JPH08235539A - 磁気抵抗効果型素子及びこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、デプスセンサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 絶縁性の非磁性膜を介して複数のＭＲ薄膜が
積層されてなるＭＲ膜の全体に均一に電流を印加し、抵
抗値変化に対する検出精度を安定化し、磁気的な安定性
も確保する。 【構成】 ＭＲ素子の絶縁性非磁性膜９を介して複数層
積層されるＭＲ薄膜８ａ，８ｂに積層形成される先端電
極及び後端電極１０を各ＭＲ薄膜８ａ，８ｂの端面８ａ
₁ ，８ｂ₁ に接するようにする。なお、上記ＭＲ薄膜８
ａ，８ｂの端面８ａ₁ ，８ｂ₁ により構成される面を傾
斜面とし、その傾斜面とＭＲ薄膜８ａ，８ｂの膜面方向
とがなす角度θが９０゜未満であることが好ましい。さ
らに、上記ＭＲ素子を用いて磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を構成しても良く、上記ＭＲ素子の先端部と後端部の電
極間の抵抗値を検出するようにして研磨量を検出するデ
プスセンサーを構成しても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性非磁性膜を介し
て複数積層された磁気抵抗効果薄膜の先端部及び後端部
に電極が積層形成されてなる磁気抵抗効果型素子及びこ
れを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、デプスセンサー
に関し、詳しくは複数層の磁気抵抗効果薄膜に対して均
一に電流を印加し、磁気抵抗効果型素子の磁気的な安定
性や抵抗の安定性を図ろうとしたものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ハードディスクドライブ等の磁
気記録再生装置において再生用磁気ヘッドとして用いら
れている磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッド
と称する。）は、媒体対向面に臨む間隙を有して配され
る一対の磁気シールドコア間に非磁性層を介して磁気抵
抗効果型素子（以下、ＭＲ素子と称する。）が挟み込ま
れてなるものである。

【０００３】すなわち、上記ＭＲヘッドにおいては、一
対の磁気シールドコアにより余分な外部磁界をシールド
して、目的とする外部磁界のみがＭＲ素子に入るように
しており、上記外部磁界によりＭＲ素子の抵抗が変化す
ることを利用して情報の再生を行う。このとき、上記Ｍ
Ｒ素子は感磁部となる磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と
称する。）の先端部及び後端部に電極が形成されてなる
ものである。従って、情報の再生は、上記電極からＭＲ
膜にセンス電流を流してＭＲ膜を所定の方向に磁化して
おき、この磁化方向が外部磁界により変化するために起
きるＭＲ膜の抵抗値の変化を電圧変化として検出して行
われる。

【０００４】ところで、このようなＭＲヘッドを製造す
る際には、下部となる一方の磁気シールドコア上に非磁
性層を介してＭＲ素子を積層形成し、再び非磁性層を介
して上部となる他方の磁気シールドコアを積層形成す
る。そして、上記ＭＲヘッドの磁気記録媒体対向面に研
磨を施す。この研磨工程によって媒体への当たり特性及
びデプス長といったＭＲヘッドの重要な特性が決定され
る。特に、デプス長精度はＭＲヘッドの性能を確保する
上で非常に重要である。

【０００５】そこで、上記のようなＭＲヘッドの製造に
おいては、デプス長を測定することの可能なデプスセン
サーを上記製造工程中において形成しておき、研磨時に
は該デプスセンサーによってデプス長を検出しながら加
工を行うようにしている。上記デプスセンサーとして
は、例えば図３０に示されるようなものが挙げられる。
上記デプスセンサーは、例えば同様の形状の３個の電気
抵抗素子部１０１，１０２，１０３により構成されるも
のである。

【０００６】なお、上記電気抵抗素子部１０１，１０
２，１０３の後端部にはそれぞれ同様の形状の後端電極
部１０１ａ，１０２ａ，１０３ａが形成され、先端部に
は同様の形状の先端電極部１０１ｂ，１０２ｂ，１０３
ｂがそれぞれ形成されている。さらに、先端電極部１０
１ｂ，１０２ｂ間は導通部１０４により接続され、先端
電極部１０２ｂ，１０３ｂ間は導通部１０５により接続
されている。

【０００７】すなわち、上記電気抵抗素子部１０１，１
０２は先端電極部１０１ｂ，１０２ｂを介して導通部１
０４により接続され、電気抵抗素子部１０２，１０３は
先端電極部１０２ｂ，１０３ｂを介して導通部１０５に
より接続されていることとなる。また、ここでは、便宜
上、電気抵抗素子部１０１，１０２，１０３、先端電極
部１０１ｂ，１０２ｂ，１０３ｂ、導通部１０４，１０
５と分けて称しているが、これらは一体に成形されてい
る。

【０００８】言い換えれば、後端電極１０１ａ，１０２
ａ間に一体に成形された電気抵抗素子部１０１，先端電
極部１０１ｂ，導通部１０４，先端電極部１０２ｂ，電
気抵抗素子部１０２が順次配され、後端電極１０２ａ，
１０３ａ間に一体に成形された電気抵抗素子部１０２，
先端電極部１０２ｂ，導通部１０５，先端電極部１０３
ｂ，電気抵抗素子部１０３が順次配されていることとな
る。

【０００９】そしてこのとき、上記導通部１０４，１０
５は、下端となる側面１０４ｂ，１０５ｂが同一線上に
配されている太さの異なる平行な導通部として形成され
ており、上記導通部１０４，１０５のそれぞれの上端と
なる側面１０４ａ，１０５ａ間に高さＳの段差が形成さ
れることとなる。従って、電気抵抗素子部１０１，１０
２の後端電極部１０１ａ，１０２ａ間に通電した場合の
後端電極部１０１ａ，１０２ａ間の抵抗と電気抵抗素子
部１０２，１０３の後端電極部１０２ａ，１０３ａ間に
通電した場合の後端電極部１０２ａ，１０３ａ間の抵抗
を比較すると、導通部１０４，１０５の長さが同じであ
れば、段差Ｓに相当する幅の差に対応する差が発生する
こととなる。

