JPH10239338A - 検出装置 - Google Patents
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- JPH10239338A JPH10239338A JP9042302A JP4230297A JPH10239338A JP H10239338 A JPH10239338 A JP H10239338A JP 9042302 A JP9042302 A JP 9042302A JP 4230297 A JP4230297 A JP 4230297A JP H10239338 A JPH10239338 A JP H10239338A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検出装置に電源が供給された瞬間から磁性体
移動体の例えば凹凸のような所定の位置（角度）に対応
した信号が正確に得られる検出装置を得る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（２１，２２）と、
磁石（２１，２２）と所定の間隙を持って配置され、こ
の磁石（２１，２２）によって発生された磁界を変化さ
せる磁性体回転体（２）と、この磁性体回転体（２）で
変化された磁界に応じて抵抗値が変化する複数の磁気検
出素子（３）とを備え、これら複数の磁気検出素子
（３）の間隙の中心を磁石（２１，２２）の中心と一致
しないように配置した構成とする。
移動体の例えば凹凸のような所定の位置（角度）に対応
した信号が正確に得られる検出装置を得る。 【解決手段】 磁界を発生する磁石（２１，２２）と、
磁石（２１，２２）と所定の間隙を持って配置され、こ
の磁石（２１，２２）によって発生された磁界を変化さ
せる磁性体回転体（２）と、この磁性体回転体（２）で
変化された磁界に応じて抵抗値が変化する複数の磁気検
出素子（３）とを備え、これら複数の磁気検出素子
（３）の間隙の中心を磁石（２１，２２）の中心と一致
しないように配置した構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、印加磁界の変化
を検出する検出装置に関し、特に例えば内燃機関の回転
情報を検出する場合等に用いて好適な検出装置に関する
ものである。
を検出する検出装置に関し、特に例えば内燃機関の回転
情報を検出する場合等に用いて好適な検出装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁界の変化を検出するために磁
気検出素子の感磁面の各端に電極を形成し、ブリッジを
形成、このブリッジの対向する２つの電極間に定電圧、
定電流の電源を接続し、磁気検出素子の抵抗値変化を電
圧変化に変換して、この磁気検出素子に作用している磁
界変化を検出する方式がある。
気検出素子の感磁面の各端に電極を形成し、ブリッジを
形成、このブリッジの対向する２つの電極間に定電圧、
定電流の電源を接続し、磁気検出素子の抵抗値変化を電
圧変化に変換して、この磁気検出素子に作用している磁
界変化を検出する方式がある。
【０００３】図１８は磁気検出素子として例えば磁気抵
抗素子（以下、ＭＲ素子という）を用いた従来の検出装
置を示す構成図であり、図１８の（ａ）はその側面図、
図１８の（ｂ）はその斜視図である。この検出装置は、
回転軸１と、少なくとも１つ以上の凹凸を有し、回転軸
１と同期して回転する磁性体回転体２と、この磁性体回
転体２と所定の間隙を持って配置されたＭＲ素子３と、
ＭＲ素子３に磁界を与える磁石４とからなり、ＭＲ素子
３は、薄膜面（感磁面）に設けられた磁気抵抗パターン
３ａ、３ｂを有する。そこで、磁性体回転体２が回転す
ることでＭＲ素子３の感磁面の磁界が変化し、磁気抵抗
パターン３ａ、３ｂの抵抗値が変化する。
抗素子（以下、ＭＲ素子という）を用いた従来の検出装
置を示す構成図であり、図１８の（ａ）はその側面図、
図１８の（ｂ）はその斜視図である。この検出装置は、
回転軸１と、少なくとも１つ以上の凹凸を有し、回転軸
１と同期して回転する磁性体回転体２と、この磁性体回
転体２と所定の間隙を持って配置されたＭＲ素子３と、
ＭＲ素子３に磁界を与える磁石４とからなり、ＭＲ素子
３は、薄膜面（感磁面）に設けられた磁気抵抗パターン
３ａ、３ｂを有する。そこで、磁性体回転体２が回転す
ることでＭＲ素子３の感磁面の磁界が変化し、磁気抵抗
パターン３ａ、３ｂの抵抗値が変化する。
【０００４】図１９は上述のＭＲ素子を用いた従来の検
出装置を示すブロック図である。この検出装置は、磁性
体回転体２と所定の間隙を持って配置され、磁石４より
磁界が与えられるＭＲ素子を用いたホイートストンブリ
ッジ回路１１と、このホイートストンブリッジ回路１１
の出力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅回
路１２の出力と基準値ＶTHと比較して“Ｏ”または
“１”の信号を出力する比較回路１３と、この比較回路
１３の出力を保持する保持回路２０と、この保持回路２
０の出力を更に波形整形して立ち上がり、立ち下がりの
急峻な“Ｏ”または“１”の信号を出力端子１５に出力
する波形整形回路１４とを備える。
出装置を示すブロック図である。この検出装置は、磁性
体回転体２と所定の間隙を持って配置され、磁石４より
磁界が与えられるＭＲ素子を用いたホイートストンブリ
ッジ回路１１と、このホイートストンブリッジ回路１１
の出力を増幅する差動増幅回路１２と、この差動増幅回
路１２の出力と基準値ＶTHと比較して“Ｏ”または
“１”の信号を出力する比較回路１３と、この比較回路
１３の出力を保持する保持回路２０と、この保持回路２
０の出力を更に波形整形して立ち上がり、立ち下がりの
急峻な“Ｏ”または“１”の信号を出力端子１５に出力
する波形整形回路１４とを備える。
【０００５】次に、動作について、図２０を参照して説
明する。磁性体回転体２が回転することで、図２０の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１を構成する各ＭＲ素子に磁界変化が与えら
れる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応して各Ｍ
Ｒ素子の感磁面に磁界の変化が発生し、ホイートストン
ブリッジ回路１１の中点電圧も同様に変化する。
明する。磁性体回転体２が回転することで、図２０の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１を構成する各ＭＲ素子に磁界変化が与えら
れる。この結果、磁性体回転体２の凹凸に対応して各Ｍ
Ｒ素子の感磁面に磁界の変化が発生し、ホイートストン
ブリッジ回路１１の中点電圧も同様に変化する。
【０００６】そして、この中点電圧の差が差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、図２０の（ｂ）
に示すような、図２０の（ａ）に示す磁性体回転体２の
凹凸に対応した出力が得られる。この差動増幅回路１２
の出力が比較回路１３で基準値ＶTHと比較されて“Ｏ”
または“１”の信号に変換され、一旦保持回路２０で保
持され、この信号は更に波形整形回路１４で波形整形さ
れ、この結果、その出力側即ち出力端子１５には図２０
の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、立ち下がりの急
峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られる。
１２により増幅され、その出力側には、図２０の（ｂ）
に示すような、図２０の（ａ）に示す磁性体回転体２の
凹凸に対応した出力が得られる。この差動増幅回路１２
の出力が比較回路１３で基準値ＶTHと比較されて“Ｏ”
または“１”の信号に変換され、一旦保持回路２０で保
持され、この信号は更に波形整形回路１４で波形整形さ
れ、この結果、その出力側即ち出力端子１５には図２０
の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、立ち下がりの急
峻な“Ｏ”または“１”の出力が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の検出
装置は、以上のように構成されているので、以下のよう
な問題点があった。即ち、図２１に示すように、従来の
検出装置における磁気回路での磁気抵抗パターンに印加
される磁界のベクトル方向をみると、同図の左側に示す
磁石４（Ｎ、Ｓははそれぞれ磁極のＮ極、Ｓ極を表す）
に対して磁性体回転体２の凸部が対応する場合は、磁石
４からの磁界は収束された状態で磁気抵抗パターン３ａ
および３ｂを等しく通過して磁性体回転体２に達するの
で、その抵抗値もそれぞれ等しい値となる。一方、同図
の右側に示す磁石４に対して磁性体回転体２の凹部が対
応する場合は、磁石４からの磁界は分散した状態である
が同様に磁気抵抗パターン３ａおよび３ｂを等しく通過
して磁性体回転体２に達するので、この場合もその抵抗
値もそれぞれ等しい値となる。
装置は、以上のように構成されているので、以下のよう
な問題点があった。即ち、図２１に示すように、従来の
検出装置における磁気回路での磁気抵抗パターンに印加
される磁界のベクトル方向をみると、同図の左側に示す
磁石４（Ｎ、Ｓははそれぞれ磁極のＮ極、Ｓ極を表す）
に対して磁性体回転体２の凸部が対応する場合は、磁石
４からの磁界は収束された状態で磁気抵抗パターン３ａ
および３ｂを等しく通過して磁性体回転体２に達するの
で、その抵抗値もそれぞれ等しい値となる。一方、同図
の右側に示す磁石４に対して磁性体回転体２の凹部が対
応する場合は、磁石４からの磁界は分散した状態である
が同様に磁気抵抗パターン３ａおよび３ｂを等しく通過
して磁性体回転体２に達するので、この場合もその抵抗
値もそれぞれ等しい値となる。
【０００８】つまり、この図２１より、磁性体回転体２
の凹凸による磁界変化において、磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの抵抗値に差が生じないことがわかる。従っ
て、図２０に示すように磁性体回転体２の凹凸の検出の
際には凹凸のエッジにおいて差動増幅回路１２の出力が
変化し、凹部と凸部では同じ出力となるため凹凸のエッ
ジ検出と保持回路２０が必要になる。また、このこと
は、従来の検出装置で用いているＭＲ素子は、図２２に
示すように、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステ
リシスが存在しないことにも起因する。
の凹凸による磁界変化において、磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの抵抗値に差が生じないことがわかる。従っ
て、図２０に示すように磁性体回転体２の凹凸の検出の
際には凹凸のエッジにおいて差動増幅回路１２の出力が
変化し、凹部と凸部では同じ出力となるため凹凸のエッ
ジ検出と保持回路２０が必要になる。また、このこと
は、従来の検出装置で用いているＭＲ素子は、図２２に
示すように、印加磁界の変化による抵抗値変化にヒステ
リシスが存在しないことにも起因する。
【０００９】更に、上述のごとく磁性体回転体２の凹部
と凸部で差動増幅回路１２の出力に差がないため、検出
装置に電源が供給された瞬間から磁性体回転体の凹凸に
対応する正確な信号を得ること（以下、パワーオン機能
という）は不可能である。このように、従来の検出装置
は、磁性体回転体の凹凸に対応した信号が得られず、ま
た、パワーオン機能が得られないという問題点があっ
た。
と凸部で差動増幅回路１２の出力に差がないため、検出
装置に電源が供給された瞬間から磁性体回転体の凹凸に
対応する正確な信号を得ること（以下、パワーオン機能
という）は不可能である。このように、従来の検出装置
は、磁性体回転体の凹凸に対応した信号が得られず、ま
た、パワーオン機能が得られないという問題点があっ
た。
【００１０】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、磁性体回転体の例えば凹凸の
ような所定の位置（角度）に対応した信号が正確に得ら
れ、また、パワーオン機能が得られる検出装置を提供す
ることを目的とする。
るためになされたもので、磁性体回転体の例えば凹凸の
ような所定の位置（角度）に対応した信号が正確に得ら
れ、また、パワーオン機能が得られる検出装置を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発
生手段と所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手
段によって発生された磁界を変化させる磁界変化付与手
段と、この磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて
抵抗値が変化する複数の磁気検出素子とを備え、これら
複数の磁気検出素子の間隙の中心を磁界発生手段の中心
と一致しないように配置したものである。
る検出装置は、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発
生手段と所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手
段によって発生された磁界を変化させる磁界変化付与手
段と、この磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて
抵抗値が変化する複数の磁気検出素子とを備え、これら
複数の磁気検出素子の間隙の中心を磁界発生手段の中心
と一致しないように配置したものである。
【００１２】請求項２記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、磁気検出素子を磁界変化付与手
段の移動方向の遅れ側寄りに配置したものである。
求項１の発明において、磁気検出素子を磁界変化付与手
段の移動方向の遅れ側寄りに配置したものである。
【００１３】請求項３記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、磁界発生手段を複数の磁石で構
成し、これら複数の磁石の一方の磁石の他方の磁石寄り
端部に複数の磁気検出素子の間隙の中心を一致させて配
置したものである。
求項１の発明において、磁界発生手段を複数の磁石で構
成し、これら複数の磁石の一方の磁石の他方の磁石寄り
端部に複数の磁気検出素子の間隙の中心を一致させて配
置したものである。
【００１４】請求項４記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、磁界発生手段を単一のリング状
磁石で構成し、このリング状磁石の内周縁に複数の磁気
検出素子の間隙の中心を一致させて配置したものであ
る。
求項１の発明において、磁界発生手段を単一のリング状
磁石で構成し、このリング状磁石の内周縁に複数の磁気
検出素子の間隙の中心を一致させて配置したものであ
る。
【００１５】請求項５記載の発明に係る検出装置は、請
求項１の発明において、磁界発生手段を単一のリング状
磁石で構成し、このリング状磁石の内周縁の外側近傍と
内側近傍にリング状磁石の内周寸分の間隙をもって複数
の磁気検出素子をそれぞれ配置したものである。
求項１の発明において、磁界発生手段を単一のリング状
磁石で構成し、このリング状磁石の内周縁の外側近傍と
内側近傍にリング状磁石の内周寸分の間隙をもって複数
の磁気検出素子をそれぞれ配置したものである。
【００１６】請求項６記載の発明に係る検出装置は、請
求項１〜５のいずれかの発明において、複数の磁気検出
素子を用いてブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路
の一辺の磁気検出素子への印加磁界極性と、もう一方の
磁気検出素子への印加磁界極性を異なるようにしたもの
である。
求項１〜５のいずれかの発明において、複数の磁気検出
素子を用いてブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路
の一辺の磁気検出素子への印加磁界極性と、もう一方の
磁気検出素子への印加磁界極性を異なるようにしたもの
である。
【００１７】請求項７記載の発明に係る検出装置は、請
求項１、２または４の発明において、複数の磁気検出素
子として巨大磁気抵抗素子を用いてブリッジ回路を構成
し、このブリッジ回路の一辺の巨大磁気抵抗素子への印
加磁界極性と、もう一方の巨大磁気抵抗素子への印加磁
界極性を異なるようにしたものである。
求項１、２または４の発明において、複数の磁気検出素
子として巨大磁気抵抗素子を用いてブリッジ回路を構成
し、このブリッジ回路の一辺の巨大磁気抵抗素子への印
加磁界極性と、もう一方の巨大磁気抵抗素子への印加磁
界極性を異なるようにしたものである。
【００１８】請求項８記載の発明に係る検出装置は、請
求項６または７の発明において、ブリッジ回路の出力を
信号処理する信号処理手段を備えたものである。
求項６または７の発明において、ブリッジ回路の出力を
信号処理する信号処理手段を備えたものである。
【００１９】請求項９記載の発明に係る検出装置は、請
求項８の発明において、信号処理手段を、少なくともブ
リッジ回路の複数の出力を比較する比較回路と、この比
較回路の出力を波形整形する波形整形手段とで構成した
ものである。
求項８の発明において、信号処理手段を、少なくともブ
リッジ回路の複数の出力を比較する比較回路と、この比
較回路の出力を波形整形する波形整形手段とで構成した
ものである。
【００２０】請求項１０記載の発明に係る検出装置は、
請求項１〜９のいずれかの発明において、磁界変化付与
手段を少なくとも１つの凹凸を有する磁性体回転体で構
成したものである。
請求項１〜９のいずれかの発明において、磁界変化付与
手段を少なくとも１つの凹凸を有する磁性体回転体で構
成したものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る検出装置の
一実施の形態を図について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図であり、図１の（ａ）はその斜視図、図１の（ｂ）
はその配置図である。なお、図において、図１８と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。この検出装置は、回転軸１と、少なくとも１つ以上
の凹凸を具備し、回転軸１と同期して回転する磁界変化
付与手段としての磁性体回転体２と、この磁性体回転体
２と所定の間隙を持って配置された磁気検出素子例えば
ＭＲ素子３と、ＭＲ素子３に磁界を与える磁界発生手段
としての磁石２１および２２とからなる。なお、ここで
は、磁性体回転体２の回転方向を例えば図に示すように
時計方向とすると、その回転方向にその遅れ側の磁石寄
りにＭＲ素子３を配置する。即ちＭＲ素子３を磁石２１
の磁石２２寄り端部に磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの間
隙中心がほぼ一致する位置に配置される。そこで、磁性
体回転体２が回転することで、ＭＲ素子３の感磁面の磁
界が変化し、磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの抵抗値が変
化する。
一実施の形態を図について説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図であり、図１の（ａ）はその斜視図、図１の（ｂ）
はその配置図である。なお、図において、図１８と対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。この検出装置は、回転軸１と、少なくとも１つ以上
の凹凸を具備し、回転軸１と同期して回転する磁界変化
付与手段としての磁性体回転体２と、この磁性体回転体
２と所定の間隙を持って配置された磁気検出素子例えば
ＭＲ素子３と、ＭＲ素子３に磁界を与える磁界発生手段
としての磁石２１および２２とからなる。なお、ここで
は、磁性体回転体２の回転方向を例えば図に示すように
時計方向とすると、その回転方向にその遅れ側の磁石寄
りにＭＲ素子３を配置する。即ちＭＲ素子３を磁石２１
の磁石２２寄り端部に磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの間
隙中心がほぼ一致する位置に配置される。そこで、磁性
体回転体２が回転することで、ＭＲ素子３の感磁面の磁
界が変化し、磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの抵抗値が変
化する。
【００２２】図２は一例としてＭＲ素子を用いたこの発
明の検出装置を示すブロック図である。この検出装置
は、磁性体回転体２と所定の間隙を持って配置され、磁
石２１、２２より磁界が与えられるＭＲ素子を用いたホ
イートストンブリッジ回路１１と、このホイートストン
ブリッジ回路１１の出力を増幅する差動増幅回路１２
と、この差動増幅回路１２の出力を基準値と比較して
“Ｏ”または“１”の信号を出力する比較回路１３と、
この比較回路１３の出力を更に波形整形して立ち上が
り、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の信号を出
力端子１５に出力する波形整形回路１４とを備える。差
動増幅回路１２、比較回路１３および波形整形回路１４
は信号処理手段を構成する。
明の検出装置を示すブロック図である。この検出装置
は、磁性体回転体２と所定の間隙を持って配置され、磁
石２１、２２より磁界が与えられるＭＲ素子を用いたホ
イートストンブリッジ回路１１と、このホイートストン
ブリッジ回路１１の出力を増幅する差動増幅回路１２
と、この差動増幅回路１２の出力を基準値と比較して
“Ｏ”または“１”の信号を出力する比較回路１３と、
この比較回路１３の出力を更に波形整形して立ち上が
り、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の信号を出
力端子１５に出力する波形整形回路１４とを備える。差
動増幅回路１２、比較回路１３および波形整形回路１４
は信号処理手段を構成する。
【００２３】図３は図２のブロック図の具体的回路構成
の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回路１
１は、例えば各辺にそれぞれＭＲ素子１０Ａ，１０Ｂと
固定抵抗器１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＭＲ素子１０Ａ
と固定抵抗器１０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１
６を介して電源端子Ｖccに接続され、ＭＲ素子１０Ｂと
固定抵抗器１０Ｄの各一端は共通接続され、接続点１７
を介して接地され、ＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は
接続点１８に接続され、固定抵抗器１０Ｃと１０Ｄの各
他端は接続点１９に接続される。なお、ＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｂは、図１のＭＲ素子を構成する磁気抵抗パター
ン３ａ、３ｂに相当するもので、勿論、固定抵抗器１０
Ｃと１０ＤもＭＲ素子で構成してもよい。
の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回路１
１は、例えば各辺にそれぞれＭＲ素子１０Ａ，１０Ｂと
固定抵抗器１０Ｃおよび１０Ｄを有し、ＭＲ素子１０Ａ
と固定抵抗器１０Ｃの各一端は共通接続され、接続点１
６を介して電源端子Ｖccに接続され、ＭＲ素子１０Ｂと
固定抵抗器１０Ｄの各一端は共通接続され、接続点１７
を介して接地され、ＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの各他端は
接続点１８に接続され、固定抵抗器１０Ｃと１０Ｄの各
他端は接続点１９に接続される。なお、ＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｂは、図１のＭＲ素子を構成する磁気抵抗パター
ン３ａ、３ｂに相当するもので、勿論、固定抵抗器１０
Ｃと１０ＤもＭＲ素子で構成してもよい。
【００２４】そして、ホイートストンブリッジ回路１１
の接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のアン
プ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵抗
器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続される
と共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回路
に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、抵抗
器を介して自己の出力端子に接続されると共に比較回路
１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非反転
入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続されると
共に抵抗器を介して自己の出力端子に接続される。比較
回路１３の出力側は、波形整形回路１４のトランジスタ
１４ａのベースに接続されると共に抵抗器を介して電源
端子Ｖccに接続され、そのコレクタは出力端子１５に接
続されると共に抵抗器を介して電源端子Ｖccに接続さ
れ、そのエミッタは接地される。
