JPH07114714A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH07114714A JPH07114714A JP28170693A JP28170693A JPH07114714A JP H07114714 A JPH07114714 A JP H07114714A JP 28170693 A JP28170693 A JP 28170693A JP 28170693 A JP28170693 A JP 28170693A JP H07114714 A JPH07114714 A JP H07114714A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドに
おいて、シールド層と電極層との電気的絶縁耐圧を向上
させる。 【構成】 メッキパーマロイの下部シールド層３の表面
にアルミナの下部絶縁層１１が形成されて、その上に他
の絶縁層２１ａが形成されている。ＭＲ素子１２の上面
中央にはトラック幅Ｔｗを決める絶縁層２１ｂが形成さ
れている。絶縁像２１ａと絶縁層２１ｂは同じ膜であ
り、溝２２，２２をエッチングすることにより分離され
ている。下部シールド層３と電極層２３との間に二重の
絶縁層１１と２１ａが形成されていることにより、電気
的絶縁耐圧を向上させることができる。また絶縁層２１
ａは、トラック幅Ｔｗを決める絶縁層２１ｂと同時に形
成できるため、絶縁層２１ａを形成する工程を別途に設
ける必要はない。
おいて、シールド層と電極層との電気的絶縁耐圧を向上
させる。 【構成】 メッキパーマロイの下部シールド層３の表面
にアルミナの下部絶縁層１１が形成されて、その上に他
の絶縁層２１ａが形成されている。ＭＲ素子１２の上面
中央にはトラック幅Ｔｗを決める絶縁層２１ｂが形成さ
れている。絶縁像２１ａと絶縁層２１ｂは同じ膜であ
り、溝２２，２２をエッチングすることにより分離され
ている。下部シールド層３と電極層２３との間に二重の
絶縁層１１と２１ａが形成されていることにより、電気
的絶縁耐圧を向上させることができる。また絶縁層２１
ａは、トラック幅Ｔｗを決める絶縁層２１ｂと同時に形
成できるため、絶縁層２１ａを形成する工程を別途に設
ける必要はない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば浮上式磁気ヘッ
ドなどとして使用される薄膜素子を使用した磁気ヘッド
に係り、特に絶縁層の電気的絶縁耐圧を向上させた薄膜
磁気ヘッドに関する。
ドなどとして使用される薄膜素子を使用した磁気ヘッド
に係り、特に絶縁層の電気的絶縁耐圧を向上させた薄膜
磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、薄膜素子を使用した磁気ヘッド
の一例としてハードディスク装置用の浮上式磁気ヘッド
Ｈを示している。この磁気ヘッドＨのスライダ１は、
（イ）がディスク面の移動方向の上流側に向くリーディ
ング側で、（ロ）がトレーリング側である。スライダ１
のディスクに対向する面では、レール状のＡＢＳ面１
ａ，１ａ，１ｂと、ＡＢＳ面の間のエアーグルーブ１ｃ
とが形成されている。そしてスライダ１のトレーリング
側の端面１ｄに薄膜素子２が設けられている。
の一例としてハードディスク装置用の浮上式磁気ヘッド
Ｈを示している。この磁気ヘッドＨのスライダ１は、
（イ）がディスク面の移動方向の上流側に向くリーディ
ング側で、（ロ）がトレーリング側である。スライダ１
のディスクに対向する面では、レール状のＡＢＳ面１
ａ，１ａ，１ｂと、ＡＢＳ面の間のエアーグルーブ１ｃ
とが形成されている。そしてスライダ１のトレーリング
側の端面１ｄに薄膜素子２が設けられている。
【０００３】図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面の拡大
図であり、薄膜素子２の積層構造を示している。この薄
膜素子２は、メッキパーマロイなどの下部シールド層３
と上部シールド層４との間に、磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）を含む再生ヘッド層１０が設けられている。上部
シールド層４の表面には上部コア層５が形成され、上部
シールド層４と上部コア層５との接続部５ａをほぼ中心
として平面状に螺旋形成されたコイル層６が設けられて
いる。そして上部コア層５とコイル層６とが保護膜７に
より覆われている。上部シールド層４はコアとして機能
し、この上部シールド層４と上部コア層５との対向部が
ＡＢＳ面１ｂに現れて、インダクティブ型記録ヘッドの
磁気ギャップＧが形成されている。
図であり、薄膜素子２の積層構造を示している。この薄
膜素子２は、メッキパーマロイなどの下部シールド層３
と上部シールド層４との間に、磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）を含む再生ヘッド層１０が設けられている。上部
シールド層４の表面には上部コア層５が形成され、上部
シールド層４と上部コア層５との接続部５ａをほぼ中心
として平面状に螺旋形成されたコイル層６が設けられて
いる。そして上部コア層５とコイル層６とが保護膜７に
より覆われている。上部シールド層４はコアとして機能
し、この上部シールド層４と上部コア層５との対向部が
ＡＢＳ面１ｂに現れて、インダクティブ型記録ヘッドの
