JPH08250448A - 半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法Info
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- JPH08250448A JPH08250448A JP4805295A JP4805295A JPH08250448A JP H08250448 A JPH08250448 A JP H08250448A JP 4805295 A JP4805295 A JP 4805295A JP 4805295 A JP4805295 A JP 4805295A JP H08250448 A JPH08250448 A JP H08250448A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 設計値に適合した正確な寸法の電極を形成す
ることができる半導体装置の電極形成方法を提供する。 【構成】 半導体装置の電極形成方法において、半導体
基板５上に第１の窓１が形成される金属板４からなる上
層Ａと、前記第１の窓１と中心を同じくして前記第１の
窓１の面積より広い面積を有する第２の窓２が形成され
る剥離性に富む粘着材３からなる下層Ｂとを蒸着マスク
として設ける工程と、この蒸着マスクを用いて金属材料
６の蒸着を行う工程と、前記上層Ａ及び下層Ｂを除去す
る工程とを施すようにしたものである。
ることができる半導体装置の電極形成方法を提供する。 【構成】 半導体装置の電極形成方法において、半導体
基板５上に第１の窓１が形成される金属板４からなる上
層Ａと、前記第１の窓１と中心を同じくして前記第１の
窓１の面積より広い面積を有する第２の窓２が形成され
る剥離性に富む粘着材３からなる下層Ｂとを蒸着マスク
として設ける工程と、この蒸着マスクを用いて金属材料
６の蒸着を行う工程と、前記上層Ａ及び下層Ｂを除去す
る工程とを施すようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の電極形成
方法、特にＣ−Ｖ測定用の電極形成方法に関するもので
ある。
方法、特にＣ−Ｖ測定用の電極形成方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、簡易にＣ−Ｖ測定用の半導体装置
の電極を作製する方法として、一般に金属マスクを利用
した蒸着方法が用いられている。この方法は、まず、窓
（電極窓）の開いた金属製のマスク（例えば、Ａｌ製マ
スク）を、直接半導体装置の電極形成表面に押さえつ
け、窓に対して垂直方向から電極の金属材料を所望の厚
さまで蒸着する。蒸着後、半導体装置表面に押さえつけ
てある金属製のマスクを外すことにより、窓に相当する
位置に金属電極を作製することができる。
の電極を作製する方法として、一般に金属マスクを利用
した蒸着方法が用いられている。この方法は、まず、窓
（電極窓）の開いた金属製のマスク（例えば、Ａｌ製マ
スク）を、直接半導体装置の電極形成表面に押さえつ
け、窓に対して垂直方向から電極の金属材料を所望の厚
さまで蒸着する。蒸着後、半導体装置表面に押さえつけ
てある金属製のマスクを外すことにより、窓に相当する
位置に金属電極を作製することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体装置の電極形成方法では、半導体装置の
表面と金属製のマスクとの密着性が悪く、金属蒸着がそ
の隙間に回り込む。このため、実際に形成された電極の
面積は設計したものより広がってしまい、さらに金属製
のマスクを取り外す際にも、金属製のマスクと接する電
極のエッジ部分において、破損しやすいため、窓の形状
を正確に再現させることができない。従って、正確な面
積を要求する半導体装置のＣ−Ｖ測定法には適しないと
いう問題があった。
た従来の半導体装置の電極形成方法では、半導体装置の
表面と金属製のマスクとの密着性が悪く、金属蒸着がそ
の隙間に回り込む。このため、実際に形成された電極の
面積は設計したものより広がってしまい、さらに金属製
のマスクを取り外す際にも、金属製のマスクと接する電
極のエッジ部分において、破損しやすいため、窓の形状
を正確に再現させることができない。従って、正確な面
積を要求する半導体装置のＣ−Ｖ測定法には適しないと
いう問題があった。
【０００４】本発明は、上記問題点を除去し、設計値に
適合した正確な寸法の電極を形成することができる半導
体装置の電極形成方法を提供することを目的とする。
