JP3034737B2

JP3034737B2 - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JP3034737B2
Application number: JP5285512A
Authority: JP
Inventors: 稔山田; 泰弘矢部; 賢治本田; 正克池上; 清佐藤
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1993-10-21
Filing date: 1993-10-21
Publication date: 2000-04-17
Anticipated expiration: 2015-04-17
Also published as: JPH07121840A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば浮上式磁気ヘッ
ドなどとして使用される薄膜磁気ヘッドに係り、特に磁
気抵抗効果素子に導通される電極層からの導電経路の引
出し構造を特徴とした薄膜磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】図６は、薄膜磁気ヘッドの使用例として
ハードディスク装置用の浮上式磁気ヘッドＨを示してい
る。この磁気ヘッドＨのスライダ１は、（イ）がディス
ク面の移動方向の上流側に向くリーディング側で、
（ロ）がトレーリング側である。スライダ１のディスク
に対向する面では、レール状のＡＢＳ面１ａ，１ａ，１
ｂと、エアーグルーブ１ｃとが形成されている。そして
スライダ１のトレーリング側の端面１ｄに薄膜磁気ヘッ
ド２が設けられている。

【０００３】図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面の拡大
図であり、薄膜磁気ヘッド２の積層構造を示している。
この薄膜磁気ヘッド２では、スライダ１のトレーリング
側端面１ｄにメッキパーマロイの下部シールド層３が形
成され、この下部シールド層３と、同じくメッキパーマ
ロイの上部シールド層４との間に、磁気抵抗効果素子
（ＭＲ素子）を含む再生ヘッド層１０が設けられてい
る。上部シールド層４の上には上部コア層５が形成さ
れ、上部シールド層４と上部コア層５との接続部５ａを
ほぼ中心として平面状に螺旋形成されたコイル層６が設
けられている。そして上部コア層５とコイル層６とが保
護膜７により覆われている。上部シールド層４は下部コ
アとして機能し、この上部シールド層４と上部コア層５
との対向部がＡＢＳ面１ｂに現れて、インダクティブ型
記録ヘッドの磁気ギャップＧが形成されている。

【０００４】図８は、前記下部シールド層３と上部シー
ルド層４との間に形成された再生ヘッド層１０の基本的
な構造を示すものであり、図７のＶＩＩＩ矢視方向から
見た拡大正面図である。また図９は、図７のＩＸ矢視の
平面において上部コア層５を省略して示した平面図、図
１０は図９のＸ−Ｘ線の断面図である。図８に示すよう
に、再生ヘッド層１０の基本的な積層構造では、下部シ
ールド層３の表面に非磁性体であるアルミナの下部ギャ
ップ層１１が形成され、この下部ギャップ層１１上に磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２が積層されている。こ
のＭＲ素子１２は三層構造であり、下からＳＡＬ膜１２
ａ、非磁性材料のＳＨＵＮＴ膜１２ｂ、磁気抵抗効果を
有するＭＲ膜１２ｃ（パーマロイ）が積層されて構成さ
れている。

【０００５】ＭＲ素子１２の両縁部上面から下部ギャッ
プ層１１の表面にかけて、電極層１３が形成されてい
る。この電極層１３は、下層が反強磁性層（アンチフェ
ロー層；ＡＦ層）１３ａで、上層が、例えばタングステ
ンを主体とした導電層１３ｂである。さらに電極層１
３，１３の表面はアルミナなどの上部ギャップ層１５に
より覆われ、その上部が前記上部シールド層４となって
いる。この再生ヘッド層１０では、ＭＲ膜１２ｃと、下
部シールド層３または上部シールド層４との間の距離に
よりギャップ長（Ｇｌ）が決められる。またトラック幅
Ｔｗは、ＭＲ膜１２ｃにおいて、電極層１３と１３との
間でセンス電流が流れる範囲により決められる。