磁気ギャップＧが形成されている。
【０００４】図８は、前記下部シールド層３と上部シー
ルド層４との間に形成された再生ヘッド層１０の構造を
示すものであり、図７のＶＩＩＩ矢視方向から見た拡大
正面図である。図８に示すように、再生ヘッド層１０で
は、下部シールド層３の表面に非磁性体であるアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）の下部絶縁層１１が形成され、この下部絶
縁層１１上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２が積層
されている。このＭＲ素子１２の構成例としては、下か
らＳＡＬ膜１２ａ、非磁性材料のＳＨＵＮＴ膜１２ｂ、
磁気抵抗効果を有するＭＲ膜１２ｃの三層構造である。
ＭＲ素子１２の表面両側部は反強磁性膜（アンチフェロ
ー膜）１３，１３（ＦｅＭｎ）により覆われ、さらにそ
の表面が、例えばタングステン（Ｗ）を主体とした電極
層１４，１４により覆われている。さらに電極層１４，
１４の表面はアルミナなどの上部絶縁層１５により覆わ
れ、その上部が前記上部シールド層４となっている。こ
の再生ヘッド層１０では、ＭＲ膜１２ｃと、下部シール
ド層３または上部シールド層４との間の距離によりギャ
ップ長（Ｇｌ）が決められる。またトラック幅Ｔｗは、
ＭＲ膜１２ｃにおいて、電極層１４と１４との間でセン
ス電流が流れる範囲により決められる。
ルド層４との間に形成された再生ヘッド層１０の構造を
示すものであり、図７のＶＩＩＩ矢視方向から見た拡大
正面図である。図８に示すように、再生ヘッド層１０で
は、下部シールド層３の表面に非磁性体であるアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）の下部絶縁層１１が形成され、この下部絶
縁層１１上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２が積層
されている。このＭＲ素子１２の構成例としては、下か
らＳＡＬ膜１２ａ、非磁性材料のＳＨＵＮＴ膜１２ｂ、
磁気抵抗効果を有するＭＲ膜１２ｃの三層構造である。
ＭＲ素子１２の表面両側部は反強磁性膜（アンチフェロ
ー膜）１３，１３（ＦｅＭｎ）により覆われ、さらにそ
の表面が、例えばタングステン（Ｗ）を主体とした電極
層１４，１４により覆われている。さらに電極層１４，
１４の表面はアルミナなどの上部絶縁層１５により覆わ
れ、その上部が前記上部シールド層４となっている。こ
の再生ヘッド層１０では、ＭＲ膜１２ｃと、下部シール
ド層３または上部シールド層４との間の距離によりギャ
ップ長（Ｇｌ）が決められる。またトラック幅Ｔｗは、
ＭＲ膜１２ｃにおいて、電極層１４と１４との間でセン
ス電流が流れる範囲により決められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構造の再生ヘッド
層１０では、以下の問題がある。従来の下部絶縁層１１
と上部絶縁層１５は、共にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの
無機絶縁材料をスパッタリングした一層構造である。こ
のアルミナなどの無機絶縁材料は、その成膜過程でピン
ホールが形成されやすい。また無機絶縁材料のスパッタ
リング層では、その下の層の段差を平滑化することが困
難であるため、下部絶縁層１１の場合には下部シールド
層３の表面粗度が大きい場合には下部絶縁層１１の表面
の粗度も大きくなる。また上部絶縁層１５の場合には、
電極層１４などの段差を平滑化することが不可能であ
る。よって下部絶縁層１１が、下部シールド層３と反強
磁性膜３との間の絶縁機能を充分に発揮できず、また上
部絶縁層１５も絶縁機能を充分に発揮できないのみなら
ず、電極層の形状に合わせて上部絶縁層１５の表面が凹
凸になり、上部シールド層４を形成しにくくなる。
層１０では、以下の問題がある。従来の下部絶縁層１１
と上部絶縁層１５は、共にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの
無機絶縁材料をスパッタリングした一層構造である。こ
のアルミナなどの無機絶縁材料は、その成膜過程でピン
ホールが形成されやすい。また無機絶縁材料のスパッタ
リング層では、その下の層の段差を平滑化することが困
難であるため、下部絶縁層１１の場合には下部シールド
層３の表面粗度が大きい場合には下部絶縁層１１の表面
の粗度も大きくなる。また上部絶縁層１５の場合には、
電極層１４などの段差を平滑化することが不可能であ
る。よって下部絶縁層１１が、下部シールド層３と反強
磁性膜３との間の絶縁機能を充分に発揮できず、また上
部絶縁層１５も絶縁機能を充分に発揮できないのみなら
ず、電極層の形状に合わせて上部絶縁層１５の表面が凹
凸になり、上部シールド層４を形成しにくくなる。
【０００６】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
であり、絶縁層の電気的絶縁耐圧を向上させるととも
に、平滑な絶縁層を形成できるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することを目的としている。
であり、絶縁層の電気的絶縁耐圧を向上させるととも
に、平滑な絶縁層を形成できるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、シールド層の
