JPH09329462A - 検出装置 - Google Patents
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- JPH09329462A JPH09329462A JP8147555A JP14755596A JPH09329462A JP H09329462 A JPH09329462 A JP H09329462A JP 8147555 A JP8147555 A JP 8147555A JP 14755596 A JP14755596 A JP 14755596A JP H09329462 A JPH09329462 A JP H09329462A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
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- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
- G01D5/147—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the movement of a third element, the position of Hall device and the source of magnetic field being fixed in respect to each other
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V3/00—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation
- G01V3/08—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with magnetic or electric fields produced or modified by objects or geological structures or by detecting devices
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性体回転体移動体の所定の位置（角度）に
対応した正確な信号が得られ、外来ノイズの影響を受け
にくく、検出精度のよい信号が得られる検出装置を得
る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（４）と、磁石
（４）と所定の間隙を持って配置され、この磁石（４）
によって発生された磁界を変化させる磁性体回転体
（２）と、この磁性体回転体（２）で変化された磁界に
応じて抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子（１０）とを
備え、巨大磁気抵抗素子（１０）の感磁面の寸法Ｌ3を
磁性体回転体（２）の凹凸の最小寸法Ｌ1、Ｌ2以下、即
ちＬ3≦Ｌ1かつＬ3≦Ｌ2となるように設定する。
対応した正確な信号が得られ、外来ノイズの影響を受け
にくく、検出精度のよい信号が得られる検出装置を得
る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（４）と、磁石
（４）と所定の間隙を持って配置され、この磁石（４）
によって発生された磁界を変化させる磁性体回転体
（２）と、この磁性体回転体（２）で変化された磁界に
応じて抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子（１０）とを
備え、巨大磁気抵抗素子（１０）の感磁面の寸法Ｌ3を
磁性体回転体（２）の凹凸の最小寸法Ｌ1、Ｌ2以下、即
ちＬ3≦Ｌ1かつＬ3≦Ｌ2となるように設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁性体移動体の
移動による磁界の変化を検出する検出装置に関し、特に
例えば内燃機関の回転情報を検出する場合等に用いて好
適な検出装置に関するものである。
移動による磁界の変化を検出する検出装置に関し、特に
例えば内燃機関の回転情報を検出する場合等に用いて好
適な検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子と
いう）は、強磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ
等）薄膜の磁化方向と電流方向のなす角度によって抵抗
値が変化する素子である。このＭＲ素子は、電流方向と
磁化方向とが直角に交わるときに抵抗値は最小になり、
０度すなわち電流方向と磁化方向とが同一あるいは全く
逆方向になるとき抵抗値が最大になる。この抵抗値の変
化をＭＲ効果またはＭＲ変化率と呼び、一般にＮｉ−Ｆ
ｅで２〜３％、Ｎｉ−Ｃｏで５〜６％である。
いう）は、強磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ
等）薄膜の磁化方向と電流方向のなす角度によって抵抗
値が変化する素子である。このＭＲ素子は、電流方向と
磁化方向とが直角に交わるときに抵抗値は最小になり、
０度すなわち電流方向と磁化方向とが同一あるいは全く
逆方向になるとき抵抗値が最大になる。この抵抗値の変
化をＭＲ効果またはＭＲ変化率と呼び、一般にＮｉ−Ｆ
ｅで２〜３％、Ｎｉ−Ｃｏで５〜６％である。
【０００３】図２１は従来の検出装置を示す構成図であ
り、図２１の（ａ）はその側面図、図２１の（ｂ）はそ
の斜視図である。この検出装置は、回転軸１と、少なく
とも１つ以上の凹凸を有し、回転軸１と同期して回転す
る磁性体回転体２と、この磁性体回転体２と所定の間隙
を持って配置されたＭＲ素子３と、ＭＲ素子３に磁界を
与える磁石４とからなり、ＭＲ素子３は、磁気抵抗パタ
ーン３ａと、薄膜面（感磁面）３ｂとを有する。そこ
で、磁性体回転体２が回転することでＭＲ素子３の感磁
面３ｂの磁界が変化し、磁気抵抗パターン３ａの抵抗値
が変化する。
り、図２１の（ａ）はその側面図、図２１の（ｂ）はそ
の斜視図である。この検出装置は、回転軸１と、少なく
とも１つ以上の凹凸を有し、回転軸１と同期して回転す
る磁性体回転体２と、この磁性体回転体２と所定の間隙
を持って配置されたＭＲ素子３と、ＭＲ素子３に磁界を
与える磁石４とからなり、ＭＲ素子３は、磁気抵抗パタ
ーン３ａと、薄膜面（感磁面）３ｂとを有する。そこ
で、磁性体回転体２が回転することでＭＲ素子３の感磁
面３ｂの磁界が変化し、磁気抵抗パターン３ａの抵抗値
が変化する。
【０００４】図２２は従来の検出装置の回路構成を概略
的に示すもので、定電流源に接続されたＭＲ素子３は、
磁性体回転体２の凹凸に対応した電圧変化信号ＳVVを出
力する。
的に示すもので、定電流源に接続されたＭＲ素子３は、
磁性体回転体２の凹凸に対応した電圧変化信号ＳVVを出
力する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の検出
装置で用いているＭＲ素子は、強磁性体を薄膜にしたも
ので単層構造となっており、また、磁化の向きと電流の
向きとのなす角によって抵抗値が変化する、つまり、そ
の感磁面に異方性があり、また、一つのＭＲ素子を用い
て磁界変化を検出しているため、ＭＲ素子の磁界変化が
小さい場合、ＭＲ素子の抵抗値変化も小さくなり電圧変
化も小さく、その状態で検出装置に外来ノイズが重畳す
ると元々の出力電圧変化量が小さいため、正確な信号を
得られなくなる可能性があり、結果として、外来ノイズ
の影響を受けやすく、正確に磁性体回転体の凹凸に対応
した信号を得られないという問題点があった。
装置で用いているＭＲ素子は、強磁性体を薄膜にしたも
ので単層構造となっており、また、磁化の向きと電流の
向きとのなす角によって抵抗値が変化する、つまり、そ
の感磁面に異方性があり、また、一つのＭＲ素子を用い
て磁界変化を検出しているため、ＭＲ素子の磁界変化が
小さい場合、ＭＲ素子の抵抗値変化も小さくなり電圧変
化も小さく、その状態で検出装置に外来ノイズが重畳す
ると元々の出力電圧変化量が小さいため、正確な信号を
得られなくなる可能性があり、結果として、外来ノイズ
の影響を受けやすく、正確に磁性体回転体の凹凸に対応
した信号を得られないという問題点があった。
【０００６】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、磁性体移動体の所定の位置（角
度）に対応した正確な信号が得られ、外来ノイズの影響
を受けにくく、検出精度のよい信号が得られる検出装置
を提供することを目的とする。
めになされたもので、磁性体移動体の所定の位置（角
度）に対応した正確な信号が得られ、外来ノイズの影響
を受けにくく、検出精度のよい信号が得られる検出装置
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発
生手段と所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手
段によって発生された磁界を変化させる磁界変化付与手
段と、この磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて
抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子とを備え、巨大磁気
抵抗素子、磁界発生手段および磁界変化付与手段の相互
の形状または配置間隔を所定の関係に設定したものであ
る。
る検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発
生手段と所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手
