JPS58118117A - パタン状厚膜の形成方法 - Google Patents
パタン状厚膜の形成方法Info
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- JPS58118117A JPS58118117A JP43282A JP43282A JPS58118117A JP S58118117 A JPS58118117 A JP S58118117A JP 43282 A JP43282 A JP 43282A JP 43282 A JP43282 A JP 43282A JP S58118117 A JPS58118117 A JP S58118117A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバタン状の厚膜を形成する方法に関するもので
、具体的には真空蒸着法、スパッタ法等により厚さ５μ
ｍ以上のバタン状厚膜を形成する方法に関するものであ
る。
、具体的には真空蒸着法、スパッタ法等により厚さ５μ
ｍ以上のバタン状厚膜を形成する方法に関するものであ
る。
第１図は従来のバタン状厚膜の形成方法の第１の例を説
明するための断面図である。真空蒸着等によりメタルマ
スク２を介して基板１上にバタン状の厚膜５を形成する
。この方法では、各種治具を用いて基板１とメタルマス
ク２を密着させるが、メタルマスク２あるいは基板１の
そりやうねりのため密着性が悪く、メタルマスク２と基
板１間に間隙３が生じる。蒸着源から基板１上に飛来し
てくる粒子は種々の入射角度を持っているためメタルマ
スク２と基板１との間隙３にも蒸着物が浸入し、第１図
（ｂ）に示すように、バタン幅が広がりバタン幅の制御
が困難である。
明するための断面図である。真空蒸着等によりメタルマ
スク２を介して基板１上にバタン状の厚膜５を形成する
。この方法では、各種治具を用いて基板１とメタルマス
ク２を密着させるが、メタルマスク２あるいは基板１の
そりやうねりのため密着性が悪く、メタルマスク２と基
板１間に間隙３が生じる。蒸着源から基板１上に飛来し
てくる粒子は種々の入射角度を持っているためメタルマ
スク２と基板１との間隙３にも蒸着物が浸入し、第１図
（ｂ）に示すように、バタン幅が広がりバタン幅の制御
が困難である。
第２図は従来法の第２の例を説明するための断面図であ
る。真空蒸着法等により基板１の全面に被着した厚膜４
の表面にフォトレジストを塗布し、露光・現像してフォ
トレジストのバタン６を形成した後（ａ）、所定のエツ
チング液で厚膜４をエツチングして所定のバタンを形成
する（ｂ） （ｃ）。この方法では、第２図（ｂ）のよ
うに厚膜５のサイドエツチングが生じる。サイドエツチ
ングの量は原理的にはｌｆ、ＩＩＥ厚と同程度になるの
で膜厚が増大するにつれてプイドエノチ／グ量も増大し
、微細なバタンの実現が困難である。プラズマエツチン
グ法などの１イドエノナングの少ないエツチング方法も
あるが、膜が厚いとエツチングに長時間を要する欠点が
ある。
る。真空蒸着法等により基板１の全面に被着した厚膜４
の表面にフォトレジストを塗布し、露光・現像してフォ
トレジストのバタン６を形成した後（ａ）、所定のエツ
チング液で厚膜４をエツチングして所定のバタンを形成
する（ｂ） （ｃ）。この方法では、第２図（ｂ）のよ
うに厚膜５のサイドエツチングが生じる。サイドエツチ
ングの量は原理的にはｌｆ、ＩＩＥ厚と同程度になるの
で膜厚が増大するにつれてプイドエノチ／グ量も増大し
、微細なバタンの実現が困難である。プラズマエツチン
グ法などの１イドエノナングの少ないエツチング方法も
あるが、膜が厚いとエツチングに長時間を要する欠点が
ある。
第３の従来法の例として第３図に示す如きリフトオフ法
が考えられる。しかし、第３図（ａ）に示すように形成
されたリフトオフ用Ｎｉ７の表面に厚い１４４を形成す
ると、第３１暮（ｂ）に示すようにフォトレジストのバ
タンの縁部８も厚くな９、第３図（ｃ）に示すように、