【００１０】すなわち、上記デプスセンサーにおいて
は、上記の抵抗の差を利用してデプス長を検出するよう
にしている。先ず、後端電極部１０２ａ，１０３ａ間に
通電し、後端電極部１０２ａ，１０３ａ間の抵抗値を基
準抵抗値として測定しておく。そして、後端電極部１０
１ａ，１０２ａ間に通電し、この間の抵抗値を測定しな
がら側面１０４ａ側より研磨を行うと、導通部１０４が
研磨されるにつれて導通部１０４の幅が小さくなる（距
離Ｓが小さくなる。）ため後端電極部１０１ａ，１０２
ａ間の抵抗値が上昇し、基準抵抗値に近づく。このと
き、基準抵抗値と抵抗値の差は、距離Ｓの変化に比例す
るため、上記抵抗値の差から研磨量が検出できる。

【００１１】従って、上記デプスセンサーを導通部１０
４がＭＲヘッドの磁気記録媒体対向面に臨み、導通部１
０５の上端となる側面１０５ａがデプス零の位置に相当
するようにＭＲヘッドに予め設けておけば、導通部１０
４の上端である側面１０４ａから導通部１０５の上端で
ある側面１０５ａまでの距離Ｓが磁気ギャップのデプス
長となる。言い換えれば、抵抗値の差から検出される研
磨量が磁気ギャップの研磨量となるため、上記デプスセ
ンサーを使用すれば、抵抗値の差からＭＲヘッドのデプ
ス長を検出しながら研磨加工を行うことができる。

【００１２】なお、上記のようなＭＲヘッドにおいて
は、このようなデプスセンサーをＭＲ素子と同様に形成
している。すなわち、ＭＲ膜により電気抵抗素子部１０
１，１０２，１０３を先端電極部１０１ｂ，１０２ｂ，
１０３ｂ及び導通部１０４，１０５を一体に成形するよ
うにし、後端電極部１０１ａ，１０２ａ，１０３ａもＭ
Ｒ素子の各電極と同様に形成するようにしている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のＭＲ
ヘッドにおいては、前述のデプス長精度或いはＭＲ素子
の磁気的な安定性がＭＲヘッドの特性を確保する上で非
常に重要な特性となる。そして、デプス長精度を確保す
るためには、上述のＭＲ素子と同様に形成されるデプス
センサーの抵抗値変化による研磨量検出精度を確保する
必要がある。しかしながら、上記デプスセンサーにおい
ては、抵抗値変化の検出精度があまり安定しておらず、
研磨量検出精度を十分に確保することが困難である。

【００１４】上記デプスセンサーを構成するＭＲ膜とし
ては、磁気抵抗効果薄膜（以下、ＭＲ薄膜と称する。）
が絶縁性の非磁性膜を介して複数層積層されてなるもの
が使用されている。そして、図３１に示されるように、
デプスセンサーの例えば後端電極部１０１ａは、例えば
２層のＭＲ薄膜１０６ａ，１０６ｂが厚さ６ｎｍ程度の
絶縁性の非磁性膜１０７を介して積層されてなるＭＲ膜
よりなる電気抵抗素子部１０１の上面とのみ接続してい
る。

【００１５】なお、このようなＭＲ膜においては、上記
非磁性膜１０７が非常に薄い膜であることから、上下の
ＭＲ薄膜１０６ａ，１０６ｂは電気的に導通しているも
のと考えられており、上記のように後端電極部１０１ａ
を上面とのみ接続すれば、ＭＲ薄膜１０６ａ，１０６ｂ
に電流が均一に印加されるものと考えられている。しか
し、上記ＭＲ膜１０１においては、電流がＭＲ膜１０１
のＭＲ薄膜１０６ａ，１０６ｂの全体に均一に印加され
ていないものと思われ、抵抗値変化の検出精度があまり
安定しておらず、研磨量検出精度を十分に確保すること
が困難となっている。

【００１６】一方、ＭＲ素子の磁気的な安定性を確保す
るためにも、ＭＲ素子において該ＭＲ素子を構成する絶
縁性の非磁性膜を介して積層される複数層のＭＲ薄膜に
対して均一に電流を印加する必要があるが、これも上記
の理由から困難であり、ＭＲ素子の磁気的な安定性を確
保することも困難となっている。そこで本発明は従来の
実情に鑑みて提案されたものであり、絶縁性の非磁性膜
を介して複数のＭＲ薄膜が積層されてなるＭＲ膜の全体
に均一に電流を印加することが可能とされ、抵抗値変化
に対する検出精度が安定化され、磁気的な安定性も確保
されているＭＲ素子を提供し、これを用い、研磨量検出
精度が十分に確保されるデプスセンサー及び磁気的な安
定性の良好なＭＲヘッドを提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明者等は鋭意検討した結果、絶縁性の非磁性膜
を介して複数のＭＲ薄膜が積層されてなるＭＲ膜におい
ては、積層されるＭＲ薄膜間の電気的な導通があまりな
されておらず、電極がＭＲ膜の上面とのみ接続している
状態では、最上層のＭＲ薄膜のみに十分な電流が印加さ
れており、他のＭＲ薄膜には十分な電流が印加されてい
ないことを見い出した。

【００１８】そして、上記課題を解決するためには、電
極を複数層のＭＲ薄膜の端面に接するものとし、各ＭＲ
薄膜に均一に電流が印加されるようにすれば良いことを
見い出した。すなわち、本発明は、磁気抵抗効果薄膜が
絶縁性非磁性膜を介して複数層積層され、その先端部及
び後端部に電極が積層形成されてなる磁気抵抗効果型素
子において、上記各電極が各磁気抵抗効果薄膜の端面に
接していることを特徴とするものである。

