JPH07121839A

JPH07121839A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH07121839A
Application number: JP28454993A
Authority: JP
Inventors: Minoru Yamada; 稔山田; Yasuhiro Yabe; 泰弘矢部; Kenji Honda; 賢治本田
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1993-10-19
Filing date: 1993-10-19
Publication date: 1995-05-12

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を使用した薄
膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子の上に形成される層の
膜厚を均一にし、電気的絶縁耐圧の低下を防ぎ、ギャッ
プ長を均一に設定できるようにする。【構成】下部ギャップ層１１の上に三層構造のＭＲ素
子１２を形成する。ＭＲ素子１２の上に絶縁層２１ａ
を、下部ギャップ層１１の上に絶縁層２１ｂを同時に形
成し、ＭＲ素子１２の両端部上面から下部ギャップ層１
１の表面にかけて、絶縁層２１ａ，２１ｂと同じ膜厚の
電極層１３，１３を形成し、絶縁層２１ａの幅寸法によ
りトラック幅Ｔｗを決める。その上に上部絶縁材料層２
２とシールド層４を形成すると、これらの層の膜厚は均
一になる。上部絶縁材料層２２の膜厚が均一であるた
め、絶縁耐圧の低下を防ぐことができ、またギャップ長
Ｇｌを均一な値に設定できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば浮上式磁気ヘッ
ドなどとして使用される薄膜素子を使用した磁気ヘッド
に係り、特に磁気抵抗効果素子を覆う層を平坦化できる
ようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図１１は、薄膜素子を使用した磁気ヘッ
ドの一例としてハードディスク装置用の浮上式磁気ヘッ
ドＨを示している。この磁気ヘッドＨのスライダ１は、
（イ）がディスク面の移動方向の上流側に向くリーディ
ング側で、（ロ）がトレーリング側である。スライダ１
のディスクに対向する面では、レール状のＡＢＳ面１
ａ，１ａ，１ｂと、ＡＢＳ面の間のエアーグルーブ１ｃ
とが形成されている。そしてスライダ１のトレーリング
側の端面１ｄに薄膜素子２が設けられている。

【０００３】図１２は図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線断面の
拡大図であり、薄膜素子２の積層構造を示している。こ
の薄膜素子２では、スライダ１のトレーリング側端面１
ｄに例えばメッキパーマロイ（ＮｉＦｅ）による下部シ
ールド層３が形成され、この下部シールド層３と、同じ
くメッキパーマロイによる上部シールド層４との間に、
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を含む再生ヘッド層１０
が設けられている。上部シールド層４の表面には上部コ
ア層５が形成され、上部シールド層４と上部コア層５と
の接続部５ａをほぼ中心として平面状に螺旋形成された
コイル層６が設けられている。そして上部コア層５とコ
イル層６とが保護膜７により覆われている。上部シール
ド層４は下部コアとして機能し、この上部シールド層４
と上部コア層５との対向部がＡＢＳ面１ｂに現れて、イ
ンダクティブ型記録ヘッドの磁気ギャップＧが形成され
ている。

【０００４】図１３は、前記下部シールド層３と上部シ
ールド層４との間に形成された再生ヘッド層１０の基本
的な構造を模式的に示すものであり、図１２のＸＩＩＩ
矢視方向から見た拡大正面図である。図１３に示すよう
に、再生ヘッド層１０の基本的な積層構造では、下部シ
ールド層３の表面に非磁性体であるアルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）の下部ギャップ層１１が形成され、この下部ギャ
ップ層１１上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２が積
層されている。このＭＲ素子１２は三層構造であり、下
からＳＡＬ膜１２ａ、非磁性材料のＳＨＵＮＴ膜１２
ｂ、磁気抵抗効果を有するＭＲ膜１２ｃが積層されて構
成されている。

【０００５】ＭＲ素子１２の両縁部上面から下部ギャッ
プ層１１の表面にかけて、電極層１３が形成されてい
る。この電極層１３は、下層が反強磁性層（アンチフェ
ロー層；ＡＦ層）１３ａで、上層が導電層１３ｂであ
る。さらに電極層１３，１３の表面はアルミナなどの上
部ギャップ層１５により覆われ、その上部が前記上部シ
ールド層４となっている。この再生ヘッド層１０では、
ＭＲ膜１２ｃと、下部シールド層３または上部シールド
層４との間の距離によりギャップ長（Ｇｌ）が決められ
る。またトラック幅Ｔｗは、ＭＲ膜１２ｃにおいて、電
極層１３と１３との間でセンス電流が流れる範囲により
決められる。

