JPH0836712A

JPH0836712A - Ｍｒ型磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0836712A
Application number: JP19134994A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Tachikawa; 一彦立川; Toshio Umehara; 敏男梅原; Takeshi Sawake; 剛佐分; Shigenori Suzuki; 茂徳鈴木
Original assignee: FDK Corp
Current assignee: FDK Corp
Priority date: 1994-07-22
Filing date: 1994-07-22
Publication date: 1996-02-06
Anticipated expiration: 2013-12-09
Also published as: JP2834674B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ＭＲ層とリード層の接合範囲を正確に（設計
通りに）形成でき、その結果センス領域を精度よく決定
することができ、安定したばらつきのない特性を得るこ
とのできるＭＲ型磁気ヘッドを提供すること【構成】フェライト等から構成される基板１０の上に
所定形状のＭＲ層１１を配置する。このＭＲ層は、所定
のＭＲ材料を所定数積層して形成する。このＭＲ層の上
に絶縁層１５を配置、各層の側面が連続する傾斜面（傾
斜角θ）としている。上記ＭＲ層と絶縁層の側面と接合
するように、基板上の所定位置にリード層１６を設け
る。すると、電力供給並びに信号検出が行われる実際の
接合面の上端は、ＭＲ層と絶縁層との境界Ｓとなるの
で、リード層の先端Ａの位置がばらついても上記実際の
接合面の上端位置Ｓは一定となる。よって、センス領域
も変動しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＭＲ型磁気ヘッド及び
その製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＭＲ型磁気ヘッドは、媒体摺動面に沿っ
て帯状にＭＲ層をパターン形成すると共に、このＭＲ層
に対して適切なバイアス磁界を与えるバイアス手段とを
付加して構成される。そして、このＭＲ層に対してバイ
アス磁界に加えて媒体に記録された磁気信号の磁界が作
用すると、ＭＲ層の抵抗値がこれに作用する磁界の変化
と比例的に変化する。この抵抗値変化を検出することで
磁気信号を再生するようになっている。

【０００３】そして、係るＭＲ型磁気ヘッドの一例とし
て、特開平３−１２５３１１号公報に開示されたよう
な、硬磁性横バイアス構造のものがある。具体的な構造
を示すと、図１１に示すように、基板１の上にＭＲ層２
を形成し、このＭＲ層２に対して横バイアスを与えるた
めのリード層３をＭＲ層２の側面との間で接合を図り、
係る接合面を介して電力供給，信号検出（データ読取
り）を行うようになっている。

【０００４】また、図示の例ではＭＲ層２の一方の側面
にリード層３を設けているが、図示省略するがＭＲ層２
の反対側の側面にもリード層が接続されている。そし
て、図示するようにＭＲ層２の側面は角度θで傾斜する
ようになっており、リード層３の先端Ａは係る傾斜面
（側面）のどこか（或いはＭＲ層２の上面）に位置す
る。そして、ＭＲ層２の側面下端から上記先端Ａまでの
がＭＲ層２とリード層３の接合面となり、換言すれば、
上記Ａ地点から反対側のＡ地点（図示省略）までの間が
センス領域となる。

【０００５】なお、上記各層２，３は、図示するように
複数の材質からなる層を積層して形成される場合もあ
り、また単層からなる場合もある。そして、係る各層
２，３の上方を保護層４で覆うようになっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＭＲ型磁気ヘッドでは、製造プロセスの精度上
の問題から上記リード層３の先端Ａの形成位置がずれて
しまう。すなわち、仮に図５に示す状態が最内側地点と
すると、例えば図中ｄに示す範囲内でばらついてしま
う。するとセンス領域も変動してしまい、設計通りの所
望の特性を得ることができなくなる。

【０００７】また、製造プロセス上の誤差は、上記リー
ド層３の製造時よりは小さいもののＭＲ層２の製造時に
も僅かであるが各層の厚さや傾斜角θ等がばらつくこと
がある。すると、上記先端Ａの位置は、ＭＲ層２とリー
ド層３の相対位置で決まるため、二重の製造誤差により
ばらつくので、そのばらつき量も大きくなる。