段によって発生された磁界を変化させる磁界変化付与手
段と、この磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて
抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子とを備え、巨大磁気
抵抗素子、磁界発生手段および磁界変化付与手段の相互
の形状または配置間隔を所定の関係に設定したものであ
る。
【０００８】請求項２記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、磁界変化付与手段を少なくとも
１つの凹凸を有する磁性体移動体で構成し、磁界発生手
段を磁石で構成したものである。
求項１の発明において、磁界変化付与手段を少なくとも
１つの凹凸を有する磁性体移動体で構成し、磁界発生手
段を磁石で構成したものである。
【０００９】請求項３記載の発明に係る検出装置は、請
求項２の発明において、巨大磁気抵抗素子の感磁面の寸
法を磁性体移動体の凹凸の最小寸法以下に設定したもの
である。
求項２の発明において、巨大磁気抵抗素子の感磁面の寸
法を磁性体移動体の凹凸の最小寸法以下に設定したもの
である。
【００１０】請求項４記載の発明に係る検出装置は、請
求項２の発明において、磁石の寸法を磁性体移動体の凹
凸の最小寸法の５倍以下に設定したものである。
求項２の発明において、磁石の寸法を磁性体移動体の凹
凸の最小寸法の５倍以下に設定したものである。
【００１１】請求項５記載の発明に係る検出装置は、請
求項２の発明において、巨大磁気抵抗素子と磁石の間隔
を巨大磁気抵抗素子の感磁面の寸法の５倍以下に設定し
たものである。
求項２の発明において、巨大磁気抵抗素子と磁石の間隔
を巨大磁気抵抗素子の感磁面の寸法の５倍以下に設定し
たものである。
【００１２】請求項６記載の発明に係る検出装置は、請
求項２〜５のいずれかの発明において、巨大磁気抵抗素
子を少なくとも１辺に用いたブリッジ回路と、このブリ
ッジ回路の出力を信号処理する信号処理手段とを備え、
磁性体移動体の凹凸部のエッジを検出するようにしたも
のである。
求項２〜５のいずれかの発明において、巨大磁気抵抗素
子を少なくとも１辺に用いたブリッジ回路と、このブリ
ッジ回路の出力を信号処理する信号処理手段とを備え、
磁性体移動体の凹凸部のエッジを検出するようにしたも
のである。
【００１３】請求項７記載の発明に係る検出装置は、請
求項２〜６のいずれかの発明において、磁性体移動体
は、回転軸に同期して回転する磁性体回転体であるもの
である。
求項２〜６のいずれかの発明において、磁性体移動体
は、回転軸に同期して回転する磁性体回転体であるもの
である。
【００１４】請求項８記載の発明に係る検出装置は、請
求項７の発明において、少なくとも巨大磁気抵抗素子を
含む検出装置本体を備え、磁性体回転体を内燃機関のク
ランク軸またはカム軸に装着し、磁性体回転体が巨大磁
気抵抗素子に対向するように検出装置本体を内燃機関の
近傍に配置したものである。
求項７の発明において、少なくとも巨大磁気抵抗素子を
含む検出装置本体を備え、磁性体回転体を内燃機関のク
ランク軸またはカム軸に装着し、磁性体回転体が巨大磁
気抵抗素子に対向するように検出装置本体を内燃機関の
近傍に配置したものである。
【００１５】請求項９記載の発明に係る検出装置は、請
求項８の発明において、磁性体回転体に対して検出装置
本体を回転軸方向に配置したものである。
求項８の発明において、磁性体回転体に対して検出装置
本体を回転軸方向に配置したものである。
【００１６】請求項１０記載の発明に係る検出装置は、
請求項９の発明において、検出装置本体は、少なくとも
巨大磁気抵抗素子を内蔵するハウジングを備え、磁性体
回転体を、ハウジングの側面に形成された空間部にこの
磁性体回転体の少なくとも周辺部が巨大磁気抵抗素子と
対向して位置するように配置したものである。
請求項９の発明において、検出装置本体は、少なくとも
巨大磁気抵抗素子を内蔵するハウジングを備え、磁性体
回転体を、ハウジングの側面に形成された空間部にこの
磁性体回転体の少なくとも周辺部が巨大磁気抵抗素子と
対向して位置するように配置したものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る検出装置の
一実施の形態を図について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図であり、図１の（ａ）はその側面図、図１の（ｂ）
はその斜視図である。この検出装置は、回転軸１と、少
なくとも１つ以上の凹凸を具備し、回転軸１と同期して
回転する磁界変化付与手段としての磁性体回転体２と、
この磁性体回転体２と所定の間隙を持って配置された巨
大磁気抵抗素子（以下、ＧＭＲ素子と云う）１０と、Ｇ
ＭＲ素子１０に磁界を与える磁界発生手段としての磁石
４とからなり、ＧＭＲ素子１０は、感磁パターンとして
の磁気抵抗パターン１０ａと、薄膜面（感磁面）１０ｂ
とを有する。そこで、磁性体回転体２が回転することで
ＧＭＲ素子１０の感磁面１０ｂの磁界が変化し、磁気抵
抗パターン１０ａの抵抗値が変化する。
一実施の形態を図について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図であり、図１の（ａ）はその側面図、図１の（ｂ）
はその斜視図である。この検出装置は、回転軸１と、少
なくとも１つ以上の凹凸を具備し、回転軸１と同期して
回転する磁界変化付与手段としての磁性体回転体２と、
この磁性体回転体２と所定の間隙を持って配置された巨
大磁気抵抗素子（以下、ＧＭＲ素子と云う）１０と、Ｇ
ＭＲ素子１０に磁界を与える磁界発生手段としての磁石
４とからなり、ＧＭＲ素子１０は、感磁パターンとして
の磁気抵抗パターン１０ａと、薄膜面（感磁面）１０ｂ
とを有する。そこで、磁性体回転体２が回転することで
ＧＭＲ素子１０の感磁面１０ｂの磁界が変化し、磁気抵
抗パターン１０ａの抵抗値が変化する。
【００１８】ここで、ＧＭＲ素子１０は、例えば日本応
用磁気学会誌Vol.15,No.51991,p813〜821の「人工格子
の磁気抵抗効果」と題する論文に記載されている数オン
グストロームから数十オングストロームの厚さの磁性層
と非磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工
格子膜であり、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ、（パーマロイ／Ｃｕ
／Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ、（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎが知られており、
これは、上述のＭＲ素子と比較して格段に大きなＭＲ効
果（ＭＲ変化率）を有すると共に、隣り合った磁性層の
磁化の向きの相対角度にのみ依存するので、外部磁界の
向きが電流に対してどのような角度差をもっていても同
じ抵抗値の変化が得られるいわゆる面内感磁の素子であ
る。
用磁気学会誌Vol.15,No.51991,p813〜821の「人工格子
の磁気抵抗効果」と題する論文に記載されている数オン
グストロームから数十オングストロームの厚さの磁性層
と非磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工
格子膜であり、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ、（パーマロイ／Ｃｕ
／Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ、（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎが知られており、
これは、上述のＭＲ素子と比較して格段に大きなＭＲ効
果（ＭＲ変化率）を有すると共に、隣り合った磁性層の
磁化の向きの相対角度にのみ依存するので、外部磁界の
向きが電流に対してどのような角度差をもっていても同
じ抵抗値の変化が得られるいわゆる面内感磁の素子であ
る。
【００１９】そこで、磁界の変化を検出するためにＧＭ
Ｒ素子１０で実質的に感磁面を形成し、その感磁面の各
端に電極を形成してブリッジ回路を形成し、このブリッ
ジ回路の対向する２つの電極間に定電圧、定電流の電源
を接続し、ＧＭＲ素子１０の抵抗値変化を電圧変化に変
換して、このＧＭＲ素子１０に作用している磁界変化を
検出することが考えられる。
Ｒ素子１０で実質的に感磁面を形成し、その感磁面の各
端に電極を形成してブリッジ回路を形成し、このブリッ
ジ回路の対向する２つの電極間に定電圧、定電流の電源
を接続し、ＧＭＲ素子１０の抵抗値変化を電圧変化に変
換して、このＧＭＲ素子１０に作用している磁界変化を
検出することが考えられる。
【００２０】図２は上述のＧＭＲ素子を用いた検出装置
を示すブロック図である。この検出装置は、磁性体回転
体２と所定の間隙を持って配置され、磁石４より磁界が
与えられるＧＭＲ素子を用いたホイートストンブリッジ
回路１１と、このホイートストンブリッジ回路１１の出
力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅回路１
２の出力を基準値と比較して“Ｏ”または“１”の信号
を出力する比較回路１３と、この比較回路１３の出力を
更に波形整形して立ち上がり、立ち下がりの急峻な
“Ｏ”または“１”の信号を出力端子１５に出力する波
形整形回路１４とを備える。差動増幅回路１２、比較回
路１３および波形整形回路１４は信号処理手段を構成す
る。
を示すブロック図である。この検出装置は、磁性体回転