【０００６】図１４（Ａ）〜（Ｄ）は、実際に行われて
いる従来の再生ヘッド層１０の製造方法を工程順に示
し、図１５は図１４の各工程にて完成したものを示して
いる。図１４（Ａ）に示すように、最初に下部ギャップ
層１１の表面に三層構造のＭＲ素子１２を積層し、ＭＲ
素子１２の表面の中央部と、下部ギャップ層１１の表面
にレジスト膜Ｒをパターン成膜する。次に図１４（Ｂ）
に示すように、下部ギャップ層１１とレジスト膜Ｒの表
面にＡＦ層１３ａとなる材料をスパッタリング形成す
る。図１４（Ｃ）に示すように、レジスト膜Ｒを除去し
てＡＦ層１３ａをリフトオフ形成し、図１４（Ｄ）に示
すように、その上から導電層１３ｂをスパッタリング成
膜して電極層１３を形成する。左右両側の導電層１３ｂ
と１３ｂとの離間部分はイオンエッチングなどにより間
隔寸法が決められ、この間隔寸法がトラック幅Ｔｗとな
る。その後に、図１５に示すように、上部ギャップ層１
５、上部シールド層４を積層し、さらに記録用磁気ギャ
ップＧとなる絶縁層と上部コア層５，保護膜７などを積
層する。

【０００７】図１６（Ａ）〜（Ｄ）は、再生ヘッド層１
０の製造方法の他の従来例を工程別に示し、図１７はこ
の工程にて完成したものを示している。この従来例で
は、図１６（Ａ）に示すように、下部ギャップ層１１の
表面にＭＲ素子１２を形成した後に、ＭＲ素子１２の両
縁部上面から下部ギャップ層１１表面にかけてレジスト
膜Ｒをパターン成膜する。図１６（Ｂ）に示すように、
その上からアルミナなどの非磁性材料１４をスパッタリ
ング成膜し、同図（Ｃ）に示すように、レジスト膜Ｒを
除去して、絶縁層１４ａと１４ｂをリフトオフ成形す
る。次に、同図（Ｄ）に示すように、ＡＦ層１３ａと導
電層１３ｂとから成る電極層１３を連続スパッタリング
成膜する。ＭＲ素子１２の上面に残った絶縁層１４ａの
幅寸法によってトラック幅Ｔｗが決められる。その後
に、図１７に示すように、上部ギャップ層１５と上部シ
ールド層４を成膜し、さらに記録用磁気ギャップＧとな
る絶縁層や上部コア層５，保護膜７などを成膜する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の再生ヘッド層１０の積層構造およびその製造方法に
は以下に示す問題がある。（１）前記電極層１３の膜厚は一般に１０００オングス
トローム程度であるため、図１５では、ＭＲ素子１２と
電極層１３との間に凹凸が形成され、図１７ではトラッ
ク幅Ｔｗを決める絶縁層１４ａと電極層１３との間に凹
凸が形成される。上部ギャップ層１５は、この凹凸のあ
る部分の表面にスパッタリング成膜されるため、上部ギ
ャップ層１５の膜厚寸法が変動することになり、例えば
図１５と図１７とでδで示す部分では上部ギャップ層１
５の膜厚寸法が非常に薄くなる。上部ギャップ層１５の
実効耐絶縁膜厚は１５００オングストローム程度である
が、δの部分では上部ギャップ層１５の厚さが実効耐絶
縁膜厚の２０〜３０％程度（３００〜４５０オングスト
ローム）まで薄くなってしまう。そのため電極層１３と
上部シールド層４との間の電気的絶縁耐圧が設計値より
も大幅に低下する問題が生じる。

