JPH11304415A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPH11304415A JPH11304415A JP10113521A JP11352198A JPH11304415A JP H11304415 A JPH11304415 A JP H11304415A JP 10113521 A JP10113521 A JP 10113521A JP 11352198 A JP11352198 A JP 11352198A JP H11304415 A JPH11304415 A JP H11304415A
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- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性回転体の凹部もしくは凸部の２倍のパル
ス数を出力することが可能な磁気検出装置を得る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（５）と、この磁石
と所定の間隙をもって配置され、磁石によって発生され
た磁界を変化させる磁性回転体（２１）と、この磁性回
転体の移動による磁界の変化を検出する面内感磁の磁気
検出素子とを備え、磁性回転体の回転に伴い発生する磁
界が正から負、負から正に変化する領域に磁気検出素子
を配置する。
ス数を出力することが可能な磁気検出装置を得る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（５）と、この磁石
と所定の間隙をもって配置され、磁石によって発生され
た磁界を変化させる磁性回転体（２１）と、この磁性回
転体の移動による磁界の変化を検出する面内感磁の磁気
検出素子とを備え、磁性回転体の回転に伴い発生する磁
界が正から負、負から正に変化する領域に磁気検出素子
を配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば歯車状磁
性回転体の回転角度を検出する磁気検出装置に関し、特
に例えば内燃機関の回転情報を検出する場合等に用いて
好適な磁気検出装置に関するものである。
性回転体の回転角度を検出する磁気検出装置に関し、特
に例えば内燃機関の回転情報を検出する場合等に用いて
好適な磁気検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１５は従来の磁気検出装置を示す側面
図、図１６はその側断面図、図１７は磁気検出装置内部
の磁気回路を示す模式図である。検出装置本体１は、円
筒形状をした合成樹脂製のケース３と、このケース３内
に収納された電気回路本体４と、この電気回路本体４の
先端部に設けられた直方体形状の磁石５と、この磁石５
の前面に設けられ、磁気検出素子が内蔵された検出体６
とを有している。
図、図１６はその側断面図、図１７は磁気検出装置内部
の磁気回路を示す模式図である。検出装置本体１は、円
筒形状をした合成樹脂製のケース３と、このケース３内
に収納された電気回路本体４と、この電気回路本体４の
先端部に設けられた直方体形状の磁石５と、この磁石５
の前面に設けられ、磁気検出素子が内蔵された検出体６
とを有している。
【０００３】上記磁気検出装置では、磁気検出装置に接
近して設けられた歯車状の磁性回転体２１の回転によ
り、検出体６には磁性回転体２１の凹部２１ａと凸部２
１ｂとが交互に接近し、そのため検出体６に印加される
磁石５からの磁界が変化する。この磁界の変化は検出体
６により電圧の変化として検出される。この電圧の変化
は検出体６内の差動増幅回路、比較回路、出力回路を経
てパルス波の電気信号として外部に出力される。この電
気信号はコネクタ２の端子を介してコンピュータユニッ
ト（図示せず）に送られ、磁性回転体２１の回転角度が
検出される。
近して設けられた歯車状の磁性回転体２１の回転によ
り、検出体６には磁性回転体２１の凹部２１ａと凸部２
１ｂとが交互に接近し、そのため検出体６に印加される
磁石５からの磁界が変化する。この磁界の変化は検出体
６により電圧の変化として検出される。この電圧の変化
は検出体６内の差動増幅回路、比較回路、出力回路を経
てパルス波の電気信号として外部に出力される。この電
気信号はコネクタ２の端子を介してコンピュータユニッ
ト（図示せず）に送られ、磁性回転体２１の回転角度が
検出される。
【０００４】磁気検出素子には、磁気抵抗素子（以下、
ＭＲ素子という）、もしくは巨大磁気抵抗素子（以下、
ＧＭＲ素子という）が用いられている。ＭＲ素子は、強
磁性体（例えば、Ni-Fe、Ni-Co等）薄膜の磁化方向と電
流方向のなす角度によって抵抗値が変化する素子であ
る。このＭＲ素子は、電流方向と磁化方向が直角に交わ
るときに抵抗値が最小になり、０度すなわち電流方向と
磁化方向が同一あるいは全く逆方向になるとき抵抗値が
最大になる。この抵抗値の変化をＭＲ変化率と呼び、一
般にNi-Feで２〜３％、Ni-Coで５〜６％である。
ＭＲ素子という）、もしくは巨大磁気抵抗素子（以下、
ＧＭＲ素子という）が用いられている。ＭＲ素子は、強
磁性体（例えば、Ni-Fe、Ni-Co等）薄膜の磁化方向と電
流方向のなす角度によって抵抗値が変化する素子であ
る。このＭＲ素子は、電流方向と磁化方向が直角に交わ
るときに抵抗値が最小になり、０度すなわち電流方向と
磁化方向が同一あるいは全く逆方向になるとき抵抗値が
最大になる。この抵抗値の変化をＭＲ変化率と呼び、一
般にNi-Feで２〜３％、Ni-Coで５〜６％である。
【０００５】また、ＧＭＲ素子は、例えば日本応用磁気
学会誌Vol.15,No.51991,p813〜821の「人工格子の磁気
抵抗効果」と題する論文に記載されている数オングスト
ロームから数十オングストロームの厚さの磁性層と非磁
性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工格子膜
であり、(Fe/Cr)、(パーマロイ/Cu/Co/Cu)、(Co/Cu)が
知られており、これは、前述のＭＲ素子と比較して格段
に大きなＭＲ効果（ＭＲ変化率）を有すると共に、外部
磁界の向きが電流に対してどのような角度差をもってい
ても同じ抵抗値の変化が得られる、いわゆる面内感磁の
素子である。一般的に、ＭＲ変化率は２０〜３０％程度
である。