【０００６】図９に示すように、上部シールド層４は、
その上にコイル層６を形成できる面積が必要であり、電
極層１３，１３のほとんどの部分を覆う範囲に形成され
ている。電極層１３，１３の導電経路を上部シールド層
４の外部に導くための構造として、従来は、図９および
図１０に示すように、上部シールド層４の外側に引出し
層１６，１６が形成されている。この引出し層１６は、
上部シールド層４と同じ材料層により形成されている。
すなわち、上部ギャップ層１５の表面にパーマロイをメ
ッキし、これをエッチングすることにより、同じメッキ
層の上部シールド層４と引出し層１６，１６とを同時に
形成したものである。そして、電極層１３と引出し層１
６との重なり部に介在する前記上部ギャップ層１５にコ
ンタクトホール１５ａが形成され、このコンタクトホー
ル１５ａ内にて、引出し層１６と電極層１３とが導通接
続されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記薄
膜磁気ヘッドの構造では以下に示す問題点がある。（１）電極層１３，１３が、ＭＲ素子１２を覆う部分か
ら上部シールド層４の両側部外方まで延びており、電極
層１３，１３による導電経路が長くなっている。前述の
ように、電極層１３の導電層１３ｂはタングステンを主
体として構成されている。その理由は、浮上式磁気ヘッ
ドの場合には、スライダ１のＡＢＳ面１ｂと共に導電層
１３ｂが研磨されるため、導電層１３ｂとして研磨作業
に耐え得る機械的強度の高い材料を使用する必要がある
からである。また導電層１３ｂはＡＦ層１３ａに積層さ
れるため、導電層１３ｂはＡＦ層１３ａ内の元素が拡散
しにくい材料により形成することが必要だからである。
このような理由からタングステンが導電層１３ｂとして
使用されているが、タングステンは比抵抗の大きい材料
であるため、図９に示すように電極層１３による導電経
路が長いと、電極層１３の電気抵抗値が非常に高くな
り、電極層１３での電圧降下が大きくなって無駄な消費
電力が多くなってしまう。

【０００８】（２）引出し層１６は、上部シールド層４
と同じパーマロイのメッキ層から形成されているが、パ
ーマロイの比抵抗も比較的大きいため、引出し層１６に
よる導電経路においても電気抵抗値が高くなっている。

【０００９】（３）電極層１３と引出し層１６とを導通
接続するために、上部ギャップ層１５が形成された時点
で、この層１５にコンタクトホール１５ａを形成する必
要がある。このコンタクトホール１５ａをイオンミーリ
ングなどを用いてエッチングしようとすると、アルミナ
の上部ギャップ層１５よりも電極層１３の方がエッチン
グレートが速いため、エッチングにより下層の電極層１
３がダメージを受け、一緒に削られてしまうという問題
が生じる。電極層１３の膜厚を大きくすればエッチング
のダメージの影響を緩和できるが、電極層１３の膜厚を
大きくすると、図８に示すようにＭＲ素子１２の上面と
電極層１３の上面との段差が大きくなり、その上に形成
される上部ギャップ層１５の表面さらには上部シールド
層４の表面が凹凸になり、この凹凸が上部コア層５の形
状などに影響を与えることになる。したがって電極層１
３の膜厚を大きくするのには限界がある。そのため、コ
ンタクトホール１５ａをミーリングによりエッチングす
ることが困難となっている。

【００１０】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、電極層さらには引出し層での電気抵抗値を可能な
限り低下させることを第１の目的とし、また電極層と引
出し層との導通接続のためのコンタクトホールを容易に
加工できるようにすることを第２の目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明による薄膜磁気ヘ
ッドは、下部ギャップ層上に、磁気抵抗効果素子と、こ
の磁気抵抗効果素子に接続される電極層とが形成され、
電極層の上に上部ギャップ層を介してシールド層が形成
されている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記シールド層の
上に絶縁層を介して導電性の引出し層が形成され、シー
ルド層に形成された孔内にて前記引出し層と電極層とが
導通接続されていることを特徴とするものである。

【００１２】上記引出し層はシールド層の上方に形成さ
れるため、引出し層をインダクティブ磁気ヘッド用のコ
イル層と同じ材料層により形成することが可能である。

【００１３】また、シールド層の孔内に、シールド層と
同じ材料層により形成された接続層を設け、引出し層と
電極層とをこの接続層を介して導通接続することも可能
である。

【００１４】また、本発明による薄膜磁気ヘッドは、下
部ギャップ層上に、磁気抵抗効果を有する薄膜が含まれ
た磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子に導通さ
れる電極層とが形成され、電極層の上に上部ギャップ層
が形成されている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記電極層
と上部ギャップ層との間にバリア層が部分的に形成さ
れ、上部ギャップ層の上に形成された引出し層が、上部
ギャップ層とバリア層とを貫通する凹部内にて前記電極
層に導通接続されていることを特徴とするものである。