【００１９】なお、このとき、複数層の磁気抵抗効果薄
膜の端面により構成される面が傾斜面となされ、その傾
斜面と磁気抵抗効果薄膜の膜面方向とがなす角度θが９
０゜未満であることが好ましい。さらに、上記磁気抵抗
効果型素子を一対の磁気シールドコア間に配して磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを構成しても良く、各電極を各磁気
抵抗効果薄膜の端面に接するものとしても良い。

【００２０】また、上記磁気抵抗効果型素子の先端部と
後端部の電極間の抵抗値を検出するようにして研磨量を
検出するデプスセンサーを構成しても良く、各電極を各
磁気抵抗効果薄膜の端面に接するものとしても良い。な
お、本発明においては、磁気抵抗効果薄膜として、例え
ばパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等の磁気抵抗効果を有する
金属膜等を使用することが可能であり、絶縁性非磁性膜
として、例えばＴａ，Ｗ等の高抵抗を有する材料よりな
る膜或いはＡｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 等の絶縁材料よりなる
膜を使用することが可能である。

【００２１】

【作用】本発明の磁気抵抗効果型素子においては、絶縁
性非磁性膜を介して複数層積層される磁気抵抗効果薄膜
の先端部及び後端部に積層形成される各電極が、各磁気
抵抗効果薄膜の端面に接するようになされていることか
ら、上記複数層の磁気抵抗効果薄膜に均一に電流が印加
される。

【００２２】また、本発明の磁気抵抗効果型素子におい
て、複数層の磁気抵抗効果薄膜の端面により構成される
面が傾斜面となされ、その傾斜面と磁気抵抗効果薄膜の
膜面方向とがなす角度θが９０゜未満とされていれば、
各電極と複数層の磁気抵抗効果薄膜の端面間の接続が容
易となる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。実施例１ ここでは、本発明の磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素子）を
一対の磁気シールドコアにより挟み込んで構成した磁気
抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）の実施例と、上記
一対の磁気シールドコアのうちの一方の磁気シールドコ
ア上にさらに薄膜磁気コアを形成し、これらの間に記録
用コイルを形成したインダクティブヘッドよりなる複合
型磁気ヘッドについて説明する。

【００２４】上記複合型磁気ヘッドは、図１に示すよう
に、媒体対向面１に臨む間隙部である再生用ギャップｇ
₁ ，ｇ₂ を有するＭＲヘッドと、この媒体対向面１に記
録用磁気ギャップｇ₃ を臨ませるインダクティブヘッド
をアルミナチタン酸カルシウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣ）
基板等からなるスライダー２上に積層形成した、いわゆ
る２ギャップタイプの記録再生ヘッドとされている。

【００２５】ＭＲヘッドは、先端部及び後端部に図示し
ない定電流源からのセンス電流を通ずるための一対の電
極が積層された磁気抵抗効果素子３（以下、ＭＲ素子３
と称する。）と該ＭＲ素子３に所定の向きの磁化状態を
与えるバイアス導体１７が非磁性層４ａ，４ｂを介して
軟磁性材料よりなる下層，上層磁気シールドコア５，６
によって挟み込まれて形成されている。なお、上記軟磁
性材料としては、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等が挙げら
れ、結晶，非結晶材料のいずれでも良い。

【００２６】ＭＲ素子３の下側に設けられる下層磁気シ
ールドコア５は、上記スライダー２上にアルミナ膜等よ
りなる絶縁層７を介して上記媒体対向面１にその一端を
臨ませるようにしてこの媒体対向面１に対して略直交す
る方向に延在して設けられている。一方、これに対向し
て設けられる上層磁気シールドコア６は、先の下層磁気
シールドコア５と同様に上記媒体対向面１にその一端を
臨ませるようにしてこの媒体対向面１に対して略直交す
る方向に延在して設けられる。

【００２７】そして、上記ＭＲ素子３は、インダクティ
ブヘッドの記録用磁気ギャップｇ₃のトラック幅よりも
若干幅狭の平面長方形パターンとして形成され、その長
手方向が上記媒体対向面１に対して直交方向となるよう
に設けられるとともに、その一端縁が上記媒体対向面１
に臨むようになっている。また、上記ＭＲ素子３の後端
部には電極１０（以下、後端電極１０と称する。）が積
層形成されており、先端部には上層磁気シールドコア６
の一部が積層形成されており、その一部が先端電極とし
ても機能する。

【００２８】さらに、本実施例においては、図２に示す
ように、上記ＭＲ素子３を、２層の磁気抵抗効果薄膜８
ａ，８ｂ（以下、ＭＲ薄膜８ａ，８ｂと称する。）が絶
縁性非磁性膜９を介して積層されたものとしている。そ
して、本実施例においては特に、図２中に示されるよう
に、先端電極として機能する上層磁気シールドコア６の
一部及び後端電極１０（図２中には後端電極１０のみを
示す。）がＭＲ素子３の上面だけでなく、その側面、言
い換えれば、ＭＲ薄膜８ａ，８ｂの端面８ａ₁ ，８ｂ₁
にも接するように形成されている。

【００２９】すなわち、本実施例においては、ＭＲヘッ
ドのＭＲ素子３のＭＲ薄膜８ａ，８ｂに均一に電流が印
加される。また、本実施例においては、ＭＲ薄膜８ａ，
８ｂの端面８ａ₁ ，８ｂ₁ により形成される面が傾斜面
とされ、その傾斜面とＭＲ薄膜８ａ，８ｂの膜面方向と
がなす角度θが９０゜未満であることが好ましい。

【００３０】上記バイアス導体１７は、平面長方形状の
細長い配線パターンとして形成され、上記ＭＲ素子３上
に絶縁層４ｂを介して所定の距離を隔てて積層されてい
る。また、このバイアス導体１７は、上記ＭＲ素子３に
対して略直交する方向、つまりＭＲ素子３を横切る形で
設けられている。そして、このバイアス導体１７には長
手方向に直流電流であるバイアス電流が供給され、媒体
対向面１と直交する方向のバイアス磁界がＭＲ素子３に
印加されることとなる。