上に下部絶縁層が形成され、この下部絶縁層の上に、磁
気抵抗効果を有する薄膜が含まれた磁気抵抗効果素子
と、この磁気抵抗効果素子に接続された電極層が形成さ
れている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部絶縁層と電
極層との間に、さらに他の絶縁層が形成されていること
を特徴とするものである。
上に下部絶縁層が形成され、この下部絶縁層の上に、磁
気抵抗効果を有する薄膜が含まれた磁気抵抗効果素子
と、この磁気抵抗効果素子に接続された電極層が形成さ
れている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部絶縁層と電
極層との間に、さらに他の絶縁層が形成されていること
を特徴とするものである。
【０００８】また上記において、磁気抵抗効果素子の上
面と電極層との間に、トラック幅を決める絶縁層が設け
られ、このトラック幅を決める絶縁層と前記他の絶縁層
とが同じ絶縁膜により形成されているものである。
面と電極層との間に、トラック幅を決める絶縁層が設け
られ、このトラック幅を決める絶縁層と前記他の絶縁層
とが同じ絶縁膜により形成されているものである。
【０００９】さらに、シールド層の上に、下部絶縁層、
磁気抵抗効果を有する薄膜が含まれた磁気抵抗効果素
子、この磁気抵抗効果素子に接続された電極層、この電
極層と上部シールド層との間に形成された上部絶縁層が
設けられている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部絶縁
層と上部絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁材料によ
り形成され、または、前記下部絶縁層と上部絶縁層の少
なくとも一方が、無機絶縁材料に有機絶縁材料が積層さ
れたものであることを特徴とするものである。
磁気抵抗効果を有する薄膜が含まれた磁気抵抗効果素
子、この磁気抵抗効果素子に接続された電極層、この電
極層と上部シールド層との間に形成された上部絶縁層が
設けられている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部絶縁
層と上部絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁材料によ
り形成され、または、前記下部絶縁層と上部絶縁層の少
なくとも一方が、無機絶縁材料に有機絶縁材料が積層さ
れたものであることを特徴とするものである。
【００１０】上記において、有機絶縁材料は、記録媒体
との対向面に露出しない範囲で成膜されていることが好
ましい。
との対向面に露出しない範囲で成膜されていることが好
ましい。
【００１１】
【作用】上記第１の手段では、シールド層と電極層との
間が、下部絶縁層にさらに他の絶縁層が積層された二重
の絶縁構造となっている。そのためシールド層と電極層
との間の電気的絶縁耐圧を高めることができる。また磁
気抵抗効果素子の表面に設けられるトラック幅を決める
絶縁層と、前記他の絶縁層とを同じ絶縁膜により形成す
ることが可能である。例えば磁気抵抗効果素子と下部絶
縁層の両表面に前記絶縁材料の層を形成した後に、エッ
チングやミーリングを施して、トラック幅を決める絶縁
層と前記他の絶縁層とを分離できる。あるいはこの２つ
の絶縁層をパターンを使用したリフトオフにより同時に
形成することも可能である。
間が、下部絶縁層にさらに他の絶縁層が積層された二重
の絶縁構造となっている。そのためシールド層と電極層
との間の電気的絶縁耐圧を高めることができる。また磁
気抵抗効果素子の表面に設けられるトラック幅を決める
絶縁層と、前記他の絶縁層とを同じ絶縁膜により形成す
ることが可能である。例えば磁気抵抗効果素子と下部絶
縁層の両表面に前記絶縁材料の層を形成した後に、エッ
チングやミーリングを施して、トラック幅を決める絶縁
層と前記他の絶縁層とを分離できる。あるいはこの２つ
の絶縁層をパターンを使用したリフトオフにより同時に
形成することも可能である。
【００１２】また、下部絶縁層と上部絶縁層の少なくと
も一方を、レジスト材料やポリイミド樹脂などの有機絶
縁材料により形成すれば、これら絶縁層の下の層の形状
や面粗度に関係なく、平滑化された絶縁層を形成でき
る。特にアルミナなどの無機絶縁材料に前記有機絶縁材
料を積層して絶縁層を形成すれば、無機絶縁材料のスパ
ッタリングによる表面の凹凸やピンホールなどを有機絶
縁材料によりカバーでき、電気的絶縁耐圧を向上させる
ことができる。なお記録媒体との対向面が研磨などされ
る構造の磁気ヘッドの場合には、前記有機絶縁材料の層
を、記録媒体との対向面から露出しない範囲に形成する
ことが好ましい。
も一方を、レジスト材料やポリイミド樹脂などの有機絶
縁材料により形成すれば、これら絶縁層の下の層の形状
や面粗度に関係なく、平滑化された絶縁層を形成でき
る。特にアルミナなどの無機絶縁材料に前記有機絶縁材
料を積層して絶縁層を形成すれば、無機絶縁材料のスパ
ッタリングによる表面の凹凸やピンホールなどを有機絶
縁材料によりカバーでき、電気的絶縁耐圧を向上させる
ことができる。なお記録媒体との対向面が研磨などされ
る構造の磁気ヘッドの場合には、前記有機絶縁材料の層
を、記録媒体との対向面から露出しない範囲に形成する
