JP3128407B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば浮上式磁気ヘッ
ドなどとして使用される薄膜素子を使用した磁気ヘッド
に係り、特に絶縁層の電気的絶縁耐圧を向上させた薄膜
磁気ヘッドに関する。
ドなどとして使用される薄膜素子を使用した磁気ヘッド
に係り、特に絶縁層の電気的絶縁耐圧を向上させた薄膜
磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、薄膜素子を使用した磁気ヘッド
の一例としてハードディスク装置用の浮上式磁気ヘッド
Ｈを示している。この磁気ヘッドＨのスライダ１は、
（イ）がディスク面の移動方向の上流側に向くリーディ
ング側で、（ロ）がトレーリング側である。スライダ１
のディスクに対向する面では、レール状のＡＢＳ面１
ａ，１ａ，１ｂと、ＡＢＳ面の間のエアーグルーブ１ｃ
とが形成されている。そしてスライダ１のトレーリング
側の端面１ｄに薄膜素子２が設けられている。
の一例としてハードディスク装置用の浮上式磁気ヘッド
Ｈを示している。この磁気ヘッドＨのスライダ１は、
（イ）がディスク面の移動方向の上流側に向くリーディ
ング側で、（ロ）がトレーリング側である。スライダ１
のディスクに対向する面では、レール状のＡＢＳ面１
ａ，１ａ，１ｂと、ＡＢＳ面の間のエアーグルーブ１ｃ
とが形成されている。そしてスライダ１のトレーリング
側の端面１ｄに薄膜素子２が設けられている。
【０００３】図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面の拡大
図であり、薄膜素子２の積層構造を示している。この薄
膜素子２は、メッキパーマロイなどの下部シールド層３
と上部シールド層４との間に、磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）を含む再生ヘッド層１０が設けられている。上部
シールド層４の表面には上部コア層５が形成され、上部
シールド層４と上部コア層５との接続部５ａをほぼ中心
として平面状に螺旋形成されたコイル層６が設けられて
いる。そして上部コア層５とコイル層６とが保護膜７に
より覆われている。上部シールド層４はコアとして機能
し、この上部シールド層４と上部コア層５との対向部が
ＡＢＳ面１ｂに現れて、インダクティブ型記録ヘッドの
磁気ギャップＧが形成されている。
図であり、薄膜素子２の積層構造を示している。この薄
膜素子２は、メッキパーマロイなどの下部シールド層３
と上部シールド層４との間に、磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）を含む再生ヘッド層１０が設けられている。上部
シールド層４の表面には上部コア層５が形成され、上部
シールド層４と上部コア層５との接続部５ａをほぼ中心
として平面状に螺旋形成されたコイル層６が設けられて
いる。そして上部コア層５とコイル層６とが保護膜７に
より覆われている。上部シールド層４はコアとして機能
し、この上部シールド層４と上部コア層５との対向部が
ＡＢＳ面１ｂに現れて、インダクティブ型記録ヘッドの
磁気ギャップＧが形成されている。
【０００４】図８は、前記下部シールド層３と上部シー
ルド層４との間に形成された再生ヘッド層１０の構造を
示すものであり、図７のＶＩＩＩ矢視方向から見た拡大
正面図である。図８に示すように、再生ヘッド層１０で
は、下部シールド層３の表面に非磁性体であるアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）の下部絶縁層１１が形成され、この下部絶
縁層１１上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２が積層
されている。このＭＲ素子１２の構成例としては、下か
らＳＡＬ膜１２ａ、非磁性材料のＳＨＵＮＴ膜１２ｂ、
磁気抵抗効果を有するＭＲ膜１２ｃの三層構造である。
ＭＲ素子１２の表面両側部は反強磁性膜（アンチフェロ
ー膜）１３，１３（ＦｅＭｎ）により覆われ、さらにそ
の表面が、例えばタングステン（Ｗ）を主体とした電極
層１４，１４により覆われている。さらに電極層１４，
１４の表面はアルミナなどの上部絶縁層１５により覆わ
れ、その上部が前記上部シールド層４となっている。こ
の再生ヘッド層１０では、ＭＲ膜１２ｃと、下部シール
ド層３または上部シールド層４との間の距離によりギャ
ップ長（Ｇｌ）が決められる。またトラック幅Ｔｗは、
ＭＲ膜１２ｃにおいて、電極層１４と１４との間でセン
ス電流が流れる範囲により決められる。
ルド層４との間に形成された再生ヘッド層１０の構造を
示すものであり、図７のＶＩＩＩ矢視方向から見た拡大
正面図である。図８に示すように、再生ヘッド層１０で
は、下部シールド層３の表面に非磁性体であるアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）の下部絶縁層１１が形成され、この下部絶