【００３１】一方、インダクティブヘッドにおいては、
上層磁気シールドコア６を閉磁路を構成する一方の薄膜
磁気コアとし、この上層磁気シールドコア６に対向して
積層される薄膜磁気コア１１とによって上記媒体対向面
１に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャップｇ₃ を
構成している。このとき、上記上層磁気シールドコア６
と薄膜磁気コア１１間には記録用磁気ギャップｇ₃ を構
成するギャップ膜１６が配されている。なお、薄膜磁気
コア１１は、後方端部で上記上層磁気シールドコア６に
磁気的に接触してバックギャップを構成するようになっ
ている。

【００３２】そして、上記薄膜磁気コア１１と上層磁気
シールドコア６の後方端部の接続部である磁気的結合部
１２には、この磁気的結合部１２を取り囲むようにして
スパイラル状の記録用コイル１３が設けられている。記
録用コイル１３は、薄膜磁気コア１１及び上層磁気シー
ルドコア６との絶縁性を確保するために、絶縁層１４に
よって埋め込まれている。なお、薄膜磁気コア１１上に
もスライダー２上に積層されるＭＲヘッドとインダクテ
ィブヘッドを保護するための保護膜として機能する絶縁
層１５が設けられている。

【００３３】本実施例の複合型磁気ヘッドにおいては、
ＭＲヘッドのＭＲ素子３の先端電極として機能する上層
磁気シールドコア６の一部及び後端電極１０が、ＭＲ素
子３を構成するＭＲ薄膜８ａ，８ｂのそれぞれの端面８
ａ₁ ，８ｂ₁ に接しているため、ＭＲ薄膜８ａ，８ｂに
均一に電流が印加され、ＭＲ素子３の磁気的な安定性が
確保され、ＭＲヘッドの磁気的な安定性も良好となる。

【００３４】次に、上記本実施例の複合型磁気ヘッドの
製造方法を工程順に示す。複合型磁気ヘッドを製造する
には、先ず、図３に示すように、アルミナチタン酸カル
シウム（Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣ）基板等よりなるスライダ
ー２１上に、該スライダー２１の絶縁性と表面性の改善
を目的としてアルミナ膜等の絶縁層２２をスパッタリン
グ等の手法によって成膜する。

【００３５】次に、スライダー２１上に形成される絶縁
層２２の上に下層磁気シールドコア２３を形成する。こ
の下層磁気シールドコア２３は、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ）等の金属磁性材料よりなる薄膜をスパッタリングや
メッキ等の手法により成膜した後、所定の形状に加工す
ることにより形成される。次に、図４に示すように、後
述のＭＲ素子やバイアス導体に電流を供給するための所
定の配線パターンを有するリード電極２４を、絶縁層２
２上の下層磁気シールドコア２３と重ならない部分に形
成する。なお、リード電極２４は、銅等のパターンメッ
キにより形成すれば良い。

【００３６】その結果、図５に示すように、絶縁層２２
上に所定形状を有する下層磁気シールドコア２３と、こ
の下層磁気シールドコア２３の回りに所定配線パターン
とされたリード電極２４が形成される。次いで、下層磁
気シールドコア２３とリード電極２４を平坦化するため
に、図６に示すように、これらの上にＡｌ₂ Ｏ₃ 等より
なる平坦化膜２５をスパッタリング等により形成する。

【００３７】次に、上記平坦化膜２５の表面を図７に示
すように、下層磁気シールドコア２３とリード電極２４
が露出するまで研磨する。次に、図８に示すように、下
層磁気シールドコア２３上にギャップ膜となる非磁性層
２８を成膜する。非磁性層２８には、下層磁気シールド
コア２３とＭＲ素子及びこれに接続される電極との絶縁
性を確保する機能と、ギャップ膜としての機能の両方を
持たせるため、例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 膜を用いることが望ま
しい。

【００３８】次に、上記非磁性膜２８にリード電極２４
の電気的接続をとるためのコンタクトホール（図示は省
略する。）を形成する。そして、図９に示すように、上
記非磁性層２８上にＭＲ膜２９を形成する。本実施例に
おいては、ＭＲ膜２９を２層のＭＲ薄膜を絶縁性非磁性
膜を介して積層したものとしていることから、ＭＲ膜２
９を形成するには、膜厚１５〜４０ｎｍのパーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ）膜、膜厚５〜４０ｎｍのＡｌ₂ Ｏ₃ 膜、
膜厚１５〜４０ｎｍのパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）膜、膜
厚２０ｎｍのＡｌ₂ Ｏ₃ 膜をスパッタリングや蒸着等に
て順次積層形成し、これらをフォトリソグラフィー技術
（以下、ＰＲと称する。）により所定の形状にパターニ
ングし、リアクティブイオンエッチング（以下、ＲＩＥ
と称する。）やイオンエッチング（以下、ＩＥと称す
る。）等のエッチング技術により不要な部分を除去して
所定形状に加工する。なお、図９以降、ＭＲ膜２９近傍
部のみを拡大して示すものとする。

【００３９】この結果、図１０に示すように、ＭＲ膜２
９は下層磁気シールドコア２３と同様の形状の非磁性層
２８上にその長手方向が媒体対向面３０と直交する方向
とされる平面長方形のパターンとして形成されることと
なる。次に、図１１に示すように、ＭＲ膜２９と次工程
で形成するバイアス導体との電気的絶縁を図るために形
成され、非磁性層の一部ともなる膜厚１００ｎｍ程度の
ＳｉＯ₂ 膜等よりなる第１の絶縁膜３１をスパッタリン
グ等によりＭＲ膜２９上に成膜する。