フィルム状フォトレジスト７の除去時に厚膜５の縁部に
おいて破損あるいはパリが生じる問題がちる。
が考えられる。しかし、第３図（ａ）に示すように形成
されたリフトオフ用Ｎｉ７の表面に厚い１４４を形成す
ると、第３１暮（ｂ）に示すようにフォトレジストのバ
タンの縁部８も厚くな９、第３図（ｃ）に示すように、
フィルム状フォトレジスト７の除去時に厚膜５の縁部に
おいて破損あるいはパリが生じる問題がちる。
本発明は、これらの欠点を解決するため、基板トにほぼ
同一の中心位置で寸法の異なる開口を有する複数枚のフ
ィルム状フＡトレジストを設置し、最−Ｌ層のフィルム
状フォトレジストの表ｍｌならびに該開口を通して基板
上に厚膜を被着し、該複数枚のフィルム状フォトレジス
トを除去、すると同時に最上層のフィルム状フォトレジ
ストの表面の”／膜を取り除いて精度の良いバタン状厚
膜を形成するようにしたバタン状厚膜の形成方法を提供
するものである。
同一の中心位置で寸法の異なる開口を有する複数枚のフ
ィルム状フＡトレジストを設置し、最−Ｌ層のフィルム
状フォトレジストの表ｍｌならびに該開口を通して基板
上に厚膜を被着し、該複数枚のフィルム状フォトレジス
トを除去、すると同時に最上層のフィルム状フォトレジ
ストの表面の”／膜を取り除いて精度の良いバタン状厚
膜を形成するようにしたバタン状厚膜の形成方法を提供
するものである。
以下本発明の詳細な説明する。
第４図は本発明の第１の実施例であって、１は基板、４
．５は厚膜、９．１０はフィルム状フｔ トレジストで
ある。以下、順を追って製作工程を説明する。
．５は厚膜、９．１０はフィルム状フｔ トレジストで
ある。以下、順を追って製作工程を説明する。
（１）第４図（ａ）に示すように、基板１（例えば拡散
。
。
配線などが終了し所定部に必要な下地金属バタンか形成
されたＳｉウェハ）」−に第１層のフィルム状フォトレ
ジスト９を積層形成する。フィルム状フォトレジストと
しては例えば厚さ５０μｍのデーボン社製リストン（商
品名）を使用できる０ （２）第４図（ｂ）に示すようにフィルム状フォＩ・し
／スト９を露光・現像して開口を形成する。
されたＳｉウェハ）」−に第１層のフィルム状フォトレ
ジスト９を積層形成する。フィルム状フォトレジストと
しては例えば厚さ５０μｍのデーボン社製リストン（商
品名）を使用できる０ （２）第４図（ｂ）に示すようにフィルム状フォＩ・し
／スト９を露光・現像して開口を形成する。
（３）第４図（ｃ）に示すように第２層フィルム状フォ
トレジスト１０を開口を設けた第１層、フィルム状フォ
トレジスト９の表面に積層形成する。第２層フィルム状
フォトレジスト１０も第１層フィルム状フォトレジスト
９と同じものを使用できる。
トレジスト１０を開口を設けた第１層、フィルム状フォ
トレジスト９の表面に積層形成する。第２層フィルム状
フォトレジスト１０も第１層フィルム状フォトレジスト
９と同じものを使用できる。
（４）第４図（ｄ）に示すように、第２層フィルム状フ
ォトレジストｌＯを露光・現像して第１層フィルム状フ
ォトレジスト９の開口とほぼ同一の中心位置で・］−法
のより小さい開口を形成する。
ォトレジストｌＯを露光・現像して第１層フィルム状フ
ォトレジスト９の開口とほぼ同一の中心位置で・］−法
のより小さい開口を形成する。
（５）第４ｉ、＆（ｅ）に示すように、第２層フィルム
状フォトレジスト１０の表面に厚い嘆４を被着する。
状フォトレジスト１０の表面に厚い嘆４を被着する。
この時基板１上にはフィルム状フォトレジスト９．１０
の開口を通してバタン状厚膜５も形成されろ。厚膜５と
しては例えばｐｂを用い、その被一方法としては電子ビ
ーム蒸着法を使用する。
の開口を通してバタン状厚膜５も形成されろ。厚膜５と
しては例えばｐｂを用い、その被一方法としては電子ビ
ーム蒸着法を使用する。
（６）はく離液に浸漬してフィルム状フォトレジスト９
．１０をはく離する。この時、同時にフィルム状フォト
レジストの表面の厚膜４も除去され、第４図（ｆ）に示
すようにバタン状の厚膜５だけが基板上に残り所望のバ