適合した正確な寸法の電極を形成することができる半導
体装置の電極形成方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）半導体装置の電極形成方法において、半導体基板
上に第１の窓が形成される金属板からなる上層と、前記
第１の窓と中心を同じくして前記第１の窓の面積より広
い面積を有する第２の窓が形成される剥離性に富む粘着
材からなる下層とを蒸着マスクとして設ける工程と、こ
の蒸着マスクを用いて金属材料の蒸着を行う工程と、前
記上層及び下層を除去する工程とを施すようにしたもの
である。
成するために、 （１）半導体装置の電極形成方法において、半導体基板
上に第１の窓が形成される金属板からなる上層と、前記
第１の窓と中心を同じくして前記第１の窓の面積より広
い面積を有する第２の窓が形成される剥離性に富む粘着
材からなる下層とを蒸着マスクとして設ける工程と、こ
の蒸着マスクを用いて金属材料の蒸着を行う工程と、前
記上層及び下層を除去する工程とを施すようにしたもの
である。
【０００６】（２）上記（１）記載の半導体装置の電極
形成方法において、前記上層としてメタルテープを用い
るようにしたものである。 （３）上記（１）記載の半導体装置の電極形成方法にお
いて、前記上層と下層からなる蒸着マスクを多層に重ね
て形成するようにしたものである。 （４）上記（３）記載の半導体装置の電極形成方法にお
いて、前記多層の蒸着マスクの中心を互いにずらして配
置するようにしたものである。
形成方法において、前記上層としてメタルテープを用い
るようにしたものである。 （３）上記（１）記載の半導体装置の電極形成方法にお
いて、前記上層と下層からなる蒸着マスクを多層に重ね
て形成するようにしたものである。 （４）上記（３）記載の半導体装置の電極形成方法にお
いて、前記多層の蒸着マスクの中心を互いにずらして配
置するようにしたものである。
【０００７】
（１）請求項１記載の半導体装置の電極形成方法によれ
ば、半導体基板上に第１の窓が形成される金属板からな
る上層と、前記第１の窓と中心を同じくして前記第１の
窓の面積より広い面積を有する第２の窓が形成される剥
離性に富む粘着材からなる下層とを蒸着マスクとして設
ける工程と、この蒸着マスクを用いて金属材料の蒸着を
行う工程と、前記上層及び下層を除去する工程とを施す
ようにしたので、半導体装置表面と金属マスクとの間
に、一層の粘着材の厚層が存在するため、従来の金属製
のマスクを利用した方法と比べ、金属板が半導体装置表
面より、幾分高い場所に位置する。
ば、半導体基板上に第１の窓が形成される金属板からな
る上層と、前記第１の窓と中心を同じくして前記第１の
窓の面積より広い面積を有する第２の窓が形成される剥
離性に富む粘着材からなる下層とを蒸着マスクとして設
ける工程と、この蒸着マスクを用いて金属材料の蒸着を
行う工程と、前記上層及び下層を除去する工程とを施す
ようにしたので、半導体装置表面と金属マスクとの間
に、一層の粘着材の厚層が存在するため、従来の金属製
のマスクを利用した方法と比べ、金属板が半導体装置表
面より、幾分高い場所に位置する。
【０００８】したがって、電極材料を蒸着する際、半導
体装置表面と金属板との間での多重反射による部分がな
くなるために、金属粒子の回り込みがなくなることや、
粘着材によって、金属板が固定されるため、蒸着時の振
動による合わせずれも防止することができる。また、こ
の半導体装置の電極形成方法は、簡易であり、かつ、金
属電極の面積や形状を設計仕様に従って、正確に、制御
性良く形成することができる。
体装置表面と金属板との間での多重反射による部分がな
くなるために、金属粒子の回り込みがなくなることや、
粘着材によって、金属板が固定されるため、蒸着時の振
動による合わせずれも防止することができる。また、こ
の半導体装置の電極形成方法は、簡易であり、かつ、金
属電極の面積や形状を設計仕様に従って、正確に、制御
性良く形成することができる。
【０００９】更に、粘着材の開口部が金属板の窓より大
きいので（オーバハング形状）、窓に蒸着された金属材
料と蒸着マスクと接する部分をもたないため、蒸着後、
蒸着マスクを取り外す際、金属電極を損なうことがな
く、窓と同じ形状、面積の金属電極を形成することがで
きる。 （２）請求項２記載の半導体装置の電極形成方法によれ
ば、前記上層としてメタルテープを用いるようにしたの
で、そのメタルテープは可撓性を有するため、半導体装
置表面へ貼り付けたり、半導体装置表面から剥がしたり
することが自在であるため、マスクの取扱性を向上さ