【０００８】さらに、ＭＲ層２の側面は、製造プロセス
の関係から、上端近傍の傾斜角度が上記角度θよりも小
さくてなだらかとなっているので、リード層３を製造す
る際の厚さ（図示の例ではＣｏＣｒＰｔ層の厚さ）が変
動すると、先端Ａの位置は大きく変動してしまい、上記
問題は顕著に現れる。

【０００９】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、ＭＲ層とリード層の接合範囲を正確に（設計通り
に）形成でき、その結果センス領域を精度よく決定する
ことができ、安定したばらつきのない特性を得ることの
できるＭＲ型磁気ヘッド及びその製造方法を提供するこ
とにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドでは、基板上に直
接または所定層の上に配置したＭＲ層と、前記ＭＲ層の
側面で接合されるように、前記基板上の所定位置に形成
した導電性を有する金属材からなるリード層と、前記Ｍ
Ｒ層と前記リード層の表面を覆う保護層とを備えたＭＲ
型磁気ヘッドにおいて、前記ＭＲ層の上面に、その全面
を覆う所定厚さの絶縁層を設けて、前記ＭＲ層の側面と
前記絶縁層の側面を連続させ、前記リード層を、前記Ｍ
Ｒ層の側面に加え、前記補助絶縁層の少なくとも側面と
も接合させるようにした。

【００１１】そして、上記構成のＭＲ型磁気ヘッドを製
造するための製造方法では、基板上に直接または間接的
に所定数の磁気抵抗効果を有するＭＲ材料を配置し、前
記磁気抵抗効果を有する材料の上に絶縁材料を配置す
る。次いで、露光現像し不要部分を除去して前記磁気抵
抗効果を有する材料と前記絶縁材料を側面が連続する傾
斜面となるような所定形状に成形してＭＲ層並びに絶縁
層を形成する。次に、少なくとも前記ＭＲ層と前記絶縁
層の側面に接合させるように導電性を有する金属材から
なるリード層を前記基板上に形成する。その後、前記絶
縁層並びに前記リード層の露出面を保護層で被覆するこ
とにより製造するようにした。

【００１２】また、上記した目的を達成するためのＭＲ
型磁気ヘッドの別の構成としては基板上に直接または所
定層の上に配置したＭＲ層と、前記ＭＲ層の側面及び上
面で接合されるように、前記基板上の所定位置に形成し
た導電性を有する金属材からなるリード層と、前記ＭＲ
層と前記リード層の表面を覆う保護層とを備えたＭＲ型
磁気ヘッドにおいて、前記ＭＲ層の上に、そのＭＲ層の
上面両側端が所定寸法だけ露出するように所定厚さの絶
縁層を設け、前記リード層を、前記ＭＲ層の側面，露出
する上面、並びに、前記補助絶縁層の少なくとも側面と
接合させるようにしてなるＭＲ型磁気ヘッド。

【００１３】そして、かかる構成のＭＲ型磁気ヘッドを
製造するための製造方法では、基板上に直接または間接
的に所定数の磁気抵抗効果を有するＭＲ材料を配置し、
前記ＭＲ材料の上に絶縁材料を配置する。この時、それ
らＭＲ材料及び絶縁材料を積層配置後に少なくとも２回
の露光現像処理及びエッチング処理を行ったり、或い
は、各材料を形成するごとに露光現像処理及びエッチン
グ処理を行うことのいずれかの処理を行い、形状寸法の
異なるＭＲ層、絶縁層を形成する。次いで、少なくとも
前記ＭＲ層と前記絶縁層の側面及び前記ＭＲ層の上面両
端の露出部位に接合させるように導電性を有する金属材
からなるリード層を前記基板上に形成し、その後、前記
絶縁層並びに前記リード層の露出面を保護層で被覆する
ことにより製造するようにした。

【００１４】

【作用】第１の発明（請求項１，２）では、リード層
は、ＭＲ層とその上に形成された絶縁層の側面と接続す
る。ところで絶縁層とリード層との接合面では、当然の
ことながら電力供給や信号検出は行われない。従って、
電力供給並びに信号検出が行われる実際の経路・接合面
は、リード層とＭＲ層との接合面となり、その上端はＭ
Ｒ層と絶縁層との境界となる。従って、製造誤差等から
リード層の先端位置がばらついたとしても、センス領域
を決定するＭＲ層との接合面の上端位置は変わらない。
よって、センス領域は、ＭＲ層と絶縁層の製造時の誤差
のみに影響を受け、しかも、係る誤差はリード層の製造
時の誤差に比べて非常に小さいので、結局センス領域の
幅は、精度よく（設計通りに）決定されることになる。