の接続点１８が抵抗器を介して差動増幅回路１２のアン
プ１２ａの反転入力端子に接続され、接続点１９が抵抗
器を介してアンプ１２ａの非反転入力端子に接続される
と共に更に抵抗器を介して基準電源を構成する分圧回路
に接続される。更に、アンプ１２ａの出力端子は、抵抗
器を介して自己の出力端子に接続されると共に比較回路
１３の反転入力端子に接続され、比較回路１３の非反転
入力端子は基準電源を構成する分圧回路に接続されると
共に抵抗器を介して自己の出力端子に接続される。比較
回路１３の出力側は、波形整形回路１４のトランジスタ
１４ａのベースに接続されると共に抵抗器を介して電源
端子Ｖccに接続され、そのコレクタは出力端子１５に接
続されると共に抵抗器を介して電源端子Ｖccに接続さ
れ、そのエミッタは接地される。
【００２５】次に、動作について、図４を参照して説明
する。磁性体回転体２が回転することで、図４の（ａ）
に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリッジ回
路１１を構成するＭＲ素子１０Ａと１０Ｂには、図４の
（ｂ）に示すように異なる磁界変化が与えられる。この
結果、磁性体回転体２の凹凸に対応してＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｂの感磁面に磁界の変化が発生し、つまり、実質
的に一つのＭＲ素子の磁界変化の２倍の磁界変化を得ら
れ、その抵抗値も、図４の（ｃ）に示すように、同様に
変化して、ＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの抵抗値の最大、最
少となる位置が逆となり、ホイートストンブリッジ回路
１１の接続点１８、１９の中点電圧も同様に変化し、こ
こに大きな差を持った中点電圧が得られる。
する。磁性体回転体２が回転することで、図４の（ａ）
に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリッジ回
路１１を構成するＭＲ素子１０Ａと１０Ｂには、図４の
（ｂ）に示すように異なる磁界変化が与えられる。この
結果、磁性体回転体２の凹凸に対応してＭＲ素子１０Ａ
と１０Ｂの感磁面に磁界の変化が発生し、つまり、実質
的に一つのＭＲ素子の磁界変化の２倍の磁界変化を得ら
れ、その抵抗値も、図４の（ｃ）に示すように、同様に
変化して、ＭＲ素子１０Ａと１０Ｂの抵抗値の最大、最
少となる位置が逆となり、ホイートストンブリッジ回路
１１の接続点１８、１９の中点電圧も同様に変化し、こ
こに大きな差を持った中点電圧が得られる。
【００２６】ここで、本実施の形態における磁気回路で
の磁気抵抗パターンに印加される磁界のベクトル方向に
ついて、図５を参照して説明する。同図の（ａ）に示す
ように、磁石２１および２２（なお、Ｎ、Ｓははそれぞ
れ磁極のＮ極、Ｓ極を表す）に対して磁性体回転体２の
凸部が対応する場合は、磁石２１からの磁界は、磁石２
１の磁石２２寄り端部にＭＲ素子１０Ａ、１０Ｂ相当の
磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一致する
位置に配置されているので、磁石２１からの磁界は、磁
気抵抗パターン３ｂを垂直に通過して磁性体回転体２に
達すると共に、磁気抵抗パターン３ａをやや横切る形で
通過した後磁性体回転体２に達する。また、磁石２２か
らの磁界は磁気抵抗パターン３ａ、３ｂを通過すること
なく磁性体回転体２側に直接引き寄せられる。
の磁気抵抗パターンに印加される磁界のベクトル方向に
ついて、図５を参照して説明する。同図の（ａ）に示す
ように、磁石２１および２２（なお、Ｎ、Ｓははそれぞ
れ磁極のＮ極、Ｓ極を表す）に対して磁性体回転体２の
凸部が対応する場合は、磁石２１からの磁界は、磁石２
１の磁石２２寄り端部にＭＲ素子１０Ａ、１０Ｂ相当の
磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一致する
位置に配置されているので、磁石２１からの磁界は、磁
気抵抗パターン３ｂを垂直に通過して磁性体回転体２に
達すると共に、磁気抵抗パターン３ａをやや横切る形で
通過した後磁性体回転体２に達する。また、磁石２２か
らの磁界は磁気抵抗パターン３ａ、３ｂを通過すること
なく磁性体回転体２側に直接引き寄せられる。
【００２７】一方、同図の（ｂ）に示すように、磁石２
１および２２に対して磁性体回転体２の凹部が対応する
場合は、凸部の場合より磁石２１および２２が磁性体回
転体２より離れるので、磁石２１および２２からの磁界
は相互に合成されるようになり、この合成された磁界が
磁気抵抗パターン３ａを垂直に通過して磁性体回転体２
に達する共に、磁気抵抗パターン３ｂをやや横切る形で
通過した後磁性体回転体２に達する。このように磁性体
回転体２の凹部と凸部で、磁気抵抗パターン３ａと３ｂ
に印加される磁界に差が生じ、また、磁気抵抗パターン
３ａと３ｂで極性が反対となり、このため、磁気抵抗パ
ターン３ａ、３ｂの抵抗値も反対に変化するので、ブリ
ッジ回路を構成した場合大きな出力差が生じることにな
る。
１および２２に対して磁性体回転体２の凹部が対応する
場合は、凸部の場合より磁石２１および２２が磁性体回
転体２より離れるので、磁石２１および２２からの磁界
は相互に合成されるようになり、この合成された磁界が
磁気抵抗パターン３ａを垂直に通過して磁性体回転体２
に達する共に、磁気抵抗パターン３ｂをやや横切る形で
通過した後磁性体回転体２に達する。このように磁性体
回転体２の凹部と凸部で、磁気抵抗パターン３ａと３ｂ
に印加される磁界に差が生じ、また、磁気抵抗パターン
３ａと３ｂで極性が反対となり、このため、磁気抵抗パ
ターン３ａ、３ｂの抵抗値も反対に変化するので、ブリ
ッジ回路を構成した場合大きな出力差が生じることにな
る。
【００２８】かくして、このようにして得られた中点電
圧の差が差動増幅回路１２により増幅され、その出力側
には、図４の（ｄ）に示すような、図４の（ａ）に示す
磁性体回転体２の凹凸に対応した出力、つまり、凹部と
凸部では互いにレベルの異なる逆極性で、しかも実質的
に一つのＭＲ素子の２倍の出力が得られる。この差動増
幅回路１２の出力は，比較回路１３に供給されてその比
較レベルである基準値ＶTHと比較されて“Ｏ”または
“１”の信号に変換され、この信号は更に波形整形回路
１４で波形整形され、この結果、その出力側即ち出力端
子１５には図４の（ｅ）に示すようにその立ち上がり、
立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が磁性体
回転体２の凹凸に対応して正確に得られる。即ち、磁性
体回転体の凹凸に対応した信号が正確に得られることか
ら従来装置では必要であった回転体の凹凸エッジ検出と
保持回路は不要となり、また、検出装置に電源が供給さ
れた瞬間から検出出力が磁性体回転体の凹凸に確実に対
応しているので、パワーオン機能が安定して得られるこ
とになる。なお、上述では、磁性体回転体２の回転方向
を時計方向とし、その回転方向に遅れ側の磁石寄りに、
即ち磁石２１の磁石２２寄り端部に磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一致するようにＭＲ素子３を
配置する場合について説明したが、磁性体回転体２の回
転方向が反時計方向の場合には、同じくその回転方向に
その遅れ側の磁石寄りに、即ち磁石２２の磁石２１寄り
端部に磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一
致するようにＭＲ素子３を配置すればよく、この場合も
上記の場合と同様の効果が得られる。
圧の差が差動増幅回路１２により増幅され、その出力側
には、図４の（ｄ）に示すような、図４の（ａ）に示す
磁性体回転体２の凹凸に対応した出力、つまり、凹部と
凸部では互いにレベルの異なる逆極性で、しかも実質的
に一つのＭＲ素子の２倍の出力が得られる。この差動増
幅回路１２の出力は，比較回路１３に供給されてその比
較レベルである基準値ＶTHと比較されて“Ｏ”または
“１”の信号に変換され、この信号は更に波形整形回路
１４で波形整形され、この結果、その出力側即ち出力端
子１５には図４の（ｅ）に示すようにその立ち上がり、
立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出力が磁性体
回転体２の凹凸に対応して正確に得られる。即ち、磁性
体回転体の凹凸に対応した信号が正確に得られることか
ら従来装置では必要であった回転体の凹凸エッジ検出と
保持回路は不要となり、また、検出装置に電源が供給さ
れた瞬間から検出出力が磁性体回転体の凹凸に確実に対
応しているので、パワーオン機能が安定して得られるこ
とになる。なお、上述では、磁性体回転体２の回転方向
を時計方向とし、その回転方向に遅れ側の磁石寄りに、
即ち磁石２１の磁石２２寄り端部に磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一致するようにＭＲ素子３を
配置する場合について説明したが、磁性体回転体２の回
転方向が反時計方向の場合には、同じくその回転方向に
その遅れ側の磁石寄りに、即ち磁石２２の磁石２１寄り
端部に磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一
致するようにＭＲ素子３を配置すればよく、この場合も
上記の場合と同様の効果が得られる。
【００２９】このように、本実施の形態では、磁気検出
素子としてのＭＲ素子を構成する複数の磁気抵抗パター
ンに対応して複数の磁石を設け、ＭＲ素子を、一方の磁
石を他方の磁石寄り端部に複数の磁気抵抗パターンの間
隙中心がほぼ一致する位置に配置することで、ＭＲ素子
が対向する磁性体回転体の凸部の場合と凹部の場合とで
は各磁気抵抗パターンに印加される磁界の強度を異なる
ものとすることができ、以て、磁性体回転体の凹凸に対
応した信号が正確に得られ、従来装置では必要であった
回転体の凹凸エッジ検出と保持回路は不要となり、ま
た、検出装置に電源が供給された瞬間から検出出力が磁
性体回転体の凹凸に確実に対応しているので、パワーオ
ン機能が安定して得られる。
素子としてのＭＲ素子を構成する複数の磁気抵抗パター
ンに対応して複数の磁石を設け、ＭＲ素子を、一方の磁
石を他方の磁石寄り端部に複数の磁気抵抗パターンの間
隙中心がほぼ一致する位置に配置することで、ＭＲ素子
が対向する磁性体回転体の凸部の場合と凹部の場合とで
は各磁気抵抗パターンに印加される磁界の強度を異なる
ものとすることができ、以て、磁性体回転体の凹凸に対
応した信号が正確に得られ、従来装置では必要であった
回転体の凹凸エッジ検出と保持回路は不要となり、ま
た、検出装置に電源が供給された瞬間から検出出力が磁
性体回転体の凹凸に確実に対応しているので、パワーオ
ン機能が安定して得られる。
【００３０】実施の形態２．図６はこの発明の実施の形
態２を示す構成図であり、図６の（ａ）はその側面図、
図６の（ｂ）はその斜視図である。なお、図において、
図１と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明
を省略する。この検出装置は、回転軸１と、少なくとも
１つ以上の凹凸を具備し、回転軸１と同期して回転する
磁界変化付与手段としての磁性体回転体２と、この磁性
体回転体２と所定の間隙を持って配置された磁気検出素
子例えばＭＲ素子３と、ＭＲ素子３に磁界を与える磁界
発生手段としてのリング状磁石２３とからなる。なお、
ここでは、磁性体回転体２の回転方向を例えば図に示す
ように時計方向とすると、その回転方向にその遅れ側の
リング状磁石２３の内周縁にＭＲ素子３を配置する。Ｍ
Ｒ素子３は、図７に示すように、リング状磁石２３の内
周縁に磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一
致する位置に配置する。
態２を示す構成図であり、図６の（ａ）はその側面図、
図６の（ｂ）はその斜視図である。なお、図において、
図１と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明
を省略する。この検出装置は、回転軸１と、少なくとも
１つ以上の凹凸を具備し、回転軸１と同期して回転する
磁界変化付与手段としての磁性体回転体２と、この磁性
体回転体２と所定の間隙を持って配置された磁気検出素
子例えばＭＲ素子３と、ＭＲ素子３に磁界を与える磁界
発生手段としてのリング状磁石２３とからなる。なお、
ここでは、磁性体回転体２の回転方向を例えば図に示す
ように時計方向とすると、その回転方向にその遅れ側の
リング状磁石２３の内周縁にＭＲ素子３を配置する。Ｍ
Ｒ素子３は、図７に示すように、リング状磁石２３の内
周縁に磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一
致する位置に配置する。
