実施の形態４の
動作説明に供するための波形図である。
動作説明に供するための波形図である。
【図１４】 この発明に係る検出装置の実施の形態５の
回路構成を示すブロック図である。
回路構成を示すブロック図である。
【図１５】 図１４の具体的回路構成の一例を示す回路
図である。
図である。
【図１６】 この発明に係る検出装置の実施の形態６の
回路構成を示すブロック図である。
回路構成を示すブロック図である。
【図１７】 図１６の具体的回路構成の一例を示す回路
図である。
図である。
【図１８】 この発明に係る検出装置の実施の形態７を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図１９】 この発明に係る検出装置の実施の形態７に
おける検出装置本体と磁性体回転体の配置関係を示す斜
視図である。
おける検出装置本体と磁性体回転体の配置関係を示す斜
視図である。
【図２０】 この発明に係る検出装置の実施の形態７に
おける検出装置本体を示す斜視図である。
おける検出装置本体を示す斜視図である。
【図２１】 この発明に係る検出装置の実施の形態７に
おける検出装置本体の内部構成図である。
おける検出装置本体の内部構成図である。
【図２２】 この発明に係る検出装置の実施の形態７に
おける検出装置本体の他の例を示す側断面図である。
おける検出装置本体の他の例を示す側断面図である。
【図２３】 この発明に係る検出装置の実施の形態８を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２４】 この発明に係る検出装置の実施の形態８に
おける検出装置本体の内部構成図である。
おける検出装置本体の内部構成図である。
【図２５】 この発明に係る検出装置の実施の形態８に
おける検出装置本体の他の例を示す側断面図である。
おける検出装置本体の他の例を示す側断面図である。
【図２６】 この発明に係る検出装置の実施の形態９を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２７】 この発明に係る検出装置の実施の形態１０
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図２８】 この発明に係る検出装置の実施の形態１１
を示す側断面図である。
を示す側断面図である。
【図２９】 この発明に係る検出装置の実施の形態１１
における検出装置本体を示す斜視図である。
における検出装置本体を示す斜視図である。
【図３０】 この発明に係る検出装置の実施の形態１１
における他の例をを示す側断面図である。
における他の例をを示す側断面図である。
【図３１】 この発明に係る検出装置の実施の形態１２
を示す側断面図である。
を示す側断面図である。
【図３２】 従来の検出装置を示す構成図である。
【図３３】 従来の検出装置の回路構成を概略的に示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図３４】 図３３の動作説明に供するための波形図で
ある。
ある。
【図３５】 慣用のＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値
の変化を示す特性図である。
の変化を示す特性図である。
１，５１ 回転軸、２，５２，５２Ａ 磁性体回転体、
４ 磁石、１０，１０Ａ〜１０Ｄ ＧＭＲ素子、１１
Ａ，１１Ｂ ホイートストンブリッジ回路、１２差動増
幅回路、１３ 比較回路、１４ 波形整形回路、２０
交流結合回路、２１，２１Ａ，２１Ｂ パワーオン機能
検出回路、２２ スイッチ回路、５０，５０Ａ，５０Ｂ
検出装置本体、５３ ハウジング。
４ 磁石、１０，１０Ａ〜１０Ｄ ＧＭＲ素子、１１
Ａ，１１Ｂ ホイートストンブリッジ回路、１２差動増
幅回路、１３ 比較回路、１４ 波形整形回路、２０
交流結合回路、２１，２１Ａ，２１Ｂ パワーオン機能
検出回路、２２ スイッチ回路、５０，５０Ａ，５０Ｂ
検出装置本体、５３ ハウジング。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福井 渉 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 大橋 豊 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 磁界を発生する磁界発生手段と、 上記磁界発生手段と所定の間隙を持って配置され、該磁
界発生手段によって発生された磁界を変化させる磁界変
化付与手段と、 該磁界変化付与手段で変化された磁界を検出する磁気検
出素子と、 該磁気検出素子の出力信号に基づいて上記磁界変化付与
手段の変位、並びに該磁界変化付与手段の停止状態にお
ける上記磁気検出素子との対向状態を検出する検出手段
とを備えたことを特徴とする検出装置。 - 【請求項２】 上記磁気検出素子として、上記磁界変化
付与手段で変化された磁界のいずれの変化方向に対して
