JP2511523B2 - 磁気抵抗センサ - Google Patents
磁気抵抗センサInfo
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Magnetic Heads (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は磁気媒体から情報を読み取るための磁気変換
器に関し、より具体的に言えば新規な磁気抵抗センサに
関する。
器に関し、より具体的に言えば新規な磁気抵抗センサに
関する。
B.従来の技術 高い線密度で磁気媒体表面からデータを読み取る能力
のある磁気抵抗（MR）センサ又は磁気抵抗ヘッドと称さ
れる磁気変換器は従来から公知である。このような磁気
抵抗センサは磁気抵抗材料から作られた読み取り素子に
より検知される磁束の量及び方向の関数としてその読み
取り素子の抵抗の変化によって磁界の信号を検出する。
のある磁気抵抗（MR）センサ又は磁気抵抗ヘッドと称さ
れる磁気変換器は従来から公知である。このような磁気
抵抗センサは磁気抵抗材料から作られた読み取り素子に
より検知される磁束の量及び方向の関数としてその読み
取り素子の抵抗の変化によって磁界の信号を検出する。
従来、磁気抵抗センサは動作特性が不安定であるとい
う問題を有しているため、実用性の隘路となっていた。
この不安定な動作特性の原因の１つは磁気抵抗フィルム
の抵抗の変化を感知する導電性リード構造体である。こ
の導電性リード構造体は良導体である公知の低電気抵抗
材料で形成されている。例えば、米国特許第4622613号
は銅、金及び銀で形成された導電性リードを持つ磁気抵
抗センサを開示している。米国特許第4663684号は金ま
たはアルミニウムで形成された導電性リードを持つ磁気
抵抗センサを開示している。米国特許第4503394号は２
層で構成されたリード構造体を持つ磁気抵抗センサを記
載しており、リード構造体の第１層はクロム、モリブデ
ン及びチタンからなるグループから選ばれた１つの材料
で構成され、第２層はアルミニウム、金、白金及びパラ
ジウムからなるグループから選ばれた１つの材料で構成
されている。
う問題を有しているため、実用性の隘路となっていた。
この不安定な動作特性の原因の１つは磁気抵抗フィルム
の抵抗の変化を感知する導電性リード構造体である。こ
の導電性リード構造体は良導体である公知の低電気抵抗
材料で形成されている。例えば、米国特許第4622613号
は銅、金及び銀で形成された導電性リードを持つ磁気抵
抗センサを開示している。米国特許第4663684号は金ま
たはアルミニウムで形成された導電性リードを持つ磁気
抵抗センサを開示している。米国特許第4503394号は２
層で構成されたリード構造体を持つ磁気抵抗センサを記
載しており、リード構造体の第１層はクロム、モリブデ
ン及びチタンからなるグループから選ばれた１つの材料
で構成され、第２層はアルミニウム、金、白金及びパラ
ジウムからなるグループから選ばれた１つの材料で構成
されている。
C.発明が解決しようとする問題点 従来の導電性リード構造体を使用した磁気抵抗センサ
の持つ問題はリード構造体の歪みが大きく、密着性が悪
く、後のセンサ処理段階で食刻液が侵入することであ
り、このためリード構造体が故障して磁気抵抗センサの
信頼性を低下させることである。加えて、内部拡散及び
電気マイグレーションの問題が磁気抵抗センサの動作寿
命中に変換器の電気的特性を変化させる。他の問題とし
て、空気ベアリング表面に延びる磁気変換器の部分にお
いて、小さな突起や擦り傷によって磁気抵抗センサに物
理的な変化が生じる問題がある。
の持つ問題はリード構造体の歪みが大きく、密着性が悪
く、後のセンサ処理段階で食刻液が侵入することであ
り、このためリード構造体が故障して磁気抵抗センサの
信頼性を低下させることである。加えて、内部拡散及び
電気マイグレーションの問題が磁気抵抗センサの動作寿
命中に変換器の電気的特性を変化させる。他の問題とし
て、空気ベアリング表面に延びる磁気変換器の部分にお
いて、小さな突起や擦り傷によって磁気抵抗センサに物
理的な変化が生じる問題がある。
製造工程の後続する処理ステップで安定性を保つばか
りではなく、磁気抵抗センサとして使用するための予想
寿命期間中安定性を保つようなリード構造体を有する磁