【００３１】そこで、磁性体回転体２が回転すること
で、ＭＲ素子３の感磁面の磁界が変化し、磁気抵抗パタ
ーン３ａ、３ｂの抵抗値が変化する。その他の構成は、
図１の場合と同様である。また、本実施の形態で用いら
れるブロック図およびその具体的回路構成も、磁石２１
および２２がリング状磁石２３に代わる以外は、図２お
よび図３の場合と同様であるので、その記載を省略す
る。
で、ＭＲ素子３の感磁面の磁界が変化し、磁気抵抗パタ
ーン３ａ、３ｂの抵抗値が変化する。その他の構成は、
図１の場合と同様である。また、本実施の形態で用いら
れるブロック図およびその具体的回路構成も、磁石２１
および２２がリング状磁石２３に代わる以外は、図２お
よび図３の場合と同様であるので、その記載を省略す
る。
【００３２】図８は磁気検出素子としてのＭＲ素子３と
リング状磁石２３の配置位置関係による磁性体回転体２
の凹部および凸部でのＭＲ素子の磁気抵抗パターンの抵
抗値変化を示す図である。図において、外径Ｒ１と内径
Ｒ２を有する磁石２３と所定の間隙をもって且つこれに
平行にＭＲ素子３を移動させた場合の磁性体回転体２の
凹部および凸部にそれぞれ対応するＭＲ素子の磁気抵抗
パターンの抵抗値の変化を表し、実線ａは凸部に対応す
る場合、破線ｂは凹部に対応する場合である。この図よ
り、ＭＲ素子の磁気抵抗パターンの抵抗値の最大値は、
何れの場合もリング状磁石２３の内径Ｒ２の両端近傍
に、より正確には磁気抵抗パターンが凸部に対応する場
合にはリング状磁石２３の内径Ｒ２の少し外側に、ま
た、凹部に対応する場合にはリング状磁石２３の内径Ｒ
２の少し内側にそれぞれ存在することが分かる。
リング状磁石２３の配置位置関係による磁性体回転体２
の凹部および凸部でのＭＲ素子の磁気抵抗パターンの抵
抗値変化を示す図である。図において、外径Ｒ１と内径
Ｒ２を有する磁石２３と所定の間隙をもって且つこれに
平行にＭＲ素子３を移動させた場合の磁性体回転体２の
凹部および凸部にそれぞれ対応するＭＲ素子の磁気抵抗
パターンの抵抗値の変化を表し、実線ａは凸部に対応す
る場合、破線ｂは凹部に対応する場合である。この図よ
り、ＭＲ素子の磁気抵抗パターンの抵抗値の最大値は、
何れの場合もリング状磁石２３の内径Ｒ２の両端近傍
に、より正確には磁気抵抗パターンが凸部に対応する場
合にはリング状磁石２３の内径Ｒ２の少し外側に、ま
た、凹部に対応する場合にはリング状磁石２３の内径Ｒ
２の少し内側にそれぞれ存在することが分かる。
【００３３】そこで、本実施の形態では、上述のごとく
リング状磁石２３の内周縁に磁気抵抗パターン３ａ、３
ｂの間隙中心がほぼ一致する位置に配置する。即ち、図
９に示すように、磁気抵抗パターン３ａを凸部に対応す
る場合の実線ａで示す抵抗値の最大値の位置に、この位
置に隣接して同じく磁気抵抗パターン３ｂを凹部に対応
する場合の破線ｂで示す抵抗値の最大値の位置に配置す
る。
リング状磁石２３の内周縁に磁気抵抗パターン３ａ、３
ｂの間隙中心がほぼ一致する位置に配置する。即ち、図
９に示すように、磁気抵抗パターン３ａを凸部に対応す
る場合の実線ａで示す抵抗値の最大値の位置に、この位
置に隣接して同じく磁気抵抗パターン３ｂを凹部に対応
する場合の破線ｂで示す抵抗値の最大値の位置に配置す
る。
【００３４】従って、磁気抵抗パターン３ａおよび３ｂ
の抵抗値も凸部の場合と凹部の場合とで異なり、凸部の
場合には磁気抵抗パターン３ｂより磁気抵抗パターン３
ａの方が大きく、凹部の場合には磁気抵抗パターン３ａ
より磁気抵抗パターン３ｂの方が大きくなる。このよう
に磁性体回転体２の凹部と凸部で、磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの抵抗値が反対に変化するので、ブリッジ回路
を構成した場合大きな出力差が生じることになる。
の抵抗値も凸部の場合と凹部の場合とで異なり、凸部の
場合には磁気抵抗パターン３ｂより磁気抵抗パターン３
ａの方が大きく、凹部の場合には磁気抵抗パターン３ａ
より磁気抵抗パターン３ｂの方が大きくなる。このよう
に磁性体回転体２の凹部と凸部で、磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの抵抗値が反対に変化するので、ブリッジ回路
を構成した場合大きな出力差が生じることになる。
【００３５】かくして、本実施の形態でも、上述のごと
くして得られた中点電圧の差が図３に示す差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、磁性体回転体２
の凹凸に対応した出力、つまり、凹部と凸部では互いに
レベルの異なる逆極性で、しかも実質的に一つのＭＲ素
子の２倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出
力は，比較回路１３に供給されてその比較レベルである
基準値ＶTHと比較されて“Ｏ”または“１”の信号に変
換され、この信号は更に波形整形回路１４で波形整形さ
れ、この結果、その出力側即ち出力端子１５にはその立
ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出
力が磁性体回転体２の凹凸に対応して正確に得られる。
なお、上述では、磁性体回転体２の回転方向を時計方向
とし、その回転方向に遅れ側のリング状磁石２３の内周
縁に（図７ではリング状磁石２３の内周縁の左右側）磁
気抵抗パターン３ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一致するよ
うにＭＲ素子３を配置する場合について説明したが、磁
性体回転体２の回転方向が反時計方向の場合には、同じ
くその回転方向にその遅れ側の磁石２３の内周縁に（図
７では磁石２３の内周縁の右側）磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一致するようにＭＲ素子３を
配置すればよく、この場合も上記の場合と同様の効果が
得られる。
くして得られた中点電圧の差が図３に示す差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、磁性体回転体２
の凹凸に対応した出力、つまり、凹部と凸部では互いに
レベルの異なる逆極性で、しかも実質的に一つのＭＲ素
子の２倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出
力は，比較回路１３に供給されてその比較レベルである
基準値ＶTHと比較されて“Ｏ”または“１”の信号に変
換され、この信号は更に波形整形回路１４で波形整形さ
れ、この結果、その出力側即ち出力端子１５にはその立
ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出
力が磁性体回転体２の凹凸に対応して正確に得られる。
なお、上述では、磁性体回転体２の回転方向を時計方向
とし、その回転方向に遅れ側のリング状磁石２３の内周
縁に（図７ではリング状磁石２３の内周縁の左右側）磁
気抵抗パターン３ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一致するよ
うにＭＲ素子３を配置する場合について説明したが、磁
性体回転体２の回転方向が反時計方向の場合には、同じ
くその回転方向にその遅れ側の磁石２３の内周縁に（図
７では磁石２３の内周縁の右側）磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの間隙中心がほぼ一致するようにＭＲ素子３を
配置すればよく、この場合も上記の場合と同様の効果が
得られる。
【００３６】このように、本実施の形態では、磁気検出
素子としてのＭＲ素子を構成する複数の磁気抵抗パター
ンに対応してリング状磁石を設け、ＭＲ素子を、リング
状磁石の内径に複数の磁気抵抗パターンの間隙中心がほ
ぼ一致する位置に配置することで、ＭＲ素子が対向する
磁性体回転体の凸部の場合と凹部の場合とでは各磁気抵
抗パターンに印加される磁界の強度を異なるものとする
ことができ、以て、磁性体回転体の凹凸に対応した信号
が正確に得られ、本実施の形態でも、上記実施の形態と
同様の効果を得ることができ、更に本実施の形態では、
使用される磁石が１個で済むので、上記実施の形態１に
比べてスペース的に有利で、小型化が可能になる。
素子としてのＭＲ素子を構成する複数の磁気抵抗パター
ンに対応してリング状磁石を設け、ＭＲ素子を、リング
状磁石の内径に複数の磁気抵抗パターンの間隙中心がほ
ぼ一致する位置に配置することで、ＭＲ素子が対向する
磁性体回転体の凸部の場合と凹部の場合とでは各磁気抵
抗パターンに印加される磁界の強度を異なるものとする
ことができ、以て、磁性体回転体の凹凸に対応した信号
が正確に得られ、本実施の形態でも、上記実施の形態と
同様の効果を得ることができ、更に本実施の形態では、
使用される磁石が１個で済むので、上記実施の形態１に
比べてスペース的に有利で、小型化が可能になる。
【００３７】実施の形態３．図１０はこの発明の実施の
形態３を示す構成図であり、図において、図６と対応す
る部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
また、本実施の形態における磁性体回転体とＭＲ素子の
配置関係等については、リング状磁石に対して磁気抵抗
パターンを設ける位置が異なる以外は、図６の場合と同
様であり、更に、本実施の形態で用いられるブロック図
およびその具体的回路構成も、磁石２１および２２がリ
ング状磁石２３に代わる以外は、図２および図３の場合
と同様であるので、その記載を省略する。本実施の形態
は、ＭＲ素子３とリング状磁石２３の配置にズレが生じ
た場合の検出精度への影響を考慮したものである。
形態３を示す構成図であり、図において、図６と対応す
る部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
また、本実施の形態における磁性体回転体とＭＲ素子の
配置関係等については、リング状磁石に対して磁気抵抗
パターンを設ける位置が異なる以外は、図６の場合と同
様であり、更に、本実施の形態で用いられるブロック図
およびその具体的回路構成も、磁石２１および２２がリ
ング状磁石２３に代わる以外は、図２および図３の場合
と同様であるので、その記載を省略する。本実施の形態
は、ＭＲ素子３とリング状磁石２３の配置にズレが生じ
た場合の検出精度への影響を考慮したものである。
【００３８】そこで、本実施の形態では、リング状磁石
２３の内周縁の外側近傍と内側近傍にリング状磁石２３
の内周寸分の間隙をもって複数の磁気検出素子としての
ＭＲ素子３を配置する。即ち、図１０に示すように、Ｍ
Ｒ素子３とリング状磁石２３の中心とを磁性体回転体２
（図６参照）の回転方向（時計方向）に対して遅れ側方
向にリング状磁石２３の内径寸法分ずらして磁気抵抗パ
ターン３aをリング状磁石２３の内周縁の外側近傍に、
また磁気抵抗パターン３bをリング状磁石２３の内周縁
の内側近傍に配置し、磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの抵
抗値の変化に、リング状磁石２３の中心を境に対称性を
持たせる。換言すれば、図１１に示すように、磁気抵抗
パターン３ａを磁性体回転体２の凸部に対応する場合の
実線ａで示す抵抗値の最大値の位置に、この位置と磁石
２３の中心を境に対称性をなし、同じく磁気抵抗パター
ン３ｂを凹部に対応する場合の破線ｂで示す抵抗値の最
大値の位置に配置する。
２３の内周縁の外側近傍と内側近傍にリング状磁石２３
の内周寸分の間隙をもって複数の磁気検出素子としての
ＭＲ素子３を配置する。即ち、図１０に示すように、Ｍ
Ｒ素子３とリング状磁石２３の中心とを磁性体回転体２
（図６参照）の回転方向（時計方向）に対して遅れ側方
向にリング状磁石２３の内径寸法分ずらして磁気抵抗パ
ターン３aをリング状磁石２３の内周縁の外側近傍に、
また磁気抵抗パターン３bをリング状磁石２３の内周縁
の内側近傍に配置し、磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの抵
抗値の変化に、リング状磁石２３の中心を境に対称性を
持たせる。換言すれば、図１１に示すように、磁気抵抗
パターン３ａを磁性体回転体２の凸部に対応する場合の
実線ａで示す抵抗値の最大値の位置に、この位置と磁石
２３の中心を境に対称性をなし、同じく磁気抵抗パター
ン３ｂを凹部に対応する場合の破線ｂで示す抵抗値の最
大値の位置に配置する。
【００３９】従って、磁気抵抗パターン３ａおよび３ｂ
の抵抗値も凸部の場合と凹部の場合とで異なり、凸部の
場合には磁気抵抗パターン３ｂより磁気抵抗パターン３
ａの方が大きく、凹部の場合には磁気抵抗パターン３ａ
より磁気抵抗パターン３ｂの方が大きくなる。このよう
に磁性体回転体２の凹部と凸部で、磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの抵抗値が反対に変化するので、ブリッジ回路