せ、かつ半導体装置表面に対する電極の位置合わせを容
易にすることができる。
きいので（オーバハング形状）、窓に蒸着された金属材
料と蒸着マスクと接する部分をもたないため、蒸着後、
蒸着マスクを取り外す際、金属電極を損なうことがな
く、窓と同じ形状、面積の金属電極を形成することがで
きる。 （２）請求項２記載の半導体装置の電極形成方法によれ
ば、前記上層としてメタルテープを用いるようにしたの
で、そのメタルテープは可撓性を有するため、半導体装
置表面へ貼り付けたり、半導体装置表面から剥がしたり
することが自在であるため、マスクの取扱性を向上さ
せ、かつ半導体装置表面に対する電極の位置合わせを容
易にすることができる。
【００１０】（３）請求項３記載の半導体装置の電極形
成方法によれば、粘着材を有する蒸着マスクを多層構造
にするようにしたので、蒸着金属粒子の平行性を向上さ
せ、より半導体装置表面に対して垂直に金属材料を入射
させることが可能となり、金属粒子の回り込みを少なく
し、電極の寸法精度の向上を図ることができる。 （４）請求項４記載の半導体装置の電極形成方法によれ
ば、２層のマスクをずらすようにしたので、窓を所望の
大きさに制御することができる。
成方法によれば、粘着材を有する蒸着マスクを多層構造
にするようにしたので、蒸着金属粒子の平行性を向上さ
せ、より半導体装置表面に対して垂直に金属材料を入射
させることが可能となり、金属粒子の回り込みを少なく
し、電極の寸法精度の向上を図ることができる。 （４）請求項４記載の半導体装置の電極形成方法によれ
ば、２層のマスクをずらすようにしたので、窓を所望の
大きさに制御することができる。
【００１１】したがって、蒸着された電極面積を変える
ことができ、Ｃ−Ｖ測定において、測定の自由度が大き
くなる。
ことができ、Ｃ−Ｖ測定において、測定の自由度が大き
くなる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半導体装置
の電極の形成過程の構成図であり、図１（ａ）はその半
導体装置の電極の形成過程の断面図、図１（ｂ）はその
半導体装置の電極の形成過程の平面図、図２は本発明の
第１実施例を示す半導体装置の電極形成工程断面図であ
る。
説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半導体装置
の電極の形成過程の構成図であり、図１（ａ）はその半
導体装置の電極の形成過程の断面図、図１（ｂ）はその
半導体装置の電極の形成過程の平面図、図２は本発明の
第１実施例を示す半導体装置の電極形成工程断面図であ
る。
【００１３】以下、本発明の第１実施例を示す半導体装
置の電極形成方法を図２を参照しながら説明する。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、電極窓１が開口
された金属板（あるいはメタルテープ、材質はＡｌ又は
ステンレス等で、厚さは０．５ｍｍ以下）４からなる上
層Ａと、その電極窓１の中心を同じくし、電極窓１より
は面積の広い電極窓２を有する剥離性に富む粘着材（例
えば、金属以外のもので、粘着性のあるシール等で、粘
着材の高さは０．５ｍｍ〜１ｍｍ）３からなる下層Ｂと
を形成する。
置の電極形成方法を図２を参照しながら説明する。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、電極窓１が開口
された金属板（あるいはメタルテープ、材質はＡｌ又は
ステンレス等で、厚さは０．５ｍｍ以下）４からなる上
層Ａと、その電極窓１の中心を同じくし、電極窓１より
は面積の広い電極窓２を有する剥離性に富む粘着材（例
えば、金属以外のもので、粘着性のあるシール等で、粘
着材の高さは０．５ｍｍ〜１ｍｍ）３からなる下層Ｂと
を形成する。
【００１４】（２）それを、図２（ｂ）に示すように、
半導体装置５表面に貼り付けることにより定着し、蒸着
マスク１１として形成する。 （３）次いで、図２（ｃ）に示すように、半導体装置５
の表面に対して、垂直方向から電極の金属材料（例え
ば、Ａｌ又はＴｉ／Ａｌ）６を所望の厚さ（例えば、
０．２μｍ〜１μｍ）まで蒸着する。
半導体装置５表面に貼り付けることにより定着し、蒸着
マスク１１として形成する。 （３）次いで、図２（ｃ）に示すように、半導体装置５
の表面に対して、垂直方向から電極の金属材料（例え
ば、Ａｌ又はＴｉ／Ａｌ）６を所望の厚さ（例えば、
０．２μｍ〜１μｍ）まで蒸着する。
【００１５】（４）次に、図２（ｄ）に示すように、前