【００４０】次いで、図１２に示すように、ＭＲ膜２９
の後端部２９ａとリード電極２４の端部に対応する位置
に、上記第１の絶縁膜３１の一部を除去して電気的接続
をとるためのコンタクトホール３２（リード電極用のコ
ンタクトホールは図示を省略する。）をＰＲやＲＩＥ等
の技術を用いて形成する。このとき、本実施例において
は、図１３に示すように、コンタクトホール３２をＭＲ
膜２９の後端部２９ａの全体が露呈するような開口部と
して形成し、ＭＲ膜２９を構成する前述のパーマロイよ
りなるＭＲ薄膜の三方の端面が露呈するようにする。

【００４１】そして、図１４に示すように、バイアス磁
界を発生させるためのバイアス導体３３とＭＲ膜２９に
センス電流を流すための導体３４（以下、これを後端電
極３４と称する。）を形成する。このとき、図１５に示
すように、上記バイアス導体３３は、ＭＲ膜２９と対向
する位置の第１の絶縁膜３１上に設けられ、該ＭＲ膜２
９の長手方向に対して垂直に帯状のパターンとして形成
されている。一方、後端電極３４は、ＭＲ膜２９の後端
縁側においてその一部が第１の絶縁膜３１上に積層して
設けられると共に、コンタクトホール３２において当該
ＭＲ膜２９と電気的に接続されている。また、バイアス
導体３３と後端電極３４はその一端において接続されて
いる。

【００４２】そして、本実施例においては特に、上記の
ようにコンタクトホール３２をＭＲ膜２９の後端部２９
ａ全体が露呈するようにして設けていることから、図１
６に示すように、後端電極３４はＭＲ膜２９の後端部２
９ａの上面だけでなく側面においてもＭＲ膜２９に接続
し、ＭＲ膜２９を構成するＭＲ薄膜３５ａ，３５ｂの端
面にも接続することとなる。

【００４３】これらバイアス導体３３と後端電極３４
は、上記第１の絶縁膜３１と次工程で成膜される第２の
絶縁膜との密着性を考慮して、例えばＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ
の順にスパッタリングした積層膜構造とすることが望ま
しい。そして、このようなバイアス導体３３と後端電極
３４は、上記のような積層膜をスパッタリングにより形
成した後に、ＰＲにより所定の形状をパターニングし、
ＩＥにより不要な部分を除去して所定形状に加工して形
成すれば良い。

【００４４】次に、図１７に示すように、上記バイアス
導体３３及び後端電極３４と後述の工程で形成する上層
磁気シールドコアとの絶縁を図るために形成され、非磁
性層の一部ともなる膜厚１００ｎｍ程度のＳｉＯ₂ 膜等
よりなる第２の絶縁膜３６をスパッタリング等の手法に
よりこれらバイアス導体３３と後端電極３４とを完全に
覆うようにして積層形成する。

【００４５】次いで、図１８に示すように、ＭＲ膜２９
の先端部２９ｂ上に積層された絶縁膜３１，３６を除去
し、当該ＭＲ膜２９の先端部２９ｂを露出させるコンタ
クトホール３７を形成する。なお、上記コンタクトホー
ル３７は、ＰＲにより所定の形状をパターニングした
後、ＲＩＥにより不要な部分を除去して所定形状に加工
して形成すれば良い。

【００４６】そしてこのとき、本実施例においては、上
記コンタクトホール３７を前述のコンタクトホール３２
と同様にＭＲ膜２９の先端部２９ｂの全体が露呈するよ
うな開口部として形成し、ＭＲ膜２９を構成する前述の
パーマロイよりなるＭＲ薄膜の三方の端面が露呈するよ
うにする。続いて、図１９に示すように、絶縁膜３６上
に上層磁気シールドコア３８を形成する。上層磁気シー
ルドコア３８は、下層磁気シールドコア２３と同様に、
パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等の金属磁性材料薄膜をスパ
ッタリングやメッキ等の手法により成膜した後、所定の
形状に加工することにより形成される。なお、このと
き、下地膜としてＴｉ膜を形成することが好ましい。

【００４７】ただし、本実施例においては、上記上層磁
気シールドコア３８を先端電極として兼用しているた
め、該上層磁気シールドコア３８をコンタクトホール３
７に臨むＭＲ膜２９の先端部２９ｂ上にも積層するよう
に形成する。そして、本実施例においては特に、上記の
ようにコンタクトホール３７をＭＲ膜２９の先端部２９
ｂ全体が露呈するようにして設けていることから、先端
電極として機能する上層磁気シールドコア３８の一部は
ＭＲ膜２９の先端部２９ｂの上面だけでなく側面におい
ても接続し、ＭＲ膜２９を構成するＭＲ薄膜３５ａ，３
５ｂの端面にも接続することとなる。

【００４８】この結果、図２０に示すように上層磁気シ
ールドコア３８がＭＲ素子等を覆うようにして形成され
る。次に、上記ＭＲヘッド上に記録用のインダクティブ
ヘッドの形成を行う。インダクティブヘッドを形成する
には、先ず、図１中に示すように上層磁気シールドコア
６上にＡｌ₂ Ｏ₃ 膜等よりなるギャップ膜１６をスパッ
タリング等の手法により形成する。そしてこのとき、上
記ギャップ膜１６の一部を除去して後述する記録用の薄
膜磁気コアと上層磁気シールドコア６との磁気的結合を
図るためのコンタクトホールを形成しておく。

【００４９】次に、上層磁気シールドコア６と後述の記
録用コイルとの絶縁を図ると共に、平坦なコイル形成面
を得るために、有機材料よりなり絶縁層を形成する第１
の絶縁層１４ａをギャップ膜１６上に形成する。続い
て、上記第１の絶縁層１４ａ上にＣｕのパターンメッキ
により記録用コイル１３をコンタクトホールを取り囲む
ようにしてスパイラル状に形成する。