縁層１１上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２が積層
されている。このＭＲ素子１２の構成例としては、下か
らＳＡＬ膜１２ａ、非磁性材料のＳＨＵＮＴ膜１２ｂ、
磁気抵抗効果を有するＭＲ膜１２ｃの三層構造である。
ＭＲ素子１２の表面両側部は反強磁性膜（アンチフェロ
ー膜）１３，１３（ＦｅＭｎ）により覆われ、さらにそ
の表面が、例えばタングステン（Ｗ）を主体とした電極
層１４，１４により覆われている。さらに電極層１４，
１４の表面はアルミナなどの上部絶縁層１５により覆わ
れ、その上部が前記上部シールド層４となっている。こ
の再生ヘッド層１０では、ＭＲ膜１２ｃと、下部シール
ド層３または上部シールド層４との間の距離によりギャ
ップ長（Ｇｌ）が決められる。またトラック幅Ｔｗは、
ＭＲ膜１２ｃにおいて、電極層１４と１４との間でセン
ス電流が流れる範囲により決められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構造の再生ヘッド
層１０では、以下の問題がある。従来の下部絶縁層１１
と上部絶縁層１５は、共にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの
無機絶縁材料をスパッタリングした一層構造である。こ
のアルミナなどの無機絶縁材料は、その成膜過程でピン
ホールが形成されやすい。また無機絶縁材料のスパッタ
リング層では、その下の層の段差を平滑化することが困
難であるため、下部絶縁層１１の場合には下部シールド
層３の表面粗度が大きい場合には下部絶縁層１１の表面
の粗度も大きくなる。また上部絶縁層１５の場合には、
電極層１４などの段差を平滑化することが不可能であ
る。よって下部絶縁層１１が、下部シールド層３と反強
磁性膜３との間の絶縁機能を充分に発揮できず、また上
部絶縁層１５も絶縁機能を充分に発揮できないのみなら
ず、電極層の形状に合わせて上部絶縁層１５の表面が凹
凸になり、上部シールド層４を形成しにくくなる。
層１０では、以下の問題がある。従来の下部絶縁層１１
と上部絶縁層１５は、共にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの
無機絶縁材料をスパッタリングした一層構造である。こ
のアルミナなどの無機絶縁材料は、その成膜過程でピン
ホールが形成されやすい。また無機絶縁材料のスパッタ
リング層では、その下の層の段差を平滑化することが困
難であるため、下部絶縁層１１の場合には下部シールド
層３の表面粗度が大きい場合には下部絶縁層１１の表面
の粗度も大きくなる。また上部絶縁層１５の場合には、
電極層１４などの段差を平滑化することが不可能であ
る。よって下部絶縁層１１が、下部シールド層３と反強
磁性膜３との間の絶縁機能を充分に発揮できず、また上
部絶縁層１５も絶縁機能を充分に発揮できないのみなら
ず、電極層の形状に合わせて上部絶縁層１５の表面が凹
凸になり、上部シールド層４を形成しにくくなる。
【０００６】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
であり、絶縁層の電気的絶縁耐圧を向上させるととも
に、平滑な絶縁層を形成できるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することを目的としている。
であり、絶縁層の電気的絶縁耐圧を向上させるととも
に、平滑な絶縁層を形成できるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、下部シールド
層と上部シールド層との間に、前記各シールド層から絶
縁された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に
直接にまたは他の電極層を介して接続され且つ磁気抵抗
効果素子よりも記録媒体との対向面から離れる奥側へ延
びる電極層と、前記各シールド層と前記電極層とを絶縁
する絶縁層と、が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部シールド層と前記電極層とを絶縁する前記絶縁
層と、前記上部シールド層と前記電極層とを絶縁する前
記絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁層と無機絶縁層
との積層体により形成されていることを特徴とするもの
である。前記有機絶縁層は前記対向面側の端面が、前記
薄膜磁気ヘッドの前記対向面から奥側の所定距離離れた
位置に形成されていることが好ましい。
層と上部シールド層との間に、前記各シールド層から絶
縁された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に
直接にまたは他の電極層を介して接続され且つ磁気抵抗
効果素子よりも記録媒体との対向面から離れる奥側へ延