【００１５】また、第２の発明（請求項３，４）では、
リード層とＭＲ層の接合は、上記と同様にＭＲ層の側面
はもちろん、露出したＭＲ層の上面両端部位とも接合さ
れることになる。よって、センス領域は、リード層の先
端位置に関係なく、絶縁層とＭＲ層の接触面幅となる。
そして絶縁層は、露光現像処理を経てエッチングを行う
ことにより正確に形成することができるので、やはり、
センス領域の幅は精度良く決定される。

【００１６】

【実施例】以下、本発明に係るＭＲ型磁気ヘッド及びそ
の製造方法の好適な実施例を添付図面を参照にして詳述
する。図１は本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの第１実施
例を示している。

【００１７】同図に示すように、アルチック，フェライ
ト等から構成される基板１０の上に直接または所定の層
を介して間接的に所定形状のＭＲ層１１を配置する。こ
のＭＲ層１１は、その側面が傾斜する傾斜面（傾斜角
θ）となっている（図示の例も従来例と同様に片側のみ
表示しており、図示省略した部分は中心から線対称にな
っている）。

【００１８】そして、本例ではＭＲ層１１を複数の磁気
抵抗効果材料（ＭＲ材料）を積層することにより形成し
ている。すなわち、基板の上にＦｅＮｉＲｈからなる第
１ＭＲ層１２を設け、その上にＴａからなる第２ＭＲ層
１３を設けさらにその上にＦｅＮｉからなる第３ＭＲ層
１４を設けている。なお、本例ではこのように各材料を
所定の順で積層形成したが、積層する順番はこの例に限
られず、また使用する材料や積層する層数も任意であ
り、単層でも良い。

【００１９】ここで本発明では、上記ＭＲ層１１の上
方、すなわち、第３ＭＲ層１４の上面全面を覆うように
して絶縁層１５を設けている。この絶縁層１５は、本例
ではＡｌ₂Ｏ₃を用いて構成している。さらに、ＭＲ層
１１の側面と絶縁層１５の側面とは、連続して傾斜面と
なっており、より具体的には、絶縁層１５の側面の途中
からなだらかな傾斜面となっている。なお、係るなだら
かな傾斜面は、後述する製造プロセスからの要請からで
あり、ＭＲ層１１と絶縁層１５とを同時に露光現像等の
所定の処理を行い形成したためである。すなわち、上方
から所定距離だけなだらかな曲面となるので、絶縁層１
５の厚さを適宜制御することにより、なだらかになる屈
曲点を絶縁層１５中に配置するようにしている。換言す
れば、ＭＲ層１１の側面部分は急峻な傾斜面（傾斜角
θ）を維持するように形成される。

【００２０】そして、上記ＭＲ層１１と絶縁層１５の両
側面と接合するように、基板１０上の所定位置にリード
層１６を設けている。このリード層１６は、硬磁性バイ
アス層（特開平３−１２５３１１号公報等参照）とも称
されるもので、ＭＲ層１１の側面と接続し、電気的及び
磁気的連続性を発揮するように構成される。そして、使
用する材料としては導通性を有する金属材が用いられ、
特にＣｏＣｒ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ等のメタラジを
用いると良い。そして、このリード層も所定の金属材を
単層で使用したり、或いは複数積層して構成しても良
い。

【００２１】本例では、ＣｏＣｒＰｔからなる第１リー
ド層１７を基本とし、さらにその上側にＴａからなる第
２リード層１８，Ｗからなる第３リード層１９並びにＴ
ａからなる第４リード層２０を順次積層することにより
形成する。また、タングステン（Ｗ）に替えて金など用
いることもできる。このリード層１６の厚さは、所望量
のバイアス・フラックスを与えるように決定される。