【００１５】上記において、バリア層を、磁気抵抗効果
素子と同じ材料層により形成することも可能である。

【００１６】

【作用】上記第１の手段では、シールド層の上方に引出
し層を設け、シールド層に形成された孔内にてこの引出
し層と電極層とを接続しているため、電極層をシールド
層より外の領域に延ばす必要がなく、電極層による導電
経路を短くできる。よって電極層の電気抵抗を従来より
も下げることができる。

【００１７】さらに、引出し層を、銅などのコイル層と
同じ材料層により形成すれば、引出し層の電気抵抗値を
下げることができる。

【００１８】また、シールド層を形成するときに、シー
ルド層に孔を設けると共にこの孔内にシールド層と同じ
材料層の接続層をエッチングにより残すようにすれば、
この接続層を介して引出し層と電極層とを導通接続する
ことが可能になる。

【００１９】前記第２の手段では、電極層の上にバリア
層を部分的に設け、この上に上部ギャップ層を形成した
後に、バリア層の部分にてミーリングなどにより上部ギ
ャップ層にコンタクトホールを形成できるようにしてい
る。バリア層でミーリングによるエッチングのダメージ
を受け止めることができるため、電極層にダメージが及
ばなくなり、薄い電極層であってもエッチングにより削
られることがなくなる。

【００２０】また電極層を形成した後、磁気抵抗効果素
子をエッチング形成する際に、この磁気抵抗効果素子と
同じ材料層により電極層上にバリア層を同時に形成する
ことができる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１ない
し図３は請求項１ないし３に記載の発明の実施例を示し
ている。図１は、図６に示す浮上式磁気ヘッドのスライ
ダ１のトレーリング側端面１ｄに設けられた薄膜磁気ヘ
ッドを示すものであり、上部コア層５を省略して示す平
面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図、図
３は上部シールド層を示す図２のＩＩＩ矢視の部分平面
図である。図２に示すように、この薄膜磁気ヘッドは、
スライダ１のトレーリング側端面１ｄに、パーマロイメ
ッキによる下部シールド層３が形成され、その上にアル
ミナの下部ギャップ層１１が形成されている。スライダ
１のＡＢＳ面１ｂに露出する部分では、下部ギャップ層
１１の上に、ＭＲ素子１２が形成されている。このＭＲ
素子１２は、下からＳＡＬ膜１２ａ、ＳＨＵＮＴ膜１２
ｂ、ＭＲ膜１２ｃが積層された三層構造である。

【００２２】ＭＲ素子１２の両縁部上面から下部ギャッ
プ層１１の上面にかけて、電極層１３，１３が形成され
ている。この電極層１３，１３は、ＦｅＭｎを主体とす
るＡＦ層とタングステン（Ｗ）を主体とした導電層とが
積層されたものであり、その層構造は下から、ＮｉＦｅ
／ＦｅＭｎ／Ｔａ／Ｗ／Ｔａである。ＮｉＦｅとＴａは
層間の密着のための層である。ＭＲ層１２および電極層
１３の上にはアルミナによる上部ギャップ層１５が形成
され、その上に上部シールド層４がパーマロイメッキに
より形成されている。シールド層４の上面には絶縁樹脂
層２２を介して、インダクティブ記録ヘッドを構成する
コイル層６が形成されているが、このコイル層６の外周
で且つ上部シールド層４と重なる領域に引出し層２１，
２１が形成されている。さらにコイル層６と引出し層２
１は保護膜７により覆われ、保護膜７内に図７に示す上
部コア層５が形成されている。

【００２３】図１に示すように、この実施例ではＡＦ層
とタングステンの導電層とから成る電極層１３の面積が
従来例よりも小さく、その導電経路が短くなっている。
そしてコイル層５の最外周のものよりもさらにＡＢＳ面
１ｂ側の領域の（Ａ）部にて、電極層１３，１３と引出
し層２１，２１とが導通接続されている。上記（Ａ）部
では、図２に示すように、電極層１３と重なる部分の上
部ギャップ層１５にコンタクトホール１５ａが形成され
ている。また（Ａ）部では、上部シールド層４に孔４ａ
が貫通して形成され、この孔４ａの内部に、シールド層
４と分離された接続層４ｂが形成されている。図３で
は、孔４ａと接続層４ｂの平面形状が矩形となっている
が、これらの形状は円形または長円形などであってもよ
い。