体２と所定の間隙を持って配置され、磁石４より磁界が
与えられるＧＭＲ素子を用いたホイートストンブリッジ
回路１１と、このホイートストンブリッジ回路１１の出
力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅回路１
２の出力を基準値と比較して“Ｏ”または“１”の信号
を出力する比較回路１３と、この比較回路１３の出力を
更に波形整形して立ち上がり、立ち下がりの急峻な
“Ｏ”または“１”の信号を出力端子１５に出力する波
形整形回路１４とを備える。差動増幅回路１２、比較回
路１３および波形整形回路１４は信号処理手段を構成す
る。
【００２１】図３は図２のブロック図の具体的回路構成
の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回路１
１は、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，１０
Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａと１
０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して電源
端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの各一
端は共通接続され、接続点１７を介して接地され、ＧＭ
Ｒ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続さ
れ、ＧＭＲ素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９に
接続される。
の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回路１
１は、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子１０Ａ，１０
Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＧＭＲ素子１０Ａと１
０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１６を介して電源
端子Ｖccに接続され、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０Ｄの各一
端は共通接続され、接続点１７を介して接地され、ＧＭ
Ｒ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は接続点１８に接続さ
れ、ＧＭＲ素子１０Ｃと１０Ｄの各他端は接続点１９に
接続される。
【００２２】そして、ホイートストンブリッジ回路１１
の接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のアン
プ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵抗
器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続される
と共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回路
に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、比較
回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非
反転入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続され
ると共に抵抗器を介して自己の出力端子に接続される。
そして、比較回路１３の出力側が波形整形回路１４のト
ランジスタ１４ａのベースに接続され、そのコレクタは
出力端子１５に接続されると共に抵抗器を介して電源端
子Ｖccに接続され、そのエミッタは接地される。図４は
上述のホイートストンブリッジ回路１１を構成するＧＭ
Ｒ素子１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを基板２０
の上に配置した状態を模式的に示す図である。
の接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のアン
プ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵抗
器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続される
と共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回路
に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、比較
回路１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非
反転入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続され
ると共に抵抗器を介して自己の出力端子に接続される。
そして、比較回路１３の出力側が波形整形回路１４のト
ランジスタ１４ａのベースに接続され、そのコレクタは
出力端子１５に接続されると共に抵抗器を介して電源端
子Ｖccに接続され、そのエミッタは接地される。図４は
上述のホイートストンブリッジ回路１１を構成するＧＭ
Ｒ素子１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃおよび１０Ｄを基板２０
の上に配置した状態を模式的に示す図である。
【００２３】次に、動作について、図５を参照して説明
する。磁性体回転体２が回転することで、図５の（ａ）
に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリッジ回
路１１を構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄには同じ磁
界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０ＣにはＧＭ
Ｒ素子１０Ａ、１０Ｄとは異なる磁界変化が与えられる
ようになる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応し
てＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０Ｂ、１０Ｃの感磁面
に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つのＧＭＲ
素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得られ、その抵抗値
も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０
Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最少となる位置が逆とな
り、ホイートストンブリッジ回路の接続点１８、１９の
中点電圧も、同様に変化する。
する。磁性体回転体２が回転することで、図５の（ａ）
に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリッジ回
路１１を構成するＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｄには同じ磁
界変化が与えられ、ＧＭＲ素子１０Ｂと１０ＣにはＧＭ
Ｒ素子１０Ａ、１０Ｄとは異なる磁界変化が与えられる
ようになる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応し
てＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０Ｂ、１０Ｃの感磁面
に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つのＧＭＲ
素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得られ、その抵抗値
も同様に変化して、ＧＭＲ素子１０Ａ、１０Ｄと１０
Ｂ、１０Ｃの抵抗値の最大、最少となる位置が逆とな
り、ホイートストンブリッジ回路の接続点１８、１９の
中点電圧も、同様に変化する。
【００２４】そして、この中点電圧の差が差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、図５の（ｂ）に
実線ｂで示すような、図５の（ａ）に示す磁性体回転体
２の凹凸に対応した出力ＶDO、つまり、実質的に一つの
ＧＭＲ素子の４倍の出力が得られる。この差動増幅回路
１２の出力ＶDOは比較回路１３で基準値と比較されて
“Ｏ”または“１”の信号に変換され、この信号は更に
波形整形回路１４で波形整形され、この結果、その出力
側即ち出力端子１５には図５の（ｃ）に示すようにその
立ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の
出力が得られる。
１２により増幅され、その出力側には、図５の（ｂ）に
実線ｂで示すような、図５の（ａ）に示す磁性体回転体
２の凹凸に対応した出力ＶDO、つまり、実質的に一つの
ＧＭＲ素子の４倍の出力が得られる。この差動増幅回路
１２の出力ＶDOは比較回路１３で基準値と比較されて
“Ｏ”または“１”の信号に変換され、この信号は更に
波形整形回路１４で波形整形され、この結果、その出力
側即ち出力端子１５には図５の（ｃ）に示すようにその
立ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の
出力が得られる。
【００２５】かくして、中点電圧の電圧変化の差動を増
幅することで各ＧＭＲ素子の磁界変化を有効に利用で
き、一つのＧＭＲ素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得
られる。すなわち、ブリッジ回路構成とすることで磁性
体回転体２の回転による磁界変化を安定して大きな抵抗
値変化量に変換することが可能になる。よって、差動増
幅回路１２の出力も大きくなり、比較回路１３におけ
る”０”または”１”の信号に波形整形する判定レベル
に対する余裕度が増すことになり、外来ノイズに対して
も強くなり、常に安定した信号を得ることができる。
幅することで各ＧＭＲ素子の磁界変化を有効に利用で
き、一つのＧＭＲ素子の磁界変化の４倍の磁界変化を得
られる。すなわち、ブリッジ回路構成とすることで磁性
体回転体２の回転による磁界変化を安定して大きな抵抗
値変化量に変換することが可能になる。よって、差動増
幅回路１２の出力も大きくなり、比較回路１３におけ
る”０”または”１”の信号に波形整形する判定レベル
に対する余裕度が増すことになり、外来ノイズに対して
も強くなり、常に安定した信号を得ることができる。
【００２６】さて、 ここで、図６に示すように、ＧＭ
Ｒ素子１０の感磁面の寸法Ｌ3と磁性体回転体２の凹凸
部の寸法Ｌ1、Ｌ2を、Ｌ3≦Ｌ1かつＬ3≦Ｌ2となるよう
に設定することで、磁性体回転体２の凹凸部に対応した
磁界の変化をＧＭＲ素子１０にて効率良く検出可能とな
り、安定して精度良い信号を得ることができるようにな
る。図７は一例として、ＧＭＲ素子１０の感磁面の寸法
Ｌ3と磁性体回転体２の凹凸部の寸法Ｌ1、Ｌ2に対して
４つの条件での磁性体回転体２が回転した時の、図３に
示したブリッジ回路を構成している例えばＧＭＲ素子１
０Ａと１０Ｂの抵抗値変化を示したものである。
Ｒ素子１０の感磁面の寸法Ｌ3と磁性体回転体２の凹凸
部の寸法Ｌ1、Ｌ2を、Ｌ3≦Ｌ1かつＬ3≦Ｌ2となるよう
に設定することで、磁性体回転体２の凹凸部に対応した
磁界の変化をＧＭＲ素子１０にて効率良く検出可能とな
り、安定して精度良い信号を得ることができるようにな
る。図７は一例として、ＧＭＲ素子１０の感磁面の寸法
Ｌ3と磁性体回転体２の凹凸部の寸法Ｌ1、Ｌ2に対して
４つの条件での磁性体回転体２が回転した時の、図３に
示したブリッジ回路を構成している例えばＧＭＲ素子１
０Ａと１０Ｂの抵抗値変化を示したものである。
【００２７】ここで、磁性体回転体２の凹凸を効果的に
検出するには、ＧＭＲ素子１０Ａおよび１０Ｂの抵抗値
変化量が大きく、かつ、ＧＭＲ素子１０Ａの抵抗値が最
大の時ＧＭＲ素子１０Ｂの抵抗値が最小、逆に、ＧＭＲ
素子１０Ａの抵抗値が最小の時ＧＭＲ素子１０Ｂの抵抗
値が最大となる構成が最も効率的に検出できる。図７か
らも明らかなように、上記条件Ｌ3≦Ｌ1かつＬ3≦Ｌ2を
満足している構成で効率良く検出できている。
検出するには、ＧＭＲ素子１０Ａおよび１０Ｂの抵抗値
変化量が大きく、かつ、ＧＭＲ素子１０Ａの抵抗値が最
大の時ＧＭＲ素子１０Ｂの抵抗値が最小、逆に、ＧＭＲ
素子１０Ａの抵抗値が最小の時ＧＭＲ素子１０Ｂの抵抗
値が最大となる構成が最も効率的に検出できる。図７か
らも明らかなように、上記条件Ｌ3≦Ｌ1かつＬ3≦Ｌ2を
満足している構成で効率良く検出できている。
【００２８】そのなかで、図７の（ａ）に示すＬ3＝Ｌ1
／２かつＬ3＝Ｌ2／２では抵抗値の変化量は大きいが波
形が対称ではない。逆に、図７の（ｂ）に示すＬ3＝Ｌ1
・（２／３）かつＬ3＝Ｌ2・（２／３）の時が波形が対
称であり、抵抗値変化量も大きい。また、図７の（ｃ）
に示すＬ3＝Ｌ1かつＬ3＝Ｌ2では波形は対称であるが抵
抗値の変化量が小さく、図７の（ｄ）に示すＬ3＞Ｌ1か
つＬ3＞Ｌ2では波形が非対称で、かつ抵抗値の変化量も
小さい。このように、上記条件の中に最適値（図７の
（ｂ）の場合）が存在するので、ＧＭＲ素子の感磁面の
寸法を磁性体回転体の凹凸に対応した最適値に設定すれ
ばさらに効果的に検出できるようになる。なお、ここで
は、ＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回路を構成す
るとしたが、同様のブリッジ回路構成であれば同じ効果
を得ることができる。
／２かつＬ3＝Ｌ2／２では抵抗値の変化量は大きいが波
形が対称ではない。逆に、図７の（ｂ）に示すＬ3＝Ｌ1
・（２／３）かつＬ3＝Ｌ2・（２／３）の時が波形が対
称であり、抵抗値変化量も大きい。また、図７の（ｃ）
に示すＬ3＝Ｌ1かつＬ3＝Ｌ2では波形は対称であるが抵
抗値の変化量が小さく、図７の（ｄ）に示すＬ3＞Ｌ1か
つＬ3＞Ｌ2では波形が非対称で、かつ抵抗値の変化量も
小さい。このように、上記条件の中に最適値（図７の
（ｂ）の場合）が存在するので、ＧＭＲ素子の感磁面の
寸法を磁性体回転体の凹凸に対応した最適値に設定すれ
ばさらに効果的に検出できるようになる。なお、ここで
は、ＧＭＲ素子でホイートストンブリッジ回路を構成す
るとしたが、同様のブリッジ回路構成であれば同じ効果
を得ることができる。
【００２９】このように、本実施の形態では、ＧＭＲ素
子の感磁面寸法を磁性体回転体の凹凸に対応した最適な
値に設定することで、効率良く磁界の変化を検出でき、
安定して精度良い信号を得ることができる。さらに、Ｇ
ＭＲ素子でブリッジ回路を構成して磁性体回転体の凹凸
部のエッジを検出できるので、さらに安定して精度良く
信号を得ることができる。
子の感磁面寸法を磁性体回転体の凹凸に対応した最適な
値に設定することで、効率良く磁界の変化を検出でき、
安定して精度良い信号を得ることができる。さらに、Ｇ
ＭＲ素子でブリッジ回路を構成して磁性体回転体の凹凸
部のエッジを検出できるので、さらに安定して精度良く
信号を得ることができる。
【００３０】実施の形態２．図８は、この発明の実施の
形態２を示す構成図である。図において、図６と対応す
る部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
なお、本実施例において、全体の構造、その回路構成の
ブロック図、その回路図およびホイートストンブリッジ
回路を構成する各ＧＭＲ素子の基板上での配置状態は、
上記実施の形態１と同様であるので、その記載を省略す
る。効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精度良い
信号を得るために、上記実施の形態１では、ＧＭＲ素子
の感磁面の寸法と磁性体回転体の凹凸部の寸法の関係を
規定した場合であったが、本実施の形態では、磁性体回
転体の凹凸部と磁石の寸法の関係を規定するものであ
る。
形態２を示す構成図である。図において、図６と対応す
る部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
なお、本実施例において、全体の構造、その回路構成の
ブロック図、その回路図およびホイートストンブリッジ
回路を構成する各ＧＭＲ素子の基板上での配置状態は、
上記実施の形態１と同様であるので、その記載を省略す
る。効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精度良い
信号を得るために、上記実施の形態１では、ＧＭＲ素子
の感磁面の寸法と磁性体回転体の凹凸部の寸法の関係を
規定した場合であったが、本実施の形態では、磁性体回
転体の凹凸部と磁石の寸法の関係を規定するものであ
る。
【００３１】すなわち、磁石の寸法Ｌ4≦５Ｌ1かつＬ4
≦５Ｌ2に設定すれば、効率良く磁性体回転体の凹凸が
検出可能となる。図９は一例として、磁石の寸法Ｌ4と
磁性体回転体２の凹凸部の寸法Ｌ1、Ｌ2に対して２つの
条件での磁性体回転体２が回転した時の、図３に示した
ブリッジ回路を構成している例えばＧＭＲ素子１０Ａと
１０Ｂの抵抗値変化を示したものである。
≦５Ｌ2に設定すれば、効率良く磁性体回転体の凹凸が
検出可能となる。図９は一例として、磁石の寸法Ｌ4と
磁性体回転体２の凹凸部の寸法Ｌ1、Ｌ2に対して２つの
条件での磁性体回転体２が回転した時の、図３に示した
ブリッジ回路を構成している例えばＧＭＲ素子１０Ａと
１０Ｂの抵抗値変化を示したものである。
【００３２】この場合も、磁性体回転体２の凹凸を効果
的に検出するには、ＧＭＲ素子１０Ａおよび１０Ｂの抵
抗値変化量が大きく、かつ、ＧＭＲ素子１０Ａの抵抗値
が最大の時ＧＭＲ素子１０Ｂの抵抗値が最小、逆に、Ｇ
ＭＲ素子１０Ａの抵抗値が最小の時ＧＭＲ素子１０Ｂの
抵抗値が最大となる構成が最も効率的に検出できる。図
９からも明らかなように、上記条件Ｌ4≦５Ｌ1かつＬ4
≦５Ｌ2を満足している構成で効率良く検出できてい
る。
的に検出するには、ＧＭＲ素子１０Ａおよび１０Ｂの抵
抗値変化量が大きく、かつ、ＧＭＲ素子１０Ａの抵抗値
が最大の時ＧＭＲ素子１０Ｂの抵抗値が最小、逆に、Ｇ
ＭＲ素子１０Ａの抵抗値が最小の時ＧＭＲ素子１０Ｂの
抵抗値が最大となる構成が最も効率的に検出できる。図
９からも明らかなように、上記条件Ｌ4≦５Ｌ1かつＬ4
≦５Ｌ2を満足している構成で効率良く検出できてい
る。
【００３３】そのなかで、図９の（ａ）に示すＬ4≦５
Ｌ1かつＬ4≦５Ｌ2の時が波形が対称であり、抵抗値変
化量も大きい。逆に、図９の（ｂ）に示すＬ4＞５Ｌ1か
つＬ4＞５Ｌ2では波形は対称であるが抵抗値の変化量が
小さい。このように、上記条件の中に最適値（図９の
（ａ）の場合）が存在するので、磁石の寸法を磁性体回
転体の凹凸に対応した最適値に設定すればさらに効果的
に検出できるようになる。なお、ここでは、ＧＭＲ素子
でホイートストンブリッジ回路を構成するとしたが、同
様のブリッジ回路構成であれば同じ効果を得ることがで
きる。