気抵抗センサは従来知られていない。
りではなく、磁気抵抗センサとして使用するための予想
寿命期間中安定性を保つようなリード構造体を有する磁
気抵抗センサは従来知られていない。
従って、本発明の目的は磁気抵抗センサの予想寿命期
間中安定性を保ち適正な特性を持つ磁気抵抗センサの導
電性リード構造体を提供することにある。
間中安定性を保ち適正な特性を持つ磁気抵抗センサの導
電性リード構造体を提供することにある。
D.問題点を解決するための手段 本発明の磁気抵抗読み取り変換器は磁気抵抗材料の薄
膜及び複数個の導電性リード構造体を含み、該導電性リ
ード構造体の各々は離間した位置で磁気抵抗材料の薄膜
と接触している。導電性リード構造体は磁気抵抗材料と
接触しているタングステンの薄膜及び薄膜上層（オーバ
ーレイヤー）または薄膜上層及び薄膜下層（アンダーレ
イヤー）を有する。これらの上層及び下層を形成する材
料はチタン（Ti）、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、ジ
ルコニウム（Zr）、ハフニウム（Hf）及びチタン−タン
グステン合金（TiW）よりなるグループから選ばれた１
つの材料である。信号出力手段が導電性リード構造体の
内の２つの構造体の間に接続されると、磁気抵抗材料の
薄膜によって遮られる磁界の関数として磁気抵抗材料の
電気抵抗の変化が検出される。
膜及び複数個の導電性リード構造体を含み、該導電性リ
ード構造体の各々は離間した位置で磁気抵抗材料の薄膜
と接触している。導電性リード構造体は磁気抵抗材料と
接触しているタングステンの薄膜及び薄膜上層（オーバ
ーレイヤー）または薄膜上層及び薄膜下層（アンダーレ
イヤー）を有する。これらの上層及び下層を形成する材
料はチタン（Ti）、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、ジ
ルコニウム（Zr）、ハフニウム（Hf）及びチタン−タン
グステン合金（TiW）よりなるグループから選ばれた１
つの材料である。信号出力手段が導電性リード構造体の
内の２つの構造体の間に接続されると、磁気抵抗材料の
薄膜によって遮られる磁界の関数として磁気抵抗材料の
電気抵抗の変化が検出される。
E.実施例 第１図乃至第４図を参照して本発明の磁気抵抗読み取
り変換器組立体の実施例を以下に説明する。第１図にお
いて、磁気読み取りヘッドは適当な基板（図示せず）の
上に設けられた磁気抵抗（MR）センサ10を用いており、
この磁気抵抗センサはデータを実際に感知する中央動作
領域14及び端部領域12の２つの領域に分けることが出来
る。２つの領域12、14には異なった方法でバイアス電圧
がかけられている。即ち、端部領域12のみに長手方向バ
イアスがかけられ、中央動作領域14には横方向バイアス
電圧がかけられている。長手方向バイアスは磁気抵抗材
料層11と直接物理的に接触されるよう付着された反強磁
性交換バイアス層15によって発生される。横方向バイア
スは軟磁性体層16によって発生され、軟磁性体層16は薄
い非磁性体のスペーサ層17によって磁気抵抗材料層11か
ら隔離されている。その目的は磁気抵抗材料層11及び軟
磁性体層16の間の磁気交換結合が中央動作領域内で起こ
るのを阻止することにある。導電性リード構造体18及び
19の内側エッジの間の間隙は出力信号を感知する動作領
域14の部分を構成する。
り変換器組立体の実施例を以下に説明する。第１図にお
いて、磁気読み取りヘッドは適当な基板（図示せず）の
上に設けられた磁気抵抗（MR）センサ10を用いており、
この磁気抵抗センサはデータを実際に感知する中央動作
領域14及び端部領域12の２つの領域に分けることが出来
る。２つの領域12、14には異なった方法でバイアス電圧
がかけられている。即ち、端部領域12のみに長手方向バ
イアスがかけられ、中央動作領域14には横方向バイアス
電圧がかけられている。長手方向バイアスは磁気抵抗材
料層11と直接物理的に接触されるよう付着された反強磁
性交換バイアス層15によって発生される。横方向バイア
スは軟磁性体層16によって発生され、軟磁性体層16は薄
い非磁性体のスペーサ層17によって磁気抵抗材料層11か
ら隔離されている。その目的は磁気抵抗材料層11及び軟
磁性体層16の間の磁気交換結合が中央動作領域内で起こ