学会誌Vol.15,No.51991,p813〜821の「人工格子の磁気
抵抗効果」と題する論文に記載されている数オングスト
ロームから数十オングストロームの厚さの磁性層と非磁
性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工格子膜
であり、(Fe/Cr)、(パーマロイ/Cu/Co/Cu)、(Co/Cu)が
知られており、これは、前述のＭＲ素子と比較して格段
に大きなＭＲ効果（ＭＲ変化率）を有すると共に、外部
磁界の向きが電流に対してどのような角度差をもってい
ても同じ抵抗値の変化が得られる、いわゆる面内感磁の
素子である。一般的に、ＭＲ変化率は２０〜３０％程度
である。
【０００６】ＭＲ素子を用いた場合とＧＭＲ素子を用い
た場合において、動作は全く同一であるので、以下、Ｍ
Ｒ素子を用いた場合の動作について詳細に説明する。磁
性回転体２１が回転することにより、ＭＲ素子に印加さ
れる磁界が変化し、抵抗値が変化する。そこで、磁界の
変化を検出するためにＭＲ素子でブリッジ回路を形成
し、このブリッジ回路に定電圧、定電流の電源を接続
し、ＭＲ素子の抵抗値変化を電圧変化に変換して、この
ＭＲ素子に作用している磁界変化を検出することが考え
られる。
た場合において、動作は全く同一であるので、以下、Ｍ
Ｒ素子を用いた場合の動作について詳細に説明する。磁
性回転体２１が回転することにより、ＭＲ素子に印加さ
れる磁界が変化し、抵抗値が変化する。そこで、磁界の
変化を検出するためにＭＲ素子でブリッジ回路を形成
し、このブリッジ回路に定電圧、定電流の電源を接続
し、ＭＲ素子の抵抗値変化を電圧変化に変換して、この
ＭＲ素子に作用している磁界変化を検出することが考え
られる。
【０００７】図１８はＭＲ素子を用いた従来の磁気検出
装置を示す電気回路図である。この磁気検出装置は、Ｍ
Ｒ素子を用いたブリッジ回路１１と、このブリッジ回路
１１の出力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増
幅回路１２の出力を基準値と比較して“０”または
“１”の信号を出力する比較回路１３と、この比較回路
１３の出力を受けてスイッチングする出力回路１４とを
備える。ブリッジ回路１１は、ＭＲ素子Ａ、およびＢを
有し、ＭＲ素子Ａは電源端子ＶＣＣに接続され、ＭＲ素
子Ｂは接地され、ＭＲ素子ＡとＢの各他端は接続点Ａに
接続される。そして、ブリッジ回路１１の接続点Ａが抵
抗器を介して差動増幅回路１２のアンプの反転入力端子
に接続される。
装置を示す電気回路図である。この磁気検出装置は、Ｍ
Ｒ素子を用いたブリッジ回路１１と、このブリッジ回路
１１の出力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増
幅回路１２の出力を基準値と比較して“０”または
“１”の信号を出力する比較回路１３と、この比較回路
１３の出力を受けてスイッチングする出力回路１４とを
備える。ブリッジ回路１１は、ＭＲ素子Ａ、およびＢを
有し、ＭＲ素子Ａは電源端子ＶＣＣに接続され、ＭＲ素
子Ｂは接地され、ＭＲ素子ＡとＢの各他端は接続点Ａに
接続される。そして、ブリッジ回路１１の接続点Ａが抵
抗器を介して差動増幅回路１２のアンプの反転入力端子
に接続される。
【０００８】また、アンプの非反転入力端子は、抵抗器
を介して基準電源を構成する分圧回路に接続され、更に
抵抗器を介して接地される。アンプの出力端子は抵抗器
を介して自己の反転入力端子に接続されると共に、比較
回路１３のアンプの反転入力端子に接続され、アンプの
非反転入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続さ
れると共に、抵抗器を介して自己の出力端子に接続され
る。そして、アンプの出力端子は抵抗器を介して電源端
子ＶＣＣに接続されると共に、出力回路１４のトランジ
スタのベースに接続され、そのコレクタは出力端子に接
続されると共に、抵抗器を介して電源端子ＶＣＣに接続
され、そのエミッタは接地される。
を介して基準電源を構成する分圧回路に接続され、更に
抵抗器を介して接地される。アンプの出力端子は抵抗器
を介して自己の反転入力端子に接続されると共に、比較
回路１３のアンプの反転入力端子に接続され、アンプの
非反転入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続さ
れると共に、抵抗器を介して自己の出力端子に接続され
る。そして、アンプの出力端子は抵抗器を介して電源端
子ＶＣＣに接続されると共に、出力回路１４のトランジ
スタのベースに接続され、そのコレクタは出力端子に接
続されると共に、抵抗器を介して電源端子ＶＣＣに接続
され、そのエミッタは接地される。
【０００９】図１９は従来の磁気検出装置の波形処理動
作を示す波形図である。磁性回転体２１が回転すること
で、ＭＲ素子には磁界変化が与えられ、差動出力回路１
２の出力側には図１９（ｂ）に示すような、図１９
（ａ）に示す磁性回転体２１の凹凸に対応した出力が得
られる。この差動出力回路１２の出力は比較回路１３に
供給されて、その比較レベルである基準値と比較されて
“０”または“１”の信号に変換され、この信号は更に
出力回路１４で波形整形され、この結果、その出力端子
には図１９（ｃ）に示すようにその立上り、立下りの急
峻な“０”または“１”の出力が得られる。
作を示す波形図である。磁性回転体２１が回転すること
で、ＭＲ素子には磁界変化が与えられ、差動出力回路１
２の出力側には図１９（ｂ）に示すような、図１９
（ａ）に示す磁性回転体２１の凹凸に対応した出力が得
られる。この差動出力回路１２の出力は比較回路１３に
供給されて、その比較レベルである基準値と比較されて
“０”または“１”の信号に変換され、この信号は更に
出力回路１４で波形整形され、この結果、その出力端子
には図１９（ｃ）に示すようにその立上り、立下りの急
峻な“０”または“１”の出力が得られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】一般に、例えば内燃機
関の制御装置等に用いられているコンピュータユニット
は、検出装置の出力信号を受けて機器を制御するが、出
力信号が高分解能であればある程、高精度な制御が可能
となり、しばしばこの種の要求がある。しかしながら、
従来の磁気検出装置では、磁性回転体の凹部もしくは凸