【００２４】接続層４ｂは上部シールド層４と同じ材料
層により同時に形成されている。その形成工程は、上部
ギャップ層１５にコンタクトホール１５ａを加工した後
に、その表面にパーマロイ層をメッキ形成する。このと
きパーマロイ層の一部が前記コンタクトホール１５ａ内
にて電極層１３に導通接続される。次にエッチングによ
りメッキパーマロイ層から上部シールド層４が残される
が、このエッチング工程において、コンタクトホール１
５ａに接触している部分のパーマロイを残すようにして
孔４ａを形成する。これにより同じパーマロイ層の上部
シールド層４と接続層４ｂとが同時に形成される。

【００２５】前記引出し層２１，２１はコイル層５と同
じ材料層の例えば銅（Ｃｕ）層により同時に形成された
ものである。その成形工程は、まず上部シールド層４の
表面に絶縁樹脂層２２を形成し、この樹脂絶縁層２２の
前記接続層４ｂと重なる部分にコンタクトホール２２ａ
を形成しておく。次に絶縁樹脂層２２の上にＣｕ層を蒸
着メッキやスパッタリングにより形成する。このＣｕ層
をエッチングして、コイル層５と引出し層２１，２１と
を同時に形成する。引出し層２１，２１の先端部は前記
コンタクトホール２２ａ内にて前記接続層４ｂに接続さ
れ、この接続層４ｂを介して、電極層１３，１３と引出
し層２１，２１とが導通接続される。なお、上部シール
ド層４の膜厚が薄い場合には、接続層４ｂを設けず、孔
４ａ内にて、Ｃｕ層の引出し層２１と電極層１３とを直
接に導通接続させてもよい。

【００２６】上記実施例では、電極層１３，１３が上部
シールド層４の面積内に収まる非常に小さいもので、そ
の導電経路が短くなっている。よって、電極層１３の導
電層がタングステンのように比較的比抵抗の大きな材料
により形成されている場合であっても、電極層１３，１
３の導電経路の電気抵抗値を小さくできる。また引出し
層２１，２１もＣｕ層などの比抵抗の小さな材料により
形成できるため、引出し層２１，２１による導電経路の
電気抵抗も下げることができる。この種の薄膜磁気ヘッ
ドは定電流により駆動されるが、引出し層２１と電極層
１３の電気抵抗が小さいために、従来よりも消費電力を
少なくできる。また接続層４ｂは上部シールド層４と共
にエッチング形成され、引出し層２１はコイル層５と共
にエッチング形成されるため、膜の積層工程やエッチン
グ工程は従来と同じ工程数となる。

【００２７】図４および図５は、請求項４および５に記
載の発明の実施例を示すものである。図４は薄膜磁気ヘ
ッドにて上部シールド層と引出し層が形成された状態を
示す拡大平面図、図５（Ａ）ないし（Ｅ）は各層の形成
工程を示す図４のＶ−Ｖ線の断面図である。図４に示す
ように、この実施例では、図９に示した従来例と同様
に、上部ギャップ層１５の表面に上部シールド層４と引
出し層１６とが形成されている。この上部シールド層４
と引出し層１６は、同じパーマロイのメッキ層から同時
にエッチング形成されたものである。この実施例では、
電極層３１，３１がＭＲ素子１２から分離された位置に
形成されており、ＭＲ素子１２と電極層３１，３１とが
接続電極層３２，３２により接続されている。電極層３
１，３１は、スライダ１のＡＢＳ面１ｂに露出しないた
めに、ＡＢＳ面１ｂの研磨作業の影響を受けない。よっ
て電極層３１，３１は機械的強度の低い材料により形成
でき、タングステン（Ｗ）よりも比抵抗の小さい例えば
銅（Ｃｕ）を主体としたもので形成できる。電極層３１
をＣｕを主体として構成する場合、下部ギャップ層１１
と上部ギャップ層１５との密着性を確保するためにＣｒ
／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造とすることが好ましい。接続電
極層３２，３２は、ＡＦ層と導電層とが積層されたＮｉ
Ｆｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａ／Ｗ／Ｔａの層構造、またはＡＦ
層のみによるＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ／Ｔａの層構造であ
る。