ことが好ましい。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
本発明の第１実施例による薄膜磁気ヘッドの構成を示す
ものである。この薄膜磁気ヘッドは、例えば図６と図７
に示す浮上式磁気ヘッドの薄膜素子２の再生ヘッド層１
０として使用されるものであり、図１は浮上式磁気ヘッ
ドのＡＢＳ面１ｂ側から見た拡大正面図である。また図
２は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。スライダ１のト
レーリング側端面１ｄには、例えばメッキパーマロイ
（ＮｉＦｅ）の下部シールド層３と、下部絶縁層１１と
が積層されている。下部絶縁層１１はアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）をスパッタリング成膜したものである。この下部
絶縁層１１の上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２が
積層されている。このＭＲ素子１２は三層構造であり、
下からＳＡＬ膜１２ａ、非磁性材料のＳＨＵＮＴ膜１２
ｂ、磁気抵抗効果を有するＭＲ膜１２ｃである。
本発明の第１実施例による薄膜磁気ヘッドの構成を示す
ものである。この薄膜磁気ヘッドは、例えば図６と図７
に示す浮上式磁気ヘッドの薄膜素子２の再生ヘッド層１
０として使用されるものであり、図１は浮上式磁気ヘッ
ドのＡＢＳ面１ｂ側から見た拡大正面図である。また図
２は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。スライダ１のト
レーリング側端面１ｄには、例えばメッキパーマロイ
（ＮｉＦｅ）の下部シールド層３と、下部絶縁層１１と
が積層されている。下部絶縁層１１はアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）をスパッタリング成膜したものである。この下部
絶縁層１１の上に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１２が
積層されている。このＭＲ素子１２は三層構造であり、
下からＳＡＬ膜１２ａ、非磁性材料のＳＨＵＮＴ膜１２
ｂ、磁気抵抗効果を有するＭＲ膜１２ｃである。
【００１４】図１の実施例では、ＭＲ素子１２の左右縁
部上面から下部絶縁層１１の表面にかけて他の絶縁層２
１ａが形成され、またＭＲ素子１２の中央表面には、幅
寸法Ｔｗの帯状の絶縁層２１ｂが形成されている。図２
に示すように、絶縁層２１ａと絶縁層２１ｂは、同じ膜
により連続しているものであり、ＭＲ素子１２の表面で
は溝２２と２２が形成されている。その結果、図１では
絶縁層２１ａと絶縁層２１ｂとが分離した状態に現れて
いる。上記絶縁層２１ａと２１ｂは、ＭＲ素子１２と下
部絶縁層１１の表面にＳｉ3Ｎ4の薄膜をスパッタリング
形成し、その後に溝２２と２２の部分をエッチングする
ことにより形成される。絶縁層２１ａと２１ｂの材料と
しては、Ｓｉ3Ｎ4以外のＳｉ−Ｎ系材料、または、Ｓｉ
−Ｏ系、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系、Ｔａ2Ｏ3などの材料が使用可
能である。エッチングが可能な材料の場合には溝２２，
２２はエッチング形成され、ミーリング加工が必要とな
る材料の場合には、溝２２，２２がイオンミーリング加
工などにより形成される。またリフトオフによる場合に
は、溝２２，２２に相当する部分をレジストによりマス
キングして成膜することにより、絶縁層２１ａと２１ｂ
とを形成できる。
部上面から下部絶縁層１１の表面にかけて他の絶縁層２
１ａが形成され、またＭＲ素子１２の中央表面には、幅
寸法Ｔｗの帯状の絶縁層２１ｂが形成されている。図２
に示すように、絶縁層２１ａと絶縁層２１ｂは、同じ膜
により連続しているものであり、ＭＲ素子１２の表面で
は溝２２と２２が形成されている。その結果、図１では
絶縁層２１ａと絶縁層２１ｂとが分離した状態に現れて
いる。上記絶縁層２１ａと２１ｂは、ＭＲ素子１２と下
部絶縁層１１の表面にＳｉ3Ｎ4の薄膜をスパッタリング
形成し、その後に溝２２と２２の部分をエッチングする
ことにより形成される。絶縁層２１ａと２１ｂの材料と
しては、Ｓｉ3Ｎ4以外のＳｉ−Ｎ系材料、または、Ｓｉ
−Ｏ系、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系、Ｔａ2Ｏ3などの材料が使用可
能である。エッチングが可能な材料の場合には溝２２，
２２はエッチング形成され、ミーリング加工が必要とな
る材料の場合には、溝２２，２２がイオンミーリング加
工などにより形成される。またリフトオフによる場合に
は、溝２２，２２に相当する部分をレジストによりマス
キングして成膜することにより、絶縁層２１ａと２１ｂ
とを形成できる。
【００１５】上記絶縁層２１ａと２１ｂの上には、電極
層２３，２３が形成されている。この電極層２３，２３
は、下層がＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ構成の反強磁性膜（アン
チフェロー膜）１３で、上層がＴａ／Ｃｕ／Ｔａ構成の
導電膜１４である。この電極層２３，２３は、絶縁層２
１ａの表面からＭＲ素子１２の表面に延び、絶縁層２１
ｂの上面両縁部にかけて形成されている。この電極層２
３，２３は前記溝２２，２２内にてＭＲ素子１２の最表
