JPS5880127A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS5880127A JPS5880127A JP17717281A JP17717281A JPS5880127A JP S5880127 A JPS5880127 A JP S5880127A JP 17717281 A JP17717281 A JP 17717281A JP 17717281 A JP17717281 A JP 17717281A JP S5880127 A JPS5880127 A JP S5880127A
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- Japan
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- conductor
- magnetoresistive
- magneto
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子の製造方法に
関し、特に、磁気抵抗薄膜と信号検出用導体間の接触抵
抗を低減することができる製造力°法に関するものであ
る。
関し、特に、磁気抵抗薄膜と信号検出用導体間の接触抵
抗を低減することができる製造力°法に関するものであ
る。
従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子の基本的な構成の
断面図および平面図を第１図（ｄｌ及び（ｅ）に県す。
断面図および平面図を第１図（ｄｌ及び（ｅ）に県す。
同図において、１は磁気抵抗素子を形成するための基板
、２は磁気抵抗素子を有するパーマロイ等の磁気抵抗薄
膜、４はＡ４．Ａｕ。
、２は磁気抵抗素子を有するパーマロイ等の磁気抵抗薄
膜、４はＡ４．Ａｕ。
Ｃｕ等の金属より成る信号検出用導体膜である。
このような素子を形成するにあたり従来は、第１図（ａ
ｌ及至（ｃｌ Ｋ示すように、磁気抵抗膜２を基板１上
に形成後、ホトレジストをマスクとして化学エツチング
法、イオンエツチング法等により、この磁気抵抗膜２を
第１図（ｂ）に示す如く、パターンニングしてから導体
膜４を第１図（ｃｌに示す様に形成する方法がとられて
いた。しかしこの従来技術による製造方法は、磁気抵抗
膜２と導体膜の界面にホトレジスト残りや、酸化膜など
の高抵抗被膜が形成されやすく、接触抵抗が増大し、し
かも動作中その値が変動するなどの不都合があった。こ
のような問題を解決する方法として、磁気抵抗膜２の表
面をスパッタエツチングして清浄化し、大気中に取り出
すことなく同じ装置内で続けて導体膜４を蒸着する方法
が考えられ・る。しかし、この方法も、磁気抵抗膜２が
５００Ｘ以下の厚さしかない場合、スパッタダメージを
受けて磁気特性が著し−く劣化しやすいため用いること
ができない等の問題があった。
ｌ及至（ｃｌ Ｋ示すように、磁気抵抗膜２を基板１上
に形成後、ホトレジストをマスクとして化学エツチング
法、イオンエツチング法等により、この磁気抵抗膜２を
第１図（ｂ）に示す如く、パターンニングしてから導体
膜４を第１図（ｃｌに示す様に形成する方法がとられて
いた。しかしこの従来技術による製造方法は、磁気抵抗
膜２と導体膜の界面にホトレジスト残りや、酸化膜など
の高抵抗被膜が形成されやすく、接触抵抗が増大し、し
かも動作中その値が変動するなどの不都合があった。こ
のような問題を解決する方法として、磁気抵抗膜２の表
面をスパッタエツチングして清浄化し、大気中に取り出
すことなく同じ装置内で続けて導体膜４を蒸着する方法
が考えられ・る。しかし、この方法も、磁気抵抗膜２が
５００Ｘ以下の厚さしかない場合、スパッタダメージを
受けて磁気特性が著し−く劣化しやすいため用いること
ができない等の問題があった。
そこで、第２図に示すように、従来、磁気抵抗膜２、第
１導体膜３を連続形成し、これら２層膜をホトエツチン
グして磁気抵抗センサノくターンを形成する。次に、第
１導体膜３の表面なＡｒイオンによるスパッタエツチン
グ法で清浄化し、直ちに継続して第２導体膜４を形成し
、その後、第１．第２導体膜をホトエツチングして導体
パターンを形成する方法が提案された。しかしながら、
この方法も１スパツタ工ツチング時に基板材あるいは磁
気抵抗膜の下地膜が同時にエツチングされるという欠点
を有するため、エツチング面から放出される０、、８ｉ
０．等が第１導体膜表面上に付着してクリーニング効果
を半減させる°という問題があることが判明した。また
スパッタエツチング速度は、ベルジャ内の残留ガスの影
譬を受けやすいため、終点判定が困難な本方式の場合、
エツチング深さが変動しやすいという問題もあり、これ
らはいずれもヘッド特性を変動させる要因となりていた
。