【０００９】（２）図１５と図１７に示す従来例では、
トラック幅Ｔｗの範囲でのＭＲ素子１２と電極層１３と
の凹凸段差により、上部ギャップ層１５を平滑に形成す
ることができず、上部ギャップ層１５の上面にも激しい
凹凸が形成されてしまう。そのため、上部ギャップ層１
５の上面に積層される上部シールド層４とＭＲ素子１２
の表面のＭＲ膜１２ｃとの間隔を均一に設定することが
困難になり、この間隔により決まるギャップ長Ｇｌのば
らつきが大きくなってしまう。

【００１０】（３）この種の薄膜磁気ヘッドにおいて、
高密度記録信号の読取りを可能にするためには、上部ギ
ャップ層１５の厚さ寸法をさらに薄くしてギャップ長Ｇ
ｌを短くしなくてはならないが、この場合に従来の構造
では、前記膜厚寸法δがさらに小さくなり絶縁耐圧がさ
らに低下し、またギャップ長Ｇｌの設定もさらに困難に
なる。

【００１１】（４）上部ギャップ層１５と上部シールド
層４のそれぞれの表面が凹凸になるため、上部シールド
層４の上に積層される上部コア層５も歪んだものとな
り、その結果図１２に示す記録用の磁気ギャップＧのば
らつきも大きくなる。

【００１２】（５）図１５に示す従来例では、図１４
（Ｄ）の工程において、電極材料をスパッタリングした
後にイオンエッチングなどによりトラック幅Ｔｗを決め
る工程が必要になり、製造工程が非常に繁雑になる。

【００１３】（６）図１７に示す従来例では、絶縁膜１
４ａによりトラック幅Ｔｗが決められるが、電極層１３
をこの絶縁層１４ａの両縁部に重なるように形成した後
に、電極層１３どうしをイオンエッチングなどにより分
離しなくてはならず、この場合の加工工程も繁雑にな
る。

【００１４】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、ＭＲ素子の表面に形成される膜を平坦化して、均
一な厚さの上部ギャップ層を形成できるようにして、絶
縁耐圧の低下を防止し、また均一なギャップ長が得られ
るようにし、さらにその上に上部コア層などが形成され
る場合に、上部コア層などの平坦度も確保できるように
した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供すことを
目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明による薄膜磁気ヘ
ッドは、下部ギャップ層上に、磁気抵抗効果を有する薄
膜が含まれた磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の
両縁部上面から下部ギャップ層上面にかけて延びる電極
層とが形成され、前記磁気抵抗効果素子の上面では、前
記電極層どうしの間隔を埋める絶縁層が形成されている
ことを特徴とするものである。

【００１６】上記において絶縁層と電極層との厚さ寸法
の差が、電極層の厚さ寸法の２０％以下であることが好
ましい。

【００１７】また絶縁層とほぼ同じ厚さ寸法の電極層を
反強磁性層とした場合には、反強磁性層の上に導電層を
積層し、反強磁性層と導電層とにより実質的な電極層を
形成することが可能である。

【００１８】さらに、下部ギャップ層上に、磁気抵抗効
果素子と分離された主電極層を形成し、前記電極層によ
り磁気抵抗効果素子と主電極層とを接続することも可能
である。

【００１９】次に、前記薄膜磁気ヘッドは、以下の工程
により製造できる。（イ）下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子の表面に非磁
性材料層を形成する工程、（ロ）後に電極層を形成する
領域以外の領域にて前記非磁性材料層の上にレジスト膜
を形成する工程、（ハ）レジスト膜が形成されていない
領域の前記非磁性材料層を除去する工程、（ニ）非磁性
材料層が除去された領域および残されたレジスト膜の上
に電極材料を積層する工程、（ホ）レジスト膜とその上
の電極材料を除去する工程、

【００２０】

【作用】上記手段では、磁気抵抗効果素子の両縁部上面
から下部ギャップ層の上面にかけて電極層が形成される
ものにおいて、磁気抵抗効果素子の上面にて、電極層ど
うしのギャップを埋める絶縁層が形成されている。よっ
てその上に積層される上部ギャップ層や上部シールド層
などは平坦に成膜される。そのため電極層と上部シール
ド層との電気的絶縁耐圧の低下を防止でき、また磁気抵
抗効果素子と上部シールド層とのギャップ長も均一にで
きる。上部シールド層の上面に、インダクティブ型記録
ヘッドが形成される場合には、この構成部材となる上部
コア層なども平滑に形成できるようになる。