Ｌ1かつＬ4≦５Ｌ2の時が波形が対称であり、抵抗値変
化量も大きい。逆に、図９の（ｂ）に示すＬ4＞５Ｌ1か
つＬ4＞５Ｌ2では波形は対称であるが抵抗値の変化量が
小さい。このように、上記条件の中に最適値（図９の
（ａ）の場合）が存在するので、磁石の寸法を磁性体回
転体の凹凸に対応した最適値に設定すればさらに効果的
に検出できるようになる。なお、ここでは、ＧＭＲ素子
でホイートストンブリッジ回路を構成するとしたが、同
様のブリッジ回路構成であれば同じ効果を得ることがで
きる。
【００３４】このように、本実施の形態では、磁石の寸
法を磁性体回転体の凹凸に対応した最適な値に設定する
ことで、効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精度
良い信号を得ることができる。さらに、ＧＭＲ素子でブ
リッジ回路を構成して磁性体回転体の凹凸部のエッジを
検出できるので、さらに安定して精度良く信号を得るこ
とができる。
法を磁性体回転体の凹凸に対応した最適な値に設定する
ことで、効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精度
良い信号を得ることができる。さらに、ＧＭＲ素子でブ
リッジ回路を構成して磁性体回転体の凹凸部のエッジを
検出できるので、さらに安定して精度良く信号を得るこ
とができる。
【００３５】実施の形態３．図１０は、この発明の実施
の形態３を示す構成図である。図において、図６と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。なお、本実施例においても、全体の構造、その回路
構成のブロック図、その回路図およびホイートストンブ
リッジ回路を構成する各ＧＭＲ素子の基板上での配置状
態は、上記実施の形態１と同様であるので、その記載を
省略する。効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精
度良い信号を得るために、上記実施の形態１および２で
は、ＧＭＲ素子の感磁面の寸法と磁性体回転体の凹凸部
の寸法の関係或いは磁性体回転体の凹凸部と磁石の寸法
の関係を規定した場合であったが、本実施の形態では、
ＧＭＲ素子の感磁面と磁石の配置間隔の関係を規定する
ものである。
の形態３を示す構成図である。図において、図６と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。なお、本実施例においても、全体の構造、その回路
構成のブロック図、その回路図およびホイートストンブ
リッジ回路を構成する各ＧＭＲ素子の基板上での配置状
態は、上記実施の形態１と同様であるので、その記載を
省略する。効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精
度良い信号を得るために、上記実施の形態１および２で
は、ＧＭＲ素子の感磁面の寸法と磁性体回転体の凹凸部
の寸法の関係或いは磁性体回転体の凹凸部と磁石の寸法
の関係を規定した場合であったが、本実施の形態では、
ＧＭＲ素子の感磁面と磁石の配置間隔の関係を規定する
ものである。
【００３６】すなわち、ＧＭＲ素子の感磁面と磁石の配
置間隔Ｌ5についてＬ5≦５Ｌ3に設定すれば、効率良く
回転体の凹凸が検出可能となる。図１１は一例として、
ＧＭＲ素子１０の感磁面の寸法Ｌ3とＧＭＲ素子１０の
感磁面と磁石の配置間隔Ｌ5に対して３つの条件での磁
性体回転体２が回転した時の、図３に示したブリッジ回
路を構成している例えばＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの抵
抗値変化を示したものである。
置間隔Ｌ5についてＬ5≦５Ｌ3に設定すれば、効率良く
回転体の凹凸が検出可能となる。図１１は一例として、
ＧＭＲ素子１０の感磁面の寸法Ｌ3とＧＭＲ素子１０の
感磁面と磁石の配置間隔Ｌ5に対して３つの条件での磁
性体回転体２が回転した時の、図３に示したブリッジ回
路を構成している例えばＧＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの抵
抗値変化を示したものである。
【００３７】この場合も、磁性体回転体２の凹凸を効果
的に検出するには、ＧＭＲ素子１０Ａおよび１０Ｂの抵
抗値変化量が大きく、かつ、ＧＭＲ素子１０Ａの抵抗値
が最大の時ＧＭＲ素子１０Ｂの抵抗値が最小、逆に、Ｇ
ＭＲ素子１０Ａの抵抗値が最小の時ＧＭＲ素子１０Ｂの
抵抗値が最大となる構成が最も効率的に検出できる。図
１１の（ａ）からも明らかなように、上記条件Ｌ5≦５
Ｌ3を満足している構成で効率良く検出できている。
的に検出するには、ＧＭＲ素子１０Ａおよび１０Ｂの抵
抗値変化量が大きく、かつ、ＧＭＲ素子１０Ａの抵抗値
が最大の時ＧＭＲ素子１０Ｂの抵抗値が最小、逆に、Ｇ
ＭＲ素子１０Ａの抵抗値が最小の時ＧＭＲ素子１０Ｂの
抵抗値が最大となる構成が最も効率的に検出できる。図
１１の（ａ）からも明らかなように、上記条件Ｌ5≦５
Ｌ3を満足している構成で効率良く検出できている。
【００３８】そのなかで、図１１の（ｂ）に示すＬ5＝
Ｌ3では抵抗値の変化量は大きいが波形が対称ではな
い。逆に、図１１の（ｃ）に示すＬ5＝２Ｌ3の時が波形
が対称であり、抵抗値変化量も大きい。また、図１１の
（ｄ）に示すＬ5＝３Ｌ3では抵抗値の変化量は大きいが
波形が対称ではない。このように、上記条件の中に最適
値（図１１の（ｃ）の場合）が存在するので、条件Ｌ5
≦５Ｌ3の範囲でＧＭＲ素子の感磁面と磁石の配置間隔
の関係を最適値に設定すればさらに効果的に検出できる
ようになる。なお、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートス
トンブリッジ回路を構成するとしたが、同様のブリッジ
回路構成であれば同じ効果を得ることができる。
Ｌ3では抵抗値の変化量は大きいが波形が対称ではな
い。逆に、図１１の（ｃ）に示すＬ5＝２Ｌ3の時が波形
が対称であり、抵抗値変化量も大きい。また、図１１の
（ｄ）に示すＬ5＝３Ｌ3では抵抗値の変化量は大きいが
波形が対称ではない。このように、上記条件の中に最適
値（図１１の（ｃ）の場合）が存在するので、条件Ｌ5
≦５Ｌ3の範囲でＧＭＲ素子の感磁面と磁石の配置間隔
の関係を最適値に設定すればさらに効果的に検出できる
ようになる。なお、ここでは、ＧＭＲ素子でホイートス
トンブリッジ回路を構成するとしたが、同様のブリッジ
回路構成であれば同じ効果を得ることができる。
【００３９】このように、本実施の形態では、ＧＭＲ素
子の感磁面と磁石の配置間隔の関係を最適な値に設定す
ることで、効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精
度良い信号を得ることができる。さらに、ＧＭＲ素子で
ブリッジ回路を構成して磁性体回転体の凹凸部のエッジ
を検出できるので、さらに安定して精度良く信号を得る
ことができる。
子の感磁面と磁石の配置間隔の関係を最適な値に設定す
ることで、効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精
度良い信号を得ることができる。さらに、ＧＭＲ素子で
ブリッジ回路を構成して磁性体回転体の凹凸部のエッジ
を検出できるので、さらに安定して精度良く信号を得る
ことができる。
【００４０】実施の形態４．図１２〜図１５は、本装置
を一例として内燃機関に適用した場合のこの発明の実施
の形態４を示すもので、図１２はその全体を示す構成
図、図１３は検出装置本体と磁性体回転体の配置関係を
示す斜視図、図１４は検出装置本体を示す斜視図、図１
５はその内部構成図である。図において、検出装置本体
５０が内燃機関６０に近傍に設けられ、そのクランク軸
やカム軸等を利用した回転軸５１にシグナルプレートと
しての少なくとも１つ以上の凹凸を具備する上述の磁性
体回転体２相当の磁性体回転体５２がこれと同期して回
転するように設けられる。また、コントロールユニット
６１が検出装置本体５０の回路部に接続されると共に、
内燃機関６０の吸気管６２内に設けられたスロットル弁
６３に接続される。
を一例として内燃機関に適用した場合のこの発明の実施
の形態４を示すもので、図１２はその全体を示す構成
図、図１３は検出装置本体と磁性体回転体の配置関係を
示す斜視図、図１４は検出装置本体を示す斜視図、図１
５はその内部構成図である。図において、検出装置本体
５０が内燃機関６０に近傍に設けられ、そのクランク軸
やカム軸等を利用した回転軸５１にシグナルプレートと
しての少なくとも１つ以上の凹凸を具備する上述の磁性
体回転体２相当の磁性体回転体５２がこれと同期して回
転するように設けられる。また、コントロールユニット
６１が検出装置本体５０の回路部に接続されると共に、
内燃機関６０の吸気管６２内に設けられたスロットル弁
６３に接続される。
【００４１】検出装置本体５０は、磁性体回転体５２に
対して検出装置本体５０内のＧＭＲ素子の感磁面が対向
するように、内燃機関６０の近傍に配置される。検出装
置本体５０は、図１４に示すように、樹脂または非磁性
体からなるハウジング５３および取付け部５４を備え、
ハウジング５３の底部より入出力用のリード線を用いた
電源端子、グランド端子、出力端子等の端子５５が取り
出される。ハウジング５３の内部には、図１５に示すよ
うに、図３で説明したような回路が配置された基板５６
が設けられ、この基板５６の一部に例えばそれぞれ上述
のＧＭＲ素子１０および磁石４相当のＧＭＲ素子５７お
よび磁石５８が搭載される。
対して検出装置本体５０内のＧＭＲ素子の感磁面が対向
するように、内燃機関６０の近傍に配置される。検出装
置本体５０は、図１４に示すように、樹脂または非磁性
体からなるハウジング５３および取付け部５４を備え、