を構成した場合大きな出力差が生じることになる。
の抵抗値も凸部の場合と凹部の場合とで異なり、凸部の
場合には磁気抵抗パターン３ｂより磁気抵抗パターン３
ａの方が大きく、凹部の場合には磁気抵抗パターン３ａ
より磁気抵抗パターン３ｂの方が大きくなる。このよう
に磁性体回転体２の凹部と凸部で、磁気抵抗パターン３
ａ、３ｂの抵抗値が反対に変化するので、ブリッジ回路
を構成した場合大きな出力差が生じることになる。
【００４０】ここで、ＭＲ素子３を構成する磁気抵抗パ
ターン３ａ、３ｂとリング状磁石２３の配置ズレがある
場合の特性について、図１２を参照して説明する。図１
２の（ａ）は上記実施の形態２において磁気抵抗パター
ン３ａ、３ｂとリング状磁石２３の配置にズレが生じた
場合、同じく図１２の（ｂ）は本実施の形態において磁
気抵抗パターン３ａ、３ｂとリング状磁石２３の配置に
ズレが生じた場合のそれぞれ磁気抵抗パターン３ａ、３
ｂに対する抵抗値の変化を示す。この図より、図１２の
（ａ）に示す実施の形態２においては、図１２の（ｂ）
に示す本実施の形態に比べ磁気抵抗パターン３ａ、３ｂ
の抵抗値の変化が極端に低下していることがわかる。従
って、本実施の形態においては、ＭＲ素子とリング状磁
石の配置ズレに対するマージンを大幅にアップすること
が可能となる。
ターン３ａ、３ｂとリング状磁石２３の配置ズレがある
場合の特性について、図１２を参照して説明する。図１
２の（ａ）は上記実施の形態２において磁気抵抗パター
ン３ａ、３ｂとリング状磁石２３の配置にズレが生じた
場合、同じく図１２の（ｂ）は本実施の形態において磁
気抵抗パターン３ａ、３ｂとリング状磁石２３の配置に
ズレが生じた場合のそれぞれ磁気抵抗パターン３ａ、３
ｂに対する抵抗値の変化を示す。この図より、図１２の
（ａ）に示す実施の形態２においては、図１２の（ｂ）
に示す本実施の形態に比べ磁気抵抗パターン３ａ、３ｂ
の抵抗値の変化が極端に低下していることがわかる。従
って、本実施の形態においては、ＭＲ素子とリング状磁
石の配置ズレに対するマージンを大幅にアップすること
が可能となる。
【００４１】なお、図１０の場合と逆に磁性体回転体２
の回転方向が反時計方向の場合には、ＭＲ素子３と磁石
２３の中心とを磁性体回転体２の回転方向に対して同じ
く遅れ側に磁石２３の内径寸法分ずらして磁気抵抗パタ
ーン３aをリング状磁石２３の内周縁の内側近傍に、ま
た磁気抵抗パターン３bをリング状磁石２３の内周縁の
外側近傍に配置し、磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの抵抗
値の変化に、リング状磁石２３の中心を境に対称性を持
たせるようにしてもよい。この場合、図１１において
は、磁気抵抗パターン３ａを磁性体回転体２の凹部に対
応する場合の破線ｂで示す抵抗値の最大値の位置に、こ
の位置とリング状磁石２３の中心を境に対称性をなし、
同じく磁気抵抗パターン３ｂを凸部に対応する場合の実
線ａで示す抵抗値の最大値の位置に配置することにな
る。
の回転方向が反時計方向の場合には、ＭＲ素子３と磁石
２３の中心とを磁性体回転体２の回転方向に対して同じ
く遅れ側に磁石２３の内径寸法分ずらして磁気抵抗パタ
ーン３aをリング状磁石２３の内周縁の内側近傍に、ま
た磁気抵抗パターン３bをリング状磁石２３の内周縁の
外側近傍に配置し、磁気抵抗パターン３ａ、３ｂの抵抗
値の変化に、リング状磁石２３の中心を境に対称性を持
たせるようにしてもよい。この場合、図１１において
は、磁気抵抗パターン３ａを磁性体回転体２の凹部に対
応する場合の破線ｂで示す抵抗値の最大値の位置に、こ
の位置とリング状磁石２３の中心を境に対称性をなし、
同じく磁気抵抗パターン３ｂを凸部に対応する場合の実
線ａで示す抵抗値の最大値の位置に配置することにな
る。
【００４２】かくして、本実施の形態でも、上述のごと
くして得られた中点電圧の差が図３に示す差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、磁性体回転体２
の凹凸に対応した出力、つまり、凹部と凸部では互いに
レベルの異なる逆極性で、しかも実質的に一つのＭＲ素
子の２倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出
力は，比較回路１３に供給されてその比較レベルである
基準値ＶTHと比較されて“Ｏ”または“１”の信号に変
換され、この信号は更に波形整形回路１４で波形整形さ
れ、この結果、その出力側即ち出力端子１５にはその立
ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出
力が磁性体回転体２の凹凸に対応して正確に得られる。
くして得られた中点電圧の差が図３に示す差動増幅回路
１２により増幅され、その出力側には、磁性体回転体２
の凹凸に対応した出力、つまり、凹部と凸部では互いに
レベルの異なる逆極性で、しかも実質的に一つのＭＲ素
子の２倍の出力が得られる。この差動増幅回路１２の出
力は，比較回路１３に供給されてその比較レベルである
基準値ＶTHと比較されて“Ｏ”または“１”の信号に変
換され、この信号は更に波形整形回路１４で波形整形さ
れ、この結果、その出力側即ち出力端子１５にはその立
ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の出
力が磁性体回転体２の凹凸に対応して正確に得られる。
【００４３】このように、本実施の形態では、磁気検出
素子としてのＭＲ素子と磁石の中心とを磁性体回転体の
回転方向に応じて磁石の内径寸法分ずらしてリング状の
磁石の内周縁近傍に複数の磁気抵抗パターンを配置する
ことで、これら複数の磁気抵抗パターンの抵抗値の変化
に、磁石の中心を境に対称性を持たせることができ、こ
れにより、ＭＲ素子が対向する磁性体回転体の凸部の場
合と凹部の場合とでは各磁気抵抗パターンに印加される
磁界の強度を異なるものとすることができ、以て、磁性
体回転体の凹凸に対応した信号が正確に得られ、本実施
の形態でも、上記実施の形態２と同様の効果を得ること
ができ、更に本実施の形態では、ＭＲ出素子とリング状
の磁石の配置ズレに対するマージンを大幅にアップする
ことが可能となる。
素子としてのＭＲ素子と磁石の中心とを磁性体回転体の
回転方向に応じて磁石の内径寸法分ずらしてリング状の
磁石の内周縁近傍に複数の磁気抵抗パターンを配置する
ことで、これら複数の磁気抵抗パターンの抵抗値の変化
に、磁石の中心を境に対称性を持たせることができ、こ
れにより、ＭＲ素子が対向する磁性体回転体の凸部の場
合と凹部の場合とでは各磁気抵抗パターンに印加される
磁界の強度を異なるものとすることができ、以て、磁性
体回転体の凹凸に対応した信号が正確に得られ、本実施
の形態でも、上記実施の形態２と同様の効果を得ること
ができ、更に本実施の形態では、ＭＲ出素子とリング状
の磁石の配置ズレに対するマージンを大幅にアップする
ことが可能となる。
【００４４】実施の形態４．図１３はこの発明の実施の
形態４を示すブロック図であり、図において、図２と対
応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。また、本実施の形態における磁性体回転体と磁気検
出素子の配置関係等については、図６の場合と同様であ
る。本実施の形態では、磁気検出素子として巨大磁気抵
抗素子（以下、ＧＭＲ素子と云う）を使用し、磁性体回
転体の凹凸に対応した出力を正確に得るものである。
形態４を示すブロック図であり、図において、図２と対
応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略す
る。また、本実施の形態における磁性体回転体と磁気検
出素子の配置関係等については、図６の場合と同様であ
る。本実施の形態では、磁気検出素子として巨大磁気抵
抗素子（以下、ＧＭＲ素子と云う）を使用し、磁性体回
転体の凹凸に対応した出力を正確に得るものである。
【００４５】ここで、ＧＭＲ素子は、例えば日本応用磁
気学会誌Vol.15,No.51991,p813〜821の「人工格子の磁
気抵抗効果」と題する論文に記載されている数オングス
トロームから数十オングストロームの厚さの磁性層と非
磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工格子
膜であり、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ、（パーマロイ／Ｃｕ／Ｃ
ｏ／Ｃｕ）ｎ、（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎが知られており、これ
は、上述のＭＲ素子と比較して格段に大きなＭＲ効果
（ＭＲ変化率）を有すると共に、隣り合った磁性層の磁
化の向きの相対角度にのみ依存するので、外部磁界の向
きが電流に対してどのような角度差をもっていても同じ
抵抗値の変化が得られるいわゆる面内感磁の素子であ
る。また、このＧＭＲ素子は、印加磁界の変化による抵
抗値の変化にヒステリシスが存在すると共に、温度特
性、特に温度係数が大きいという特徴を有する素子であ
る。
気学会誌Vol.15,No.51991,p813〜821の「人工格子の磁
気抵抗効果」と題する論文に記載されている数オングス
トロームから数十オングストロームの厚さの磁性層と非
磁性層とを交互に積層させた積層体、いわゆる人工格子
膜であり、（Ｆｅ／Ｃｒ）ｎ、（パーマロイ／Ｃｕ／Ｃ
ｏ／Ｃｕ）ｎ、（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎが知られており、これ
は、上述のＭＲ素子と比較して格段に大きなＭＲ効果
（ＭＲ変化率）を有すると共に、隣り合った磁性層の磁
化の向きの相対角度にのみ依存するので、外部磁界の向
きが電流に対してどのような角度差をもっていても同じ
抵抗値の変化が得られるいわゆる面内感磁の素子であ
る。また、このＧＭＲ素子は、印加磁界の変化による抵
抗値の変化にヒステリシスが存在すると共に、温度特
性、特に温度係数が大きいという特徴を有する素子であ
る。
【００４６】図１３は上述のヒステリシス特性を有する
ＧＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図である。
この検出装置は、磁性体回転体２と所定の間隙を持って
配置され、リング状磁石２３より磁界が与えられるＧＭ
Ｒ素子を用いたホイートストンブリッジ回路１１Ａと、
このホイートストンブリッジ回路１１Ａの中点電圧同士
を比較して“Ｏ”または“１”の信号を出力する比較回
路１３と、この比較回路１３の出力を更に波形整形して
立ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の
信号を出力端子１５に出力する波形整形回路１４とを備
える。比較回路１３および波形整形回路１４は信号処理
手段を構成する。
ＧＭＲ素子を用いた検出装置を示すブロック図である。
この検出装置は、磁性体回転体２と所定の間隙を持って
配置され、リング状磁石２３より磁界が与えられるＧＭ
Ｒ素子を用いたホイートストンブリッジ回路１１Ａと、
このホイートストンブリッジ回路１１Ａの中点電圧同士
を比較して“Ｏ”または“１”の信号を出力する比較回
路１３と、この比較回路１３の出力を更に波形整形して
立ち上がり、立ち下がりの急峻な“Ｏ”または“１”の
信号を出力端子１５に出力する波形整形回路１４とを備
える。比較回路１３および波形整形回路１４は信号処理
手段を構成する。
【００４７】図１４は図１３のブロック図の具体的回路
構成の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回
路１１Ａは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子２４Ａ，
２４Ｂと固定抵抗器２４Ｃおよび２４Ｄを有し、ＧＭＲ
素子２４Ａと固定抵抗器２４Ｃの各一端は共通接続さ
れ、接続点１６を介して電源端子Ｖccに接続され、ＧＭ
Ｒ素子２４Ｂと固定抵抗器２４Ｄの各一端は共通接続さ
れ、接続点１７を介して接地され、ＧＭＲ素子２４Ａと
２４Ｂの各他端は接続点１８に接続され、固定抵抗器２
４Ｃと２４Ｄの各他端は接続点１９に接続される。な
お、ＧＭＲ素子２４Ａと２４Ｂは、図６の磁気抵抗パタ
ーン３ａ、３ｂと同様にリング状の磁石２３に対して配
置されたＧＭＲ素子２４を構成する磁気抵抗パターン２
４ａ、２４ｂ（図１６参照）に相当するもので、これら
の磁気抵抗パターン２４ａ、２４ｂは、その間隙中心が
リング状磁石２３の内周縁にほぼ一致する位置に配置さ
れる。勿論、固定抵抗器２４Ｃと２４ＤもＧＭＲ素子で
構成してもよい。
構成の一例を示す図である。ホイートストンブリッジ回
路１１Ａは、例えば各辺にそれぞれＧＭＲ素子２４Ａ，
２４Ｂと固定抵抗器２４Ｃおよび２４Ｄを有し、ＧＭＲ