部と同一数のパルスしか出力できないので、高分解能の
出力信号が得られず、例えば上述の内燃機関の制御装置
等に検出手段として用いられた場合には高精度の制御が
できない等の問題点があった。
関の制御装置等に用いられているコンピュータユニット
は、検出装置の出力信号を受けて機器を制御するが、出
力信号が高分解能であればある程、高精度な制御が可能
となり、しばしばこの種の要求がある。しかしながら、
従来の磁気検出装置では、磁性回転体の凹部もしくは凸
部と同一数のパルスしか出力できないので、高分解能の
出力信号が得られず、例えば上述の内燃機関の制御装置
等に検出手段として用いられた場合には高精度の制御が
できない等の問題点があった。
【００１１】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題とするものであって、磁性回転体の凹部も
しくは凸部の数の２倍のパルス数を出力することができ
る磁気検出装置を得ることを目的とする。
ることを課題とするものであって、磁性回転体の凹部も
しくは凸部の数の２倍のパルス数を出力することができ
る磁気検出装置を得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る磁
気検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、該磁界
発生手段と所定の間隙をもって配置され、上記磁界発生
手段によって発生された磁界を変化させる磁性移動体
と、該磁性移動体の移動による磁界の変化を検出する面
内感磁の磁気検出素子とを備え、上記磁性移動体の移動
に伴い発生する磁界が正から負、負から正に変化する領
域に上記磁気検出素子を配置したものである。
気検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、該磁界
発生手段と所定の間隙をもって配置され、上記磁界発生
手段によって発生された磁界を変化させる磁性移動体
と、該磁性移動体の移動による磁界の変化を検出する面
内感磁の磁気検出素子とを備え、上記磁性移動体の移動
に伴い発生する磁界が正から負、負から正に変化する領
域に上記磁気検出素子を配置したものである。
【００１３】請求項２の発明に係る磁気検出装置は、請
求項１の発明において、上記磁気検出素子の感磁面が、
上記磁性移動体の対向方向に磁化された上記磁界発生手
段の磁化方向に対し垂直方向となる様に配置され、上記
磁気検出素子および上記磁界発生手段の第１の中心軸が
略同一となるように構成したものである。
求項１の発明において、上記磁気検出素子の感磁面が、
上記磁性移動体の対向方向に磁化された上記磁界発生手
段の磁化方向に対し垂直方向となる様に配置され、上記
磁気検出素子および上記磁界発生手段の第１の中心軸が
略同一となるように構成したものである。
【００１４】請求項３の発明に係る磁気検出装置は、請
求項２の発明において、上記磁気検出素子の配置位置
を、上記磁界発生手段と上記磁性移動体の間としたもの
である。
求項２の発明において、上記磁気検出素子の配置位置
を、上記磁界発生手段と上記磁性移動体の間としたもの
である。
【００１５】請求項４の発明に係る磁気検出装置は、請
求項１の発明において、上記磁気検出素子の感磁面が、
上記磁性移動体の対向方向に磁化された上記磁界発生手
段の第１の面に設けられ、上記磁気検出素子および上記
磁界発生手段の第１の中心軸が略同一となるように構成
したものである。
求項１の発明において、上記磁気検出素子の感磁面が、
上記磁性移動体の対向方向に磁化された上記磁界発生手
段の第１の面に設けられ、上記磁気検出素子および上記
磁界発生手段の第１の中心軸が略同一となるように構成
したものである。
【００１６】請求項５の発明に係る磁気検出装置は、請
求項４の発明において、上記磁気検出素子の第２の中心
軸が、上記磁界発生手段の磁性移動体と対向する端面と
略同一となるように構成したものである。
求項４の発明において、上記磁気検出素子の第２の中心
軸が、上記磁界発生手段の磁性移動体と対向する端面と
略同一となるように構成したものである。
【００１７】請求項６の発明に係る磁気検出装置は、請
求項１の発明において、上記磁気検出素子として巨大磁
気抵抗素子を用いるものである。
求項１の発明において、上記磁気検出素子として巨大磁
気抵抗素子を用いるものである。
【００１８】請求項７の発明に係る磁気検出装置は、請
求項１の発明において、複数個の磁気検出素子で構成さ
れたブリッジ回路を備え、上記複数個の磁気検出素子の
少なくとも１つを抵抗変化飽和領域に配置したものであ
る。
求項１の発明において、複数個の磁気検出素子で構成さ
れたブリッジ回路を備え、上記複数個の磁気検出素子の
少なくとも１つを抵抗変化飽和領域に配置したものであ
る。
【００１９】請求項８の発明に係る磁気検出装置は、請
求項７の発明において、上記抵抗変化飽和領域に配置さ
れた磁気検出素子を、他の磁気検出素子と並べて構成し
たものである。
求項７の発明において、上記抵抗変化飽和領域に配置さ
れた磁気検出素子を、他の磁気検出素子と並べて構成し
たものである。
【００２０】請求項９の発明に係る磁気検出装置は、請
求項１の発明において、異方性を持つ少なくとも２つの
磁気検出素子で構成されたブリッジ回路を備え、上記２
つの磁気検出素子の一方を、感磁方向が上記磁性移動体
の移動方向となるように配置し、上記２つの磁気検出素
子の他方を、非感磁方向が上記磁性移動体の移動方向と
なるように配置したものである。
求項１の発明において、異方性を持つ少なくとも２つの
磁気検出素子で構成されたブリッジ回路を備え、上記２
つの磁気検出素子の一方を、感磁方向が上記磁性移動体
の移動方向となるように配置し、上記２つの磁気検出素
子の他方を、非感磁方向が上記磁性移動体の移動方向と
なるように配置したものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図を参照して説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の磁気検出装置の磁気回
路を示す模式図であり、図１（ａ）はその側面図、図１
（ｂ）はその斜視図、図１（ｃ）はその上面図である。
また、図２は電気回路図、図３は波形処理動作を示す波
形図であり、図３（ａ）は磁性回転体２１を示す上面
図、図３（ｂ）は差動増幅回路１２の出力信号と比較回