ハウジング５３の底部より入出力用のリード線を用いた
電源端子、グランド端子、出力端子等の端子５５が取り
出される。ハウジング５３の内部には、図１５に示すよ
うに、図３で説明したような回路が配置された基板５６
が設けられ、この基板５６の一部に例えばそれぞれ上述
のＧＭＲ素子１０および磁石４相当のＧＭＲ素子５７お
よび磁石５８が搭載される。
【００４２】次に、動作について説明する。いま、内燃
機関６０の起動により回転軸５１の回転に同期して磁性
体回転体５２が回転すると、その凹凸に対応して、検出
装置本体５０内のＧＭＲ素子５７の感磁面の磁界が変化
し、その抵抗値も同様に変化する。そして、ＧＭＲ素子
５７等で構成されるホイートストンブリッジ回路の中点
電圧の差が差動増幅回路により増幅され、その出力が比
較回路で基準値と比較されて“Ｏ”または“１”の信号
に変換され、この信号は更に波形整形回路で波形整形さ
れ、“Ｏ”または“１”の信号としてコントロールユニ
ット６１に供給される。これにより、コントロールユニ
ット６１は、内燃機関６０の各気筒に対応したクランク
軸やカム軸の回転角度や回転数等を知ることができる。
そして、コントロールユニット６１は、検出装置の出
力、即ち“Ｏ”または“１”の信号や、スロットル弁６
３からの開度情報等に基づいて制御信号を形成し、この
制御信号により図示しない点火プラグの点火タイミング
や燃料噴射弁の噴射タイミング等を制御する。
機関６０の起動により回転軸５１の回転に同期して磁性
体回転体５２が回転すると、その凹凸に対応して、検出
装置本体５０内のＧＭＲ素子５７の感磁面の磁界が変化
し、その抵抗値も同様に変化する。そして、ＧＭＲ素子
５７等で構成されるホイートストンブリッジ回路の中点
電圧の差が差動増幅回路により増幅され、その出力が比
較回路で基準値と比較されて“Ｏ”または“１”の信号
に変換され、この信号は更に波形整形回路で波形整形さ
れ、“Ｏ”または“１”の信号としてコントロールユニ
ット６１に供給される。これにより、コントロールユニ
ット６１は、内燃機関６０の各気筒に対応したクランク
軸やカム軸の回転角度や回転数等を知ることができる。
そして、コントロールユニット６１は、検出装置の出
力、即ち“Ｏ”または“１”の信号や、スロットル弁６
３からの開度情報等に基づいて制御信号を形成し、この
制御信号により図示しない点火プラグの点火タイミング
や燃料噴射弁の噴射タイミング等を制御する。
【００４３】なお、上述の例では、検出装置本体５０に
対する入出力用の端子５５としてリード線を用いる場合
であるが、図１６に示すように、ハウジング５３に対し
て着脱可能なコネクタ５９を用いてもよい。この場合、
端子５５はコネクタ５９に組み込まれ、このコネクタ５
９がハウジング５３側に差し込まれると、端子５５が基
板５６の回路部と接続されることになる。これにより、
取り扱いが容易で、構造的にも簡単となり、また、装置
の組み込みも容易となる。
対する入出力用の端子５５としてリード線を用いる場合
であるが、図１６に示すように、ハウジング５３に対し
て着脱可能なコネクタ５９を用いてもよい。この場合、
端子５５はコネクタ５９に組み込まれ、このコネクタ５
９がハウジング５３側に差し込まれると、端子５５が基
板５６の回路部と接続されることになる。これにより、
取り扱いが容易で、構造的にも簡単となり、また、装置
の組み込みも容易となる。
【００４４】このように、本実施の形態では、小型で安
価な検出装置を用いて内燃機関のクランク軸やカム軸の
回転角度（回転数）を精度よく検出でき、細かい制御が
可能となり、また、内燃機関への搭載性を向上でき、取
り付けが容易で、スペース的にも有利である。
価な検出装置を用いて内燃機関のクランク軸やカム軸の
回転角度（回転数）を精度よく検出でき、細かい制御が
可能となり、また、内燃機関への搭載性を向上でき、取
り付けが容易で、スペース的にも有利である。
【００４５】実施の形態５．図１７は、この発明の実施
の形態５を示すもので、図１７の（ａ）は検出装置本体
と磁性体回転体の配置関係を示す斜視図、図１７の
（ｂ）はその側面図である。図において、図１３と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。上述の各実施の形態では、検出装置本体を回転軸に
対して垂直方向に設ける場合であったが、本実施の形態
では、検出装置本体を回転軸に対して同軸方向に設ける
ものである。即ち、図１７の（ａ）に示すように、回転
軸５１に対して検出装置本体５０を同軸方向に設け、図
１７の（ｂ）に示すように、磁性体回転体５２の凹凸部
５２ａが検出装置本体５０のＧＭＲ素子の感磁面に対向
するように配置する。
の形態５を示すもので、図１７の（ａ）は検出装置本体
と磁性体回転体の配置関係を示す斜視図、図１７の
（ｂ）はその側面図である。図において、図１３と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。上述の各実施の形態では、検出装置本体を回転軸に
対して垂直方向に設ける場合であったが、本実施の形態
では、検出装置本体を回転軸に対して同軸方向に設ける
ものである。即ち、図１７の（ａ）に示すように、回転
軸５１に対して検出装置本体５０を同軸方向に設け、図
１７の（ｂ）に示すように、磁性体回転体５２の凹凸部
５２ａが検出装置本体５０のＧＭＲ素子の感磁面に対向
するように配置する。
【００４６】かくして、本実施の形態でも、上記実施の
形態４と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、検出装置本体を回転軸方向に配置できるの
で、実質的に回転軸のスペースを共用でき、半径方向に
装置の形状が大きくならず、小型化を更に向上できる。
形態４と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、検出装置本体を回転軸方向に配置できるの
で、実質的に回転軸のスペースを共用でき、半径方向に
装置の形状が大きくならず、小型化を更に向上できる。
【００４７】実施の形態６．図１８および図１９は、こ
の発明の実施の形態６を示すもので、図１８はその側断
面図、図１９は検出装置本体の概略図である。図におい
て、図１３および図１５と対応する部分には同一符号を
付し、その詳細説明を省略する。上述の各実施の形態で
は、検出装置本体のＧＭＲ素子と磁性体回転体が所定の
間隙を持って離れた状態で配置される場合であったが、
本実施の形態では、検出装置本体のＧＭＲ素子と磁石の
間に磁性体回転体を所定の間隙を持って挟み込むように
配置するものである。
の発明の実施の形態６を示すもので、図１８はその側断
面図、図１９は検出装置本体の概略図である。図におい
て、図１３および図１５と対応する部分には同一符号を
付し、その詳細説明を省略する。上述の各実施の形態で
は、検出装置本体のＧＭＲ素子と磁性体回転体が所定の
間隙を持って離れた状態で配置される場合であったが、
本実施の形態では、検出装置本体のＧＭＲ素子と磁石の
間に磁性体回転体を所定の間隙を持って挟み込むように
配置するものである。
【００４８】検出装置本体５０Ａは、例えば樹脂または
非磁性体からなるハウジング７０と、このハウジング７
０内の空洞部７０ａに設けられた上述のＧＭＲ素子１０
相当のＧＭＲ素子５７等を保護するためのカバー７１
と、取付け部７４とを備え、ハウジング７０内の空洞部
７０ａには図３で説明したような回路が配置された基板
（図示せず）が設けられ、この基板の一部にＧＭＲ素子
５７が搭載される。ＧＭＲ素子５７にはターミナル７２
が電気的に接続され、このターミナル７２が検出装置本
体５０Ａの内部を通って底部まで延在し、これにに入出
力用のリード線を用いた電源端子、グランド端子、出力
端子等の端子７３が接続されて外部に取り出される。ま
た、ハウジング７０の側面の空間部７０ｂの下側に空洞
部７０ａ内のＧＭＲ素子５７の感磁面と対向して磁石５
８が設けられ、これらＧＭＲ素子５７と磁石５８の間
を、回転軸５１と同期して回転する磁性体回転体５２の
少なくともその凹凸部が通るように、磁性体回転体５２
が配置される。
非磁性体からなるハウジング７０と、このハウジング７
０内の空洞部７０ａに設けられた上述のＧＭＲ素子１０
相当のＧＭＲ素子５７等を保護するためのカバー７１
と、取付け部７４とを備え、ハウジング７０内の空洞部
７０ａには図３で説明したような回路が配置された基板
（図示せず）が設けられ、この基板の一部にＧＭＲ素子
５７が搭載される。ＧＭＲ素子５７にはターミナル７２
が電気的に接続され、このターミナル７２が検出装置本
体５０Ａの内部を通って底部まで延在し、これにに入出
力用のリード線を用いた電源端子、グランド端子、出力
端子等の端子７３が接続されて外部に取り出される。ま
た、ハウジング７０の側面の空間部７０ｂの下側に空洞
部７０ａ内のＧＭＲ素子５７の感磁面と対向して磁石５
８が設けられ、これらＧＭＲ素子５７と磁石５８の間
を、回転軸５１と同期して回転する磁性体回転体５２の
少なくともその凹凸部が通るように、磁性体回転体５２
が配置される。
【００４９】このような構成とすることにより、磁石５
８、磁性体回転体５２およびＧＭＲ素子５７を通る磁路
が実質的に形成され、ＧＭＲ素子５７と磁石５８の間
に、磁性体回転体５２の凹部が位置する状態では、磁石
５８からの磁界がＧＭＲ素子５７の感磁面にそのまま与
えられ、一方、磁性体回転体５２の凸部が位置する状態
では、磁石５８からの磁界が磁性体回転体５２の方に流
れて実質的にＧＭＲ素子５７の感磁面に与えられない。
つまり、このことは、実質的に磁性体回転体５２の少な
くとも一部が磁石で構成されているのと同様の状態とな
り、従って、この場合も、パワーオン機能が得られるこ
とになる。
８、磁性体回転体５２およびＧＭＲ素子５７を通る磁路
が実質的に形成され、ＧＭＲ素子５７と磁石５８の間