【００５０】次に、上記記録用コイル１３上に該記録用
コイル１３と後述の記録用の薄膜磁気コアとの絶縁を図
ると共に、平坦な磁気コア形成面を得るために、有機材
料よりなり絶縁層を形成する第２の絶縁層１４ｂを第１
の絶縁層１４ａ及び記録用コイル１３上に形成する。次
いで、上記第２の絶縁層１４ｂ上に、記録用の薄膜磁気
コア１１をパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等の金属磁性材料
をメッキ又はスパッタリングした後、ＰＲ及びＩＥ等の
技術により所定形状に加工することによって、インダク
ティブヘッドを完成する。

【００５１】そして、上記記録用の薄膜磁気コア１１上
に、素子の保護のためにＡｌ₂ Ｏ₃等よりなる絶縁層１
５を形成する。実施例２ 本実施例においては、本発明の磁気抵抗効果型素子（Ｍ
Ｒ素子）を使用したデプスセンサーの実施例について説
明する。

【００５２】本実施例のデプスセンサーは、図２１に示
すように、同様の形状の３個の電気抵抗素子部４１，４
２，４３により構成されるものである。なお、上記電気
抵抗素子部４１，４２，４３の後端部にはそれぞれ同様
の形状の後端電極部４４，４５，４６が形成され、先端
部には同様の形状の先端電極部４７，４８，４９がそれ
ぞれ形成されている。さらに、先端電極部４７，４８間
は導通部５０により接続され、先端電極部４８，４９間
は導通部５１により接続されている。

【００５３】すなわち、上記電気抵抗素子部４１，４２
は先端電極部４７，４８を介して導通部５０により接続
され、電気抵抗素子部４２，４３は先端電極部４８，４
９を介して導通部５１により接続されていることとな
る。また、ここでは、便宜上、電気抵抗素子部４１，４
２，４３、先端電極部４７，４８，４９、導通部５０，
５１と分けて称しているが、これらはＭＲ膜により一体
に成形されている。

【００５４】言い換えれば、後端電極４４，４５間にＭ
Ｒ膜により一体成形された電気抵抗素子部４１，先端電
極部４７，導通部５０，先端電極部４８，電気抵抗素子
部４２が順次配されていわばＭＲ素子を構成している。
また、後端電極４５，４６間にもＭＲ膜により一体成形
された電気抵抗素子部４２，先端電極部４８，導通部５
１，先端電極部４９，電気抵抗素子部４３が順次配され
ていわばＭＲ素子を構成している。

【００５５】そしてこのとき、上記導通部５０，５１
は、下端となる側面５０ｂ，５１ｂが同一線上に配され
ている太さの異なる平行な導通部として形成されてお
り、上記導通部５０，５１のそれぞれの上端となる側面
５０ａ，５１ａ間に高さＤの段差が形成されることとな
る。従って、電気抵抗素子部４１，４２の後端電極部４
４，４５間に通電した場合の後端電極部４４，４５間の
抵抗と電気抵抗素子部４２，４３の後端電極部４５，４
６間に通電した場合の後端電極部４５，４６間の抵抗を
比較すると、導通部５０，５１の長さが同じであれば、
段差Ｄに相当する幅の差に対応する差が発生することと
なる。

【００５６】このとき、本実施例のデプスセンサーにお
いては、電気抵抗素子部４１，４２，４３を含むＭＲ膜
を、図２２に示すように（図２２中には電気抵抗素子部
４３のみを示す。）、２層の磁気抵抗効果薄膜５８ａ，
５８ｂ（以下、ＭＲ薄膜５８ａ，５８ｂと称する。）が
絶縁性非磁性膜５９を介して積層されたものとしてい
る。

【００５７】そして、本実施例においては特に、図２２
中に示されるように、後端電極部４６が電気抵抗素子部
４３の上面だけでなく、その側面、言い換えれば、ＭＲ
薄膜５８ａ，５８ｂの端面５８ａ₁ ，５８ｂ₁ にも接す
るように形成されている。すなわち、本実施例において
は、電気抵抗素子部４３のＭＲ薄膜５８ａ，５８ｂに均
一に電流が印加される。

【００５８】また、本実施例においては、後端電極部４
６と端面５８ａ₁ ，５８ｂ₁ の接続が容易となるよう
に、ＭＲ薄膜５８ａ，５８ｂの端面５８ａ₁ ，５８ｂ₁
により形成される面が傾斜面とされており、その傾斜面
とＭＲ薄膜５８ａ，５８ｂの膜面方向とがなす角度θが
９０゜未満とされている。そして、本実施例のデプスセ
ンサーにおいては、上記の抵抗の差を利用してデプス長
を検出する。

【００５９】先ず、後端電極部４５，４６間に通電し、
後端電極部４５，４６間の抵抗値を基準抵抗値として測
定しておく。そして、後端電極部４４，４５間に通電
し、この間の抵抗値を測定しながら側面５０ａ側より研
磨を行うと、導通部５０が研磨されるにつれて導通部５
０の幅が小さくなる（距離Ｄが小さくなる。）ため後端
電極部４４，４５間の抵抗値が上昇し、基準抵抗値に近
づく。このとき、基準抵抗値と抵抗値の差は、距離Ｄの
変化に比例するため、上記抵抗値の差から研磨量が検出
できる。

【００６０】従って、上記デプスセンサーを導通部５０
がＭＲヘッドの磁気記録媒体対向面に臨み、導通部５１
の上端となる側面５１ａがデプス零の位置に相当するよ
うにＭＲヘッドに予め設けておけば、導通部５０の上端
である側面５０ａから導通部５１の上端である側面５１
ａまでの距離Ｄが磁気ギャップのデプス長となる。言い
換えれば、抵抗値の差から検出される研磨量が磁気ギャ
ップの研磨量となるため、上記デプスセンサーを使用す
れば、抵抗値の差からＭＲヘッドのデプス長を検出しな
がら研磨加工を行うことができる。