路１３の比較レベルを表す波形図、図３（ｃ）は出力回
路１４の出力信号を表す波形図である。
図を参照して説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の磁気検出装置の磁気回
路を示す模式図であり、図１（ａ）はその側面図、図１
（ｂ）はその斜視図、図１（ｃ）はその上面図である。
また、図２は電気回路図、図３は波形処理動作を示す波
形図であり、図３（ａ）は磁性回転体２１を示す上面
図、図３（ｂ）は差動増幅回路１２の出力信号と比較回
路１３の比較レベルを表す波形図、図３（ｃ）は出力回
路１４の出力信号を表す波形図である。
【００２２】本実施の形態においては、磁気検出素子と
してＭＲ素子を用い、このＭＲ素子の感磁面が、磁性移
動体としての磁性回転体２１対向方向に磁化された磁界
発生手段としての磁石５の磁化方向に対し垂直方向とな
る様に配置し、ＭＲ素子、および磁石５の第１の中心軸
がほぼ一致するように構成している。そして、このＭＲ
素子と抵抗体（図示せず）でブリッジ回路１１を構成
し、磁界の変化を電圧に変換している。つまり、本実施
の形態では、磁性回転体２１の移動に伴い発生する磁界
が正から負、負から正に変化する領域に磁気検出素子を
配置している。こうすることにより、差動増幅回路１２
の出力は、図３に示す様に磁性回転体２１の凸部２１ｂ
端において同一方向のピークを持つようになる。ここで
注意すべきことはＭＲ素子は異方性を持っているという
ことであり、ＭＲ素子のパターン方向は図１（ｂ）に示
す様に、感磁方向が磁性回転体２１の回転方向となる様
に配置しなければならない。
してＭＲ素子を用い、このＭＲ素子の感磁面が、磁性移
動体としての磁性回転体２１対向方向に磁化された磁界
発生手段としての磁石５の磁化方向に対し垂直方向とな
る様に配置し、ＭＲ素子、および磁石５の第１の中心軸
がほぼ一致するように構成している。そして、このＭＲ
素子と抵抗体（図示せず）でブリッジ回路１１を構成
し、磁界の変化を電圧に変換している。つまり、本実施
の形態では、磁性回転体２１の移動に伴い発生する磁界
が正から負、負から正に変化する領域に磁気検出素子を
配置している。こうすることにより、差動増幅回路１２
の出力は、図３に示す様に磁性回転体２１の凸部２１ｂ
端において同一方向のピークを持つようになる。ここで
注意すべきことはＭＲ素子は異方性を持っているという
ことであり、ＭＲ素子のパターン方向は図１（ｂ）に示
す様に、感磁方向が磁性回転体２１の回転方向となる様
に配置しなければならない。
【００２３】次に、動作について、説明する。図４は一
般的なＭＲ素子を示す特性図である。ＭＲ素子に印加さ
れる磁界の感磁方向成分が零の時、抵抗値は最大とな
り、感磁方向成分が大きくなるに従い、抵抗値は小さく
なる。このとき、磁界の方向は問題とはならず、正方
向、負方向共に同様な特性を示す。また、ある大きさ以
上の磁界に対しては抵抗値が変化しない、抵抗変化飽和
領域を有する。図５は磁性回転体２１が回転している
時、ＭＲ素子に印加される磁界を示した状態図である。
般的なＭＲ素子を示す特性図である。ＭＲ素子に印加さ
れる磁界の感磁方向成分が零の時、抵抗値は最大とな
り、感磁方向成分が大きくなるに従い、抵抗値は小さく
なる。このとき、磁界の方向は問題とはならず、正方
向、負方向共に同様な特性を示す。また、ある大きさ以
上の磁界に対しては抵抗値が変化しない、抵抗変化飽和
領域を有する。図５は磁性回転体２１が回転している
時、ＭＲ素子に印加される磁界を示した状態図である。
【００２４】図４および図５からも明らかな様に、磁性
回転体２１の凸部２１ｂ、凹部２１ａが対向している時
にはＭＲ素子に印加される磁界は零となるので、抵抗値
は最大になる。また、凸部２１ｂ端が対向している時に
はＭＲ素子に印加される磁界が発生する為、抵抗値は減
少する。磁性回転体２１が回転することによりこの様な
動作を繰り返すので、磁性回転体２１の凸部２１ｂ端に
おいて同一方向のピークを持つようになる。このピーク
部に比較回路１３の比較レベルを設定することにより、
凹部２１ａもしくは凸部２１ｂの２倍のパルス数を得る
ことが可能となる。
回転体２１の凸部２１ｂ、凹部２１ａが対向している時
にはＭＲ素子に印加される磁界は零となるので、抵抗値
は最大になる。また、凸部２１ｂ端が対向している時に
はＭＲ素子に印加される磁界が発生する為、抵抗値は減
少する。磁性回転体２１が回転することによりこの様な
動作を繰り返すので、磁性回転体２１の凸部２１ｂ端に
おいて同一方向のピークを持つようになる。このピーク
部に比較回路１３の比較レベルを設定することにより、
凹部２１ａもしくは凸部２１ｂの２倍のパルス数を得る
ことが可能となる。
【００２５】実施の形態２．図６はこの発明の磁気検出
装置の磁気回路を示す模式図であり、図６（ａ）はその
側面図、図６（ｂ）はその斜視図、図６（ｃ）はその上
面図である。上記実施の形態１において、磁石５と磁性
回転体２１の間の磁界変化量は大きいので、この位置に
ＭＲ素子を配置することにより、大きな出力を得ること
が可能となり、磁気検出装置の特性が向上する。また、
実施の形態１に比べて磁気検出装置の小型化も可能とな
る。
装置の磁気回路を示す模式図であり、図６（ａ）はその
側面図、図６（ｂ）はその斜視図、図６（ｃ）はその上
面図である。上記実施の形態１において、磁石５と磁性
回転体２１の間の磁界変化量は大きいので、この位置に
ＭＲ素子を配置することにより、大きな出力を得ること
が可能となり、磁気検出装置の特性が向上する。また、
実施の形態１に比べて磁気検出装置の小型化も可能とな
る。
【００２６】実施の形態３．図７はこの発明の磁気検出
装置の磁気回路を示す模式図であり、図７（ａ）はその
側面図、図７（ｂ）はその斜視図、図７（ｃ）はその上
面図である。なお、電気回路図、波形処理動作を示す波
形図については、上記実施の形態１と同様なので省略す
る。本実施の形態においては、磁気検出素子としてＭＲ
素子を用い、このＭＲ素子による検出体６は、磁性回転
体２１対向方向に磁化された磁石５の第１の面（上面）
上に設けられ、ＭＲ素子および磁石５の第１の中心軸が
ほぼ一致するように構成している。
装置の磁気回路を示す模式図であり、図７（ａ）はその
側面図、図７（ｂ）はその斜視図、図７（ｃ）はその上
面図である。なお、電気回路図、波形処理動作を示す波
形図については、上記実施の形態１と同様なので省略す