１導体膜３を連続形成し、これら２層膜をホトエツチン
グして磁気抵抗センサノくターンを形成する。次に、第
１導体膜３の表面なＡｒイオンによるスパッタエツチン
グ法で清浄化し、直ちに継続して第２導体膜４を形成し
、その後、第１．第２導体膜をホトエツチングして導体
パターンを形成する方法が提案された。しかしながら、
この方法も１スパツタ工ツチング時に基板材あるいは磁
気抵抗膜の下地膜が同時にエツチングされるという欠点
を有するため、エツチング面から放出される０、、８ｉ
０．等が第１導体膜表面上に付着してクリーニング効果
を半減させる°という問題があることが判明した。また
スパッタエツチング速度は、ベルジャ内の残留ガスの影
譬を受けやすいため、終点判定が困難な本方式の場合、
エツチング深さが変動しやすいという問題もあり、これ
らはいずれもヘッド特性を変動させる要因となりていた
。
本発明はヘッド特性を変動させる上言ｅ要因を除去する
ことにより、ヘッド製造歩留りを向上させる磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする
。
ことにより、ヘッド製造歩留りを向上させる磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする
。
このような目的を達成するために、本発明は磁気抵抗膜
、第１導体膜を連続形成し、第１導体膜のみを選択的に
エツチングして磁気抵抗センサパターンを形成し、上記
第１導体膜の表面をスパッタエツチングして清浄化する
とともにこれをマスクとして上記磁気抵抗膜をエツチン
グし、直ちに継続して第２導体膜を連続形成し、その後
上記２層の導体膜をエツチングして導体パターンを形成
することを特徴とする。
、第１導体膜を連続形成し、第１導体膜のみを選択的に
エツチングして磁気抵抗センサパターンを形成し、上記
第１導体膜の表面をスパッタエツチングして清浄化する
とともにこれをマスクとして上記磁気抵抗膜をエツチン
グし、直ちに継続して第２導体膜を連続形成し、その後
上記２層の導体膜をエツチングして導体パターンを形成
することを特徴とする。
以下、本発明の実施例を第５図を参照して説明する。ガ
ラス基板１上に厚さ３００Ａのパーマロイ磁気抵抗薄膜
２および厚さ１０００ＸのＭＯ第１導体膜３を真空、蒸
着法により途中大気中に取り出すことなく連続形成する
Ｃ１１．５図（ａ））。
ラス基板１上に厚さ３００Ａのパーマロイ磁気抵抗薄膜
２および厚さ１０００ＸのＭＯ第１導体膜３を真空、蒸
着法により途中大気中に取り出すことなく連続形成する
Ｃ１１．５図（ａ））。
次に、通常よく採用されている方法で、ホトレジストマ
スク５を形成し、ＫＯＨＩ Ｋ、Ｆｅ（（Ｎ）ａ系エツ
チング液を用いて窯出しているＭＯ第１導体膜３のみを
選択的にエツチングして磁気抵抗センサパターンを形成
する（第３図（ｂ））。
スク５を形成し、ＫＯＨＩ Ｋ、Ｆｅ（（Ｎ）ａ系エツ
チング液を用いて窯出しているＭＯ第１導体膜３のみを
選択的にエツチングして磁気抵抗センサパターンを形成
する（第３図（ｂ））。
次にホトレジストマスク５を除去し、この試料をスパッ
タエツチング機構付きの真空蒸着装置に入れて、ＭＯ＃
１導体膜３の表面なＡｒイオンによりスパッタエツチン
グして清浄化するとともに、これをマスクとしてパーマ
ロイ磁気抵抗膜２をもスパッタエツチングし、無比した
パーマロイ膜がなくなったのを目視により確認した時点
でスパッタエツチングを終了する。その後、試料を大気
に触れさせることな（、直ちに継続してＡｔ第２導体膜
４を真空蒸着法により連続形成する（第３図（Ｃ１）。
タエツチング機構付きの真空蒸着装置に入れて、ＭＯ＃
１導体膜３の表面なＡｒイオンによりスパッタエツチン
グして清浄化するとともに、これをマスクとしてパーマ
ロイ磁気抵抗膜２をもスパッタエツチングし、無比した
パーマロイ膜がなくなったのを目視により確認した時点
でスパッタエツチングを終了する。その後、試料を大気
に触れさせることな（、直ちに継続してＡｔ第２導体膜
４を真空蒸着法により連続形成する（第３図（Ｃ１）。
この時のＡｔの膜厚は５０００Ａとす−る、
次に、上記と同じ方法により、ホトレジストマスクを形
成し、その後、ＫＯＨ、Ｋ、Ｆｅ（ＣＮ）ｅ系エツチン
グ液中で露出しているＡｔおよびＭｏのエツチングを行
って導体パター／を形成す、る（第３図（ｄ））。
成し、その後、ＫＯＨ、Ｋ、Ｆｅ（ＣＮ）ｅ系エツチン
グ液中で露出しているＡｔおよびＭｏのエツチングを行
って導体パター／を形成す、る（第３図（ｄ））。
このようにして製造された磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドは、特性のバラツキが非常に少ないという特徴を有す