【００６１】このとき、本実施例のデプスセンサーにお
いては、上述のように、電気抵抗素子部４１，４２，４
３の後端電極部４４，４５，４６を電気抵抗素子部４
１，４２，４３の上面だけでなく、その側面、言い換え
れば、各電気抵抗素子部４１，４２，４３を構成するＭ
Ｒ膜中のＭＲ薄膜の端面にも接するようにしているた
め、ＭＲ薄膜に均一に電流が印加される。従って、抵抗
値が変化した場合の抵抗値変化の検出精度が安定し、研
磨量検出精度が十分に確保される。

【００６２】次に、本実施例のデプスセンサーの製造方
法を工程順に説明する。なお、本実施例においては、デ
プスセンサーの製造工程を実施例１で述べたＭＲヘッド
の製造工程中に組み込んだ例について説明する。従っ
て、実施例１で述べた製造方法と重複する部分の説明は
省略する。すなわち、実施例１で述べたＭＲヘッドの製
造工程中、ＭＲ素子を構成するＭＲ膜を形成する工程に
おいて、ＭＲ膜を形成すると同時に、図２３に示すよう
に、下層ギャップ膜２８上にデプスセンサーを構成する
ＭＲ膜６９を所定の形状に形成する。

【００６３】次に、図２４に示すように、実施例１で述
べた製造工程中のＭＲ膜とバイアス導体との電気的絶縁
を図る第１の絶縁膜３１を形成する工程においてＭＲ膜
６９上にも第１の絶縁膜３１をスパッタリング等により
成膜する。次いで、図２５に示すように、実施例１で述
べた製造工程中のＭＲ膜の後端電極部用のコンタクトホ
ールを形成する工程において、ＭＲ膜６９の後端部に上
記絶縁膜３１の一部を除去して電気的接続をとるための
コンタクトホール５２を形成する。

【００６４】このとき、本実施例においては、コンタク
トホール５２をＭＲ膜６９の後端部６９ａの全体が露呈
するような開口部として形成し、ＭＲ膜６９を構成する
ＭＲ薄膜の三方の端面が露呈するようにする。次に、図
２６に示すように、実施例１で述べた製造工程中のバイ
アス導体と後端電極の製造工程において、ＭＲ膜６９の
後端部６９ａに接続する後端電極部７０を形成する。

【００６５】そして、本実施例においては特に、上記の
ようにコンタクトホール５２をＭＲ膜６９の後端部６９
ａ全体が露呈するようにして設けていることから、後端
電極部７０はＭＲ膜６９の後端部６９ａの上面だけでな
く側面においてもＭＲ膜６９に接続しており、ＭＲ膜６
９を構成するＭＲ薄膜の端面に接続することとなる。次
に、図２７に示すように、実施例１で述べた製造工程中
のバイアス導体，後端電極と上層磁気シールドコアとの
絶縁を図る絶縁膜を形成する工程において、上記後端電
極７０上にも絶縁膜３６を積層形成し、図２１に示すよ
うな本実施例のデプスセンサーを完成する。

【００６６】次に、本発明の効果を確認するべく、以下
のような実験を行った。先ず、絶縁性の非磁性膜である
Ａｌ₂ Ｏ₃ 膜を介してＭＲ薄膜であるパーマロイ（Ｎｉ
−Ｆｅ）膜が２層積層されてなるＭＲ膜を用いたデプス
センサーを用意した。そしてこのとき、図２８に示すよ
うに電極１０１ａのＭＲ膜１０１への接続状態を従来の
デプスセンサーのようにＭＲ膜１０１の上面とのみ接続
するものとしたサンプル１と、図２９に示すように電極
１０１ａのＭＲ膜１０１への接続をＭＲ膜１０１の上面
と側面で行い、後端電極がＭＲ膜１０１を構成するＭＲ
薄膜１０６ａ，１０６ｂの一端面と接するようにしたサ
ンプル２を用意した。

【００６７】次に、上記サンプル１，２を１００個ずつ
用意し、これらの抵抗値を測定した。なお、上記サンプ
ル１，２における理論上の抵抗値は２８０Ωである。実
験の結果、サンプル１においては、２８０Ω〜５６０Ω
を示すものがあり、抵抗値のばらつきが大きいことがわ
かった。また、上記のように５６０Ωを示すものについ
ては、２層のＭＲ膜のうち１層にしか電流が印加されて
いなかったものと考えられる。

【００６８】一方、サンプル２においては、殆どが２８
０Ωを示し、抵抗値のばらつきが非常に小さいことがわ
かった。従って、これらの結果から、絶縁性の非磁性膜
を介して複数のＭＲ薄膜が積層されてなるＭＲ膜におい
ては、積層されるＭＲ薄膜間の電気的な導通があまりな
されておらず、サンプル１のように電極がＭＲ膜の上面
とのみ接続している状態では、最上層のＭＲ薄膜のみに
十分な電流が印加されており、他のＭＲ薄膜には十分な
電流が印加されておらず、抵抗値がばらつくが、サンプ
ル２のように電極を積層されるＭＲ薄膜の端面に接する
ようにすれば、全部のＭＲ薄膜に十分に電流が印加さ
れ、抵抗値のばらつきが小さくなることが確認された。

【００６９】すなわち、本発明の磁気抵抗効果型素子の
ように、絶縁性非磁性膜を介して複数積層される磁気抵
抗効果薄膜の先端部及び後端部に積層形成される各電極
が、複数層の磁気抵抗効果薄膜の端面に接するようにな
されていれば、上記複数層の磁気抵抗効果薄膜に均一に
電流が印加され、抵抗値が変化した場合の検出精度が安
定することが確認された。また、このことから、本発明
の磁気抵抗効果型素子においては、磁気的な安定性も確
保されるものと思われる。