【００２２】そして、このリード層１６（第１リード層
１７）が、上記ＭＲ層１１，絶縁層１５の側面と直接接
続されるのであるが、さらに、本例ではリード層１６の
先端Ａが、絶縁層１５の上面にまで達するように形成さ
れる。さらに、上記構成の絶縁層１５とリード層１６の
露出面にＡｌ₂Ｏ₃からなる保護層２１を形成し、各層
１５，１６を覆うようにしている。

【００２３】係る構成にすることにより、製造誤差等か
らリード層１６の先端位置Ａが、領域ｄの範囲内でばら
ついたとしても、センス領域を決定するＭＲ層１１との
接合面の上端位置は、ＭＲ層１１と絶縁層１５の境界Ｓ
で一定となる。

【００２４】次に本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの製造
方法の一実施例について説明する。まず図２に示すよう
に基板１０の上面に、その全面に渡ってＦｅＮｉＲｈ膜
１２′，Ｔａ膜１３′，ＦｅＮｉ膜１４′並びにＡｌ₂
Ｏ₃膜１５′を、その順でそれぞれ所定厚さに積層形成
する。そして各膜１２′〜１５′は、例えばスパッタ等
によりその膜厚を制御しつつ製造することができる。

【００２５】次いで、所定のマスク等を用いて露光現像
し、不要部分を除去することにより、図３に示すように
側面が連続する傾斜面となるＭＲ層１１（第１ＭＲ層１
２，第２ＭＲ層１３，第３ＭＲ層１４）及び絶縁層１５
を形成する。このように、ＭＲ層１１と絶縁層１５を同
時に形成するようにしたため、図３に示すように絶縁層
１５の途中で傾斜角度が緩やかになる屈曲点Ｃが生じ
る。これを模式化すると、図４に示すように、ＭＲ層１
１と絶縁層１５の境界Ｓよりも上記屈曲点Ｃが上方に位
置する。よって、ＭＲ層１１の側面の傾斜角度θは、そ
の全体に渡って急峻となる。したがって、たとえ各層の
厚さが設計通りにならなくても、屈曲点Ｃよりも上に境
界Ｓがある場合（傾斜角度θ′は小さい）に比べて、境
界Ｓの位置（センス領域を決定する横方向の存在位置）
は大きく変動しない。したがって、境界Ｓの位置の精度
出しが正確に行え、センス領域を一定にすることができ
る。

【００２６】次に、従来と同様の方法により、ＭＲ層１
１の側面，絶縁層１５の側面及び上面の所定部位と接続
するようにリード層１６を形成し、さらにそれらの上面
を覆うように保護層を設けることにより、図１に示すよ
うなＭＲ型磁気ヘッドが製造される。そして、リード層
１６の形成時に、たとえリード層１６の先端Ａの位置出
し精度が悪くてもセンス領域には影響を与えない。換言
すれば、製造誤差を比較的ラフに管理しても所望特性の
ＭＲ型磁気ヘッドを製造することができる。

【００２７】図５は本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの第
２実施例を示している。同図に示すように、アルチッ
ク，フェライト等から構成される基板２５の上に直接ま
たは所定の層を介して間接的に所定形状のＭＲ層２６を
配置する。本図では、模式的に記載しているが、このＭ
Ｒ層２６も上記した第１実施例のＭＲ層１１と同様に所
定の複数層から構成されている。

【００２８】このＭＲ層２６の上面の所定部位を覆うよ
うにして絶縁層２７を設けている。この絶縁層２６は、
本例でもＡｌ₂Ｏ₃を用いて構成しているが、第１実施
例と同様にこれに限ることはない。ここで本実施例で
は、第１実施例ではＭＲ層１１の上面前面を応用にして
絶縁層１５を形成したのに対し、ＭＲ層２６の上面の両
側端２６ａが所定寸法ｔだけ露出するように形成してい
る点で異なる。

【００２９】そして、本例でも上記ＭＲ層２６と絶縁層
２７の両側面２６ｂ，２７ａと接合するように、基板２
５上の所定位置にリード層２８を設けているが、上記し
たようにＭＲ層２６の上面両側端２６ａが露出している
ため、リード層２８はそのＭＲ層２６の上面両側端２６
ａとも接合される。さらに、製造誤差によりリード層２
８の先端位置がばらつくことを考慮し、絶縁層２７の上
面両端２７ｂとも接合させている。