【００２１】また絶縁層と電極層との膜厚の差を電極層
の膜厚の２０％以下とすることにより、絶縁耐圧の低下
を有効に防止できるようになる。

【００２２】また、主電極層を磁気抵抗効果素子と分離
して設け、電極層により両者を接続する構造にすれば、
主電極層を比抵抗の小さい材料により構成することが可
能になり、電極層全体での電気的抵抗値を大幅に下げる
ことができる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
本発明による薄膜磁気ヘッドの積層構造を示すものであ
る。この薄膜磁気ヘッドは、図１１と図１２に示したよ
うに、浮上式磁気ヘッドのスライダ１のトレーリング側
端面１ｄに積層されるものである。図１は、スライダの
ＡＢＳ面１ｂ側から見た拡大正面図である。また図７
（Ａ）は電極層と絶縁層の成膜が完了した状態を示す平
面図、同図（Ｂ）はその正面図である。図１に示すよう
に、この薄膜磁気ヘッドは、スライダ１のトレーリング
側端面１ｄに例えばメッキパーマロイ（ＮｉＦｅ）によ
る下部シールド層３が形成され、その上にアルミナ（Ａ
ｌ₂Ｏ₃）の下部ギャップ層１１が形成されている。下部
ギャップ層１１の上には、下からＳＡＬ膜１２ａ、ＳＨ
ＵＮＴ膜１２ｂ、ＭＲ膜１２ｃが積層された三層構造の
ＭＲ素子１２が形成されている。

【００２４】ＭＲ素子１２の両縁部上面から下部ギャッ
プ層１１の上面にかけて、電極層１３，１３が形成され
ている。そしてＭＲ素子１２の上面においては、両電極
層１３と１３のギャップ部分を埋める絶縁層２１ａが形
成され、また両電極層１３と１３の左右外側の縁部にも
絶縁層２１ｂ，２１ｂが連続して形成されている。両電
極層１３，１３と絶縁層２１ａ，２１ｂ，２１ｂは互い
にほぼ同じ膜厚寸法にて成膜されている。電極層１３，
１３と絶縁層２１ａ，２１ｂ，２１ｂの上には、アルミ
ナの上部絶縁材料層２２が形成され、その上にメッキパ
ーマロイによる上部シールド層４が形成されている。こ
の実施例では、絶縁層２１ａの幅寸法によりトラック幅
Ｔｗが決められ、また絶縁層２１ａと上部絶縁材料層２
２の合計の膜厚によりギャップ長Ｇｌが決められてい
る。

【００２５】上部シールド層４のさらに上面には上部コ
ア層５と保護膜７が形成され、上部シールド層４と上部
コア層５との間にインダクティブ記録ヘッドのギャップ
Ｇが形成されている。図１に示すように、ＭＲ素子１２
の上面ではほぼ同じ膜厚の電極層１３，１３と絶縁層２
１ａが密着して形成されているため、その上に積層され
る上部絶縁材料層２２と上部シールド層４の膜厚は均一
で凹凸がほとんどなくなる。上部絶縁材料層２２が均一
な膜厚に形成されているため、電極層１３とシールド層
４との間の絶縁耐圧が低下することがなく、また前記磁
気ギャップＧｌも高精度に設定できる。また上部コア層
５も平滑に高精度に成膜することが可能であり、インダ
クティブ記録ヘッドの磁気ギャップＧも高精度に設定で
きる。

【００２６】ここで、電極層１３，１３は種々の層構造
が可能である。まず電極層１３，１３を、反強磁性材料
（ＡＦ材料）を主体としたＡＦ層（アンチフェロー層）
のみにより構成することが可能である。この場合の電極
層１３は、下から順にＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａが積層
されたものとなる。ここでＮｉＦｅは下部ギャップ層１
１との密着のための層であり、Ｔａは上部絶縁材料層２
２との密着のための層である。さらに、上記ＡＦ層の上
に導電層を積層し、ＡＦ層と導電層とにより電極層１３
を形成することが可能である。この導電層としてはタン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）または金（Ａｕ）
などが使用される。図１１に示す浮上式磁気ヘッドで
は、電極層１３がスライダ１のＡＢＳ面１ｂに露出し、
ＡＢＳ面と共に電極層１３が研磨されるため、この場合
には導電層として機械的強度の高いタングステンを使用
することが好ましい。またタングステンとＡＦ層との密
着性さらにはタングステンと上部絶縁材料層２２との密
着のためにＴａを含むものとし、電極層１３が、下から
順にＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ／Ｗ／Ｔａの層構造とす
ることが好ましい。また絶縁層２１ａと２１ｂは、Ｔａ
₂Ｏ₅や、Ｓｉ−Ｏ系、Ｓｉ−Ｎ系、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系の材
料により形成される。