る。本実施の形態においては、磁気検出素子としてＭＲ
素子を用い、このＭＲ素子による検出体６は、磁性回転
体２１対向方向に磁化された磁石５の第１の面（上面）
上に設けられ、ＭＲ素子および磁石５の第１の中心軸が
ほぼ一致するように構成している。
【００２７】そして、このＭＲ素子と抵抗体（図示せ
ず）でブリッジ回路１１を構成し、磁界の変化を電圧に
変換している。こうすることにより、差動増幅回路１２
の出力は、図３に示す様に磁性回転体２１の凸部２１ｂ
端において同一方向のピークを持つので、このピーク部
に比較回路１３の比較レベルを設定することにより、凸
部２１ｂの２倍のパルス数を得ることが可能となる。こ
こで注意すべきことはＭＲ素子は異方性を持っていると
いうことであり、ＭＲ素子のパターン方向は図７（ｂ）
に示す様に、感磁方向が磁性回転体２１の回転方向とな
る様に配置しなければならない。
ず）でブリッジ回路１１を構成し、磁界の変化を電圧に
変換している。こうすることにより、差動増幅回路１２
の出力は、図３に示す様に磁性回転体２１の凸部２１ｂ
端において同一方向のピークを持つので、このピーク部
に比較回路１３の比較レベルを設定することにより、凸
部２１ｂの２倍のパルス数を得ることが可能となる。こ
こで注意すべきことはＭＲ素子は異方性を持っていると
いうことであり、ＭＲ素子のパターン方向は図７（ｂ）
に示す様に、感磁方向が磁性回転体２１の回転方向とな
る様に配置しなければならない。
【００２８】図８はこの発明の磁気検出装置を示す断面
図である。上記実施の形態１および２の場合、図１６の
場合と同様に、検出体６の実装面と電気回路本体４を構
成する電子部品の実装面は互いに垂直となっている。よ
って、２方向から実装するか、１方向から実装した後に
折曲げる必要がある。本実施の形態においては、検出体
６を磁性回転体２１対向方向に磁化された磁石５の第１
の面（上面）上に設け、ＭＲ素子および磁石５の第１の
中心軸がほぼ一致するように構成しているので、検出体
６の実装方向と電気回路本体４を構成する電子部品の実
装方向を同一にすることが可能となり、生産性が向上す
る。また、実装後に折曲げる必要もないので、磁石５に
対する検出体６の位置も安定し、磁気検出装置の特性が
向上する。
図である。上記実施の形態１および２の場合、図１６の
場合と同様に、検出体６の実装面と電気回路本体４を構
成する電子部品の実装面は互いに垂直となっている。よ
って、２方向から実装するか、１方向から実装した後に
折曲げる必要がある。本実施の形態においては、検出体
６を磁性回転体２１対向方向に磁化された磁石５の第１
の面（上面）上に設け、ＭＲ素子および磁石５の第１の
中心軸がほぼ一致するように構成しているので、検出体
６の実装方向と電気回路本体４を構成する電子部品の実
装方向を同一にすることが可能となり、生産性が向上す
る。また、実装後に折曲げる必要もないので、磁石５に
対する検出体６の位置も安定し、磁気検出装置の特性が
向上する。
【００２９】実施の形態４．図９はこの発明の磁気検出
装置の磁気回路を示す模式図であり、図９（ａ）はその
側面図、図９（ｂ）はその斜視図、図９（ｃ）はその上
面図である。上記実施の形態３において、ＭＲ素子の第
２の中心軸が、磁石５の磁性回転体２１対向端面とほぼ
一致する様に配置することにより、ＭＲ素子の抵抗変化
率の最も大きいところを実質的に利用できるので、大き
な出力を得ることが可能となり、磁気検出装置の特性が
向上する。
装置の磁気回路を示す模式図であり、図９（ａ）はその
側面図、図９（ｂ）はその斜視図、図９（ｃ）はその上
面図である。上記実施の形態３において、ＭＲ素子の第
２の中心軸が、磁石５の磁性回転体２１対向端面とほぼ
一致する様に配置することにより、ＭＲ素子の抵抗変化
率の最も大きいところを実質的に利用できるので、大き
な出力を得ることが可能となり、磁気検出装置の特性が
向上する。
【００３０】実施の形態５．以上の各実施の形態では磁
気検出素子としてＭＲ素子を用いたが、ＧＭＲ素子を用
いた方が大きな出力を得ることが可能となり、磁気検出
装置の特性が向上する。また、ＧＭＲ素子は異方性を持
たないので、パターン方向に制約は受けず、設計自由度
が向上する。
気検出素子としてＭＲ素子を用いたが、ＧＭＲ素子を用
いた方が大きな出力を得ることが可能となり、磁気検出
装置の特性が向上する。また、ＧＭＲ素子は異方性を持
たないので、パターン方向に制約は受けず、設計自由度
が向上する。
【００３１】実施の形態６．図１０および図１１はこの
発明の磁気検出装置の磁気回路を示す模式図であり、図
１０（ａ）および図１１（ａ）はその側面図、図１０
（ｂ）および図１１（ｂ）はその斜視図、図１０（ｃ）
および図１１（ｃ）はその上面図である。上記の各実施
の形態では磁気検出素子と抵抗体でブリッジ回路１１
（図２）を構成していたが、これらの温度係数は著しく
異なるため、温度変化に伴い接続点Ａの電位は大きく変
化する。よって、特性の良い磁気検出装置を得るために
は温度補償回路（図示せず）が必要となってくる。ここ
で、ブリッジ回路１１の抵抗体として、検出体６内の磁
気検出素子と同一構造の素子を用いることにより、温度
係数を一致させることが可能となる。この磁気検出素子
は抵抗体として用いるので抵抗値が変化する必要はな
く、抵抗変化飽和領域となる磁界変化位置（例えば図４
の＋６００（Ｏｅ）以上または−６００（Ｏｅ）以下の
位置）に配置する。
発明の磁気検出装置の磁気回路を示す模式図であり、図
１０（ａ）および図１１（ａ）はその側面図、図１０
（ｂ）および図１１（ｂ）はその斜視図、図１０（ｃ）
および図１１（ｃ）はその上面図である。上記の各実施
の形態では磁気検出素子と抵抗体でブリッジ回路１１
（図２）を構成していたが、これらの温度係数は著しく
異なるため、温度変化に伴い接続点Ａの電位は大きく変
化する。よって、特性の良い磁気検出装置を得るために
は温度補償回路（図示せず）が必要となってくる。ここ
で、ブリッジ回路１１の抵抗体として、検出体６内の磁
気検出素子と同一構造の素子を用いることにより、温度
係数を一致させることが可能となる。この磁気検出素子
は抵抗体として用いるので抵抗値が変化する必要はな
く、抵抗変化飽和領域となる磁界変化位置（例えば図４
の＋６００（Ｏｅ）以上または−６００（Ｏｅ）以下の
位置）に配置する。
【００３２】因に、図１０においては、例えば上述の実