【００３０】なお、このリード層２８も上記第１実施例
と同様に複数から構成しても良く、或いは単層から構成
しても良い。そして、さらに、上記構成の絶縁層２７と
リード層２８の露出面にＡｌ₂Ｏ₃からなる保護層（図
示省略する）を形成し、各層２７，２８を覆うようにし
ている。

【００３１】係る構成にすることにより、製造誤差等か
らリード層２８の先端位置がばらついたとしても、セン
ス領域は絶縁層２７の底面の長さとなり、一定となる。
そして、この絶縁層２７の底面の長さは、後述する製造
各種のプロセスにより、正確に製造することができる。

【００３２】次に上記した第２実施例のＭＲ型磁気ヘッ
ドを製造するための本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの製
造方法について説明する。まず図６（Ａ）に示すように
基板２５の上面に、その全面に渡って所定厚さのＭＲ膜
２６′を形成し、そのＭＲ膜２６′の上に絶縁膜２７′
を形成する。そして各膜は、例えばスパッタ等によりそ
の膜厚を制御しつつ製造される。

【００３３】次いで、絶縁膜２７′の上面全面にレジス
トを塗布後、所定のマスク等を用いて露光現像し、不要
部分を除去することにより、同図（Ｂ）に示すように所
定長さのレジスト３０を形成する。このレジスト３０の
底面の長さは、上記のセンス領域の長さと等しくしてい
る。

【００３４】次いで、所定のエッチングを行う。する
と、レジスト３０に覆われていない絶縁膜２７′が除去
される。また、この時レジスト３０も所定厚さだけ除去
される。これにより、同図（Ｃ）に示すように、レジス
ト３０′に覆われた部分だけ残り、絶縁層２７となる。

【００３５】その後、レジストリムーブ処理を行い、図
７（Ａ）に示すように、ＭＲ膜２６′の表面所定位置に
所定の寸法形状の絶縁層２７が露出配置された状態にな
る。この状態で、絶縁層２７及び露出したＭＲ膜２６′
の表面を覆うようにレジストを塗布すると共に露光現像
処理して不要部分を除去することにより、同図（Ｂ）に
示すように、絶縁層２７を覆うと共に、ＭＲ膜２６′の
上面の一部を覆うレジスト３１を形成する。なお、係る
レジスト３１とＭＲ膜２６′との接触幅は、最終的なＭ
Ｒ層２６の上面両端２６ａの露出幅ｔ（図５参照）に一
致させている。次いで、２回目のエッチングを行い、レ
ジスト３１に覆われていないＭＲ膜２６′を除去するこ
とにより、同図（Ｃ）に示すように、上面が所定厚さ除
去されて肉薄になったレジスト３１′の下に覆われてい
たＭＲ膜が残り、ＭＲ層２６が形成される。

【００３６】以後、残ったレジスト３１′をリムーブ処
理した後、従来と同様の方法により、ＭＲ層２６の側面
及び上面の両端部，絶縁層１５の側面及び上面の両端部
と接合するようにリード層を形成し、さらにそれらの上
面を覆うように保護層を設けることにより、図５に示す
ようなＭＲ型磁気ヘッドが製造される。

【００３７】そして、この方法によれば、１回目の露光
現像処理により形成されたレジスト３０の幅がそのまま
センス領域の幅となり、露光現像により形成されるレジ
ストパターンは正確に寸法出しができるため、結局セン
ス領域の幅は正確に設定することができる。そして、リ
ード層の形成時に、たとえその先端の位置出し精度が悪
くても、センス領域には影響を与えず、製造誤差を比較
的ラフに管理しても所望特性のＭＲ型磁気ヘッドを製造
することができる。

【００３８】図８，図９は図５に示す構成のＭＲ型磁気
ヘッドを製造するための別の方法を示している。上記し
た図６，図７に示す方法では、ＭＲ膜，絶縁膜を積層形
成後、２回に渡ってフォトリソグラフィ技術，エッチン
グを行い、絶縁膜とＭＲ膜の除去する部分（大きさ）を
異ならせることによりＭＲ層の上面両端を露出させるよ
うにしたが、本例では、所定形状寸法の各層を順次形成
しながら積層している。