【００２７】図７に示すように、この実施例では、下部
ギャップ層１１の上面において、主電極層２５，２５が
ＭＲ素子１２から分離して形成されている。ＭＲ素子１
２と主電極層２５との距離（ａ）は１μｍ程度である。
そして前記電極層１３，１３によって、ＭＲ素子１２と
主電極層２５とが接続されている。図７（Ａ）に示すよ
うに、絶縁層２１ａと２１ｂは、それぞれ同じ非磁性材
料膜２１の延長上にあり、ＭＲ素子１２の左右から主電
極層２５にかけて形成された矩形の溝２６，２６によ
り、２１ａと２１ｂとに分離されているものである。ま
たこの溝２６，２６内に前記電極層１３，１３が形成さ
れている。

【００２８】主電極層２５，２５は、ＭＲ素子１２から
分離して形成されているため、その材料の選択範囲を広
くできる。すなわち主電極層２５，２５はスライダ１の
ＡＢＳ面１ｂに露出しないため、タングステン（Ｗ）の
ように研磨作業に耐え得るような機械的強度の高い材料
を使用する必要がない。また主電極層２５，２５はＡＦ
層とかならずしも接合させる必要がないため、反強磁性
材料のＭｎの拡散を考慮する必要はない。したがって主
電極層２５，２５は銅（Ｃｕ）を主体とし、Ｃｒ／Ｃｕ
／Ｃｒの層構造などにすることが可能である。Ｃｕなど
を使用した主電極層２５はＷを主体としたものよりも電
気抵抗が非常に小さくなり、よって電極全体としての抵
抗を下げ、発熱を防止し、また消費電力を削減できる。
逆にいうと、主電極層２５，２５として電気抵抗の低い
材料を使用できるため、電極層１３を比較的抵抗の高い
ＡＦ層（ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ）のみにより構成しても、
電極全体としての電気抵抗を従来よりも低くできる。前
述のように、ＭＲ素子１２上の絶縁層２１ａと電極層１
３との膜厚はほぼ同じであるが、完全に同じ膜厚にする
ことは実際には不可能であるため、両膜厚寸法の差はあ
る程度許容できる。

【００２９】図８は、絶縁層２１ａと電極層１３との膜
厚寸法の差と絶縁耐圧との関係を測定した線図である。
図８の横軸は、両層の膜厚寸法差の比率を示し、縦軸は
絶縁耐圧（Ｖ）を示している。前記膜厚寸法の差の比率
は、図９に示すように、電極層１３の膜厚寸法をｔと
し、両膜厚の差をΔｔとしたときに、Δｔ／ｔ（％）で
表わしている。図９（Ａ）に示すように、絶縁層２１ａ
が電極層１３よりも厚い場合に、Δｔ／ｔを（＋）で示
し、同図（Ｂ）に示すように絶縁層２１ａの方が薄い場
合に、Δｔ／ｔを（−）で示している。図９に示すよう
に、絶縁層２１ａと電極層１３との間に膜厚の差Δｔが
あると、上部絶縁材料層２２に（ｂ）で示す凹部が形成
され、その分だけ、電極層１３と上部シールド層４との
絶縁耐圧が低下する。そこで図８において絶縁耐圧を２
０Ｖ以上の水準に確保する場合には、Δｔ／ｔを±２０
％まで許容できる。すなわちΔｔ／ｔの好ましい範囲は
２０％以下である。