素子２４Ａと固定抵抗器２４Ｃの各一端は共通接続さ
れ、接続点１６を介して電源端子Ｖccに接続され、ＧＭ
Ｒ素子２４Ｂと固定抵抗器２４Ｄの各一端は共通接続さ
れ、接続点１７を介して接地され、ＧＭＲ素子２４Ａと
２４Ｂの各他端は接続点１８に接続され、固定抵抗器２
４Ｃと２４Ｄの各他端は接続点１９に接続される。な
お、ＧＭＲ素子２４Ａと２４Ｂは、図６の磁気抵抗パタ
ーン３ａ、３ｂと同様にリング状の磁石２３に対して配
置されたＧＭＲ素子２４を構成する磁気抵抗パターン２
４ａ、２４ｂ（図１６参照）に相当するもので、これら
の磁気抵抗パターン２４ａ、２４ｂは、その間隙中心が
リング状磁石２３の内周縁にほぼ一致する位置に配置さ
れる。勿論、固定抵抗器２４Ｃと２４ＤもＧＭＲ素子で
構成してもよい。
【００４８】そして、ホイートストンブリッジ回路１１
Ａの接続点１８が抵抗器を介して比較回路１３の非反転
入力端子に接続され、接続点１９が抵抗器を介して比較
回路１３の反転入力端子に接続され、更に、比較回路１
３の反転入力端子は抵抗器を介して自己の出力端子に接
続される。比較回路１３の出力側は、波形整形回路１４
のトランジスタ１４ａのベースに接続されると共に抵抗
器を介して電源端子Ｖccに接続され、トランジスタ１４
ａのコレクタは出力端子１５に接続されると共に抵抗器
を介して電源端子Ｖccに接続され、そのエミッタは接地
される。因に、ここでは、一例として、ＧＭＲ素子２４
Ａと２４Ｂは、数オングストロームから数十オングスト
ロームの厚さの磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設
定することで、図１７に示すような印加磁界の変化によ
る抵抗値変化にヒステリシスを持たせたものである。
Ａの接続点１８が抵抗器を介して比較回路１３の非反転
入力端子に接続され、接続点１９が抵抗器を介して比較
回路１３の反転入力端子に接続され、更に、比較回路１
３の反転入力端子は抵抗器を介して自己の出力端子に接
続される。比較回路１３の出力側は、波形整形回路１４
のトランジスタ１４ａのベースに接続されると共に抵抗
器を介して電源端子Ｖccに接続され、トランジスタ１４
ａのコレクタは出力端子１５に接続されると共に抵抗器
を介して電源端子Ｖccに接続され、そのエミッタは接地
される。因に、ここでは、一例として、ＧＭＲ素子２４
Ａと２４Ｂは、数オングストロームから数十オングスト
ロームの厚さの磁性層と非磁性層との膜厚を最適値に設
定することで、図１７に示すような印加磁界の変化によ
る抵抗値変化にヒステリシスを持たせたものである。
【００４９】次に、動作について、図１５を参照して説
明する。磁性体回転体２が回転することで、図１５の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１Ａを構成するＧＭＲ素子２４Ａと２４Ｂに
は、異なる磁界変化が与えられる。この結果、磁性体回
転体２の凹凸に対応してＧＭＲ素子２４Ａと２４Ｂの感
磁面に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つのＧ
ＭＲ素子の磁界変化の２倍の磁界変化を得られ、その抵
抗値も、同様に変化して、ＧＭＲ素子２４Ａと２４Ｂの
抵抗値の最大、最少となる位置が逆となり、ホイートス
トンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、１９の中点電圧
も同様に変化し、ここに図１５の（ｂ）に示すような大
きな差を持った中点電圧Ｖ1、Ｖ2が得られる。
明する。磁性体回転体２が回転することで、図１５の
（ａ）に示すその凹凸に対応して、ホイートストンブリ
ッジ回路１１Ａを構成するＧＭＲ素子２４Ａと２４Ｂに
は、異なる磁界変化が与えられる。この結果、磁性体回
転体２の凹凸に対応してＧＭＲ素子２４Ａと２４Ｂの感
磁面に磁界の変化が発生し、つまり、実質的に一つのＧ
ＭＲ素子の磁界変化の２倍の磁界変化を得られ、その抵
抗値も、同様に変化して、ＧＭＲ素子２４Ａと２４Ｂの
抵抗値の最大、最少となる位置が逆となり、ホイートス
トンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、１９の中点電圧
も同様に変化し、ここに図１５の（ｂ）に示すような大
きな差を持った中点電圧Ｖ1、Ｖ2が得られる。
【００５０】即ち、図１５の（ｂ）は、ＧＭＲ素子２４
Ａ、２４Ｂより構成されたホイートストンブリッジ回路
１１Ａに電源Ｖccを印加し、磁性体回転体２（図６参
照）を回転させた時のＧＭＲ素子と磁性体回転体２の距
離（以下、ＧＡＰと称する）と、ホイートストンブリッ
ジ回路１１Ａの接続点１８、１９の中点電圧Ｖ1、Ｖ2の
変化との関係を示す。図からも分かるように、磁性体回
転体２が凹から凸、凸から凹に変位する時にそのＧＡＰ
に拘わらずＧＭＲ素子２４Ａおよび２４Ｂの接続点１８
の中点電圧Ｖ1が一致する点が存在する。この点に比較
回路１３のスライスレベルとなる固定抵抗器２４Ｃおよ
び２４Ｄの接続点１９の中点電圧Ｖ2のレベルを、予め
固定抵抗器２４Ｃおよび２４Ｄの値を設定することによ
り、磁性体回転体２の凹から凸、凸から凹に変化する点
のＧＡＰによるズレを低減できる。
Ａ、２４Ｂより構成されたホイートストンブリッジ回路
１１Ａに電源Ｖccを印加し、磁性体回転体２（図６参
照）を回転させた時のＧＭＲ素子と磁性体回転体２の距
離（以下、ＧＡＰと称する）と、ホイートストンブリッ
ジ回路１１Ａの接続点１８、１９の中点電圧Ｖ1、Ｖ2の
変化との関係を示す。図からも分かるように、磁性体回
転体２が凹から凸、凸から凹に変位する時にそのＧＡＰ
に拘わらずＧＭＲ素子２４Ａおよび２４Ｂの接続点１８
の中点電圧Ｖ1が一致する点が存在する。この点に比較
回路１３のスライスレベルとなる固定抵抗器２４Ｃおよ
び２４Ｄの接続点１９の中点電圧Ｖ2のレベルを、予め
固定抵抗器２４Ｃおよび２４Ｄの値を設定することによ
り、磁性体回転体２の凹から凸、凸から凹に変化する点
のＧＡＰによるズレを低減できる。
【００５１】また、図１６はＧＭＲ素子２４を構成する
磁気抵抗パターン２４ａ、２４ｂに対するリング状磁石
２３の回転方向距離Ｌと、接続点１８の中点電圧Ｖ1の
変化の関係を示す。図からも分かるように、Ｌの値を適
切に設定することにより接続点１８の中点電圧Ｖ1がＧ
ＡＰに拘わらず１／２Ｖccで一致する点が存在する。
磁気抵抗パターン２４ａ、２４ｂに対するリング状磁石
２３の回転方向距離Ｌと、接続点１８の中点電圧Ｖ1の
変化の関係を示す。図からも分かるように、Ｌの値を適
切に設定することにより接続点１８の中点電圧Ｖ1がＧ
ＡＰに拘わらず１／２Ｖccで一致する点が存在する。
【００５２】因に、図１６において、中点電圧Ｖ1が１
／２Ｖccより上側にオフセットしているのはＬの値が上
記適切な値より大きく、即ち磁気抵抗パターン２４ｂ
（ＧＭＲ素子２４Ｂ）の抵抗値が磁気抵抗パターン２４
ａ（ＧＭＲ素子２４Ａ）の抵抗値より大きく、逆に、中
点電圧Ｖ1が１／２Ｖccより下側にオフセットしている
のはＬの値が上記適切な値より小さく、即ち磁気抵抗パ
ターン２４ｂ（ＧＭＲ素子２４Ｂ）の抵抗値が磁気抵抗
パターン２４ａ（ＧＭＲ素子２４Ａ）より小さい場合で
ある。このように、接続点１８の中点電圧Ｖ1がＧＡＰ
に拘わらず１／２Ｖccで一致する点に比較回路１３のス
ライスレベルとなる固定抵抗器２４Ｃおよび２４Ｄの接
続点１９の中点電圧Ｖ2のレベルを調整することで、中
点電圧Ｖ1がＧＡＰに拘わらず１／２Ｖccで一致する点
は磁気抵抗パターン２４ａ、２４ｂに対応するＧＭＲ素
子２４Ａおよび２４Ｂの抵抗値が等しい点であり、ま
た、温度係数も等しくなるため、接続点１８の中点電圧
Ｖ1の温度環境によるオフセットがなく、磁性体回転体
２の検出において温度特性の影響を受けることを低減す
ることが可能となる。
／２Ｖccより上側にオフセットしているのはＬの値が上
記適切な値より大きく、即ち磁気抵抗パターン２４ｂ
（ＧＭＲ素子２４Ｂ）の抵抗値が磁気抵抗パターン２４
ａ（ＧＭＲ素子２４Ａ）の抵抗値より大きく、逆に、中
点電圧Ｖ1が１／２Ｖccより下側にオフセットしている
のはＬの値が上記適切な値より小さく、即ち磁気抵抗パ
ターン２４ｂ（ＧＭＲ素子２４Ｂ）の抵抗値が磁気抵抗
パターン２４ａ（ＧＭＲ素子２４Ａ）より小さい場合で
ある。このように、接続点１８の中点電圧Ｖ1がＧＡＰ
に拘わらず１／２Ｖccで一致する点に比較回路１３のス
ライスレベルとなる固定抵抗器２４Ｃおよび２４Ｄの接
続点１９の中点電圧Ｖ2のレベルを調整することで、中
点電圧Ｖ1がＧＡＰに拘わらず１／２Ｖccで一致する点
は磁気抵抗パターン２４ａ、２４ｂに対応するＧＭＲ素
子２４Ａおよび２４Ｂの抵抗値が等しい点であり、ま
た、温度係数も等しくなるため、接続点１８の中点電圧
Ｖ1の温度環境によるオフセットがなく、磁性体回転体
２の検出において温度特性の影響を受けることを低減す
ることが可能となる。
【００５３】かくして、このようにして得られたホイー
トストンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、１９の中点
電圧Ｖ1、Ｖ2は、比較回路１３に供給され、実質的に中
点電圧Ｖ1が検出入力、中点電圧Ｖ2がスライスレベルと
して互いに比較されて“Ｏ”または“１”の信号に変換
され、この信号は更に波形整形回路１４で波形整形さ
れ、この結果、その出力側即ち出力端子１５には図１５
の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、立ち下がりの急
峻な“Ｏ”または“１”の出力が磁性体回転体２の凹凸
に対応して正確に得られる。即ち、磁性体回転体の凹凸
に対応した信号が正確に得られることから、この場合も
従来装置では必要であった回転体の凹凸エッジ検出と保
持回路は不要となり、また、検出装置に電源が供給され
た瞬間から検出出力が磁性体回転体の凹凸に確実に対応
しているので、パワーオン機能が安定して得られること
になる。
トストンブリッジ回路１１Ａの接続点１８、１９の中点
電圧Ｖ1、Ｖ2は、比較回路１３に供給され、実質的に中
点電圧Ｖ1が検出入力、中点電圧Ｖ2がスライスレベルと
して互いに比較されて“Ｏ”または“１”の信号に変換
され、この信号は更に波形整形回路１４で波形整形さ
れ、この結果、その出力側即ち出力端子１５には図１５
の（ｃ）に示すようにその立ち上がり、立ち下がりの急
峻な“Ｏ”または“１”の出力が磁性体回転体２の凹凸
に対応して正確に得られる。即ち、磁性体回転体の凹凸
に対応した信号が正確に得られることから、この場合も
従来装置では必要であった回転体の凹凸エッジ検出と保
持回路は不要となり、また、検出装置に電源が供給され
た瞬間から検出出力が磁性体回転体の凹凸に確実に対応
しているので、パワーオン機能が安定して得られること
になる。
【００５４】このように、本実施の形態では、磁気検出
素子としてのＧＭＲ素子を構成する複数の磁気抵抗パタ
ーンに対応してリング状磁石を設け、ＧＭＲ素子を、リ
ング状磁石の内周縁に複数の磁気抵抗パターンの間隙中
心がほぼ一致する位置に配置することで、ＧＭＲ素子が
対向する磁性体回転体の凸部の場合と凹部の場合とでは
各磁気抵抗パターンに印加される磁界の強度を異なるも
のとすることができ、以て、磁性体回転体の凹凸に対応
した信号が正確に得られ、本実施の形態でも、上記実施
の形態１〜３と同様の効果を得ることができ、更に本実
施の形態では、磁気検出素子としてＧＭＲ素子を用いて
ブリッジ回路の中点電圧をＧＡＰに拘わらず１／２Ｖcc
で一致するするように設定することで、ブリッジ回路の
後段に設けられる差動増幅回路を省略することができ、
回路構成が簡単となり、しかも、ブリッジ回路の中点電
圧の温度環境によるオフセットがなく、磁性体回転体の
検出において温度特性の影響を受けることを低減するこ
とが可能となる。
素子としてのＧＭＲ素子を構成する複数の磁気抵抗パタ
ーンに対応してリング状磁石を設け、ＧＭＲ素子を、リ
ング状磁石の内周縁に複数の磁気抵抗パターンの間隙中
心がほぼ一致する位置に配置することで、ＧＭＲ素子が
対向する磁性体回転体の凸部の場合と凹部の場合とでは
各磁気抵抗パターンに印加される磁界の強度を異なるも
のとすることができ、以て、磁性体回転体の凹凸に対応
した信号が正確に得られ、本実施の形態でも、上記実施
の形態１〜３と同様の効果を得ることができ、更に本実
施の形態では、磁気検出素子としてＧＭＲ素子を用いて
ブリッジ回路の中点電圧をＧＡＰに拘わらず１／２Ｖcc
で一致するするように設定することで、ブリッジ回路の
後段に設けられる差動増幅回路を省略することができ、
回路構成が簡単となり、しかも、ブリッジ回路の中点電
圧の温度環境によるオフセットがなく、磁性体回転体の
検出において温度特性の影響を受けることを低減するこ
とが可能となる。
【００５５】実施の形態５．なお、上述した各実施の形
態では、磁界変化付与手段としての磁性体移動体が、回
転軸に同期して回転する磁性体回転体の場合について説