に、磁性体回転体５２の凹部が位置する状態では、磁石
５８からの磁界がＧＭＲ素子５７の感磁面にそのまま与
えられ、一方、磁性体回転体５２の凸部が位置する状態
では、磁石５８からの磁界が磁性体回転体５２の方に流
れて実質的にＧＭＲ素子５７の感磁面に与えられない。
つまり、このことは、実質的に磁性体回転体５２の少な
くとも一部が磁石で構成されているのと同様の状態とな
り、従って、この場合も、パワーオン機能が得られるこ
とになる。
【００５０】なお、上述の例では、ハウジング７０の側
面の空間部７０ｂの下側に空洞部７０ａ内のＧＭＲ素子
５７の感磁面と対向して磁石５８を設けた場合である
が、図２０に示すように、空間部７０ｂの下側と磁石５
８の間にコア７５を設け、磁気回路を構成するようにし
てもよい。これにより、磁石５８−磁性体回転体５２−
ＧＭＲ素子５７−磁性体回転体５２−コア７５−磁石５
８の閉磁路が実質的に形成され、更に確実な磁気回路が
確立され、検出性が向上する。
面の空間部７０ｂの下側に空洞部７０ａ内のＧＭＲ素子
５７の感磁面と対向して磁石５８を設けた場合である
が、図２０に示すように、空間部７０ｂの下側と磁石５
８の間にコア７５を設け、磁気回路を構成するようにし
てもよい。これにより、磁石５８−磁性体回転体５２−
ＧＭＲ素子５７−磁性体回転体５２−コア７５−磁石５
８の閉磁路が実質的に形成され、更に確実な磁気回路が
確立され、検出性が向上する。
【００５１】かくして、本実施の形態でも、上記実施の
形態４と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、ＧＭＲ素子と磁石の間の磁性体回転体の位置
決めを考慮する必要があるも、パワーオン機能が得られ
る。
形態４と同様の効果が得られると共に、更に、本実施の
形態では、ＧＭＲ素子と磁石の間の磁性体回転体の位置
決めを考慮する必要があるも、パワーオン機能が得られ
る。
【００５２】実施の形態７．なお、上述した各実施の形
態では、磁界変化付与手段としての磁性体移動体が、回
転軸に同期して回転する磁性体回転体の場合について説
明したが、直線変位する磁性体移動体についても同様に
適用でき、同様の効果を奏する。この場合、例えば内燃
機関におけるＥＧＲバルブの弁開度の検出等への適用が
考えられる。
態では、磁界変化付与手段としての磁性体移動体が、回
転軸に同期して回転する磁性体回転体の場合について説
明したが、直線変位する磁性体移動体についても同様に
適用でき、同様の効果を奏する。この場合、例えば内燃
機関におけるＥＧＲバルブの弁開度の検出等への適用が
考えられる。
【００５３】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発生手段と
所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手段によっ
て発生された磁界を変化させる磁界変化付与手段と、こ
の磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて抵抗値が
変化する巨大磁気抵抗素子とを備え、巨大磁気抵抗素
子、磁界発生手段および磁界変化付与手段の相互の形状
または配置間隔を所定の関係に設定したので、効率良く
磁界の変化を検出でき、安定して精度良い信号を得るこ
とができ、検出精度を向上できるという効果がある。
れば、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発生手段と
所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手段によっ
て発生された磁界を変化させる磁界変化付与手段と、こ
の磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて抵抗値が
変化する巨大磁気抵抗素子とを備え、巨大磁気抵抗素
子、磁界発生手段および磁界変化付与手段の相互の形状
または配置間隔を所定の関係に設定したので、効率良く
磁界の変化を検出でき、安定して精度良い信号を得るこ
とができ、検出精度を向上できるという効果がある。
【００５４】請求項２記載の発明によれば、請求項１の
発明において、磁界変化付与手段を少なくとも１つの凹
凸を有する磁性体移動体で構成し、磁界発生手段を磁石
で構成したので、小さな凹凸の検出まで対応可能とな
り、検出装置の小型化、低廉化と共に、検出精度を向上
できるという効果がある。
発明において、磁界変化付与手段を少なくとも１つの凹
凸を有する磁性体移動体で構成し、磁界発生手段を磁石
で構成したので、小さな凹凸の検出まで対応可能とな
り、検出装置の小型化、低廉化と共に、検出精度を向上
できるという効果がある。
【００５５】請求項３記載の発明によれば、請求項２の
発明において、巨大磁気抵抗素子の感磁面の寸法を磁性
体移動体の凹凸の最小寸法以下に設定したので、効率良
く磁界の変化を検出でき、安定して精度良い信号を得る
ことができ、より検出精度を向上できるという効果があ
る。
発明において、巨大磁気抵抗素子の感磁面の寸法を磁性
体移動体の凹凸の最小寸法以下に設定したので、効率良
く磁界の変化を検出でき、安定して精度良い信号を得る
ことができ、より検出精度を向上できるという効果があ
る。
【００５６】請求項４記載の発明によれば、請求項２の
発明において、磁石の寸法を磁性体移動体の凹凸の最小
寸法の５倍以下に設定したので、効率良く磁界の変化を
検出でき、安定して精度良い信号を得ることができ、よ
り検出精度を向上できるという効果がある。
発明において、磁石の寸法を磁性体移動体の凹凸の最小
寸法の５倍以下に設定したので、効率良く磁界の変化を
検出でき、安定して精度良い信号を得ることができ、よ
り検出精度を向上できるという効果がある。
【００５７】請求項５記載の発明によれば、請求項２の
発明において、巨大磁気抵抗素子と磁石の間隔を巨大磁
気抵抗素子の感磁面の寸法の５倍以下に設定したので、
効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精度良い信号
を得ることができ、より検出精度を向上できるという効
果がある。
発明において、巨大磁気抵抗素子と磁石の間隔を巨大磁
気抵抗素子の感磁面の寸法の５倍以下に設定したので、
効率良く磁界の変化を検出でき、安定して精度良い信号
を得ることができ、より検出精度を向上できるという効
果がある。
【００５８】請求項６記載の発明によれば、請求項２〜
５のいずれかの発明において、巨大磁気抵抗素子を少な
くとも１辺に用いたブリッジ回路と、このブリッジ回路
の出力を信号処理する信号処理手段とを備え、磁性体移
動体の凹凸部のエッジを検出するようにしたので、さら
に安定して精度良く信号を得ることができ、より検出精
度を向上でき、しかも、巨大磁気抵抗素子の感磁面に異
方性がなく、磁界変化を安定して検出可能となり、巨大
磁気抵抗素子の抵抗変化量も安定して大きくなるため、
信号処理手段の出力も大きくなり、この信号処理手段に
おける”０”または”１”の信号に変換する際の判定レ
ベルに対する余裕度が増すことになり、外来ノイズに対
しても強くなり、安定した信号を得ることができるとい
う効果がある。
５のいずれかの発明において、巨大磁気抵抗素子を少な
くとも１辺に用いたブリッジ回路と、このブリッジ回路
の出力を信号処理する信号処理手段とを備え、磁性体移
動体の凹凸部のエッジを検出するようにしたので、さら
に安定して精度良く信号を得ることができ、より検出精
度を向上でき、しかも、巨大磁気抵抗素子の感磁面に異
方性がなく、磁界変化を安定して検出可能となり、巨大
磁気抵抗素子の抵抗変化量も安定して大きくなるため、
信号処理手段の出力も大きくなり、この信号処理手段に
おける”０”または”１”の信号に変換する際の判定レ
ベルに対する余裕度が増すことになり、外来ノイズに対
しても強くなり、安定した信号を得ることができるとい
う効果がある。
【００５９】請求項７記載の発明によれば、請求項２〜
６のいずれかの発明において、磁性体移動体は、回転軸
に同期して回転する磁性体回転体であるので、磁性体回
転体の回転による磁界の変化を確実に検出できるという
効果がある。
６のいずれかの発明において、磁性体移動体は、回転軸
に同期して回転する磁性体回転体であるので、磁性体回
転体の回転による磁界の変化を確実に検出できるという
効果がある。
【００６０】請求項８記載の発明によれば、請求項７の
発明において、少なくとも巨大磁気抵抗素子を含む検出
装置本体を備え、回転体を内燃機関のクランク軸または
カム軸に装着し、回転体が巨大磁気抵抗素子に対向する
ように検出装置本体を内燃機関の近傍に配置したので、
小型で安価な検出装置を用いて内燃機関のクランク軸や
カム軸の回転角度（回転数）を精度よく検出でき、細か
い制御が可能となり、また、内燃機関への搭載性を向上
でき、取り付けが容易で、スペース的にも有利で、装置
のコンパクト化が可能になるという効果がある。
発明において、少なくとも巨大磁気抵抗素子を含む検出
装置本体を備え、回転体を内燃機関のクランク軸または
カム軸に装着し、回転体が巨大磁気抵抗素子に対向する
ように検出装置本体を内燃機関の近傍に配置したので、
小型で安価な検出装置を用いて内燃機関のクランク軸や
カム軸の回転角度（回転数）を精度よく検出でき、細か
い制御が可能となり、また、内燃機関への搭載性を向上
でき、取り付けが容易で、スペース的にも有利で、装置
のコンパクト化が可能になるという効果がある。
【００６１】請求項９記載の発明によれば、請求項８の
発明において、回転体に対して検出装置本体を回転軸方
向に配置したので、実質的に回転軸のスペースを共用で
き、半径方向に装置の形状が大きくならず、小型化を更
に促進できるという効果がある。
発明において、回転体に対して検出装置本体を回転軸方