びる電極層と、前記各シールド層と前記電極層とを絶縁
する絶縁層と、が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部シールド層と前記電極層とを絶縁する前記絶縁
層と、前記上部シールド層と前記電極層とを絶縁する前
記絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁層と無機絶縁層
との積層体により形成されていることを特徴とするもの
である。前記有機絶縁層は前記対向面側の端面が、前記
薄膜磁気ヘッドの前記対向面から奥側の所定距離離れた
位置に形成されていることが好ましい。
【０００８】また、前記有機絶縁層と積層されている前
記無機絶縁層が前記対向面に現われる位置まで延び、こ
の無機絶縁層により前記シールド層と前記磁気抵抗効果
素子とが絶縁されていることが好ましい。
記無機絶縁層が前記対向面に現われる位置まで延び、こ
の無機絶縁層により前記シールド層と前記磁気抵抗効果
素子とが絶縁されていることが好ましい。
【０００９】
また、本発明は、下部シールド層と上部シ
ールド層との間に、前記各シールド層から絶縁された磁
気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に直接にまた
は他の電極層を介して接続され且つ磁気抵抗効果素子よ
りも記録媒体との対向面から離れる奥側へ延びる電極層
と、前記各シールド層と前記電極層とを絶縁する絶縁層
と、が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シ
ールド層と前記電極層とを絶縁する前記絶縁層と、前記
上部シールド層と前記電極層とを絶縁する前記絶縁層の
少なくとも一方が、有機絶縁層であ ることを特徴とする
ものである。
ールド層との間に、前記各シールド層から絶縁された磁
気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に直接にまた
は他の電極層を介して接続され且つ磁気抵抗効果素子よ
りも記録媒体との対向面から離れる奥側へ延びる電極層
と、前記各シールド層と前記電極層とを絶縁する絶縁層
と、が設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シ
ールド層と前記電極層とを絶縁する前記絶縁層と、前記
上部シールド層と前記電極層とを絶縁する前記絶縁層の
少なくとも一方が、有機絶縁層であ ることを特徴とする
ものである。
【００１０】また、前記有機絶縁層は、前記対向面側の
端面が、前記薄膜磁気ヘッドの前記対向面から奥側の所
定距離離れた位置に形成されており、前記有機絶縁層の
前記対向面側の端面と前記対向面との間には、無機絶縁
材料で形成された部分絶縁層が設けられ、この部分絶縁
層により前記シールド層と前記磁気抵抗効果素子とが絶
縁されていることが好ましい。
端面が、前記薄膜磁気ヘッドの前記対向面から奥側の所
定距離離れた位置に形成されており、前記有機絶縁層の
前記対向面側の端面と前記対向面との間には、無機絶縁
材料で形成された部分絶縁層が設けられ、この部分絶縁
層により前記シールド層と前記磁気抵抗効果素子とが絶
縁されていることが好ましい。
【００１１】
【作用】前記下部シールド層と前記電極層とを絶縁する
前記絶縁層と、前記上部シールド層と前記電極層とを絶
縁する前記絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁層と無
機絶縁層との積層体あるいは有機絶縁層のみにより形成
されていると、これら絶縁層の下の層の形状や面粗度に
関係なく、平滑化された絶縁層を形成できる。特にアル
ミナなどの無機絶縁材料からなる無機絶縁層上に前記有
機絶縁層を積層して絶縁層を形成すれば、無機絶縁材料
のスパッタリングによる表面の凹凸やピンホールなどを
有機絶縁層によりカバーでき、電気的絶縁耐圧を向上さ
せることができる。
前記絶縁層と、前記上部シールド層と前記電極層とを絶
縁する前記絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁層と無
機絶縁層との積層体あるいは有機絶縁層のみにより形成
されていると、これら絶縁層の下の層の形状や面粗度に
関係なく、平滑化された絶縁層を形成できる。特にアル
ミナなどの無機絶縁材料からなる無機絶縁層上に前記有
機絶縁層を積層して絶縁層を形成すれば、無機絶縁材料
のスパッタリングによる表面の凹凸やピンホールなどを
有機絶縁層によりカバーでき、電気的絶縁耐圧を向上さ
せることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
本発明の実施例による薄膜磁気ヘッドの構成を示すもの
である。この薄膜磁気ヘッドは、例えば図６と図７に示
す浮上式磁気ヘッドの薄膜素子２の再生ヘッド層１０と
して使用されるものであり、図１は浮上式磁気ヘッドの
ＡＢＳ面１ｂ側から見た拡大正面図である。また図２は