タンか形成される。はく離液としては、フィルム状フォ
トレジストとしてリストンを用いた場合にはアセトン、
塩化メチレン等を使用することができる。
．１０をはく離する。この時、同時にフィルム状フォト
レジストの表面の厚膜４も除去され、第４図（ｆ）に示
すようにバタン状の厚膜５だけが基板上に残り所望のバ
タンか形成される。はく離液としては、フィルム状フォ
トレジストとしてリストンを用いた場合にはアセトン、
塩化メチレン等を使用することができる。
このような工程を通してバタン状厚膜を形成するので、
その幅寸法は第１層フィルム状フォトレジスト９の開口
寸法と第２１ｉｉフイルム状フオトレジスト１０の開口
寸法により規定される。第２層フィルム状フォトレジス
ト１０の開口寸法はフ第１・レジスト９の厚さにより決
り厚さ５０μｍの時の最小開口寸法は約６０μｍとなる
。第１層フィルム状フォトレジスト９の開口寸法は、第
２層フィルム状フォトレジスト１０の開口寸法の１．２
倍程度とれば十分である。また、バタン状厚膜５の膜厚
は第１層フィルム状フォトレジスト９の膜厚により規定
され、レジスト膜厚の０．８倍程度まで厚くできる。従
って本発明において第１層フィルム状レジスト９のｊ９
さを例えば５０μｍとすれば、幅約７０μｍ厚さ約４０
μｍと云う従来にない厚くて幅の狭いバタン状厚膜を容
易に得ることができる。
その幅寸法は第１層フィルム状フォトレジスト９の開口
寸法と第２１ｉｉフイルム状フオトレジスト１０の開口
寸法により規定される。第２層フィルム状フォトレジス
ト１０の開口寸法はフ第１・レジスト９の厚さにより決
り厚さ５０μｍの時の最小開口寸法は約６０μｍとなる
。第１層フィルム状フォトレジスト９の開口寸法は、第
２層フィルム状フォトレジスト１０の開口寸法の１．２
倍程度とれば十分である。また、バタン状厚膜５の膜厚
は第１層フィルム状フォトレジスト９の膜厚により規定
され、レジスト膜厚の０．８倍程度まで厚くできる。従
って本発明において第１層フィルム状レジスト９のｊ９
さを例えば５０μｍとすれば、幅約７０μｍ厚さ約４０
μｍと云う従来にない厚くて幅の狭いバタン状厚膜を容
易に得ることができる。
次に本発明の第２の実施例を第５図に示す。第１の実施
例における第１層のフィルム状フォトレジスト９と第２
層のフィルム状フォトレジスト１０の中間に第１層のフ
ィルム状フォトレジスト９とほぼ同一中心位置で同一寸
法の開口を有するフィルム状フォトレジスト１１を設け
たものである。その他は第１の実施例と同様である。第
１層フィルム状フォトレジスト９が十分厚い構造になっ
ているため、第１の実施例と同一のバタ７幅でさらに厚
いバタン状厚膜の形成が可能になる。フィルム状ノ第１
・レジスト１０の層数を増せばさらに厚いバタン状厚膜
の形成が可能であることは当然である。
例における第１層のフィルム状フォトレジスト９と第２
層のフィルム状フォトレジスト１０の中間に第１層のフ
ィルム状フォトレジスト９とほぼ同一中心位置で同一寸
法の開口を有するフィルム状フォトレジスト１１を設け
たものである。その他は第１の実施例と同様である。第
１層フィルム状フォトレジスト９が十分厚い構造になっ
ているため、第１の実施例と同一のバタ７幅でさらに厚
いバタン状厚膜の形成が可能になる。フィルム状ノ第１
・レジスト１０の層数を増せばさらに厚いバタン状厚膜
の形成が可能であることは当然である。
また、／＊数を増さないで第１層ＩＣ厚いフィルム状フ
ォトレジストを使用しても同じ効果が得られることも当
然である。
ォトレジストを使用しても同じ効果が得られることも当
然である。
さらに第３の実施例を第６図に示す。フィルム状７オト
し・シスト１０と１２はほぼ同−中心位置でほぼ同一寸
法の開口を有し、中間層のフィルム状フォトレ／スト１
１はフィルム状フォトレジスト１０゜１２より少し大き
な開口を有する。その他は第１゜第２の実施例と同様で
ある。このような構造にな−っているため、フィルム状
フォトレジスト１ｏの開Ｌ」寸法以上に蒸着物の侵入が