るのを阻止することにある。導電性リード構造体18及び
19の内側エッジの間の間隙は出力信号を感知する動作領
域14の部分を構成する。
第２図を参照すると、出力信号isは磁気抵抗センサ10
に電気的に接続されている導電性リード構造体18及び19
によって、センサ手段20に結合される。信号isによって
センサ手段20は磁気媒体上に予め記録されたデータから
磁気抵抗センサ10によって遮られる磁界の関数として中
央動作領域14の抵抗変化を決定することができる。ま
た、バイアス源21は軟磁性体のバイアス用薄膜層16とと
もに、公知のように動作領域14の横断方向にバイアスを
発生するバイアス電流を供給するために、導電性リード
構造体18及び19に接続される。
に電気的に接続されている導電性リード構造体18及び19
によって、センサ手段20に結合される。信号isによって
センサ手段20は磁気媒体上に予め記録されたデータから
磁気抵抗センサ10によって遮られる磁界の関数として中
央動作領域14の抵抗変化を決定することができる。ま
た、バイアス源21は軟磁性体のバイアス用薄膜層16とと
もに、公知のように動作領域14の横断方向にバイアスを
発生するバイアス電流を供給するために、導電性リード
構造体18及び19に接続される。
本発明による導電性リード構造体18及び19の主要な電
流搬送部材はタングステン（Ｗ）である。然しながら、
タングステン単独では信頼性ある薄膜状の導電性リード
構造体を作ることは出来ないことが分っているから、チ
タン（Ti）、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、ジルコニ
ウム（Zr）、ハフニウム（Hf）及びチタン−タングステ
ン合金（TiW）よりなるグループから選ばれた１つの材
料で形成された薄膜をタングステンの薄膜上に被覆した
導電性線リード構造体が設けられる。本発明の他の実施
例として、本発明の導電性リード構造体はTi、Cr、Ta、
Zr、Hf及びTiWよりなるグループから選ばれた１つの材
料で形成された薄膜をタングステンの薄膜下層及び薄膜
上層の両方に被着した構造を持っている。
流搬送部材はタングステン（Ｗ）である。然しながら、
タングステン単独では信頼性ある薄膜状の導電性リード
構造体を作ることは出来ないことが分っているから、チ
タン（Ti）、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、ジルコニ
ウム（Zr）、ハフニウム（Hf）及びチタン−タングステ
ン合金（TiW）よりなるグループから選ばれた１つの材
料で形成された薄膜をタングステンの薄膜上に被覆した
導電性線リード構造体が設けられる。本発明の他の実施
例として、本発明の導電性リード構造体はTi、Cr、Ta、
Zr、Hf及びTiWよりなるグループから選ばれた１つの材
料で形成された薄膜をタングステンの薄膜下層及び薄膜
上層の両方に被着した構造を持っている。
タングステンは引掻き、擦りなどによる機械的損傷に
対する耐性に対して優れた硬度を持ち、そして隣接層へ
の拡散も殆んどないので、本発明の実施例において導電
性リード構造体18及び19の導電性材料として選ばれたも
のである。また、タングステンは電気マイグレーション
に対する優れた寿命と、バルク・フォームで約5.5μΩ
−cmの抵抗率を持っている。この抵抗率は例えば金のよ
うな通常の導電性リード材料よりも高い値であるけれど
も、この値は磁気抵抗センサから読み取り信号を感知す
るための従来の感知回路に大巾な設計変更を行うことな
く使用することが出来る程度に充分に近い値である。
対する耐性に対して優れた硬度を持ち、そして隣接層へ
の拡散も殆んどないので、本発明の実施例において導電
性リード構造体18及び19の導電性材料として選ばれたも
のである。また、タングステンは電気マイグレーション
に対する優れた寿命と、バルク・フォームで約5.5μΩ
−cmの抵抗率を持っている。この抵抗率は例えば金のよ
うな通常の導電性リード材料よりも高い値であるけれど
も、この値は磁気抵抗センサから読み取り信号を感知す
るための従来の感知回路に大巾な設計変更を行うことな
く使用することが出来る程度に充分に近い値である。
タングステンは上述のような優れた特性を持っている