明したが、直線変位する磁性体移動体についても同様に
適用でき、同様の効果を奏する。また、上述した各実施
の形態では、磁気検出素子でホイートストンブリッジ回
路を構成するとしたが、同様のブリッジ回路構成であれ
ば同じ効果を得ることができる。
態では、磁界変化付与手段としての磁性体移動体が、回
転軸に同期して回転する磁性体回転体の場合について説
明したが、直線変位する磁性体移動体についても同様に
適用でき、同様の効果を奏する。また、上述した各実施
の形態では、磁気検出素子でホイートストンブリッジ回
路を構成するとしたが、同様のブリッジ回路構成であれ
ば同じ効果を得ることができる。
【００５６】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発生手段と
所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手段によっ
て発生された磁界を変化させる磁界変化付与手段と、こ
の磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて抵抗値が
変化する複数の磁気検出素子とを備え、これら複数の磁
気検出素子の間隙の中心を磁界発生手段の中心と一致し
ないように配置したので、検出装置に電源が供給された
瞬間から磁界変化付与手段の所定位置に対応した出力を
正確に得ることができ、従来必要とされた保持回路等が
不要となり、また、パワーオン機能が安定して得られる
という効果がある。
れば、磁界を発生する磁界発生手段と、磁界発生手段と
所定の間隙を持って配置され、この磁界発生手段によっ
て発生された磁界を変化させる磁界変化付与手段と、こ
の磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて抵抗値が
変化する複数の磁気検出素子とを備え、これら複数の磁
気検出素子の間隙の中心を磁界発生手段の中心と一致し
ないように配置したので、検出装置に電源が供給された
瞬間から磁界変化付与手段の所定位置に対応した出力を
正確に得ることができ、従来必要とされた保持回路等が
不要となり、また、パワーオン機能が安定して得られる
という効果がある。
【００５７】請求項２記載の発明によれば、請求項１の
発明において、磁気検出素子を磁界変化付与手段の移動
方向の遅れ側寄りに配置したので、検出装置に電源が供
給された瞬間から磁界変化付与手段の所定位置に対応し
た出力をより正確に得ることができ、従来必要とされた
保持回路等が不要となり、また、パワーオン機能がより
安定して得られるという効果がある。
発明において、磁気検出素子を磁界変化付与手段の移動
方向の遅れ側寄りに配置したので、検出装置に電源が供
給された瞬間から磁界変化付与手段の所定位置に対応し
た出力をより正確に得ることができ、従来必要とされた
保持回路等が不要となり、また、パワーオン機能がより
安定して得られるという効果がある。
【００５８】請求項３記載の発明によれば、請求項１の
発明において、磁界発生手段を複数の磁石で構成し、こ
れら複数の磁石の一方の磁石の他方の磁石寄り端部に複
数の磁気検出素子の間隙の中心を一致させて配置したの
で、磁界変化付与手段の形状に対応した信号が正確に得
られ、従来装置では必要であった磁界変化付与手段の形
状に関連したエッジ検出と保持回路は不要となり、ま
た、パワーオン機能が安定して得られるという効果があ
る。
発明において、磁界発生手段を複数の磁石で構成し、こ
れら複数の磁石の一方の磁石の他方の磁石寄り端部に複
数の磁気検出素子の間隙の中心を一致させて配置したの
で、磁界変化付与手段の形状に対応した信号が正確に得
られ、従来装置では必要であった磁界変化付与手段の形
状に関連したエッジ検出と保持回路は不要となり、ま
た、パワーオン機能が安定して得られるという効果があ
る。
【００５９】請求項４記載の発明によれば、請求項１の
発明において、磁界発生手段を単一のリング状磁石で構
成し、このリング状磁石の内周縁に複数の磁気検出素子
の間隙の中心を一致させて配置したので、磁界変化付与
手段の形状に対応した信号が正確に得られ、従来装置で
は必要であった磁界変化付与手段の形状に関連したエッ
ジ検出と保持回路は不要となり、また、パワーオン機能
が安定して得られ、しかも、使用される磁石が１個で済
むので、スペース的に有利で、小型化が可能になるとい
う効果がある。
発明において、磁界発生手段を単一のリング状磁石で構
成し、このリング状磁石の内周縁に複数の磁気検出素子
の間隙の中心を一致させて配置したので、磁界変化付与
手段の形状に対応した信号が正確に得られ、従来装置で
は必要であった磁界変化付与手段の形状に関連したエッ
ジ検出と保持回路は不要となり、また、パワーオン機能
が安定して得られ、しかも、使用される磁石が１個で済
むので、スペース的に有利で、小型化が可能になるとい
う効果がある。
【００６０】請求項５記載の発明によれば、請求項１の
発明において、磁界発生手段を単一のリング状磁石で構
成し、このリング状磁石の内周縁の外側近傍と内側近傍
にリング状磁石の内周寸分の間隙をもって複数の磁気検
出素子をそれぞれ配置したので、磁界変化付与手段の形
状に対応した信号が正確に得られ、従来装置では必要で
あった磁界変化付与手段の形状に関連したエッジ検出と
保持回路は不要となり、また、パワーオン機能が安定し
て得られ、しかも、使用される磁石が１個で済むので、
スペース的に有利で、小型化が可能になり、更に磁気検
出素子とリング状磁石の配置ズレに対するマージンを大
幅にアップすることが可能となり、検出精度を向上でき
るという効果がある。
発明において、磁界発生手段を単一のリング状磁石で構
成し、このリング状磁石の内周縁の外側近傍と内側近傍
にリング状磁石の内周寸分の間隙をもって複数の磁気検
出素子をそれぞれ配置したので、磁界変化付与手段の形
状に対応した信号が正確に得られ、従来装置では必要で
あった磁界変化付与手段の形状に関連したエッジ検出と
保持回路は不要となり、また、パワーオン機能が安定し
て得られ、しかも、使用される磁石が１個で済むので、
スペース的に有利で、小型化が可能になり、更に磁気検
出素子とリング状磁石の配置ズレに対するマージンを大
幅にアップすることが可能となり、検出精度を向上でき
るという効果がある。
【００６１】請求項６記載の発明によれば、請求項１〜
５のいずれかの発明において、複数の磁気検出素子を用
いてブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路の一辺の
磁気検出素子への印加磁界極性と、もう一方の磁気検出
素子への印加磁界極性を異なるようにしたので、磁界変
化付与手段の形状に対応した信号が正確に得られ、従来
装置では必要であった磁界変化付与手段の形状に関連し
たエッジ検出と保持回路は不要となり、また、パワーオ
ン機能が安定して得られるという効果がある。
５のいずれかの発明において、複数の磁気検出素子を用
いてブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路の一辺の
磁気検出素子への印加磁界極性と、もう一方の磁気検出
素子への印加磁界極性を異なるようにしたので、磁界変
化付与手段の形状に対応した信号が正確に得られ、従来
装置では必要であった磁界変化付与手段の形状に関連し
たエッジ検出と保持回路は不要となり、また、パワーオ
ン機能が安定して得られるという効果がある。
【００６２】請求項７記載の発明によれば、請求項１、
２または４の発明において、複数の磁気検出素子として
巨大磁気抵抗素子を用いてブリッジ回路を構成し、この
ブリッジ回路の一辺の巨大磁気抵抗素子への印加磁界極
性と、もう一方の巨大磁気抵抗素子への印加磁界極性を
異なるようにしたので、磁界変化付与手段の形状に対応
したレベルの大きな信号が正確に得られ、検出精度が向
上すると共に、従来装置では必要であった磁界変化付与
手段の形状に関連したエッジ検出と保持回路は不要とな
り、また、パワーオン機能が安定して得られるという効
果がある。
２または４の発明において、複数の磁気検出素子として
巨大磁気抵抗素子を用いてブリッジ回路を構成し、この
ブリッジ回路の一辺の巨大磁気抵抗素子への印加磁界極
性と、もう一方の巨大磁気抵抗素子への印加磁界極性を
異なるようにしたので、磁界変化付与手段の形状に対応
したレベルの大きな信号が正確に得られ、検出精度が向
上すると共に、従来装置では必要であった磁界変化付与
手段の形状に関連したエッジ検出と保持回路は不要とな
り、また、パワーオン機能が安定して得られるという効
果がある。
【００６３】請求項８記載の発明によれば、請求項６ま
たは７の発明において、ブリッジ回路の出力を信号処理
する信号処理手段を備えたので、磁界変化付与手段の形
状に対応した信号を確実に検出できるという効果があ
る。
たは７の発明において、ブリッジ回路の出力を信号処理
する信号処理手段を備えたので、磁界変化付与手段の形
状に対応した信号を確実に検出できるという効果があ
る。
【００６４】請求項９記載の発明によれば、請求項８の
発明において、信号処理手段を、少なくともブリッジ回
路の複数の出力を比較する比較回路と、この比較回路の
出力を波形整形する波形整形手段とで構成したので、回
路構成が簡略化されるという効果がある。
発明において、信号処理手段を、少なくともブリッジ回
路の複数の出力を比較する比較回路と、この比較回路の
出力を波形整形する波形整形手段とで構成したので、回
路構成が簡略化されるという効果がある。
【００６５】請求項１０記載の発明によれば、請求項１
〜９のいずれかの発明において、磁界変化付与手段を少
なくとも１つの凹凸を有する磁性体回転体で構成したの
で、小さな凹凸の検出まで対応可能となり、検出装置の
小型化、低廉化と共に、検出精度を向上できるという効
果がある。
〜９のいずれかの発明において、磁界変化付与手段を少
なくとも１つの凹凸を有する磁性体回転体で構成したの
で、小さな凹凸の検出まで対応可能となり、検出装置の
小型化、低廉化と共に、検出精度を向上できるという効
果がある。
【図１】 この発明に係る検出装置の実施の形態１を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】 この発明に係る検出装置の実施の形態１の回
路構成を示すブロック図である。
路構成を示すブロック図である。
【図３】 図２の具体的回路構成の一例を示す回路図で
ある。
ある。
【図４】 この発明に係る検出装置の実施の形態１の動
作説明に供するための波形図である。
作説明に供するための波形図である。
【図５】 この発明に係る検出装置の実施の形態１にお
ける磁界ベクトルの変化について説明するための形図で
ある。
ける磁界ベクトルの変化について説明するための形図で
ある。
【図６】 この発明に係る検出装置の実施の形態２を示
す構成図である。
す構成図である。
【図７】 この発明に係る検出装置の実施の形態２にお
けるリング状磁石に対する磁気検出素子の配置関係を示
す図である。
けるリング状磁石に対する磁気検出素子の配置関係を示
す図である。
【図８】 この発明に係る検出装置の実施の形態２にお
けリング状磁石に対する磁気検出素子の抵抗値の変化を
示す図である。
けリング状磁石に対する磁気検出素子の抵抗値の変化を
示す図である。
【図９】 この発明に係る検出装置の実施の形態２にお
けるリング状磁石に対する磁気検出素子の配置関係を示
す図である。
けるリング状磁石に対する磁気検出素子の配置関係を示
す図である。
【図１０】 この発明に係る検出装置の実施の形態３を
示す配置図である。
示す配置図である。
【図１１】 この発明に係る検出装置の実施の形態３に
おけるリング状磁石に対する磁気検出素子の配置関係を
示す図である。
おけるリング状磁石に対する磁気検出素子の配置関係を
示す図である。
【図１２】 この発明に係る検出装置の実施の形態２と
実施の形態３におけるリング状磁石に対する磁気検出素
子のずれを説明するための図である。
実施の形態３におけるリング状磁石に対する磁気検出素
子のずれを説明するための図である。
【図１３】 この発明に係る検出装置の実施の形態４の
回路構成を示すブロック図である。
回路構成を示すブロック図である。
【図１４】 図１３の具体的回路構成の一例を示す回路
図である。
図である。
【図１５】 この発明に係る検出装置の実施の形態４の
動作説明に供するための波形図である。
動作説明に供するための波形図である。
【図１６】 この発明に係る検出装置の実施の形態４に
おける温度特性の補正を説明するための図である。
おける温度特性の補正を説明するための図である。
【図１７】 ＧＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値の変
化を示す特性図である。
化を示す特性図である。
【図１８】 従来の検出装置を示す構成図である。