【００３０】次に、図２ないし図７により、前記電極層
１３と絶縁層２１ａ，２１ｂの成膜工程の一例について
説明する。図２（Ａ）（Ｂ）に示すように、下部ギャッ
プ層１１の表面に、三層構造のＭＲ素子１２を積層し、
またＭＲ素子１２とわずかに離れた位置に主電極層２
５，２５を形成する。主電極層は例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ膜である。図２（Ｂ）に示すように、主電極層２５，
２５はその電気抵抗を小さくするために、膜厚を厚く形
成することが好ましく、主電極層２５，２５の膜厚はＭ
Ｒ素子１２の膜厚よりも厚くなっている。図３（Ａ）
（Ｂ）に示すように、下部ギャップ層１１とＭＲ素子１
２および主電極層２５，２５の上に、Ｔａ₂Ｏ₅またはＳ
ｉ₃Ｎ₄またはＳｉＯ₂などの非磁性材料膜２１をスパッ
タリング成膜する。

【００３１】次に図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、ＭＲ
素子１２の両端部上面から主電極層２５，２５にかけて
の領域を残して、非磁性材料膜２１の上にレジスト膜Ｒ
をパターン成膜する。その後に図５（Ａ）（Ｂ）に示す
ようにＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）法
やプラズマ・エッチング法などにより、レジスト膜Ｒが
形成されていない領域での非磁性材料膜２１を除去す
る。これにより非磁性材料膜２１に矩形の溝２６，２６
が形成され、図５（Ｂ）の正面図では、ＭＲ素子１２の
上に絶縁層２１ａが残り、下部ギャップ層１１の表面に
は絶縁層２１ｂが残る。

【００３２】図６に示すように、レジスト膜Ｒが除去さ
れている領域およびレジスト膜Ｒの表面に電極層１３の
材料をスパッタリング成膜する。この電極材料は、前述
のようにＡＦ層のみにより電極層１３が形成される場合
には、ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａの構成の膜であり、Ａ
Ｆ層と導電層とで電極層１３が形成される場合には、Ｎ
ｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ／Ｗ／Ｔａなどの層構造であ
る。これらの多層膜は連続スパッタリングされる。この
とき電極層の材料は絶縁層２１ａ，２１ｂとほぼ同じ膜
厚になるように制御する。そして、残っているレジスト
膜Ｒをその上の電極材料と共に除去することにより、図
７（Ａ）（Ｂ）に示すように、ＭＲ素子１２と主電極層
２５，２５との間を接続する電極層１３，１３と、これ
を囲む非磁性材料膜２１とがほぼ同じ膜厚にてリフトオ
フ形成される。図７の工程が完了した後に、上部絶縁材
料層２２、上部シールド層４などが形成される。

【００３３】なお、前記工程による電極層１３がＮｉＦ
ｅ／ＦｅＭｎのＡＦ層１３ａのみにより形成され、この
ＡＦ層１３ａが絶縁層２１ａと２１ｂとほぼ同じ膜厚に
て形成される場合には、前述のようにＡＦ層１３ａのみ
を電極層１３としてもよいが、図１０（Ａ）（Ｂ）に示
すように、ＡＦ層１３ａの上に、例えばＴａ／Ｗ／Ｔａ
となる導電層１３ｂを別途に重ねて積層してもよい。こ
の場合、導電層１３ｂの膜厚分だけ段差が生じるが、図
１５や図１７に示す従来例よりは、凹凸を小さくでき
る。また、図８に示す線図によれば、ＡＦ層１３ａと導
電層１３ｂの膜厚寸法の合計と、絶縁層２１ａの膜厚と
の差の比率が２０％以下であれば、絶縁耐圧はかなり高
いレベルに維持できることになる。

【００３４】なお、前記実施例では、電極層１３が、Ｍ
Ｒ素子１２と主電極層２５とを接続するものとなってい
るが、主電極層２５がそのままＭＲ素子１２の表面に接
続されているものであっても、両主電極層２５とのギャ
ップを埋める絶縁層２１ａをＭＲ素子１２の上面に設け
ることにより、前記実施例と同等の効果を得ることがで
きる。なお、上記実施例では図１１に示すような浮上式
磁気ヘッドにおいてインダクティブ型記録ヘッドと併用
される場合を想定しているが、本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの使用用途は浮上式磁気ヘッドに限られるものでは
なく、種々の磁気ヘッドとして実施可能である。