けれども、他方タングステンはタングステン薄膜の形成
方法に或る程度依存した抵抗率を生じるので、薄膜状に
形成することが難しいことがわかった。
けれども、他方タングステンはタングステン薄膜の形成
方法に或る程度依存した抵抗率を生じるので、薄膜状に
形成することが難しいことがわかった。
12乃至20μΩ−cm範囲内の抵抗率ρを持つタングステ
ンの薄膜を製造することができ、この範囲の抵抗率であ
れば通常のリード構造体と置き替えることが出来ること
がわかった。然しながら、タングステン単独の薄膜の性
質は多孔性で接着性が悪く且つ高い応力を生じることが
わかった。この性質の結果、磁気抵抗センサの製造工程
において、タングステンの薄膜は層間亀裂や剥離が発生
する。この構造的欠陥は多孔質のタングステン薄膜に蝕
刻液が侵入し、下地構造体を侵してタングステン薄膜の
剥離を生じることが原因であると考えられる。
ンの薄膜を製造することができ、この範囲の抵抗率であ
れば通常のリード構造体と置き替えることが出来ること
がわかった。然しながら、タングステン単独の薄膜の性
質は多孔性で接着性が悪く且つ高い応力を生じることが
わかった。この性質の結果、磁気抵抗センサの製造工程
において、タングステンの薄膜は層間亀裂や剥離が発生
する。この構造的欠陥は多孔質のタングステン薄膜に蝕
刻液が侵入し、下地構造体を侵してタングステン薄膜の
剥離を生じることが原因であると考えられる。
本発明の１実施例を示す第３図を参照すると、導電性
リード構造体18及び19（19は第３図に示さず）は望まし
くは1000乃至5000Åの範囲の厚さを有するタングステン
・フィルム30を含んでいる。タングステン・フィルム30
は望ましくは25乃至200Åの範囲内の厚さを有する上層3
1が導電性リード構造体18を挟んで延在するように被覆
されており、上層３はTi、Cr、Ta、Zr、Hf及びTiWより
なるグループから選ばれた１つの材料で形成されてい
る。第３図においては、残りのバイアス層は示されてい
ないが、これらの層は通常同じ処理ステップでパターン
化されるので、これらのバイアス層は通常磁気抵抗層11
と同じ外形を持っている。
リード構造体18及び19（19は第３図に示さず）は望まし
くは1000乃至5000Åの範囲の厚さを有するタングステン
・フィルム30を含んでいる。タングステン・フィルム30
は望ましくは25乃至200Åの範囲内の厚さを有する上層3
1が導電性リード構造体18を挟んで延在するように被覆
されており、上層３はTi、Cr、Ta、Zr、Hf及びTiWより
なるグループから選ばれた１つの材料で形成されてい
る。第３図においては、残りのバイアス層は示されてい
ないが、これらの層は通常同じ処理ステップでパターン
化されるので、これらのバイアス層は通常磁気抵抗層11
と同じ外形を持っている。
本発明の導電性リード構造体の他の実施例を第４図に
示す。この実施例においては、リード構造体18′は望ま
しくは25乃至200Åの範囲の厚さを有する下層29を含ん
でいる。タングステンの薄膜フィルム30は下層29上に形
成されており、1000乃至5000Åの範囲の厚さを持ってい
る。タングステン・フィルム30は25乃至200Åの範囲の
厚さを持つ上層31で被覆されている。下層29及び上層31
はTi、Cr、Ta、Zr、Hf及びTiWよりなるグループから選
ばれた１つの材料で形成されている。
示す。この実施例においては、リード構造体18′は望ま
しくは25乃至200Åの範囲の厚さを有する下層29を含ん
でいる。タングステンの薄膜フィルム30は下層29上に形
成されており、1000乃至5000Åの範囲の厚さを持ってい
る。タングステン・フィルム30は25乃至200Åの範囲の
厚さを持つ上層31で被覆されている。下層29及び上層31
はTi、Cr、Ta、Zr、Hf及びTiWよりなるグループから選
ばれた１つの材料で形成されている。
磁気抵抗センサのための種々の導電性リード構造体の
特定の例の実験結果を末尾に掲げた第Ｉ表及び第II表に
示してある。
特定の例の実験結果を末尾に掲げた第Ｉ表及び第II表に
示してある。
第Ｉ表に含まれたリード構造体の例はタングステンの
単一層を持つ導電性リードを含んでいる。第Ｉ表の最初
のデータで示されているように、許容範囲内の抵抗率が
達成可能であるけれども、このリード構造体の他の特定