図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。スライダ１のトレー
リング側端面１ｄには、例えばメッキパーマロイ（Ｎｉ
Ｆｅ）の下部シールド層３と、無機絶縁層である下部絶
縁層１１とが積層されている。下部絶縁層１１はアルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3）をスパッタリング成膜したものである。
この下部絶縁層１１の上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）１２が積層されている。このＭＲ素子１２は三層構
造であり、下からＳＡＬ膜１２ａ、非磁性材料のＳＨＵ
ＮＴ膜１２ｂ、磁気抵抗効果を有するＭＲ膜１２ｃであ
る。
本発明の実施例による薄膜磁気ヘッドの構成を示すもの
である。この薄膜磁気ヘッドは、例えば図６と図７に示
す浮上式磁気ヘッドの薄膜素子２の再生ヘッド層１０と
して使用されるものであり、図１は浮上式磁気ヘッドの
ＡＢＳ面１ｂ側から見た拡大正面図である。また図２は
図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。スライダ１のトレー
リング側端面１ｄには、例えばメッキパーマロイ（Ｎｉ
Ｆｅ）の下部シールド層３と、無機絶縁層である下部絶
縁層１１とが積層されている。下部絶縁層１１はアルミ
ナ（Ａｌ2Ｏ3）をスパッタリング成膜したものである。
この下部絶縁層１１の上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）１２が積層されている。このＭＲ素子１２は三層構
造であり、下からＳＡＬ膜１２ａ、非磁性材料のＳＨＵ
ＮＴ膜１２ｂ、磁気抵抗効果を有するＭＲ膜１２ｃであ
る。
【００１３】図１の実施例では、ＭＲ素子１２の左右縁
部上面から下部絶縁層１１の表面にかけて他の絶縁層２
１ａが形成され、またＭＲ素子１２の中央表面には、幅
寸法Ｔｗの帯状の絶縁層２１ｂが形成されている。図２
に示すように、絶縁層２１ａと絶縁層２１ｂは、同じ膜
により連続しているものであり、ＭＲ素子１２の表面で
は溝２２と２２が形成されている。その結果、図１では
絶縁層２１ａと絶縁層２１ｂとが分離した状態に現れて
いる。上記絶縁層２１ａと２１ｂは、ＭＲ素子１２と下
部絶縁層１１の表面にＳｉ3Ｎ4の薄膜をスパッタリング
形成し、その後に溝２２と２２の部分をエッチングする
ことにより形成される。絶縁層２１ａと２１ｂの材料と
しては、Ｓｉ3Ｎ4以外のＳｉ−Ｎ系材料、または、Ｓｉ
−Ｏ系、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系、Ｔａ2Ｏ3などの材料が使用可
能である。エッチングが可能な材料の場合には溝２２，
２２はエッチング形成され、ミーリング加工が必要とな
る材料の場合には、溝２２，２２がイオンミーリング加
工などにより形成される。またリフトオフによる場合に
は、溝２２，２２に相当する部分をレジストによりマス
キングして成膜することにより、絶縁層２１ａと２１ｂ
とを形成できる。
部上面から下部絶縁層１１の表面にかけて他の絶縁層２
１ａが形成され、またＭＲ素子１２の中央表面には、幅
寸法Ｔｗの帯状の絶縁層２１ｂが形成されている。図２
に示すように、絶縁層２１ａと絶縁層２１ｂは、同じ膜
により連続しているものであり、ＭＲ素子１２の表面で
は溝２２と２２が形成されている。その結果、図１では
絶縁層２１ａと絶縁層２１ｂとが分離した状態に現れて
いる。上記絶縁層２１ａと２１ｂは、ＭＲ素子１２と下
部絶縁層１１の表面にＳｉ3Ｎ4の薄膜をスパッタリング
形成し、その後に溝２２と２２の部分をエッチングする
ことにより形成される。絶縁層２１ａと２１ｂの材料と
しては、Ｓｉ3Ｎ4以外のＳｉ−Ｎ系材料、または、Ｓｉ
−Ｏ系、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系、Ｔａ2Ｏ3などの材料が使用可
能である。エッチングが可能な材料の場合には溝２２，
２２はエッチング形成され、ミーリング加工が必要とな
る材料の場合には、溝２２，２２がイオンミーリング加
工などにより形成される。またリフトオフによる場合に
は、溝２２，２２に相当する部分をレジストによりマス
キングして成膜することにより、絶縁層２１ａと２１ｂ
とを形成できる。
【００１４】上記絶縁層２１ａと２１ｂの上には、電極
層２３，２３が形成されている。この電極層２３，２３
は、下層がＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ構成の反強磁性膜（アン
チフェロー膜）１３で、上層がＴａ／Ｃｕ／Ｔａ構成の
導電膜１４である。この電極層２３，２３は、絶縁層２
１ａの表面からＭＲ素子１２の表面に延び、絶縁層２１
ｂの上面両縁部にかけて形成されている。この電極層２
３，２３は前記溝２２，２２内にてＭＲ素子１２の最表