ることがわかった。すなわち、従来の方法で製造した磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗膜と
導体膜間の接触抵抗が太きいため、ポンディングパッド
が形成されるべき導体部からみた磁気抵抗素子の抵抗値
が２０〜５００Ωとなり、動作中この値が変動しやすか
・うた。そのため出力電圧の値も０．４〜１０ｍＶと変
動しやすかった。これに対し、本発明による方法を用い
る場合には、抵抗値が１ト５Ωとなり動作中も＃司とん
ど変動しないことが確認された。
ドは、特性のバラツキが非常に少ないという特徴を有す
ることがわかった。すなわち、従来の方法で製造した磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗膜と
導体膜間の接触抵抗が太きいため、ポンディングパッド
が形成されるべき導体部からみた磁気抵抗素子の抵抗値
が２０〜５００Ωとなり、動作中この値が変動しやすか
・うた。そのため出力電圧の値も０．４〜１０ｍＶと変
動しやすかった。これに対し、本発明による方法を用い
る場合には、抵抗値が１ト５Ωとなり動作中も＃司とん
ど変動しないことが確認された。
また、第４図１ａｌに示すような所謂バーバーポール型
磁気抵抗ヘッドを製造すると、従来の方法では第４図（
ｂｌ中線６のように出力波形が上下非対称になり、やす
かったのに煎じ、本発明による方法を用いると、線７の
ように上下対称となり、８／Ｎ比、ピークシフト等が大
幅に敗勢された。
磁気抵抗ヘッドを製造すると、従来の方法では第４図（
ｂｌ中線６のように出力波形が上下非対称になり、やす
かったのに煎じ、本発明による方法を用いると、線７の
ように上下対称となり、８／Ｎ比、ピークシフト等が大
幅に敗勢された。
なお、上記実施例においては、第１導体膜としてＭＯの
例を挙げたが、同じく）（リア効果を有する（磁気抵抗
膜と導体膜の反応を防止するのに有効な） Ｃｒ 、Ｔ
ｉ 、Ｗ、Ｔａ 、Ｐｉ 、Ｚｒ、Ｎｂの場合にも本発
明は有効であることがわかった、また、第２導体膜とし
てはＡ４合金（Ａｊ−８ｉ 、Ａｔ−Ｃｕ 、Ａｔ−Ｃ
ｕ−８ｉ等） 、 Ａｕ、Ｃｕはむろんのこと、ＡｕＡ
ｉｏ、Ｃｕ／Ｃｒなどの重ね膜においても本発明は有効
であることがわかった。
例を挙げたが、同じく）（リア効果を有する（磁気抵抗
膜と導体膜の反応を防止するのに有効な） Ｃｒ 、Ｔ
ｉ 、Ｗ、Ｔａ 、Ｐｉ 、Ｚｒ、Ｎｂの場合にも本発
明は有効であることがわかった、また、第２導体膜とし
てはＡ４合金（Ａｊ−８ｉ 、Ａｔ−Ｃｕ 、Ａｔ−Ｃ
ｕ−８ｉ等） 、 Ａｕ、Ｃｕはむろんのこと、ＡｕＡ
ｉｏ、Ｃｕ／Ｃｒなどの重ね膜においても本発明は有効
であることがわかった。
この場合、１種類のエツチング液で１１ｆＫ第２および
第１導体膜をエツチングするのｉｔ困難なことが多く、
イオンミリング法で第２および第１導体膜の１部をエツ
チングし、残りの第１導体膜を化学エツチング法で除去
するなどの工夫が必−要である。
第１導体膜をエツチングするのｉｔ困難なことが多く、
イオンミリング法で第２および第１導体膜の１部をエツ
チングし、残りの第１導体膜を化学エツチング法で除去
するなどの工夫が必−要である。
以上述べた如（１本発明によれば、磁気抵抗膜と導体膜
間の接触抵抗を著しく低減できるので、ベッド特性のバ
ラツキおよび経時変化をなくすことができる。また、磁
気抵抗膜と第１導体膜のスパッタエツチングを同時に行
うことにより、第１導体膜のエツチング量を一定にでき
、磁気抵抗膜と第２導体膜との反応による特性劣化を再
塑性よく防止できる等の効果がある。
間の接触抵抗を著しく低減できるので、ベッド特性のバ
ラツキおよび経時変化をなくすことができる。また、磁
気抵抗膜と第１導体膜のスパッタエツチングを同時に行
うことにより、第１導体膜のエツチング量を一定にでき
、磁気抵抗膜と第２導体膜との反応による特性劣化を再
塑性よく防止できる等の効果がある。
第１図（ａｌ乃至（ｅ）は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド素子の製造工程の一例を示す図、第２図（ａ）乃至
（ｄｌは従来技術による製造方法により作られた磁気抵
抗ヘッド素子の断面図である。第３図は本発明による磁
気ヘッド製造方法の一実施例による製造〒程を果す断面
図、第４″図はバーバーポール型磁気抵抗ヘッドの断面
図および出力波形図であ為。 符号の説明 １・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・磁気抵抗薄膜 ３・・・・・・・・・第１導体膜 ４・・・・・・・・・第２導１体膜 ５・・・・・・・・・ホトレジストマスク６・・・・・
・・・・従来法で製造したヘッドの出力波形７・・・・
・・・・・本発明による方法で製造したヘッドの出力波