面のＭＲ膜１２ｃに導通されている。そして絶縁層２１
ｂの幅寸法Ｔｗによりトラック幅が決められている。上
記実施例では、反強磁性膜１３が電極層２３の全域にて
下層として形成されているが、反強磁性膜１３は、ＭＲ
素子１２に接する部分にのみ形成され、他の部分では電
極層２３の導電膜１４が絶縁層２１ａに接触していても
よい。上記第１実施例では、下部シールド層３と電極層
２３（反強磁性膜１４）との間が、下部絶縁層１１と絶
縁層２１ａとの二重の絶縁構造となっているため、絶縁
性を向上させることができる。またこの絶縁層２１ａ
は、トラック幅を決める絶縁層２１ｂと同時に成膜で
き、エッチングなどによりＭＲ素子１２上にて絶縁層２
１ａと２１ｂとを分離させることにより形成できるた
め、絶縁層２１ａの成膜工程を別途に設ける必要はな
い。
層２３，２３が形成されている。この電極層２３，２３
は、下層がＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ構成の反強磁性膜（アン
チフェロー膜）１３で、上層がＴａ／Ｃｕ／Ｔａ構成の
導電膜１４である。この電極層２３，２３は、絶縁層２
１ａの表面からＭＲ素子１２の表面に延び、絶縁層２１
ｂの上面両縁部にかけて形成されている。この電極層２
３，２３は前記溝２２，２２内にてＭＲ素子１２の最表
面のＭＲ膜１２ｃに導通されている。そして絶縁層２１
ｂの幅寸法Ｔｗによりトラック幅が決められている。上
記実施例では、反強磁性膜１３が電極層２３の全域にて
下層として形成されているが、反強磁性膜１３は、ＭＲ
素子１２に接する部分にのみ形成され、他の部分では電
極層２３の導電膜１４が絶縁層２１ａに接触していても
よい。上記第１実施例では、下部シールド層３と電極層
２３（反強磁性膜１４）との間が、下部絶縁層１１と絶
縁層２１ａとの二重の絶縁構造となっているため、絶縁
性を向上させることができる。またこの絶縁層２１ａ
は、トラック幅を決める絶縁層２１ｂと同時に成膜で
き、エッチングなどによりＭＲ素子１２上にて絶縁層２
１ａと２１ｂとを分離させることにより形成できるた
め、絶縁層２１ａの成膜工程を別途に設ける必要はな
い。
【００１６】図３は、本発明の第２実施例による薄膜磁
気ヘッドを示すものであり、浮上式磁気ヘッドの図７と
同じ断面にて再生ヘッド層を拡大して示したものであ
る。また図４は図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図である。ス
ライダ１のトレーリング側端面１ｄには、下部シールド
層３が形成され、その表面にアルミナによる下部絶縁層
１１が形成されている。そしてＡＢＳ面１ｂに露出する
部分には三層構造のＭＲ素子１２が積層されている。こ
のＭＲ素子１２が設けられている部分よりも奥側では、
下部絶縁層１１の表面に有機絶縁層３１が形成されてい
る。反強磁性膜１３と導電膜１４とから成る電極層２
３，２３は、ＭＲ素子１２の左右両端部上面から奥方へ
延びるように形成されている。この電極層２３の表面に
は、アルミナをスパッタリングした上部絶縁層１５が形
成され、その表面に有機絶縁層３２が形成されている。
そしてその上面に上部シールド層４が形成されている。
気ヘッドを示すものであり、浮上式磁気ヘッドの図７と
同じ断面にて再生ヘッド層を拡大して示したものであ
る。また図４は図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図である。ス
ライダ１のトレーリング側端面１ｄには、下部シールド
層３が形成され、その表面にアルミナによる下部絶縁層
１１が形成されている。そしてＡＢＳ面１ｂに露出する
部分には三層構造のＭＲ素子１２が積層されている。こ
のＭＲ素子１２が設けられている部分よりも奥側では、
下部絶縁層１１の表面に有機絶縁層３１が形成されてい
る。反強磁性膜１３と導電膜１４とから成る電極層２
３，２３は、ＭＲ素子１２の左右両端部上面から奥方へ
延びるように形成されている。この電極層２３の表面に
は、アルミナをスパッタリングした上部絶縁層１５が形
成され、その表面に有機絶縁層３２が形成されている。
そしてその上面に上部シールド層４が形成されている。
【００１７】図４には、上記有機絶縁層３１と３２の形
成範囲が示されているが、この有機絶縁層３１と３２は
ＡＢＳ面１ｂに露出しない部分で、しかも電極層２３の
領域のほとんどを覆うことができる範囲に形成されてい
る。上記有機絶縁層３１と３２の材料としては、レジス
ト膜として使用される樹脂材料やポリイミドなどの樹脂
材料が使用される。その形成方法は、下部絶縁層１１ま
たは上部絶縁層１５がアルミナによりスパッタリング成
膜された後に、例えば前記レジスト膜材料をスピンコー
ト法にて下部絶縁層１１または上部絶縁層１５の表面の
全域にコーティングする。その後、露光、現象して有機
絶縁層３１，３２のパターンを形成し、次にレジスト膜
材料を硬化させる。このレジスト膜材料の硬化処理とし
ては、２８０〜２９０℃でベーキングするか、紫外線照
射により１２０〜１３０℃の比較的低い温度で硬化させ
る。紫外線照射では膜の硬化時の収縮を最小にでき、膜
を平坦化できる。なお減圧雰囲気内で紫外線を照射して
もよい。これにより、前記有機絶縁層３１と３２の形成
を完了する。
成範囲が示されているが、この有機絶縁層３１と３２は
ＡＢＳ面１ｂに露出しない部分で、しかも電極層２３の