面のＭＲ膜１２ｃに導通されている。そして絶縁層２１
ｂの幅寸法Ｔｗによりトラック幅が決められている。上
記実施例では、反強磁性膜１３が電極層２３の全域にて
下層として形成されているが、反強磁性膜１３は、ＭＲ
素子１２に接する部分にのみ形成され、他の部分では電
極層２３の導電膜１４が絶縁層２１ａに接触していても
よい。
層２３，２３が形成されている。この電極層２３，２３
は、下層がＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ構成の反強磁性膜（アン
チフェロー膜）１３で、上層がＴａ／Ｃｕ／Ｔａ構成の
導電膜１４である。この電極層２３，２３は、絶縁層２
１ａの表面からＭＲ素子１２の表面に延び、絶縁層２１
ｂの上面両縁部にかけて形成されている。この電極層２
３，２３は前記溝２２，２２内にてＭＲ素子１２の最表
面のＭＲ膜１２ｃに導通されている。そして絶縁層２１
ｂの幅寸法Ｔｗによりトラック幅が決められている。上
記実施例では、反強磁性膜１３が電極層２３の全域にて
下層として形成されているが、反強磁性膜１３は、ＭＲ
素子１２に接する部分にのみ形成され、他の部分では電
極層２３の導電膜１４が絶縁層２１ａに接触していても
よい。
【００１５】図３は、本発明の実施例による薄膜磁気ヘ
ッドを示すものであり、浮上式磁気ヘッドの図７と同じ
断面にて再生ヘッド層を拡大して示したものである。ま
た図４は図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図である。スライダ
１のトレーリング側端面１ｄには、下部シールド層３が
形成され、その表面にアルミナによる無機絶縁層である
下部絶縁層１１が形成されている。そしてＡＢＳ面１ｂ
に露出する部分には三層構造のＭＲ素子１２が積層され
ている。このＭＲ素子１２が設けられている部分よりも
奥側では、下部絶縁層１１の表面に有機絶縁層３１が形
成されている。反強磁性膜１３と導電膜１４とから成る
電極層２３，２３は、ＭＲ素子１２の左右両端部上面か
ら奥方へ延びるように形成されている。この電極層２３
の表面には、アルミナをスパッタリングした無機絶縁層
である上部絶縁層１５が形成され、その表面に有機絶縁
層３２が形成されている。そしてその上面に上部シール
ド層４が形成されている。
ッドを示すものであり、浮上式磁気ヘッドの図７と同じ
断面にて再生ヘッド層を拡大して示したものである。ま
た図４は図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図である。スライダ
１のトレーリング側端面１ｄには、下部シールド層３が
形成され、その表面にアルミナによる無機絶縁層である
下部絶縁層１１が形成されている。そしてＡＢＳ面１ｂ
に露出する部分には三層構造のＭＲ素子１２が積層され
ている。このＭＲ素子１２が設けられている部分よりも
奥側では、下部絶縁層１１の表面に有機絶縁層３１が形
成されている。反強磁性膜１３と導電膜１４とから成る
電極層２３，２３は、ＭＲ素子１２の左右両端部上面か
ら奥方へ延びるように形成されている。この電極層２３
の表面には、アルミナをスパッタリングした無機絶縁層
である上部絶縁層１５が形成され、その表面に有機絶縁
層３２が形成されている。そしてその上面に上部シール
ド層４が形成されている。
【００１６】図４には、上記有機絶縁層３１と３２の形
成範囲が示されているが、この有機絶縁層３１と３２
は、ＡＢＳ面１ｂ（記録媒体との対向面）に露出しない
部分で、しかも電極層２３の領域のほとんどを覆うこと
ができる範囲に形成されている。上記有機絶縁層３１と
３２の材料としては、レジスト膜として使用される樹脂
材料やポリイミドなどの樹脂材料が使用される。その形
成方法は、下部絶縁層１１または上部絶縁層１５がアル
ミナによりスパッタリング成膜された後に、例えば前記
レジスト膜材料をスピンコート法にて下部絶縁層１１ま
たは上部絶縁層１５の表面の全域にコーティングする。
その後、露光、現象して有機絶縁層３１，３２のパター
ンを形成し、次にレジスト膜材料を硬化させる。このレ
ジスト膜材料の硬化処理としては、２８０〜２９０℃で
ベーキングするか、紫外線照射により１２０〜１３０℃
の比較的低い温度で硬化させる。紫外線照射では膜の硬
化時の収縮を最小にでき、膜を平坦化できる。なお減圧
雰囲気内で紫外線を照射してもよい。これにより、前記
有機絶縁層３１と３２の形成を完了する。
成範囲が示されているが、この有機絶縁層３１と３２
は、ＡＢＳ面１ｂ（記録媒体との対向面）に露出しない
部分で、しかも電極層２３の領域のほとんどを覆うこと
ができる範囲に形成されている。上記有機絶縁層３１と
３２の材料としては、レジスト膜として使用される樹脂
材料やポリイミドなどの樹脂材料が使用される。その形
成方法は、下部絶縁層１１または上部絶縁層１５がアル
ミナによりスパッタリング成膜された後に、例えば前記
レジスト膜材料をスピンコート法にて下部絶縁層１１ま
たは上部絶縁層１５の表面の全域にコーティングする。