【００３９】すなわち、図８（Ａ）に示すように、まず
基板２５の上面に、その全面に渡って所定厚さのＭＲ膜
２６′を形成する。そして、そのＭＲ膜２６′の上面全
面にレジストを塗布後、所定のマスク等を用いて露光現
像し、不要部分を除去することにより、同図（Ｂ）に示
すように所定長さのレジスト３２を形成する。このレジ
スト３２の底面の長さは、最終的に形成されるＭＲ層の
上面の幅と等しくしている。

【００４０】次いで、所定のエッチングを行う。する
と、レジスト３２に覆われていないＭＲ膜２６′が除去
される。また、この時レジスト３２も所定厚さだけ除去
される。これにより、同図（Ｃ）に示すように、レジス
ト３２′に覆われた部分だけ残り、ＭＲ層２６となる。
その後、レジストリムーブ処理を行い、同図（Ｄ）に示
すように、基板２５の上面所定位置に、最終製品と同一
寸法形状のＭＲ膜２６が露出配置された状態になる。

【００４１】この状態で、ＭＲ層２６及び露出した基板
２５の表面を覆うように絶縁膜２７′をスパッタなどに
より形成する（図９（Ａ））。そして、その絶縁膜２
７′の上面全面にレジストを塗布すると共に露光現像処
理して不要部分を除去することにより、同図（Ｂ）に示
すように、絶縁膜２７′の上面の一部を覆うレジスト３
３を形成する。なお、このレジスト３３の底面の幅は、
最終製品に置ける絶縁層の幅すなわちセンス領域の幅と
等しくしている。

【００４２】次いで、エッチングを行い、レジスト３３
に覆われていない絶縁膜２７′を除去することにより、
同図（Ｃ）に示すように、上面が所定厚さ除去されて肉
薄になったレジスト３３′の下に覆われていた絶縁膜が
残り、絶縁層２７が形成される。

【００４３】以後、残ったレジスト３３′をリムーブ処
理して除去した後、従来と同様の方法により、ＭＲ層２
６の側面及び上面の両端部，絶縁層２７の側面及び上面
の両端部と接合するようにリード層を形成し、さらにそ
れらの上面を覆う保護層を形成する図５に示すようなＭ
Ｒ型磁気ヘッドが製造される。

【００４４】図１０は、図５に示す構成のＭＲ型磁気ヘ
ッドを製造するためのさらに別の方法を示している。ま
ず、上記した図８（Ａ）〜（Ｄ）に示す処理を行い、基
板２５の上に所定寸法形状のＭＲ層２６を形成する。次
いで、その露出する表面前面にレジストを塗布すると共
に、露光現像処理をし、塗布したレジストの所定部位を
除去する。この時、上記とは逆に絶縁層形成部分に対応
するレジスト３４を逆テーパ状に除去する（図１０
（Ａ）参照）。

【００４５】次いで、露出面前面にスパッタなどにより
絶縁膜２７′を形成する（同図（Ｂ）参照）。その後リ
フトオフを行い、レジスト３４を剥離させ、ＭＲ層２６
の上面に直接スパッタされた絶縁膜のみ残り、絶縁層２
７が形成される（同図（Ｃ）参照）。

【００４６】以後、従来と同様の方法により、ＭＲ層２
６の側面及び上面の両端部，絶縁層２７の側面及び上面
の両端部と接合するようにリード層を形成し、さらにそ
れらの上面を覆う保護層を形成する図５に示すようなＭ
Ｒ型磁気ヘッドが製造される。

【００４７】

【発明の効果】以上のように、本発明に係るＭＲ型磁気
ヘッド及びその製造方法では、電力供給並びに信号検出
が行われる実際の実質的な接合面は、リード層の全面を
覆うように絶縁層を配置した場合には、リード層とＭＲ
層の側面との接合面であり、また、ＭＲ層の上面両端を
露出させた場合には、ＭＲ層の側面及び露出した上面と
の接合面となり、その上端はＭＲ層と絶縁層との境界と
なる。