施の形態２と同様に検出体６内の磁気検出素子を配置す
ると共に、この磁気検出素子の近傍で抵抗変化飽和領域
となる磁界変化位置に抵抗体として用いる磁気検出素子
を配置する。また、図１１においては、例えば上述の実
施の形態４と同様に検出体６内の磁気検出素子を配置す
ると共に、この磁気検出素子の近傍で抵抗変化飽和領域
となる磁界変化位置に抵抗体として用いる磁気検出素子
を配置する。こうすることにより、大きな出力が得られ
て磁気検出装置の特性を向上できると共に、温度補償回
路を追加することなく、特性の良い磁気検出装置を得る
ことが可能となる。
施の形態２と同様に検出体６内の磁気検出素子を配置す
ると共に、この磁気検出素子の近傍で抵抗変化飽和領域
となる磁界変化位置に抵抗体として用いる磁気検出素子
を配置する。また、図１１においては、例えば上述の実
施の形態４と同様に検出体６内の磁気検出素子を配置す
ると共に、この磁気検出素子の近傍で抵抗変化飽和領域
となる磁界変化位置に抵抗体として用いる磁気検出素子
を配置する。こうすることにより、大きな出力が得られ
て磁気検出装置の特性を向上できると共に、温度補償回
路を追加することなく、特性の良い磁気検出装置を得る
ことが可能となる。
【００３３】実施の形態７．図１２および図１３はこの
発明の磁気検出装置の磁気回路を示す模式図であり、図
１２（ａ）および図１３（ａ）はその側面図、図１２
（ｂ）および図１３（ｂ）はその斜視図、図１２（ｃ）
および図１３（ｃ）はその上面図である。る。上記実施
の形態６における抵抗体としての素子を、検出体６内に
磁気検出素子と並べて構成することにより、同様の効果
を得ることができる。さらにこの場合、検出体６内に同
時に２つの磁気検出素子を一体的に形成するので、生産
性がよく、小型の磁気検出装置を得ることが可能とな
る。
発明の磁気検出装置の磁気回路を示す模式図であり、図
１２（ａ）および図１３（ａ）はその側面図、図１２
（ｂ）および図１３（ｂ）はその斜視図、図１２（ｃ）
および図１３（ｃ）はその上面図である。る。上記実施
の形態６における抵抗体としての素子を、検出体６内に
磁気検出素子と並べて構成することにより、同様の効果
を得ることができる。さらにこの場合、検出体６内に同
時に２つの磁気検出素子を一体的に形成するので、生産
性がよく、小型の磁気検出装置を得ることが可能とな
る。
【００３４】実施の形態８．図１４はこの発明の磁気検
出装置の磁気回路を示す模式図であり、図１４（ａ）は
その側面図、図１４（ｂ）はその斜視図、図１４（ｃ）
はその上面図である。本実施の形態においては、磁気検
出素子、および抵抗体としてＭＲ素子を用い、これらで
ブリッジ回路１１を構成している。この時、磁気検出素
子としてのＭＲ素子の感磁方向が、また抵抗体としての
ＭＲ素子の非感磁方向が磁性回転体の回転方向となる様
に配置し、これらと磁石５の第１の中心軸がほぼ一致す
るように構成している。抵抗体として、磁気検出素子と
同一構造の素子を用いることにより温度係数を一致させ
ることが可能となるが、上記の実施の形態では、磁気検
出素子の動作領域と異なる抵抗変化飽和領域に配置して
いたため、まだ若干の温度係数差を有している。
出装置の磁気回路を示す模式図であり、図１４（ａ）は
その側面図、図１４（ｂ）はその斜視図、図１４（ｃ）
はその上面図である。本実施の形態においては、磁気検
出素子、および抵抗体としてＭＲ素子を用い、これらで
ブリッジ回路１１を構成している。この時、磁気検出素
子としてのＭＲ素子の感磁方向が、また抵抗体としての
ＭＲ素子の非感磁方向が磁性回転体の回転方向となる様
に配置し、これらと磁石５の第１の中心軸がほぼ一致す
るように構成している。抵抗体として、磁気検出素子と
同一構造の素子を用いることにより温度係数を一致させ
ることが可能となるが、上記の実施の形態では、磁気検
出素子の動作領域と異なる抵抗変化飽和領域に配置して
いたため、まだ若干の温度係数差を有している。
【００３５】ここで、温度係数差をなくすためには同一
の磁界変化が得られる領域に配置する必要があるが、Ｇ
ＭＲ素子の様に異方性を持たない磁気検出素子の場合
は、これらの抵抗値変化が同一となるため、ブリッジ回
路１１に電圧変化を得ることができない。これに対し、
ＭＲ素子の様に異方性を持った磁気検出素子を前述のよ
うな配置とすることにより、磁気検出素子としてのＭＲ
素子と抵抗体としてのＭＲ素子には同一の磁界変化が与
えられ、かつ抵抗体としてのＭＲ素子は非感磁方向が磁
性回転体の回転方向となる様に配置されているので抵抗
値は変化することはなく、ブリッジ回路１１に電圧の変
化が発生する。こうすることにより、さらに温度特性の
良い磁気検出装置を得ることが可能となる。
の磁界変化が得られる領域に配置する必要があるが、Ｇ
ＭＲ素子の様に異方性を持たない磁気検出素子の場合
は、これらの抵抗値変化が同一となるため、ブリッジ回
路１１に電圧変化を得ることができない。これに対し、
ＭＲ素子の様に異方性を持った磁気検出素子を前述のよ
うな配置とすることにより、磁気検出素子としてのＭＲ
素子と抵抗体としてのＭＲ素子には同一の磁界変化が与
えられ、かつ抵抗体としてのＭＲ素子は非感磁方向が磁
性回転体の回転方向となる様に配置されているので抵抗
値は変化することはなく、ブリッジ回路１１に電圧の変
化が発生する。こうすることにより、さらに温度特性の
良い磁気検出装置を得ることが可能となる。
【００３６】実施の形態９．なお、上述した各実施の形
態では、磁性移動体として、回転軸に同期して回転する
磁性回転体の場合について説明したが、直線変位する磁
性移動体についても同様に適用でき、同様の効果を奏す
る。この場合、例えば内燃機関におけるＥＧＲバルブの
弁開度の検出等への適用が考えられる。
態では、磁性移動体として、回転軸に同期して回転する
磁性回転体の場合について説明したが、直線変位する磁
性移動体についても同様に適用でき、同様の効果を奏す
る。この場合、例えば内燃機関におけるＥＧＲバルブの
弁開度の検出等への適用が考えられる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、磁界を発生する磁界発生手段と、この磁界発生
手段と所定の間隙をもって配置され、磁界発生手段によ
って発生された磁界を変化させる磁性移動体と、この磁
性移動体の移動による磁界の変化を検出する面内感磁の
磁気検出素子とを備え、磁性移動体の移動に伴い発生す