その後、露光、現象して有機絶縁層３１，３２のパター
ンを形成し、次にレジスト膜材料を硬化させる。このレ
ジスト膜材料の硬化処理としては、２８０〜２９０℃で
ベーキングするか、紫外線照射により１２０〜１３０℃
の比較的低い温度で硬化させる。紫外線照射では膜の硬
化時の収縮を最小にでき、膜を平坦化できる。なお減圧
雰囲気内で紫外線を照射してもよい。これにより、前記
有機絶縁層３１と３２の形成を完了する。
【００１７】有機絶縁層ではその下の層の凹凸を覆って
平坦化できるため、アルミナの下部絶縁層１１のピンホ
ールなどを被覆でき、また電極層２３を設けたことによ
る上部絶縁層１５の凹凸を平滑化でき、その上の層であ
る上部シールド層４を形成しやすくなる。また図６など
に示す浮上式磁気ヘッドでは、成膜後にＡＢＳ面１ｂの
研磨作業が行われる。よって機械的強度の弱い有機絶縁
層３１と３２はこのＡＢＳ膜１ｂの研磨面に露出させな
いのが望ましい。したがって有機絶縁層３１と３２は、
例えば図４にて（イ）で示すように、ＡＢＳ面１ｂに露
出しない限界位置まで張り出させてパターンニングする
ことが好ましい。
平坦化できるため、アルミナの下部絶縁層１１のピンホ
ールなどを被覆でき、また電極層２３を設けたことによ
る上部絶縁層１５の凹凸を平滑化でき、その上の層であ
る上部シールド層４を形成しやすくなる。また図６など
に示す浮上式磁気ヘッドでは、成膜後にＡＢＳ面１ｂの
研磨作業が行われる。よって機械的強度の弱い有機絶縁
層３１と３２はこのＡＢＳ膜１ｂの研磨面に露出させな
いのが望ましい。したがって有機絶縁層３１と３２は、
例えば図４にて（イ）で示すように、ＡＢＳ面１ｂに露
出しない限界位置まで張り出させてパターンニングする
ことが好ましい。
【００１８】図５は本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施
例の断面図であり、図３に示すのと同じ部分の断面図で
ある。この実施例では、メッキパーマロイによる下部シ
ールド層３の表面に下部絶縁層として有機絶縁層３３が
形成されている。ただしＡＢＳ面１ｂに露出する部分で
は、下部シールド層３の表面にアルミナによる部分絶縁
層３５が形成され、その上にＭＲ素子１２が積層されて
いる。ＭＲ素子１２の表面から有機絶縁層３３の表面に
かけて電極層２３が形成されている。そして電極層２３
の表面に、上部絶縁層として有機絶縁層３４が形成され
ている。またＡＢＳ面１ｂに露出する部分では電極層２
３の表面にアルミナによる部分絶縁層３６が形成されて
いる。この部分絶縁層３６および有機絶縁層３４の上に
上部シールド層４が形成されている。
例の断面図であり、図３に示すのと同じ部分の断面図で
ある。この実施例では、メッキパーマロイによる下部シ
ールド層３の表面に下部絶縁層として有機絶縁層３３が
形成されている。ただしＡＢＳ面１ｂに露出する部分で
は、下部シールド層３の表面にアルミナによる部分絶縁
層３５が形成され、その上にＭＲ素子１２が積層されて
いる。ＭＲ素子１２の表面から有機絶縁層３３の表面に
かけて電極層２３が形成されている。そして電極層２３
の表面に、上部絶縁層として有機絶縁層３４が形成され
ている。またＡＢＳ面１ｂに露出する部分では電極層２
３の表面にアルミナによる部分絶縁層３６が形成されて
いる。この部分絶縁層３６および有機絶縁層３４の上に
上部シールド層４が形成されている。
【００１９】この実施例では、下部絶縁層と上部絶縁層
として、従来のスパッタリング形成されたアルミナ層の
代わりに有機絶縁層３３と３４を直接形成している。よ
って下部シールド層３や電極層２３の表面の面粗度が粗
い場合であっても、有機絶縁層３３と３４の表面は前記
面粗度の影響を受けることなく平滑化できる。なお有機
絶縁層３３と３４の成膜工程は、図３に示された実施例
にて述べたのと同様に、スピンコート、露光現像による
不要部分の除去、紫外線照射による硬化工程の順であ
る。なお、ＡＢＳ面１ｂの研磨作業が不要な場合には、
有機絶縁層３３と３４をＡＢＳ面１ｂまで延ばし、部分
絶縁層３５と３６を設けなくてもよい。また図３と図５
に示すそれぞれの実施例では、下部絶縁層と上部絶縁層
の双方が、無機絶縁材料と有機絶縁材料との積層体、ま
たは有機絶縁層のみにより形成されているが、下部絶縁
層と上部絶縁層のいずれか一方のみが、無機絶縁材料と
有機絶縁材料との積層体、または有機絶縁層により形成
されていてもよい。
として、従来のスパッタリング形成されたアルミナ層の
代わりに有機絶縁層３３と３４を直接形成している。よ
って下部シールド層３や電極層２３の表面の面粗度が粗
い場合であっても、有機絶縁層３３と３４の表面は前記
面粗度の影響を受けることなく平滑化できる。なお有機
絶縁層３３と３４の成膜工程は、図３に示された実施例
にて述べたのと同様に、スピンコート、露光現像による
不要部分の除去、紫外線照射による硬化工程の順であ
る。なお、ＡＢＳ面１ｂの研磨作業が不要な場合には、
有機絶縁層３３と３４をＡＢＳ面１ｂまで延ばし、部分