【００３５】

【発明の効果】請求項１記載の発明では、磁気抵抗効果
素子の上の層を平坦に形成できるため、磁気抵抗効果素
子とシールド層との絶縁耐圧の低下を防止でき、またギ
ャップ長Ｇｌも均一に形成できる。またシールド層の上
にインダクティブ記録ヘッドを形成する場合には、シー
ルド層を平坦にできるため、上部コア層などを歪むこと
なく形成できるようになる。

【００３６】請求項２記載の発明では、絶縁層と電極層
との厚さ寸法の差の範囲を所定の比率以下とすることに
より、高レベルの絶縁耐圧を補償できる。

【００３７】請求項３記載の発明では、絶縁層とほぼ同
じ厚さ寸法の電極層として反強磁性層を形成した場合
に、その上に導電層を形成することにより、電極層の抵
抗を下げることが可能である。

【００３８】請求項４記載の発明では、磁気抵抗効果素
子と分離された主電極層が形成され、前記電極層により
磁気抵抗効果素子と主電極層とが接続されているため、
主電極層を電気抵抗の低い材料により形成でき、電極部
全体としての電気抵抗を下げることができる。

【００３９】請求項５記載の発明では、請求項１記載の
薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例を示す拡
大正面図、

【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すも
のであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は正面図、

【図３】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すも
のであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は正面図、

【図４】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すも
のであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は正面図、

【図５】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すも
のであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は正面図、

【図６】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す正
面図、

【図７】電極層と絶縁層の形成が完了した状態を示すも
のであり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は正面図、

【図８】電極層と絶縁層との膜厚さの比率と絶縁耐圧と
の関係を示す線図、

【図９】（Ａ）（Ｂ）は電極層と絶縁層との膜厚差を示
す説明図、

【図１０】電極層の構造の他の実施例を示すものであ
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は正面図、

【図１１】薄膜磁気ヘッドの使用例として浮上式磁気ヘ
ッドを示す斜視図、

【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線断面の拡大図、

【図１３】図１２のＸＩＩＩ矢視の拡大正面図、

【図１４】（Ａ）ないし（Ｄ）は電極層の製造方法の従
来例を示す工程別正面図、

【図１５】図１４の工程により製造された薄膜磁気ヘッ
ドの正面図、

【図１６】（Ａ）ないし（Ｄ）は電極層の製造方法の他
の従来例を示す工程別正面図、

【図１７】図１６の工程により製造された薄膜磁気ヘッ
ドの正面図、

【符号の説明】

１スライダ１ａ，１ｂＡＢＳ面２薄膜素子３，４シールド層５上部コア層１０再生ヘッド層１１下部ギャップ層１２ＭＲ素子１２ａＳＡＬ膜１２ｂＳＨＵＮＴ膜１２ｃＭＲ膜、１３電極層１３ａ反強磁性層（ＡＦ層）１３ｂ導電層２１ａ，２１ｂ絶縁層Ｔｗトラック幅Ｇｌギャップ長

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下部ギャップ層上に、磁気抵抗効果を有
する薄膜が含まれた磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果
素子の両縁部上面から下部ギャップ層上面にかけて延び
る電極層とが形成され、前記磁気抵抗効果素子の上面で
は、前記電極層どうしの間隔を埋める絶縁層が形成され
ていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】絶縁層と電極層との厚さ寸法の差が、電
極層の厚さ寸法の２０％以下である請求項１記載の薄膜
磁気ヘッド。
【請求項３】絶縁層とほぼ同じ厚さ寸法の電極層は、
反強磁性層であり、この反強磁性層の上に、さらに導電
層が積層されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】下部ギャップ層上に、磁気抵抗効果素子
と分離された主電極層が形成され、前記電極層により磁
気抵抗効果素子と主電極層とが接続されている請求項１
ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】以下の工程により請求項１記載の薄膜磁
気ヘッドを製造する方法、（イ）下部ギャップ層と磁気
抵抗効果素子の表面に非磁性材料層を形成する工程、
（ロ）後に電極層を形成する領域以外の領域にて前記非
磁性材料層の上にレジスト膜を形成する工程、（ハ）レ
ジスト膜が形成されていない領域の前記非磁性材料層を
除去する工程、（ニ）非磁性材料層が除去された領域お
よび残されたレジスト膜の上に電極材料を積層する工
程、（ホ）レジスト膜とその上の電極材料を除去する工
程、