【００２８】電極層３１，３１は、上部シールド層４の
外の領域まで延びており、図４の（ハ）部にて、電極層
３１，３１と引出し層１６とが導通接続されている。図
５（Ｅ）に示すように、電極層３１と引出し層１６との
間に上部ギャップ層１５が介在しているが、（ハ）部で
はさらに電極層３１と上部ギャップ層１５との間にバリ
ア層３３が設けられている。このバリア層３３はＭＲ素
子１２と同じ材料による三層構造である。アルミナの上
部ギャップ層１５に対しミーリングによりコンタクトホ
ール１５ａを加工する際、前記バリア層を３３が有るた
めに、電極層３１がダメージを受けることがない。

【００２９】次に図５に基づいて上記各層の形成工程を
説明する。図５（Ａ）に示すように、下部ギャップ層１
１の表面に電極層３１を形成する。次に下部ギャップ層
１１上に、ＣｏＺｒＭｏ／Ｔａ／ＮｉＦｅの三層構造の
ＭＲ素子１２を形成するが、このとき同時に（ハ）部に
おいて、電極層３１の上にバリア層３３を形成する。こ
のバリア層３３はＭＲ素子１２と同じ材料の三層構造で
ある。これらの層の形成工程では、まず電極層３１の表
面から下部ギャップ層１１の表面にかけてＣｏＺｒＭｏ
／Ｔａ／ＮｉＦｅの層を連続スパッタリングにて形成す
る。このスパッタリング膜をエッチングすることによ
り、ＭＲ素子１２とバリア層３３を同時に形成する。Ｍ
Ｒ素子１２とバリア層３３の形成が完了した後、図５
（Ｃ）に示すように、ＭＲ素子１２と電極層３１との上
面に接続電極層３２を形成する。この接続電極層３２も
スパッタリングおよびエッチングにより形成する。次
に、ＭＲ素子１２、接続電極層３２、電極層３１および
バリア層３３を覆う上部ギャップ層１５を形成する。こ
の上部ギャップ層１５はアルミナをスパッタリングして
形成する。

【００３０】図５（Ｄ）に示すように、（ハ）部におい
て上部ギャップ層１５にコンタクトホール１５ａをイオ
ンミーリングなどによりエッチング加工する。このとき
バリア層３３が有るために、ミーリングによるダメージ
が電極層３１に及ぶことがなく、電極層３１が薄くて
も、この電極層３１が削られることがない。次に図５
（Ｅ）に示すように、上部ギャップ層１５の上に上部シ
ールド層４と引出し層１６を同時に形成する。この両層
４と１６はパーマロイのメッキ層から同時にエッチング
形成される。またこのとき引出し層１６がコンタクトホ
ール１５ａ内にて電極層３１に導通接続される。図５
（Ｅ）の各層が形成され、さらにコイル層６や上部コア
層５が形成された後、スライダ１のＡＢＳ面１ｂの研磨
と共に（ニ）で示す一点鎖線の部分で切断され、ＭＲ素
子１２がＡＢＳ面１ｂから露出する。図４と図５に示す
実施例では、バリア層３３の存在によりミーリングのダ
メージを直接に受けないため、電極層３１を薄くでき
る。また電極層３１を比抵抗の小さい銅などの材料によ
り形成できるため、導電経路の抵抗値も下げることがで
きる。

【００３１】なお、上記実施例では、バリア層３３がＭ
Ｒ素子１２と同じ材料層によりＭＲ素子１２と同時に形
成されているが、バリア層３３を接続電極層３２と同じ
材料層により、接続電極層３２と同時にエッチング形成
することも可能である。また図２に示した実施例の
（Ａ）部においても、上部ギャップ層１５にコンタクト
ホール１５ａが形成されているが、この実施例において
も電極層１３と上部ギャップ層１５との間にバリア層を
設けることにより、コンタクトホール１５ａをミーリン
グによりエッチング加工する場合に、電極層１３がダメ
ージを受けるのを防止できる。なお、上記実施例では図
６に示すような浮上式磁気ヘッドにおいてインダクティ
ブ型記録ヘッドと併用される場合を想定しているが、本
発明による薄膜磁気ヘッドの使用用途は浮上式磁気ヘッ
ドに限られるものではなく、種々の磁気ヘッドとして実
施可能である。