向に配置したので、実質的に回転軸のスペースを共用で
き、半径方向に装置の形状が大きくならず、小型化を更
に促進できるという効果がある。
【００６２】請求項１０記載の発明によれば、請求項９
の発明において、検出装置本体は、少なくとも巨大磁気
抵抗素子を内蔵するハウジングを備え、回転体を、ハウ
ジングの側面に形成された空間部にこの回転体の少なく
とも周辺部が巨大磁気抵抗素子と対向して位置するよう
に配置したので、回転体と巨大磁気抵抗素子を通る磁路
が実質的に形成され、回転体の少なくとも一部が磁石で
構成されているのと同様の状態となり、以て、検出装置
に電源が供給された瞬間から回転体の回転角度に対応し
た出力を正確に得ることが可能となり、パワーオン機能
が得られるという効果がある。
の発明において、検出装置本体は、少なくとも巨大磁気
抵抗素子を内蔵するハウジングを備え、回転体を、ハウ
ジングの側面に形成された空間部にこの回転体の少なく
とも周辺部が巨大磁気抵抗素子と対向して位置するよう
に配置したので、回転体と巨大磁気抵抗素子を通る磁路
が実質的に形成され、回転体の少なくとも一部が磁石で
構成されているのと同様の状態となり、以て、検出装置
に電源が供給された瞬間から回転体の回転角度に対応し
た出力を正確に得ることが可能となり、パワーオン機能
が得られるという効果がある。
【図１】 この発明に係る検出装置の実施の形態１を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】 この発明に係る検出装置の実施の形態１の回
路構成を示すブロック図である。
路構成を示すブロック図である。
【図３】 図２の具体的回路構成の一例を示す回路図で
ある。
ある。
【図４】 図３のホイートストンブリッジ回路を構成す
る４つのＧＭＲ素子を基板の上に配置した状態を模式的
に示す図である。
る４つのＧＭＲ素子を基板の上に配置した状態を模式的
に示す図である。
【図５】 図３の動作説明に供するための波形図であ
る。
る。
【図６】 この発明に係る検出装置の実施の形態１の要
旨を示す構成図である。
旨を示す構成図である。
【図７】 この発明に係る検出装置の実施の形態１の要
旨を説明するための特性図である。
旨を説明するための特性図である。
【図８】 この発明に係る検出装置の実施の形態２の要
旨を示す構成図である。
旨を示す構成図である。
【図９】 この発明に係る検出装置の実施の形態２の要
旨を説明するための特性図である。
旨を説明するための特性図である。
【図１０】 この発明に係る検出装置の実施の形態３の
要旨を示す構成図である。
要旨を示す構成図である。
【図１１】 この発明に係る検出装置の実施の形態３の
要旨を説明するための特性図である。この発明に係る検
出装置の実施の形態２を示す構成図である。
要旨を説明するための特性図である。この発明に係る検
出装置の実施の形態２を示す構成図である。
【図１２】 この発明に係る検出装置の実施の形態４を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図１３】 この発明に係る検出装置の実施の形態４に
おける検出装置本体と磁性体回転体の配置関係を示す斜
視図である。
おける検出装置本体と磁性体回転体の配置関係を示す斜
視図である。
【図１４】 この発明に係る検出装置の実施の形態４に
おける検出装置本体を示す斜視図である。
おける検出装置本体を示す斜視図である。
【図１５】 この発明に係る検出装置の実施の形態４に
おける検出装置本体の内部構成図である。
おける検出装置本体の内部構成図である。
【図１６】 この発明に係る検出装置の実施の形態４に
おける検出装置本体の他の例を示す側断面図である。
おける検出装置本体の他の例を示す側断面図である。
【図１７】 この発明に係る検出装置の実施の形態５を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図１８】 この発明に係る検出装置の実施の形態６を
示す側断面図である。
示す側断面図である。
【図１９】 この発明に係る検出装置の実施の形態６に
おける検出装置本体を示す斜視図である。
おける検出装置本体を示す斜視図である。
【図２０】 この発明に係る検出装置の実施の形態６に
おける他の例をを示す側断面図である。
おける他の例をを示す側断面図である。
【図２１】 従来の検出装置を示す構成図である。
【図２２】 従来の検出装置の回路構成を概略的に示す
である。
である。
１，５１ 回転軸、２，５２，５２Ａ 磁性体回転体、
４ 磁石、１０，１０Ａ〜１０Ｄ ＧＭＲ素子、１１
ホイートストンブリッジ回路、１２ 差動増幅回路、１
３ 比較回路、１４ 波形整形回路、５０，５０Ａ，５
０Ｂ 検出装置本体、５３ ハウジング。
４ 磁石、１０，１０Ａ〜１０Ｄ ＧＭＲ素子、１１
ホイートストンブリッジ回路、１２ 差動増幅回路、１
３ 比較回路、１４ 波形整形回路、５０，５０Ａ，５
０Ｂ 検出装置本体、５３ ハウジング。
フロントページの続き (72)発明者 福井 渉 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 大橋 豊 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 磁界を発生する磁界発生手段と、 上記磁界発生手段と所定の間隙を持って配置され、該磁
界発生手段によって発生された磁界を変化させる磁界変
化付与手段と、 該磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて抵抗値が
変化する巨大磁気抵抗素子とを備え、上記巨大磁気抵抗
素子、上記磁界発生手段および上記磁界変化付与手段の
相互の形状または配置間隔を所定の関係に設定したこと
を特徴とする検出装置。 - 【請求項２】 上記磁界変化付与手段を少なくとも１つ
の凹凸を有する磁性体移動体で構成し、上記磁界発生手
段を磁石で構成したことを特徴とする請求項１記載の検
出装置。 - 【請求項３】 上記巨大磁気抵抗素子の感磁面の寸法を
上記磁性体移動体の凹凸の最小寸法以下に設定したこと
を特徴とする請求項２記載の検出装置。 - 【請求項４】 上記磁石の寸法を上記磁性体移動体の凹
凸の最小寸法の５倍以下に設定したことを特徴とする請
求項２記載の検出装置。 - 【請求項５】 上記巨大磁気抵抗素子と上記磁石の間隔
を上記巨大磁気抵抗素子の感磁面の寸法の５倍以下に設
定したことを特徴とする請求項２記載の検出装置。 - 【請求項６】 上記巨大磁気抵抗素子を少なくとも１辺
に用いたブリッジ回路と、該ブリッジ回路の出力を信号
処理する信号処理手段とを備え、上記磁性体移動体の凹
凸部のエッジを検出するようにしたことを特徴とする請
求項２〜５のいずれかに記載の検出装置。 - 【請求項７】上記磁性体移動体は、回転軸に同期して回
転する磁性体回転体であることを特徴とする請求項２〜
６のいずれかに記載の検出装置。 - 【請求項８】 少なくとも上記巨大磁気抵抗素子を含む
検出装置本体を備え、上記磁性体回転体を内燃機関のク
ランク軸またはカム軸に装着し、上記磁性体回転体が上
記巨大磁気抵抗素子に対向するように上記検出装置本体
を上記内燃機関の近傍に配置したことを特徴とする請求
項７記載の検出装置。 - 【請求項９】 上記磁性体回転体に対して上記検出装置
本体を回転軸方向に配置したことを特徴とする請求項８
記載の検出装置。 - 【請求項１０】 上記検出装置本体は、少なくとも上記
巨大磁気抵抗素子を内蔵するハウジングを備え、上記磁
性体回転体を、上記ハウジングの側面に形成された空間
部に該磁性体回転体の少なくとも周辺部が上記巨大磁気
抵抗素子と対向して位置するように配置したことを特徴
とする請求項９記載の検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8147555A JPH09329462A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 検出装置 |
| US08/741,690 US5789919A (en) | 1996-06-10 | 1996-10-31 | Magnetoresistance sensing device with increased magnetic field detection efficiency |
| DE19647420A DE19647420B4 (de) | 1996-06-10 | 1996-11-15 | Vorrichtung zum Erfassen eines Magnetfelds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8147555A JPH09329462A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09329462A true JPH09329462A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15432991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8147555A Pending JPH09329462A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5789919A (ja) |
| JP (1) | JPH09329462A (ja) |
| DE (1) | DE19647420B4 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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