記粘着材３を有する金属板４（あるいはメタルテー
プ）、つまり、蒸着マスク１１を半導体装置５表面から
剥がすことにより、半導体装置５表面に金属電極７が形
成される。このようにして形成された金属電極７をショ
ットキー電極としてＣ−Ｖ測定に用いることができる。
記粘着材３を有する金属板４（あるいはメタルテー
プ）、つまり、蒸着マスク１１を半導体装置５表面から
剥がすことにより、半導体装置５表面に金属電極７が形
成される。このようにして形成された金属電極７をショ
ットキー電極としてＣ−Ｖ測定に用いることができる。
【００１６】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図３は本発明の第２実施例を示す半導体装置の電極
の形成過程の構成図、図４は本発明の第２実施例を示す
半導体装置の電極形成工程断面図である。なお、第１実
施例と同一部分については、同じ番号を付してその説明
は省略する。また、図３における半導体装置の電極の要
部形成工程平面図は、図１（ｂ）と同様であるので、図
示は省略する。
る。図３は本発明の第２実施例を示す半導体装置の電極
の形成過程の構成図、図４は本発明の第２実施例を示す
半導体装置の電極形成工程断面図である。なお、第１実
施例と同一部分については、同じ番号を付してその説明
は省略する。また、図３における半導体装置の電極の要
部形成工程平面図は、図１（ｂ）と同様であるので、図
示は省略する。
【００１７】（１）まず、図４（ａ）に示すように、第
１実施例の図２（ｂ）の工程に示される半導体装置５表
面に、上層Ａと下層Ｂからなる蒸着マスク１１を形成す
る。 （２）次に、図４（ｂ）に示すように、更に、同様なマ
スクを窓に位置合わせし、貼り付けることによって、上
層Ａと下層Ｂからなる蒸着マスク１２を形成し、２層構
造の蒸着マスクを形成する。
１実施例の図２（ｂ）の工程に示される半導体装置５表
面に、上層Ａと下層Ｂからなる蒸着マスク１１を形成す
る。 （２）次に、図４（ｂ）に示すように、更に、同様なマ
スクを窓に位置合わせし、貼り付けることによって、上
層Ａと下層Ｂからなる蒸着マスク１２を形成し、２層構
造の蒸着マスクを形成する。
【００１８】（３）次に、図４（ｃ）に示すように、半
導体装置５表面に対して、垂直方向から電極の金属材料
（例えば、Ａｌ又はＴｉ／Ａｌ）１５を所望の厚さ（例
えば、０．２μｍ〜１μｍ）まで蒸着する。 （４）次に、図４（ｄ）に示すように、２層構造の蒸着
マスク１２を半導体装置５の表面から剥がすことによ
り、半導体装置５表面に金属電極１６が形成される。
導体装置５表面に対して、垂直方向から電極の金属材料
（例えば、Ａｌ又はＴｉ／Ａｌ）１５を所望の厚さ（例
えば、０．２μｍ〜１μｍ）まで蒸着する。 （４）次に、図４（ｄ）に示すように、２層構造の蒸着
マスク１２を半導体装置５の表面から剥がすことによ
り、半導体装置５表面に金属電極１６が形成される。
【００１９】このようにして形成された金属電極１６を
ショットキー電極としてＣ−Ｖ測定に用いることができ
る。次に、本発明の第３実施例について説明する。図５
は本発明の第３実施例を示す半導体装置の電極の形成過
程の構成図であり、図５（ａ）はその半導体装置の電極
の形成過程の断面図、図５（ｂ）はその半導体装置の電
極の形成過程の平面図である。なお、第１実施例と同一
部分については同じ番号を付してその説明は省略する。
ショットキー電極としてＣ−Ｖ測定に用いることができ
る。次に、本発明の第３実施例について説明する。図５
は本発明の第３実施例を示す半導体装置の電極の形成過
程の構成図であり、図５（ａ）はその半導体装置の電極
の形成過程の断面図、図５（ｂ）はその半導体装置の電
極の形成過程の平面図である。なお、第１実施例と同一
部分については同じ番号を付してその説明は省略する。
【００２０】この実施例も、第１実施例の図２（ｂ）の
工程に示すように、半導体装置５の表面に蒸着マスク１
１を粘着する。更に、その上に、図５（ａ）に示すよう
に、同様な蒸着マスク１２を電極窓の中心位置を互いに
ずらして貼りつける。そこに、金属材料（例えば、Ａｌ
又はＴｉ／Ａｌ、厚さ０．２μｍ〜１μｍ）２１を蒸着
して、金属電極２２を形成することができる。なお、図
５（ｂ）において、２０は上側の電極窓である。
工程に示すように、半導体装置５の表面に蒸着マスク１
１を粘着する。更に、その上に、図５（ａ）に示すよう
に、同様な蒸着マスク１２を電極窓の中心位置を互いに
ずらして貼りつける。そこに、金属材料（例えば、Ａｌ
又はＴｉ／Ａｌ、厚さ０．２μｍ〜１μｍ）２１を蒸着