る磁界が正から負、負から正に変化する領域に磁気検出
素子を配置したので、磁性移動体の凹部もしくは凸部の
数の２倍のパルス数を出力することができ、以て、高分
解能の出力信号を得ることが可能となり、例えば高精度
の制御を要する内燃機関の制御装置等に用いて有用な磁
気検出装置が得られという効果がある。
よれば、磁界を発生する磁界発生手段と、この磁界発生
手段と所定の間隙をもって配置され、磁界発生手段によ
って発生された磁界を変化させる磁性移動体と、この磁
性移動体の移動による磁界の変化を検出する面内感磁の
磁気検出素子とを備え、磁性移動体の移動に伴い発生す
る磁界が正から負、負から正に変化する領域に磁気検出
素子を配置したので、磁性移動体の凹部もしくは凸部の
数の２倍のパルス数を出力することができ、以て、高分
解能の出力信号を得ることが可能となり、例えば高精度
の制御を要する内燃機関の制御装置等に用いて有用な磁
気検出装置が得られという効果がある。
【００３８】請求項２の発明によれば、磁気検出素子の
感磁面が、磁性移動体の対向方向に磁化された磁界発生
手段の磁化方向に対し垂直方向となる様に配置され、磁
気検出素子および磁界発生手段の第１の中心軸が略同一
となるように構成したので、磁性移動体の凹部もしくは
凸部の２倍のパルス数を得ることが可能となるという効
果がある。
感磁面が、磁性移動体の対向方向に磁化された磁界発生
手段の磁化方向に対し垂直方向となる様に配置され、磁
気検出素子および磁界発生手段の第１の中心軸が略同一
となるように構成したので、磁性移動体の凹部もしくは
凸部の２倍のパルス数を得ることが可能となるという効
果がある。
【００３９】請求項３の発明によれば、磁気検出素子の
配置位置を、磁界発生手段と磁性移動体の間としたの
で、大きな出力を得ることが可能となり、磁気検出装置
の特性を向上でき、また、磁気検出装置の小型化も可能
となるという効果がある。
配置位置を、磁界発生手段と磁性移動体の間としたの
で、大きな出力を得ることが可能となり、磁気検出装置
の特性を向上でき、また、磁気検出装置の小型化も可能
となるという効果がある。
【００４０】請求項４の発明によれば、磁気検出素子の
感磁面が、磁性移動体の対向方向に磁化された磁界発生
手段の第１の面に設けられ、磁気検出素子および磁界発
生手段の第１の中心軸が略同一となるように構成したの
で、磁性移動体の凹部もしくは凸部の２倍のパルス数を
得ることが可能となり、さらには、生産性が向上し、磁
気検出装置の特性が向上するという効果がある。
感磁面が、磁性移動体の対向方向に磁化された磁界発生
手段の第１の面に設けられ、磁気検出素子および磁界発
生手段の第１の中心軸が略同一となるように構成したの
で、磁性移動体の凹部もしくは凸部の２倍のパルス数を
得ることが可能となり、さらには、生産性が向上し、磁
気検出装置の特性が向上するという効果がある。
【００４１】請求項５の発明によれば、磁気検出素子の
第２の中心軸が、磁界発生手段の磁性移動体と対向する
端面と略同一となるように構成したので、大きな出力を
得ることが可能となり、磁気検出装置の特性が向上する
という効果がある。
第２の中心軸が、磁界発生手段の磁性移動体と対向する
端面と略同一となるように構成したので、大きな出力を
得ることが可能となり、磁気検出装置の特性が向上する
という効果がある。
【００４２】請求項６の発明によれば、磁気検出素子と
して巨大磁気抵抗素子を用いるので、大きな出力を得る
ことが可能となり、磁気検出装置の特性を向上でき、ま
た、巨大磁気抵抗素子は異方性を持たないので、パター
ン方向に制約は受けず、設計自由度が向上するという効
果がある。
して巨大磁気抵抗素子を用いるので、大きな出力を得る
ことが可能となり、磁気検出装置の特性を向上でき、ま
た、巨大磁気抵抗素子は異方性を持たないので、パター
ン方向に制約は受けず、設計自由度が向上するという効
果がある。
【００４３】請求項７の発明によれば、複数個の磁気検
出素子で構成されたブリッジ回路を備え、複数個の磁気
検出素子の少なくとも１つを抵抗変化飽和領域に配置し
たので、温度補償回路を追加することなく、特性の良い
磁気検出装置を得ることが可能となるという効果があ
る。
出素子で構成されたブリッジ回路を備え、複数個の磁気
検出素子の少なくとも１つを抵抗変化飽和領域に配置し
たので、温度補償回路を追加することなく、特性の良い
磁気検出装置を得ることが可能となるという効果があ
る。
【００４４】請求項８の発明によれば、抵抗変化飽和領
域に配置された磁気検出素子を、他の磁気検出素子と並
べて構成したので、双方の磁気検出素子を実質的に一体
的に形成でき、以て、生産性がよく、小型の磁気検出装
置を得ることが可能となるという効果がある。
域に配置された磁気検出素子を、他の磁気検出素子と並
べて構成したので、双方の磁気検出素子を実質的に一体
的に形成でき、以て、生産性がよく、小型の磁気検出装
置を得ることが可能となるという効果がある。
【００４５】請求項９の発明によれば、異方性を持つ少
なくとも２つの磁気検出素子で構成されたブリッジ回路
を備え、２つの磁気検出素子の一方を、感磁方向が磁性
移動体の移動方向となるように配置し、２つの磁気検出
素子の他方を、非感磁方向が磁性移動体の移動方向とな
るように配置したので、さらに温度特性の良い磁気検出
装置を得ることが可能となるという効果がある。
なくとも２つの磁気検出素子で構成されたブリッジ回路
を備え、２つの磁気検出素子の一方を、感磁方向が磁性
移動体の移動方向となるように配置し、２つの磁気検出
素子の他方を、非感磁方向が磁性移動体の移動方向とな
るように配置したので、さらに温度特性の良い磁気検出
装置を得ることが可能となるという効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置の磁
気回路を示す模式図である。
気回路を示す模式図である。
【図２】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置を示
す電気回路図である。
す電気回路図である。
【図３】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置の波
形処理動作を示す波形図である。
形処理動作を示す波形図である。
【図４】 ＭＲ素子を示す特性図である。