絶縁層３５と３６を設けなくてもよい。また図３と図５
に示すそれぞれの実施例では、下部絶縁層と上部絶縁層
の双方が、無機絶縁材料と有機絶縁材料との積層体、ま
たは有機絶縁層のみにより形成されているが、下部絶縁
層と上部絶縁層のいずれか一方のみが、無機絶縁材料と
有機絶縁材料との積層体、または有機絶縁層により形成
されていてもよい。
【００２０】また、上記実施例では電極層２３が直接Ｍ
Ｒ素子１２に接続されているが、この電極層２３とＭＲ
素子１２とを離して形成し、電極層２３とＭＲ素子１２
とを接続する接続電極層を別個に形成してもよい。この
場合電極層２３はスライダ１のＡＢＳ面１ｂに現れず、
ＡＢＳ面の研磨作業が電極層２３に影響を及ぼさないた
め電極層２３を機械的強度の低い低抵抗材料、例えば銅
（Ｃｕ）により構成することができ、電極層全体の抵抗
値を下げ消費電力を低減させることができる。なお、上
記実施例では図６に示すような浮上式磁気ヘッドにおい
てインダクティブ型記録ヘッドと併用される薄膜磁気ヘ
ッドを想定しているが、本発明による薄膜磁気ヘッドの
使用用途は浮上式磁気ヘッドに限られるものではなく、
種々の磁気ヘッドとして実施可能である。
Ｒ素子１２に接続されているが、この電極層２３とＭＲ
素子１２とを離して形成し、電極層２３とＭＲ素子１２
とを接続する接続電極層を別個に形成してもよい。この
場合電極層２３はスライダ１のＡＢＳ面１ｂに現れず、
ＡＢＳ面の研磨作業が電極層２３に影響を及ぼさないた
め電極層２３を機械的強度の低い低抵抗材料、例えば銅
（Ｃｕ）により構成することができ、電極層全体の抵抗
値を下げ消費電力を低減させることができる。なお、上
記実施例では図６に示すような浮上式磁気ヘッドにおい
てインダクティブ型記録ヘッドと併用される薄膜磁気ヘ
ッドを想定しているが、本発明による薄膜磁気ヘッドの
使用用途は浮上式磁気ヘッドに限られるものではなく、
種々の磁気ヘッドとして実施可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明では、下部絶縁層と上部絶縁層の
少なくとも一方が、無機絶縁層に有機絶縁層が積層され
たものであるため、無機絶縁層を成膜したときの表面の
凹凸やピンホールを有機絶縁層により覆うことができ
る。
少なくとも一方が、無機絶縁層に有機絶縁層が積層され
たものであるため、無機絶縁層を成膜したときの表面の
凹凸やピンホールを有機絶縁層により覆うことができ
る。
【００２２】また、本発明では、下部絶縁層と上部絶縁
層の少なくとも一方が、有機絶縁層により形成されてい
るため、平滑な絶縁層を得ることができる。
層の少なくとも一方が、有機絶縁層により形成されてい
るため、平滑な絶縁層を得ることができる。
【図１】本発明の実施例の薄膜磁気ヘッドを示す拡大正
面図、
面図、
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図、
【図３】本発明の実施例の薄膜磁気ヘッドを示す縦断面
図、
図、
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図、
【図５】本発明の他の実施例の薄膜磁気ヘッドを示す縦
断面図、
断面図、
【図６】薄膜磁気ヘッドの使用例として浮上式磁気ヘッ
ドを示す斜視図、
ドを示す斜視図、
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面の拡大図、
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す図７のＶＩ
ＩＩ矢視の拡大正面図、
ＩＩ矢視の拡大正面図、
【符号の説明】 １ スライダ １ｂ ＡＢＳ面 １ｄ トレーリング側端部 ２ 薄膜素子 ３，４ シールド層 １０ 再生ヘッド層 １１ 下部絶縁層 １２ ＭＲ素子 １２ａ ＳＡＬ膜 １２ｂ ＳＨＵＮＴ膜 １２ｃ ＭＲ膜、 １３ 反強磁性膜 １４ 導電膜 １５ 上部絶縁層 ２１ａ 他の絶縁層 ２１ｂ トラック幅Ｔｗを決める絶縁層 ２３ 電極層 ３１，３２，３３，３４ 有機絶縁層 ３５，３６ 部分絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池上 正克 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アル プス電気株式会社内 (72)発明者 山田 稔 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アル プス電気株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−123307（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−175923（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−60328（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (5)