領域のほとんどを覆うことができる範囲に形成されてい
る。上記有機絶縁層３１と３２の材料としては、レジス
ト膜として使用される樹脂材料やポリイミドなどの樹脂
材料が使用される。その形成方法は、下部絶縁層１１ま
たは上部絶縁層１５がアルミナによりスパッタリング成
膜された後に、例えば前記レジスト膜材料をスピンコー
ト法にて下部絶縁層１１または上部絶縁層１５の表面の
全域にコーティングする。その後、露光、現象して有機
絶縁層３１，３２のパターンを形成し、次にレジスト膜
材料を硬化させる。このレジスト膜材料の硬化処理とし
ては、２８０〜２９０℃でベーキングするか、紫外線照
射により１２０〜１３０℃の比較的低い温度で硬化させ
る。紫外線照射では膜の硬化時の収縮を最小にでき、膜
を平坦化できる。なお減圧雰囲気内で紫外線を照射して
もよい。これにより、前記有機絶縁層３１と３２の形成
を完了する。
【００１８】有機絶縁層ではその下の層の凹凸を覆って
平坦化できるため、アルミナの下部絶縁層１１のピンホ
ールなどを被覆でき、また電極層２３を設けたことによ
る上部絶縁層１５の凹凸を平滑化でき、その上の層であ
る上部シールド層４を形成しやすくなる。また図６など
に示す浮上式磁気ヘッドでは、成膜後にＡＢＳ面１ｂの
研磨作業が行われる。よって機械的強度の弱い有機絶縁
層３１と３２はこのＡＢＳ膜１ｂの研磨面に露出させな
いのが望ましい。したがって有機絶縁層３１と３２は、
例えば図４にて（イ）で示すように、ＡＢＳ面１ｂに露
出しない限界位置まで張り出させてパターンニングする
ことが好ましい。
平坦化できるため、アルミナの下部絶縁層１１のピンホ
ールなどを被覆でき、また電極層２３を設けたことによ
る上部絶縁層１５の凹凸を平滑化でき、その上の層であ
る上部シールド層４を形成しやすくなる。また図６など
に示す浮上式磁気ヘッドでは、成膜後にＡＢＳ面１ｂの
研磨作業が行われる。よって機械的強度の弱い有機絶縁
層３１と３２はこのＡＢＳ膜１ｂの研磨面に露出させな
いのが望ましい。したがって有機絶縁層３１と３２は、
例えば図４にて（イ）で示すように、ＡＢＳ面１ｂに露
出しない限界位置まで張り出させてパターンニングする
ことが好ましい。
【００１９】図５は本発明の薄膜磁気ヘッドの第３実施
例の断面図であり、図３に示すのと同じ部分の断面図で
ある。この実施例では、メッキパーマロイによる下部シ
ールド層３の表面に下部絶縁層として有機絶縁層３３が
形成されている。ただしＡＢＳ面１ｂに露出する部分で
は、下部シールド層３の表面にアルミナによる部分絶縁
層３５が形成され、その上にＭＲ素子１２が積層されて
いる。ＭＲ素子１２の表面から有機絶縁層３３の表面に
かけて電極層２３が形成されている。そして電極層２３
の表面に、上部絶縁層として有機絶縁層３４が形成され
ている。またＡＢＳ面１ｂに露出する部分では電極層２
３の表面にアルミナによる部分絶縁層３６が形成されて
いる。この部分絶縁層３６および有機絶縁層３４の上に
上部シールド層４が形成されている。
例の断面図であり、図３に示すのと同じ部分の断面図で
ある。この実施例では、メッキパーマロイによる下部シ
ールド層３の表面に下部絶縁層として有機絶縁層３３が
形成されている。ただしＡＢＳ面１ｂに露出する部分で
は、下部シールド層３の表面にアルミナによる部分絶縁
層３５が形成され、その上にＭＲ素子１２が積層されて
いる。ＭＲ素子１２の表面から有機絶縁層３３の表面に
かけて電極層２３が形成されている。そして電極層２３
の表面に、上部絶縁層として有機絶縁層３４が形成され
ている。またＡＢＳ面１ｂに露出する部分では電極層２
３の表面にアルミナによる部分絶縁層３６が形成されて
いる。この部分絶縁層３６および有機絶縁層３４の上に
上部シールド層４が形成されている。
【００２０】この実施例では、下部絶縁層と上部絶縁層
として、従来のスパッタリング形成されたアルミナ層の
代わりに有機絶縁層３３と３４を直接形成している。よ
って下部シールド層３や電極層２３の表面の面粗度が粗
い場合であっても、有機絶縁層３３と３４の表面は前記
面粗度の影響を受けることなく平滑化できる。なお有機
絶縁層３３と３４の成膜工程は、前記第２実施例にて述
べたのと同様に、スピンコート、露光現像による不要部
分の除去、紫外線照射による硬化工程の順である。な
お、ＡＢＳ面１ｂの研磨作業が不要な場合には、有機絶
縁層３３と３４をＡＢＳ面１ｂまで延ばし、部分絶縁層
３５と３６を設けなくてもよい。また図３と図５に示す
それぞれの実施例では、下部絶縁層と上部絶縁層の双方
が、無機絶縁材料と有機絶縁材料との積層体、または有
機絶縁層のみにより形成されているが、下部絶縁層と上
部絶縁層のいずれか一方のみが、無機絶縁材料と有機絶
縁材料との積層体、または有機絶縁層により形成されて
いてもよい。
として、従来のスパッタリング形成されたアルミナ層の
代わりに有機絶縁層３３と３４を直接形成している。よ
って下部シールド層３や電極層２３の表面の面粗度が粗
い場合であっても、有機絶縁層３３と３４の表面は前記
面粗度の影響を受けることなく平滑化できる。なお有機
絶縁層３３と３４の成膜工程は、前記第２実施例にて述
べたのと同様に、スピンコート、露光現像による不要部
分の除去、紫外線照射による硬化工程の順である。な
お、ＡＢＳ面１ｂの研磨作業が不要な場合には、有機絶
縁層３３と３４をＡＢＳ面１ｂまで延ばし、部分絶縁層
３５と３６を設けなくてもよい。また図３と図５に示す