【図５】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置のＭ
Ｒ素子に印加される磁界を示した状態図である。
Ｒ素子に印加される磁界を示した状態図である。
【図６】 この発明の実施の形態２の磁気検出装置の磁
気回路を示す模式図である。
気回路を示す模式図である。
【図７】 この発明の実施の形態３の磁気検出装置の磁
気回路を示す模式図である。
気回路を示す模式図である。
【図８】 この発明の実施の形態３の磁気検出装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態４の磁気検出装置の磁
気回路を示す模式図である。
気回路を示す模式図である。
【図１０】 この発明の実施の形態６の磁気検出装置の
磁気回路を示す模式図である。
磁気回路を示す模式図である。
【図１１】 この発明の実施の形態６の磁気検出装置の
磁気回路を示す模式図である。
磁気回路を示す模式図である。
【図１２】 この発明の実施の形態７の磁気検出装置の
磁気回路を示す模式図である。
磁気回路を示す模式図である。
【図１３】 この発明の実施の形態７の磁気検出装置の
磁気回路を示す模式図である。
磁気回路を示す模式図である。
【図１４】 この発明の実施の形態８の磁気検出装置の
磁気回路を示す模式図である。
磁気回路を示す模式図である。
【図１５】 従来の磁気検出装置を示す側面図である。
【図１６】 従来の磁気検出装置を示す側断面図であ
る。
る。
【図１７】 従来の磁気検出装置の磁気回路を示す模式
図である。
図である。
【図１８】 従来の磁気検出装置を示す電気回路図であ
る。
る。
【図１９】 従来の磁気検出装置の波形処理動作を示す
波形図である。
波形図である。
５ 磁石、６ 検出体、１１ ブリッジ回路、２１
磁性回転体、２１ａ 凹部、２１ｂ 凸部。
磁性回転体、２１ａ 凹部、２１ｂ 凸部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名田 拓嗣 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 磁界を発生する磁界発生手段と、 該磁界発生手段と所定の間隙をもって配置され、上記磁
界発生手段によって発生された磁界を変化させる磁性移
動体と、 該磁性移動体の移動による磁界の変化を検出する面内感
磁の磁気検出素子とを備え、上記磁性移動体の移動に伴
い発生する磁界が正から負、負から正に変化する領域に
上記磁気検出素子を配置したことを特徴とする磁気検出
装置。 - 【請求項２】 上記磁気検出素子の感磁面が、上記磁性
移動体の対向方向に磁化された上記磁界発生手段の磁化
方向に対し垂直方向となる様に配置され、上記磁気検出
素子および上記磁界発生手段の第１の中心軸が略同一と
なるように構成したことを特徴とする請求項１記載の磁
気検出装置。 - 【請求項３】 上記磁気検出素子の配置位置を、上記磁
界発生手段と上記磁性移動体の間としたことを特徴とす
る請求項２記載の磁気検出装置。 - 【請求項４】 上記磁気検出素子の感磁面が、上記磁性
移動体の対向方向に磁化された上記磁界発生手段の第１
の面に設けられ、上記磁気検出素子および上記磁界発生
手段の第１の中心軸が略同一となるように構成したこと
を特徴とする請求項１記載の磁気検出装置。 - 【請求項５】 上記磁気検出素子の第２の中心軸が、上
記磁界発生手段の磁性移動体と対向する端面と略同一と
なるように構成したことを特徴とする請求項４記載の磁
気検出装置。 - 【請求項６】 上記磁気検出素子として巨大磁気抵抗素
子を用いることを特徴とする請求項１記載の磁気検出装
置。 - 【請求項７】 複数個の磁気検出素子で構成されたブリ
ッジ回路を備え、上記複数個の磁気検出素子の少なくと
も１つを抵抗変化飽和領域に配置したことを特徴とする
請求項１記載の磁気検出装置。 - 【請求項８】 上記抵抗変化飽和領域に配置された磁気
検出素子を、他の磁気検出素子と並べて構成したことを
特徴とする請求項７記載の磁気検出装置。 - 【請求項９】 異方性を持つ少なくとも２つの磁気検出
素子で構成されたブリッジ回路を備え、上記２つの磁気
検出素子の一方を、感磁方向が上記磁性移動体の移動方
向となるように配置し、上記２つの磁気検出素子の他方
を、非感磁方向が上記磁性移動体の移動方向となるよう
に配置したことを特徴とする請求項１記載の磁気検出装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113521A JPH11304415A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 磁気検出装置 |
| US09/168,669 US6528992B2 (en) | 1998-04-23 | 1998-10-09 | Magnetic detector having magnetic field sensing device centrally aligned with magnetic field generator |
| DE19851839.0A DE19851839B4 (de) | 1998-04-23 | 1998-11-10 | Magnetfelddetektor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10113521A JPH11304415A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 磁気検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11304415A true JPH11304415A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14614459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10113521A Pending JPH11304415A (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 磁気検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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