- 【請求項１】 下部シールド層と上部シールド層との間
に、前記各シールド層から絶縁された磁気抵抗効果素子
と、前記磁気抵抗効果素子に直接にまたは他の電極層を
介して接続され且つ磁気抵抗効果素子よりも記録媒体と
の対向面から離れる奥側へ延びる電極層と、前記各シー
ルド層と前記電極層とを絶縁する絶縁層と、が設けられ
た薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記下部シールド層と前記電極層とを絶縁する前記絶縁
層と、前記上部シールド層と前記電極層とを絶縁する前
記絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁層と無機絶縁層
との積層体により 形成されていることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記有機絶縁層は前記対向面側の端面
が、前記薄膜磁気ヘッドの前記対向面から奥側の所定距
離離れた位置に形成されている請求項１記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項３】 前記有機絶縁層と積層されている前記無
機絶縁層が前記対向面に現われる位置まで延び、この無
機絶縁層により前記シールド層と前記磁気抵抗効果素子
とが絶縁されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 下部シールド層と上部シールド層との間
に、前記各シールド層から絶縁された磁気抵抗効果素子
と、前記磁気抵抗効果素子に直接にまたは他の電極層を
介して接続され且つ磁気抵抗効果素子よりも記録媒体と
の対向面から離れる奥側へ延びる電極層と、前記各シー
ルド層と前記電極層とを絶縁する絶縁層と、が設けられ
た薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記下部シールド層と前記電極層とを絶縁する前記絶縁
層と、前記上部シールド層と前記電極層とを絶縁する前
記絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁層であることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記有機絶縁層は、前記対向面側の端面
が、前記薄膜磁気ヘッドの前記対向面から奥側の所定距
離離れた位置に形成されており、前記有機絶縁層の前記
対向面側の端面と前記対向面との間には、無機絶縁材料
で形成された部分絶縁層が設けられ、この部分絶縁層に
より前記シールド層と前記磁気抵 抗効果素子とが絶縁さ
れている請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05281706A JP3128407B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05281706A JP3128407B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 薄膜磁気ヘッド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11247428A Division JP2000067419A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07114714A JPH07114714A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3128407B2 true JP3128407B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=17642850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05281706A Expired - Fee Related JP3128407B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128407B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000182223A (ja) | 1998-10-08 | 2000-06-30 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP05281706A patent/JP3128407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07114714A (ja) | 1995-05-02 |
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