はリード構造体の特定の設計に必要な要求を満足させる
には不適当である。タングステンの単一層の持つ主な問
題の１つはタングステン・フィルムの多孔質及び高い応
力によって生じると考えられるリード構造体の接着性の
悪さである。高抵抗率のフィルムは緩く堆積された小グ
レイン準安定β相を持ち、他方低抵抗率のフィルムは大
グレインBCCα相を示す。
単一層を持つ導電性リードを含んでいる。第Ｉ表の最初
のデータで示されているように、許容範囲内の抵抗率が
達成可能であるけれども、このリード構造体の他の特定
はリード構造体の特定の設計に必要な要求を満足させる
には不適当である。タングステンの単一層の持つ主な問
題の１つはタングステン・フィルムの多孔質及び高い応
力によって生じると考えられるリード構造体の接着性の
悪さである。高抵抗率のフィルムは緩く堆積された小グ
レイン準安定β相を持ち、他方低抵抗率のフィルムは大
グレインBCCα相を示す。
第Ｉ表及び第II表に示したリード構造体の例はRFダイ
オードでスパッタされた薄膜で形成されたものである。
オードでスパッタされた薄膜で形成されたものである。
第II表に示された実験結果は所望の範囲の抵抗率を持
つ２層のＷ−Ti構造体及び３層のＷ−Ti構造体を作るこ
とが出来ることを示している。また、これらのフィルム
は特定の設計に必要な要求を満足させる他の特性を備え
ている。また第II表に示された結果は２層のＷ−Cr構造
が多くの応用例に適する範囲の抵抗率を有していること
を示している。２層のＷ−Cr構造の他の特性は多くの特
定の設計の要求に適するものであった。また、Cr−Ｗ−
Crからなる３層のリード構造体は多くの特定の設計の要
求に適する同様な特性を持つように製造することが出来
る。
つ２層のＷ−Ti構造体及び３層のＷ−Ti構造体を作るこ
とが出来ることを示している。また、これらのフィルム
は特定の設計に必要な要求を満足させる他の特性を備え
ている。また第II表に示された結果は２層のＷ−Cr構造
が多くの応用例に適する範囲の抵抗率を有していること
を示している。２層のＷ−Cr構造の他の特性は多くの特
定の設計の要求に適するものであった。また、Cr−Ｗ−
Crからなる３層のリード構造体は多くの特定の設計の要
求に適する同様な特性を持つように製造することが出来
る。
また、マグネトロンでスパッタされたフィルムで作ら
れた導電性リード構造体も同じように良好であった。基
板バイアスを用いずに、18乃至22μΩ−cmの範囲の抵抗
率を持つＷ−Taの２層のリード構造体及び３層のリード
構造体を作ることが出来る。また、これらのリード構造
体は多くの特定の設計の要求に適する応力及び他の特性
を持っている。また、マグネトロンでスパッタすること
により作られたＷ−Tiの２層及び３層のフィルムも多く
の特定の設計の要求に適する抵抗率及び他の特性を持っ
ている。
れた導電性リード構造体も同じように良好であった。基
板バイアスを用いずに、18乃至22μΩ−cmの範囲の抵抗
率を持つＷ−Taの２層のリード構造体及び３層のリード
構造体を作ることが出来る。また、これらのリード構造
体は多くの特定の設計の要求に適する応力及び他の特性
を持っている。また、マグネトロンでスパッタすること
により作られたＷ−Tiの２層及び３層のフィルムも多く
の特定の設計の要求に適する抵抗率及び他の特性を持っ
ている。
F.発明の効果 本発明は磁気抵抗センサの予想寿命期間中安定性及び
適正な特性を保つ磁気抵抗センサの導電性リード構造体
を提供する。
適正な特性を保つ磁気抵抗センサの導電性リード構造体
を提供する。
第１図は本発明に従った磁気抵抗読み取り変換器の端部
を示す図、第２図は第１図の変換器の模式的な平面図、
第３図は第１図の３−３の線に沿って切断した変換器の
部分を示す断面図、第４図は本発明に従った磁気抵抗変
換器の他の実施例の部分的な断面図である。 10……磁気抵抗センサ、 11……磁気抵抗材料層、 12……端部領域、 14……動作領域、 15……反強磁性体バイアス層、 16……軟性磁性体層、 17……非磁性のスペーサ、 18、19……導電性リード構造体、 29……薄膜下層、 30……タングステンの薄膜、 31……薄膜上層。
を示す図、第２図は第１図の変換器の模式的な平面図、
第３図は第１図の３−３の線に沿って切断した変換器の