も均一な抵抗値の変化範囲とならないように動作領域を
設定され、上記変化された磁界を検出する巨大磁気抵抗
素子を用いることを特徴とする請求項１記載の検出装
置。 - 【請求項３】 上記磁界変化付与手段の変位方向を含む
面と平行方向に上記巨大磁気抵抗素子の感磁面中心と上
記磁界発生手段の中心とをずらすようにしたことを特徴
とする請求項２記載の検出装置。 - 【請求項４】 上記磁気検出素子の出力信号を交流結合
処理する処理手段を備えたことを特徴とする請求項１記
載の検出装置。 - 【請求項５】 上記検出手段として上記該磁気検出素子
の出力信号に基づいて上記磁界変化付与手段の変位を検
出する第１の検出手段および上記磁界変化付与手段の停
止状態における上記磁気検出素子との対向状態を検出す
る第２の検出手段を備え、 さらに、上記磁気検出素子を少なくとも１辺に用いたブ
リッジ回路を備え、 該ブリッジ回路の出力に基づいて上記第１の検出手段を
作動し、上記ブリッジ回路の全体の抵抗値に基づいて上
記第２の検出手段を作動することを特徴とする請求項１
記載の検出装置。 - 【請求項６】 上記検出手段として上記磁気検出素子の
出力信号に基づいて上記磁界変化付与手段の変位を検出
する第１の検出手段および上記磁界変化付与手段の停止
状態における上記磁気検出素子との対向状態を検出する
第２の検出手段を備え、 さらに、上記磁気検出素子として第１の磁気検出素子と
第２の磁気検出素子を備え、 上記第１の磁気検出素子の出力に基づいて上記第１の検
出手段を作動し、上記第２の磁気検出素子の出力に基づ
いて上記第２の検出手段を作動することを特徴とする請
求項１記載の検出装置。 - 【請求項７】 上記磁界変化付与手段を少なくとも１つ
の凹凸を有する磁性体移動体で構成したことを特徴とす
る請求項１または２記載の検出装置。 - 【請求項８】 上記磁界発生手段と上記磁界変化付与手
段を少なくとも１つの磁極を有する磁性体移動体で構成
し、磁界を発生し、且つ変化させるようにしたことを特
徴とする請求項１または２記載の検出装置。 - 【請求項９】 上記磁性体移動体は、回転軸に同期して
回転する磁性体回転体であることを特徴とする請求項７
または８記載の検出装置。 - 【請求項１０】 少なくとも上記磁気検出素子を含む検
出装置本体を備え、上記磁性体回転体を内燃機関のクラ
ンク軸またはカム軸に装着し、上記磁性体回転体が上記
磁気検出素子に対向するように上記検出装置本体を上記
内燃機関の近傍に配置したことを特徴とする請求項９記
載の検出装置。 - 【請求項１１】 上記磁性体回転体に対して上記検出装
置本体を回転軸方向に配置したことを特徴とする請求項
１０記載の検出装置。 - 【請求項１２】 上記検出装置本体は、少なくとも上記
磁気検出素子を内蔵するハウジングを備え、上記磁性体
回転体を、上記ハウジングの側面に形成された空間部に
該磁性体回転体の少なくとも周辺部が上記磁気検出素子
と対向して位置するように配置したことを特徴とする請
求項１１記載の検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8147556A JPH09329463A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 検出装置 |
| US08/742,504 US5982171A (en) | 1996-06-10 | 1996-11-01 | Sensing device for detecting the angular displacement and relative position of a member of magnetic material |
| DE19649400A DE19649400C5 (de) | 1996-06-10 | 1996-11-28 | Magnetfeld-Fühler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8147556A JPH09329463A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09329463A true JPH09329463A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15433016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8147556A Pending JPH09329463A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5982171A (ja) |
| JP (1) | JPH09329463A (ja) |
| DE (1) | DE19649400C5 (ja) |
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