【００４８】従って、製造誤差等からリード層の先端位
置がばらついたとしても、センス領域を決定するＭＲ層
との接合面の上端位置は変わらないので、ＭＲ層とリー
ド層の接合範囲を正確に（設計通りに）形成でき、その
結果センス領域を精度よく決定することができる。よっ
て、安定したばらつきのない特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの第１実施例を
示す部分断面図である。

【図２】本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの製造方法の第
１実施例を説明するための工程図の１つである。

【図３】本実施例の作用・効果を説明するための模式図
である。

【図４】本実施例の作用・効果を説明するための模式図
である。

【図５】本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの第２実施例を
示す部分断面図である。

【図６】本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの製造方法の第
２実施例を説明するための工程図の１つである。

【図７】本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの製造方法の第
２実施例を説明するための工程図の１つである。

【図８】本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの製造方法の第
２実施例の別の例を説明するための工程図の１つであ
る。

【図９】本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの製造方法の第
２実施例の別の例を説明するための工程図の１つであ
る。

【図１０】本発明に係るＭＲ型磁気ヘッドの製造方法の
第２実施例のさらに別の例を説明するための工程図の１
つである。

【図１１】従来のＭＲ型磁気ヘッドの一例を示す部分断
面図である。

【符号の説明】

１０，２５基板１１，２６ＭＲ層１５，２７絶縁層１６，２８リード層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木茂徳東京都港区新橋５丁目36番11号富士電気化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に直接または所定層の上に配置し
たＭＲ層と、前記ＭＲ層の側面で接合されるように、前記基板上の所
定位置に形成した導電性を有する金属材からなるリード
層と、前記ＭＲ層と前記リード層の表面を覆う保護層とを備え
たＭＲ型磁気ヘッドにおいて、前記ＭＲ層の上面に、その全面を覆う所定厚さの絶縁層
を設けて、前記ＭＲ層の側面と前記絶縁層の側面を連続
させ、前記リード層を、前記ＭＲ層の側面に加え、前記補助絶
縁層の少なくとも側面とも接合させるようにしてなるＭ
Ｒ型磁気ヘッド。
【請求項２】基板上に直接または間接的に所定数の磁
気抵抗効果を有するＭＲ材料を配置し、前記ＭＲ材料の上に絶縁材料を配置し、次いで、前記ＭＲ材料と前記絶縁材料に対して露光現像
し、不要部分を除去することにより、前記ＭＲ材料と前
記絶縁材料の側面が連続する傾斜面となるような所定形
状に成形してＭＲ層並びに絶縁層を形成し、次いで、少なくとも前記ＭＲ層と前記絶縁層の側面に接
合させるように導電性を有する金属材からなるリード層
を前記基板上に形成し、その後、前記絶縁層並びに前記リード層の露出面を保護
層で被覆するようにしたＭＲ型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】基板上に直接または所定層の上に配置し
たＭＲ層と、前記ＭＲ層の側面及び上面で接合されるように、前記基
板上の所定位置に形成した導電性を有する金属材からな
るリード層と、前記ＭＲ層と前記リード層の表面を覆う保護層とを備え
たＭＲ型磁気ヘッドにおいて、前記ＭＲ層の上に、そのＭＲ層の上面両側端が所定寸法
だけ露出するように所定厚さの絶縁層を設け、前記リード層を、前記ＭＲ層の側面，露出する上面、並
びに、前記補助絶縁層の少なくとも側面と接合させるよ
うにしてなるＭＲ型磁気ヘッド。
【請求項４】基板上に直接または間接的に所定数の磁
気抵抗効果を有するＭＲ材料を配置し、前記ＭＲ材料の上に絶縁材料を配置し、前記ＭＲ材料及び絶縁材料を積層配置後に少なくとも２
回の露光現像処理及びエッチング処理を行うか、または
各材料を形成するごとに露光現像処理及びエッチング処
理を行うことにより、形状寸法の異なるＭＲ層、絶縁層
を形成し、次いで、少なくとも前記ＭＲ層と前記絶縁層の側面に及
び前記ＭＲ層の上面両端の露出部位させるように導電性
を有する金属材からなるリード層を前記基板上に形成
し、その後、前記絶縁層並びに前記リード層の露出面を保護
層で被覆するようにしたＭＲ型磁気ヘッドの製造方法。