部分を示す断面図、第４図は本発明に従った磁気抵抗変
換器の他の実施例の部分的な断面図である。 10……磁気抵抗センサ、 11……磁気抵抗材料層、 12……端部領域、 14……動作領域、 15……反強磁性体バイアス層、 16……軟性磁性体層、 17……非磁性のスペーサ、 18、19……導電性リード構造体、 29……薄膜下層、 30……タングステンの薄膜、 31……薄膜上層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チヤンギー・フアング アメリカ合衆国カリフオルニア州サン・ ノゼ、サン・アンセルモ・ウエイ6713番 地
Claims (6)
- 【請求項１】磁気抵抗材の薄膜と、 各々が互いに離間した位置で前記磁気抵抗材の薄膜と電
気的に接触している複数の導電性リード構造体と、 ２つの前記導電性リード構造体の間に接続された出力手
段を備え、 前記導電性リード構造体の各々は前記磁気抵抗材の薄膜
と接触しているタングステン薄膜並びにチタン、クロ
ム、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム及びチタン−
タングステン合金からなるグルーブから選ばれた１つの
材料で形成された薄膜上層を有し、 前記タングステン薄膜及び前記上層は前記導電性リード
構造体を挟んで延在しており、 前記出力手段は前記磁気抵抗材中の抵抗変化を前記磁気
抵抗材の薄膜により遮られる磁界の関数として検出する
ことを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項２】前記薄膜上層はタンタル及びチタンよりな
るグルーブから選ばれた１つの材料で形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項３】前記タングステン薄膜は1000−5000Åの厚
さを有し、前記薄膜上層は25−200Åの厚さを有するこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項４】磁気抵抗材の薄膜と、 各々が互いに離間した位置で前記磁気抵抗材の薄膜と電
気的に接触している複数の導電性リード構造体と、 ２つの前記導電性リード構造体の間に接続された出力手
段とを備え、 前記導電性リード構造体の各々は前記磁気抵抗材の薄膜
と接触しているタングステン薄膜並びに薄膜下層及び薄
膜上層を有し、 前記薄膜下層及び前記薄膜上層はチタン、クロム、タン
タル、ジルコニウム、ハフニウム及びチタン−タングス
テン合金からなるグループから選ばれた１つの材料で形
成され、 前記タングステン薄膜及び前記薄膜下層並びに前記薄膜
上層は前記導電性リード構造体を挟んで延在しており、 前記出力手段は前記磁気抵抗材中の抵抗変化を前記磁気
抵抗材の薄膜により遮られる磁界の関数として検出する
ことを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項５】前記薄膜上層はタンタル及びチタンよりな
る群がら選ばれた１つの材料で形成されていることを特
徴とする請求項４記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項６】前記タングステン薄膜は1000−5000Åの厚
さを有し、前記薄膜上層は25−200Åの厚さを有するこ
とを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/234,250 US4914538A (en) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | Magnetoresistive read transducer |
| US234250 | 1988-08-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268706A JPH0268706A (ja) | 1990-03-08 |
| JP2511523B2 true JP2511523B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=22880572
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