それぞれの実施例では、下部絶縁層と上部絶縁層の双方
が、無機絶縁材料と有機絶縁材料との積層体、または有
機絶縁層のみにより形成されているが、下部絶縁層と上
部絶縁層のいずれか一方のみが、無機絶縁材料と有機絶
縁材料との積層体、または有機絶縁層により形成されて
いてもよい。
【００２１】また、上記実施例では電極層２３が直接Ｍ
Ｒ素子１２に接続されているが、この電極層２３とＭＲ
素子１２とを離して形成し、電極層２３とＭＲ素子１２
とを接続する接続電極層を別個に形成してもよい。この
場合電極層２３はスライダ１のＡＢＳ面１ｂに現れず、
ＡＢＳ面の研磨作業が電極層２３に影響を及ぼさないた
め電極層２３を機械的強度の低い低抵抗材料、例えば銅
（Ｃｕ）により構成することができ、電極層全体の抵抗
値を下げ消費電力を低減させることができる。なお、上
記実施例では図６に示すような浮上式磁気ヘッドにおい
てインダクティブ型記録ヘッドと併用される薄膜磁気ヘ
ッドを想定しているが、本発明による薄膜磁気ヘッドの
使用用途は浮上式磁気ヘッドに限られるものではなく、
種々の磁気ヘッドとして実施可能である。
Ｒ素子１２に接続されているが、この電極層２３とＭＲ
素子１２とを離して形成し、電極層２３とＭＲ素子１２
とを接続する接続電極層を別個に形成してもよい。この
場合電極層２３はスライダ１のＡＢＳ面１ｂに現れず、
ＡＢＳ面の研磨作業が電極層２３に影響を及ぼさないた
め電極層２３を機械的強度の低い低抵抗材料、例えば銅
（Ｃｕ）により構成することができ、電極層全体の抵抗
値を下げ消費電力を低減させることができる。なお、上
記実施例では図６に示すような浮上式磁気ヘッドにおい
てインダクティブ型記録ヘッドと併用される薄膜磁気ヘ
ッドを想定しているが、本発明による薄膜磁気ヘッドの
使用用途は浮上式磁気ヘッドに限られるものではなく、
種々の磁気ヘッドとして実施可能である。
【００２２】
【発明の効果】請求項１記載の発明では、シールド層と
電極層との間が二重の絶縁層となっているため、電気的
絶縁耐圧を向上させることができる。
電極層との間が二重の絶縁層となっているため、電気的
絶縁耐圧を向上させることができる。
【００２３】請求項２記載の発明では、下部絶縁層の上
に積層される他の絶縁層を、トラック幅を決める絶縁層
と同時に成膜できるため、前記他の絶縁層の成膜工程を
別途に設ける必要はない。
に積層される他の絶縁層を、トラック幅を決める絶縁層
と同時に成膜できるため、前記他の絶縁層の成膜工程を
別途に設ける必要はない。
【００２４】請求項３記載の発明では、下部絶縁層と上
部絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁材料により形成
されているため、平滑な絶縁層を得ることができる。
部絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁材料により形成
されているため、平滑な絶縁層を得ることができる。
【００２５】請求項４記載の発明では、下部絶縁層と上
部絶縁層の少なくとも一方が、無機絶縁材料に有機絶縁
材料が積層されたものであるため、無機絶縁材料を成膜
したときの表面の凹凸やピンホールを無機絶縁材料によ
り覆うことができる。
部絶縁層の少なくとも一方が、無機絶縁材料に有機絶縁
材料が積層されたものであるため、無機絶縁材料を成膜
したときの表面の凹凸やピンホールを無機絶縁材料によ
り覆うことができる。
【００２６】請求項５記載の発明では、有機絶縁材料
が、記録媒体との対向面に露出しない範囲に形成されて
いるため、ＡＢＳ面の研磨作業面に有機絶縁材料が現れ
ることがない。
が、記録媒体との対向面に露出しない範囲に形成されて
いるため、ＡＢＳ面の研磨作業面に有機絶縁材料が現れ
ることがない。
【図１】本発明の第１実施例の薄膜磁気ヘッドを示す拡
大正面図、
大正面図、
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面図、
【図３】本発明の第２実施例の薄膜磁気ヘッドを示す縦
断面図、
断面図、
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線の断面図、
【図５】本発明の第３実施例の薄膜磁気ヘッドを示す縦
断面図、
断面図、
【図６】薄膜磁気ヘッドの使用例として浮上式磁気ヘッ
ドを示す斜視図、
ドを示す斜視図、
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面の拡大図、
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す図７のＶＩ
ＩＩ矢視の拡大正面図、
ＩＩ矢視の拡大正面図、
１ スライダ １ｂ ＡＢＳ面 １ｄ トレーリング側端部 ２ 薄膜素子 ３，４ シールド層 １０ 再生ヘッド層 １１ 下部絶縁層 １２ ＭＲ素子 １２ａ ＳＡＬ膜 １２ｂ ＳＨＵＮＴ膜 １２ｃ ＭＲ膜、 １３ 反強磁性膜 １４ 導電膜 １５ 上部絶縁層 ２１ａ 他の絶縁層 ２１ｂ トラック幅Ｔｗを決める絶縁層 ２３ 電極層 ３１，３２，３３，３４ 有機絶縁層 ３５，３６ 部分絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池上 正克 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 山田 稔 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 シールド層の上に下部絶縁層が形成さ