して、金属電極２２を形成することができる。なお、図
５（ｂ）において、２０は上側の電極窓である。
【００２１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、半導体装置表面と
金属マスクとの間に、一層の粘着材の厚層が存在するた
め、従来の金属製のマスクを利用した方法と比べ、金属
板が半導体装置表面より、幾分高い場所に位置する。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、半導体装置表面と
金属マスクとの間に、一層の粘着材の厚層が存在するた
め、従来の金属製のマスクを利用した方法と比べ、金属
板が半導体装置表面より、幾分高い場所に位置する。
【００２３】したがって、電極材料を蒸着する際、半導
体装置表面と金属板との間での多重反射による部分がな
くなるために、金属粒子の回り込みがなくなることや、
粘着材によって、金属板が固定されるため、蒸着時の振
動による合わせずれも防止することができる。また、こ
の半導体装置の電極形成方法は、簡易であり、かつ、金
属電極の面積や形状を設計仕様に従って正確に、制御性
良く形成することができる。
体装置表面と金属板との間での多重反射による部分がな
くなるために、金属粒子の回り込みがなくなることや、
粘着材によって、金属板が固定されるため、蒸着時の振
動による合わせずれも防止することができる。また、こ
の半導体装置の電極形成方法は、簡易であり、かつ、金
属電極の面積や形状を設計仕様に従って正確に、制御性
良く形成することができる。
【００２４】更に、粘着材の開口部が金属板の窓より大
きいので（オーバハング形状）、窓に蒸着された金属材
料と蒸着マスクと接する部分をもたないため、蒸着後、
蒸着マスクを取り外す際、金属電極を損なうことがな
く、窓と同じ形状、面積の金属電極を形成することがで
きる。 （２）請求項２記載の発明によれば、前記上層としてメ
タルテープを用いるようにしたので、そのメタルテープ
は可撓性を有するため、半導体装置表面へ貼り付けた
り、半導体装置表面から剥がしたりすることが自在であ
るため、マスクの取扱性を向上させ、かつ半導体装置表
面に対する電極の位置合わせを容易にすることができ
る。
きいので（オーバハング形状）、窓に蒸着された金属材
料と蒸着マスクと接する部分をもたないため、蒸着後、
蒸着マスクを取り外す際、金属電極を損なうことがな
く、窓と同じ形状、面積の金属電極を形成することがで
きる。 （２）請求項２記載の発明によれば、前記上層としてメ
タルテープを用いるようにしたので、そのメタルテープ
は可撓性を有するため、半導体装置表面へ貼り付けた
り、半導体装置表面から剥がしたりすることが自在であ
るため、マスクの取扱性を向上させ、かつ半導体装置表
面に対する電極の位置合わせを容易にすることができ
る。
【００２５】（３）請求項３記載の発明によれば、粘着
材を有する金属マスクを多層構造にするようにしたの
で、蒸着金属粒子の平行性を向上させ、より半導体装置
表面に対して垂直に金属材料を入射させることが可能と
なり、金属粒子の回り込みを少なくし、電極の寸法精度
の向上を図ることができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、２層のマスクをず
らすようにしたので、窓を所望の大きさに制御すること
ができる。
材を有する金属マスクを多層構造にするようにしたの
で、蒸着金属粒子の平行性を向上させ、より半導体装置
表面に対して垂直に金属材料を入射させることが可能と
なり、金属粒子の回り込みを少なくし、電極の寸法精度
の向上を図ることができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、２層のマスクをず
らすようにしたので、窓を所望の大きさに制御すること
ができる。
【００２６】したがって、蒸着された電極面積を変える
ことができ、Ｃ−Ｖ測定において、測定の自由度が大き
くなる。
ことができ、Ｃ−Ｖ測定において、測定の自由度が大き
くなる。
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体装置の電極の
形成過程の構成図である。
形成過程の構成図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す半導体装置の電極形
成工程断面図である。
成工程断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す半導体装置の電極の