形。 才 １ 図 才 ２図手続補正書
（方式） 事件の表示 昭和５６ 年特許願第 １７７１７２５・。 発’す１０） 名相； 磁気抵抗効果ｍｉｓ気ヘッ
ドの声造方法 補正をする者 ′５１つ中式会に１［］ 立 製 作 所！ｂ（ＸＩ
ｌ＋ 勝 茂 代 理 人 １桁目乃至＃１１８行目に「第２図（ａ）乃至に）は〜
製造工程を示す一面図」とあるのを「第２図は従来技−
前による製造方法により作られた磁気抵抗効果ｍ磁気ヘ
ッドの断面図である。第５図（荀乃至（！は本褪明によ
る磁気ヘッドの製造工程をそれぞれ示す断面図」に訂正
する。 以上
ッド素子の製造工程の一例を示す図、第２図（ａ）乃至
（ｄｌは従来技術による製造方法により作られた磁気抵
抗ヘッド素子の断面図である。第３図は本発明による磁
気ヘッド製造方法の一実施例による製造〒程を果す断面
図、第４″図はバーバーポール型磁気抵抗ヘッドの断面
図および出力波形図であ為。 符号の説明 １・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・磁気抵抗薄膜 ３・・・・・・・・・第１導体膜 ４・・・・・・・・・第２導１体膜 ５・・・・・・・・・ホトレジストマスク６・・・・・
・・・・従来法で製造したヘッドの出力波形７・・・・
・・・・・本発明による方法で製造したヘッドの出力波
形。 才 １ 図 才 ２図手続補正書
（方式） 事件の表示 昭和５６ 年特許願第 １７７１７２５・。 発’す１０） 名相； 磁気抵抗効果ｍｉｓ気ヘッ
ドの声造方法 補正をする者 ′５１つ中式会に１［］ 立 製 作 所！ｂ（ＸＩ
ｌ＋ 勝 茂 代 理 人 １桁目乃至＃１１８行目に「第２図（ａ）乃至に）は〜
製造工程を示す一面図」とあるのを「第２図は従来技−
前による製造方法により作られた磁気抵抗効果ｍ磁気ヘ
ッドの断面図である。第５図（荀乃至（！は本褪明によ
る磁気ヘッドの製造工程をそれぞれ示す断面図」に訂正
する。 以上
Claims (1)
- 基板表面上・Ｋ磁気抵抗効果、を有する薄膜と第１導体
・膜を連続形成する工程と、上記第１導体膜上にホトレ
ジストマスクを形成し、露出している第１導体膜のみを
選択的にエツチングして磁気抵抗センサパターンを形成
する工程と、上記ホトレジストマスクを除去する工程と
、上記第１導体膜の表面をスパッタエツチングして清浄
化スるとともにこれをマスクとして上記磁気抵抗膜なも
スパッタエツチングする工程と、直ちに継続して上記第
１導体膜と同種または異種の第２導体膜を形成する工程
と、上記２層の導体膜をエツチングし、導体ノくターン
を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17717281A JPS5880127A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17717281A JPS5880127A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880127A true JPS5880127A (ja) | 1983-05-14 |
Family
ID=16026438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17717281A Pending JPS5880127A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880127A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0268706A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-03-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗センサ |
-
1981
- 1981-11-06 JP JP17717281A patent/JPS5880127A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0268706A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-03-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗センサ |
| JP2511523B2 (ja) * | 1988-08-18 | 1996-06-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 磁気抵抗センサ |
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