れ、この下部絶縁層の上に、磁気抵抗効果を有する薄膜
が含まれた磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子
に接続された電極層が形成されている薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記下部絶縁層と電極層との間に、さらに他の
絶縁層が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子の上面と電極層との間
に、トラック幅を決める絶縁層が設けられ、このトラッ
ク幅を決める絶縁層と前記他の絶縁層とが同じ絶縁膜に
より形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 シールド層の上に、下部絶縁層、磁気抵
抗効果を有する薄膜が含まれた磁気抵抗効果素子、この
磁気抵抗効果素子に接続された電極層、この電極層と上
部シールド層との間に形成された上部絶縁層が設けられ
ている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部絶縁層と上部
絶縁層の少なくとも一方が、有機絶縁材料により形成さ
れていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 シールド層の上に、下部絶縁層、磁気抵
抗効果を有する薄膜が含まれた磁気抵抗効果素子、この
磁気抵抗効果素子に接続された電極層、この電極層と上
部シールド層との間に形成された上部絶縁層が設けられ
ている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部絶縁層と上部
絶縁層の少なくとも一方が、無機絶縁材料に有機絶縁材
料が積層されたものであることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項５】 有機絶縁材料が、記録媒体との対向面に
露出していない請求項３または４記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05281706A JP3128407B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05281706A JP3128407B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 薄膜磁気ヘッド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11247428A Division JP2000067419A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07114714A true JPH07114714A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3128407B2 JP3128407B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=17642850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05281706A Expired - Fee Related JP3128407B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128407B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563678B2 (en) | 1998-10-08 | 2003-05-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having insolating layer provided between gap layer and shielding layer |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP05281706A patent/JP3128407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563678B2 (en) | 1998-10-08 | 2003-05-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head having insolating layer provided between gap layer and shielding layer |
| US6678940B2 (en) | 1998-10-08 | 2004-01-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of making a thin-film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3128407B2 (ja) | 2001-01-29 |
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