形成過程の構成図である。
形成過程の構成図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す半導体装置の電極形
成工程断面図である。
成工程断面図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す半導体装置の電極の
形成過程の構成図である。
形成過程の構成図である。
１，２，２０ 電極窓 ３ 粘着材 ４ 金属板 ５ 半導体装置 ６，１５，２１ 金属材料 ７，１６，２２ 金属電極 １１，１２ 蒸着マスク Ａ 上層 Ｂ 下層
Claims (4)
- 【請求項１】（ａ）半導体基板上に第１の窓が形成され
る金属板からなる上層と、前記第１の窓と中心を同じく
して前記第１の窓の面積より広い面積を有する第２の窓
が形成される剥離性に富む粘着材からなる下層とを蒸着
マスクとして設ける工程と、（ｂ）該蒸着マスクを用い
て金属材料の蒸着を行う工程と、（ｃ）前記上層及び下
層を除去する工程とを施すことを特徴とする半導体装置
の電極形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の電極形成方
法において、前記上層としてメタルテープを用いること
を特徴とする半導体装置の電極形成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の電極形成方
法において、前記上層と下層からなる蒸着マスクを多層
に重ねて形成することを特徴とする半導体装置の電極形
成方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の電極形成方
法において、前記多層の蒸着マスクの中心を互いにずら
して配置したことを特徴とする半導体装置の電極形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4805295A JPH08250448A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4805295A JPH08250448A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 半導体装置の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250448A true JPH08250448A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12792577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4805295A Pending JPH08250448A (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 半導体装置の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08250448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8557044B2 (en) | 2006-10-17 | 2013-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Shadow mask, method of manufacturing the same and method of forming thin film using the same |
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1995
- 1995-03-08 JP JP4805295A patent/JPH08250448A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8557044B2 (en) | 2006-10-17 | 2013-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Shadow mask, method of manufacturing the same and method of forming thin film using the same |
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