【００７０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型素子においては、絶縁性非磁性膜を
介して複数層積層される磁気抵抗効果薄膜の先端部及び
後端部に積層形成される各電極が、各磁気抵抗効果薄膜
の端面に接するようになされていることから、上記複数
層の磁気抵抗効果薄膜に均一に電流が印加される。

【００７１】従って、上記磁気抵抗効果型素子を使用し
て磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成すれば、該磁気抵抗
効果型素子の磁気的な安定性が確保されていることから
磁気特性の安定性の良好な磁気抵抗効果型磁気ヘッドが
得られる。また、上記磁気抵抗効果型素子を使用してデ
プスセンサーを形成すれば、該磁気抵抗効果型素子にお
ける抵抗値が変化した場合の検出精度が安定しているこ
とから、研磨量検出精度が十分に確保されるデプスセン
サーが得られる。

【００７２】さらに、本発明の磁気抵抗効果型素子にお
いて、複数層の磁気抵抗効果薄膜の端面により構成され
る面が傾斜面となされ、その傾斜面と複数層の磁気抵抗
効果薄膜の積層方向とがなす角度θが９０゜未満とされ
ていれば、各電極と複数層の磁気抵抗効果薄膜の端面間
の接続が容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用し
た複合型磁気ヘッドを示す要部概略断面図である。

【図２】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用し
た複合型磁気ヘッドの後端電極近傍部を模式的に示す斜
視図である。

【図３】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用し
た複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すものであ
り、下層磁気シールドコアを形成する工程を示す断面図
である。

【図４】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用し
た複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すものであ
り、リード電極を形成する工程を示す断面図である。

【図５】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用し
た複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すものであ
り、下層磁気シールドコアとリード電極が形成された状
態を示す平面図である。

【図６】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用し
た複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すものであ
り、平坦化膜を形成する工程を示す断面図である。

【図７】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用し
た複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すものであ
り、平坦化膜を研磨する工程を示す断面図である。

【図８】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用し
た複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すものであ
り、非磁性層を形成する工程を示す断面図である。

【図９】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用し
た複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すものであ
り、ＭＲ膜を形成する工程を示す断面図である。

【図１０】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、ＭＲ膜が形成された状態を示す平面図である。

【図１１】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。

【図１２】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を示す
断面図である。

【図１３】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、絶縁膜にコンタクトホールが形成された状態を示
す平面図である。

【図１４】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、バイアス導体及び後端電極を形成する工程を示す
断面図である。

【図１５】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、バイアス導体及び後端電極が形成された状態を示
す平面図である。

【図１６】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、後端電極が形成された状態を拡大して示す断面図
である。

【図１７】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、再度絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。

【図１８】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、２層の絶縁膜を除去してコンタクトホールを形成
する工程を示す断面図である。

【図１９】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、上層磁気シールドコアを形成する工程を示す断面
図である。

【図２０】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
した複合型磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもので
あり、上層磁気シールドコアが形成された状態を示す平
面図である。

【図２１】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
したデプスセンサーを示す要部概略平面図である。

【図２２】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
したデプスセンサーの後端電極近傍部を模式的に示す断
面図である。

【図２３】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
したデプスセンサーの製造方法を工程順に示すものであ
り、ＭＲ膜を形成する工程を示す断面図である。

【図２４】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
したデプスセンサーの製造方法を工程順に示すものであ
り、絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。

【図２５】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
したデプスセンサーの製造方法を工程順に示すものであ
り、絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を示す断
面図である。

【図２６】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
したデプスセンサーの製造方法を工程順に示すものであ
り、後端電極部を形成する工程を示す断面図である。

【図２７】本発明を適用した磁気抵抗効果型素子を使用
したデプスセンサーの製造方法を工程順に示すものであ
り、再度絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。

【図２８】従来のデプスセンサーの一例の後端電極近傍
部を模式的に示す断面図である。

【図２９】デプスセンサーの一例の後端電極近傍部を模
式的に示す断面図である。

【図３０】従来のデプスセンサーの一例を示す要部概略
平面図である。

【図３１】従来のデプスセンサーの一例の後端電極近傍
部を模式的に示す斜視図である。

【符号の説明】

３・・・ＭＲ素子 ４ａ，４ｂ・・・非磁性層 ５・・・下層磁気シールドコア ６・・・上層磁気シールドコア ８ａ，８ｂ，５８ａ，５８ｂ・・・ＭＲ薄膜 ８ａ₁ ，８ｂ₁ ，５８ａ₁ ，５８ｂ₁ ・・・端面 ９，５９・・・非磁性膜 １０・・・後端電極 ４１，４２，４３・・・電気抵抗素子部 ４４，４５，４６・・・後端電極部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果薄膜が絶縁性非磁性膜を介
   して複数層積層され、その先端部及び後端部に電極が積
   層形成されてなる磁気抵抗効果型素子において、 上記各電極が各磁気抵抗効果薄膜の端面に接しているこ
   とを特徴とする磁気抵抗効果型素子。
2. 【請求項２】 複数層の磁気抵抗効果薄膜の端面により
   構成される面が傾斜面となされ、その傾斜面と磁気抵抗
   効果薄膜の膜面方向とがなす角度θが９０゜未満である
   ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型素子。
3. 【請求項３】 磁気抵抗効果薄膜が絶縁性非磁性膜を介
   して複数層積層され、その先端部及び後端部に電極が積
   層形成されてなる磁気抵抗効果型素子が一対の磁気シー
   ルドコア間に配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
   おいて、 上記各電極が各磁気抵抗効果薄膜の端面に接しているこ
   とを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 磁気抵抗効果薄膜が絶縁性非磁性膜を介
   して複数層積層され、その先端部及び後端部に電極が積
   層形成されてなる磁気抵抗効果型素子の先端部と後端部
   の電極間の抵抗値を検出して研磨量を検出するデプスセ
   ンサーにおいて、 上記各電極が各磁気抵抗効果薄膜の端面に接しているこ
   とを特徴とするデプスセンサー。