【図１９】 従来の検出装置の回路構成を概略的に示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２０】 図１９の動作説明に供するための波形図で
ある。
ある。
【図２１】 従来の検出装置における磁界ベクトルの変
化について説明するための形図である。
化について説明するための形図である。
【図２２】 ＭＲ素子の磁界強度に対する抵抗値の変化
を示す特性図である。
を示す特性図である。
１ 回転軸、２ 磁性体回転体、３ ＭＲ素子、２１，
２２ 磁石、２３ リング状磁石、１０Ａ，１０Ｂ Ｍ
Ｒ素子、２４Ａ，２４Ｂ ＧＭＲ素子、１１，１１Ａ
ホイートストンブリッジ回路、１２ 差動増幅回路、１
３ 比較回路、１４ 波形整形回路。
２２ 磁石、２３ リング状磁石、１０Ａ，１０Ｂ Ｍ
Ｒ素子、２４Ａ，２４Ｂ ＧＭＲ素子、１１，１１Ａ
ホイートストンブリッジ回路、１２ 差動増幅回路、１
３ 比較回路、１４ 波形整形回路。
Claims (10)
- 【請求項１】 磁界を発生する磁界発生手段と、 上記磁界発生手段と所定の間隙を持って配置され、該磁
界発生手段によって発生された磁界を変化させる磁界変
化付与手段と、 該磁界変化付与手段で変化された磁界に応じて抵抗値が
変化する複数の磁気検出素子とを備え、該複数の磁気検
出素子の間隙の中心を上記磁界発生手段の中心と一致し
ないように配置したことを特徴とする検出装置。 - 【請求項２】 上記磁気検出素子を上記磁界変化付与手
段の移動方向の遅れ側寄りに配置したことを特徴とする
請求項１記載の検出装置。 - 【請求項３】 上記磁界発生手段を複数の磁石で構成
し、該複数の磁石の一方の磁石の他方の磁石寄り端部に
上記複数の磁気検出素子の間隙の中心を一致させて配置
したことを特徴とする請求項１記載の検出装置。 - 【請求項４】 上記磁界発生手段を単一のリング状磁石
で構成し、該リング状磁石の内周縁に上記複数の磁気検
出素子の間隙の中心を一致させて配置したことを特徴と
する請求項１記載の検出装置。 - 【請求項５】 上記磁界発生手段を単一のリング状磁石
で構成し、該リング状磁石の内周縁の外側近傍と内側近
傍に上記リング状磁石の内周寸分の間隙をもって上記複
数の磁気検出素子をそれぞれ配置したことを特徴とする
請求項１記載の検出装置。 - 【請求項６】 上記複数の磁気検出素子を用いてブリッ
ジ回路を構成し、該ブリッジ回路の一辺の磁気検出素子
への印加磁界極性と、もう一方の磁気検出素子への印加
磁界極性を異なるようにしたことを特徴とする請求項１
〜５のいずれかに記載の検出装置。 - 【請求項７】 上記複数の磁気検出素子として巨大磁気
抵抗素子を用いてブリッジ回路を構成し、該ブリッジ回
路の一辺の巨大磁気抵抗素子への印加磁界極性と、もう
一方の巨大磁気抵抗素子への印加磁界極性を異なるよう
にしたことを特徴とする請求項１、２または４に記載の
検出装置。 - 【請求項８】 上記ブリッジ回路の出力を信号処理する
信号処理手段を備えたことを特徴とする請求項６または
７記載の検出装置。 - 【請求項９】 上記信号処理手段を、少なくとも上記ブ
リッジ回路の複数の出力を比較する比較回路と、該比較
回路の出力を波形整形する波形整形手段とで構成したこ
とを特徴とする請求項８記載の検出装置。 - 【請求項１０】 上記磁界変化付与手段を少なくとも１
つの凹凸を有する磁性体回転体で構成したことを特徴と
する請求項１〜９のいずれかに記載の検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9042302A JPH10239338A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 検出装置 |
| US08/891,036 US6014023A (en) | 1997-02-26 | 1997-07-10 | High resolution magnetoresistance sensing device with accurate placement of inducing and detecting elements |
| DE19732632A DE19732632C2 (de) | 1997-02-26 | 1997-07-29 | Sensoreinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9042302A JPH10239338A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10239338A true JPH10239338A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12632238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9042302A Pending JPH10239338A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6014023A (ja) |
| JP (1) | JPH10239338A (ja) |
| DE (1) | DE19732632C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015105835A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-08 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| WO2017104494A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ装置 |
| JP2017116549A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | 感知装置、感知システム及びステアリングシステム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10239098A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気検出装置 |
| JP3562993B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2004-09-08 | 三菱電機株式会社 | 磁気検出装置 |
| DE10141371A1 (de) * | 2001-08-23 | 2003-03-13 | Philips Corp Intellectual Pty | Magnetoresistive Sensoreinrichtung |
| JP4292571B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-07-08 | 株式会社デンソー | 磁気センサの調整方法及び磁気センサの調整装置 |
| DE102004011809A1 (de) * | 2004-03-11 | 2005-09-29 | Robert Bosch Gmbh | Magnetsensoranordnung |
| CN101031364A (zh) * | 2004-09-30 | 2007-09-05 | 爱科来株式会社 | 离心分离装置和具有该离心分离装置的分析装置 |
| FR2908510B1 (fr) * | 2006-11-15 | 2009-01-09 | Siemens Vdo Automotive Sas | Generateur de champ magnetique destine a etre associe a un capteur angulaire de mesure de la direction du champ magnetique genere par ledit generateur |
| US8575920B2 (en) * | 2007-12-05 | 2013-11-05 | Infineon Technologies Ag | Magneto-resistive magnetic field sensor |
| JP6503802B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2019-04-24 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| US9910087B2 (en) * | 2016-03-14 | 2018-03-06 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit and method for detecting a stress condition in the integrated circuit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE3426784A1 (de) * | 1984-07-20 | 1986-01-30 | Bosch Gmbh Robert | Magnetoresistiver sensor zur abgabe von elektrischen signalen |
| US5115194A (en) * | 1990-09-27 | 1992-05-19 | Kearney-National Inc. | Hall effect position sensor with flux limiter and magnetic dispersion means |
| US5038130A (en) * | 1990-11-06 | 1991-08-06 | Santa Barbara Research Center | System for sensing changes in a magnetic field |
| DE4341890C2 (de) * | 1992-12-09 | 2003-11-06 | Denso Corp | Magnetische Detektionseinrichtung |
| US5477143A (en) * | 1994-01-11 | 1995-12-19 | Honeywell Inc. | Sensor with magnetoresistors disposed on a plane which is parallel to and displaced from the magnetic axis of a permanent magnet |
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| US5744950A (en) * | 1996-05-09 | 1998-04-28 | Ssi Technologies, Inc. | Apparatus for detecting the speed of a rotating element including signal conditioning to provide a fifty percent duty cycle |
| JPH09329461A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP9042302A patent/JPH10239338A/ja active Pending
- 1997-07-10 US US08/891,036 patent/US6014023A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-29 DE DE19732632A patent/DE19732632C2/de not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015105835A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-08 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
| WO2017104494A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ装置 |
| JP2017116549A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | 感知装置、感知システム及びステアリングシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6014023A (en) | 2000-01-11 |
| DE19732632C2 (de) | 2003-04-10 |
| DE19732632A1 (de) | 1998-09-03 |
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