【００３２】

【発明の効果】請求項１記載の発明では、電極層をシー
ルド層より外の領域に延ばす必要がなく、電極層による
導電経路を短くできる。よって電極層の電気抵抗を従来
よりも下げることができ、電力消費の無駄をなくすこと
ができる。

【００３３】請求項２記載の発明では、銅などのコイル
層と同じ材料層により引出し層を形成できるため、引出
し層の電気抵抗値を下げることができる。

【００３４】請求項３記載の発明では、シールド層の孔
内にシールド層と同じ材料層の接続層が設けられ、この
接続層を介して引出し層と電極層とが導通接続されるた
め、シールド層の膜厚が大きくても、引出し層と電極と
を確実に導通接続できる。

【００３５】請求項４記載の発明では、バリア層でミー
リングによるエッチング加工のダメージを受け止めるこ
とができるため、電極層にダメージが及ばなくなり、薄
い電極層の場合でも上部ギャップ層をミーリングにより
エッチング加工することが可能になる。

【００３６】請求項５記載の発明では、磁気抵抗効果素
子をエッチング形成する際に、この磁気抵抗効果素子と
同じ材料層により電極層上にバリア層を同時に形成する
ことができ、バリア層を形成する工程を別途に設ける必
要がなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明による薄膜磁気ヘッドの実施例を示
す平面図、

【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドのＩＩ−ＩＩ線の断
面図、

【図３】図２のＩＩＩ矢視方向から見た上部シールド層
の部分平面図、

【図４】第２の発明による薄膜磁気ヘッドの実施例を示
す拡大平面図、

【図５】（Ａ）ないし（Ｅ）は、図４に示す各層の形成
工程を工程順に示すものであり、図４のＶ−Ｖ線の断面
図、

【図６】薄膜磁気ヘッドの使用例として浮上式磁気ヘッ
ドを示す斜視図、

【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の拡大断面図、

【図８】図７のＶＩＩＩ矢視の拡大正面図、

【図９】図７のＩＸ矢視平面図、

【図１０】図９のＸ−Ｘ線の断面図、

【図１１】従来の課題を説明するものであり、図１０の
一部拡大図、

【符号の説明】

１スライダ１ａ，１ｂＡＢＳ面２薄膜磁気ヘッド３下部シールド層４上部シールド層４ａ孔４ｂ接続層５上部コア層６コイル層１１下部ギャップ層１２ＭＲ素子１２ａＳＡＬ膜１２ｂＳＨＵＮＴ膜１２ｃＭＲ膜、１３電極層１３ａ反強磁性層（ＡＦ層）１３ｂ導電層１５上部ギャップ層１５ａコンタクトホール１６引出し層２１引出し層２２絶縁樹脂層３１電極層３２接続電極層３３バリア層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者池上正克東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (72)発明者佐藤清東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/39 G11B 5/31

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】下部ギャップ層上に、磁気抵抗効果素子
と、この磁気抵抗効果素子に接続される電極層とが形成
され、電極層の上に上部ギャップ層を介してシールド層
が形成されている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記シール
ド層の上に絶縁層を介して導電性の引出し層が形成さ
れ、シールド層に形成された孔内にて前記引出し層と電
極層とが導通接続されていることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。
【請求項２】引出し層は、絶縁層上に形成されるイン
ダクティブ磁気ヘッド用のコイル層と同じ材料層により
形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】シールド層の孔内に、シールド層と同じ
材料層により形成された接続層が設けられ、引出し層と
電極層がこの接続層を介して導通接続されている請求項
１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】下部ギャップ層上に、磁気抵抗効果を有
する薄膜が含まれた磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗
効果素子に導通される電極層とが形成され、電極層の上
に上部ギャップ層が形成されている薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記電極層と上部ギャップ層との間にバリア層が
部分的に形成され、上部ギャップ層の上に形成された引
出し層が、上部ギャップ層とバリア層とを貫通する凹部
内にて前記電極層に導通接続されていることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】バリア層は、磁気抵抗効果素子と同じ材
料層により形成されている請求項４記載の薄膜磁気ヘッ
ド。