あるときでも、フィルム状フォトレジスト１２の開口仕
法によりバタン寸法が現定され、第１および第２の実施
例に比べさらに正確な寸法のバタン状厚膜を得ることが
できる。１だ、第６図においてフィルム状フォトレジス
ト１０と同一寸法の開口を持つフィルム状フォトレジス
トをフィルム状フォトレジスト１ｏの一七に積み重ねる
かあるいはフィルム状フォトレジスト１０として十分厚
いものを使用すれは、基板１に対する蒸着物の入射角が
小さくなりさらに容易に寸法精度の高いバタン状厚膜が
得られる。
し・シスト１０と１２はほぼ同−中心位置でほぼ同一寸
法の開口を有し、中間層のフィルム状フォトレ／スト１
１はフィルム状フォトレジスト１０゜１２より少し大き
な開口を有する。その他は第１゜第２の実施例と同様で
ある。このような構造にな−っているため、フィルム状
フォトレジスト１ｏの開Ｌ」寸法以上に蒸着物の侵入が
あるときでも、フィルム状フォトレジスト１２の開口仕
法によりバタン寸法が現定され、第１および第２の実施
例に比べさらに正確な寸法のバタン状厚膜を得ることが
できる。１だ、第６図においてフィルム状フォトレジス
ト１０と同一寸法の開口を持つフィルム状フォトレジス
トをフィルム状フォトレジスト１ｏの一七に積み重ねる
かあるいはフィルム状フォトレジスト１０として十分厚
いものを使用すれは、基板１に対する蒸着物の入射角が
小さくなりさらに容易に寸法精度の高いバタン状厚膜が
得られる。
なお、ここに示した実施例では基板にＳｌ′ｔ１：用い
たが、ガラス、セラミック、金属等でもよく、被着厚膜
にｐｂを使用したが、他の金属、絶縁物等であってもよ
く、被着方法も真空蒸着法に限らずスパッタ法等を使用
してもよい。
たが、ガラス、セラミック、金属等でもよく、被着厚膜
にｐｂを使用したが、他の金属、絶縁物等であってもよ
く、被着方法も真空蒸着法に限らずスパッタ法等を使用
してもよい。
以上説明したように、本発明は厚いフィルム状フォトレ
ジストを多層にし、各層のフィルム状フォトレジストの
開口寸法を変えているので、縁部の破損やパリがなく、
広がりの少ないか又は広がりのないバタン状厚膜を容易
に得ることができる利薇がある。
ジストを多層にし、各層のフィルム状フォトレジストの
開口寸法を変えているので、縁部の破損やパリがなく、
広がりの少ないか又は広がりのないバタン状厚膜を容易
に得ることができる利薇がある。
本発明は、集積回路、混成集積回路等の製造において、
配線及び電極形成に適用すれば導体抵抗の低減や高密度
な端子接続を実現する上で極めて有効である。
配線及び電極形成に適用すれば導体抵抗の低減や高密度
な端子接続を実現する上で極めて有効である。
第１図は従来のメタルマスクを用いたバタン状厚膜形成
方法を説明するだめの断面図、第２図は従来のエツチノ
グによるバタン状厚膜形成方法を説明するだめの断面図
、第３図は１層の７オトレジストを用いたリフトオフ法
による従来のパタン状１ｑ膜形成方法を説明するための
断面図、第４図はフィルム状フォトレジストを２／ｉ＃
にし張り出しを有するリフトオフ法を用いた本発明によ
るバタン状厚膜形成方法を説明するための断面図、第５
図は第４図に関連する形成方法に１層と同じ大きさの開
口を有するフィルム状フォトレジストを加えて３層とし
た本発明によるバタン状厚膜形成方法を説明するだめの
断面図、第６図は第４図に関連する形成方法を利用して
２層目のフィルム状フォトレジストの開口を少し大きく
した３層レジスト構造のバタン状厚膜形成方法を説明す
るだめの断面図である。 １・・・基板、２・・メタルマスク、３・・間隙、４．
５・・・厚膜、６，７・・・フォトレジスト、８・・縁
部、９，１０１１１，１２・・フィルム状フォトレジス
ト。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 白 水 常 雄外１名 躬 １ 閃 第 ２ 図 （Ｃ１） （０
）（ｂ） （ｂ）（
Ｃ） （Ｃ）第
３ 関 １’−１ 躬 ４ 閃 第 ５ 胆 め ６ 閃
方法を説明するだめの断面図、第２図は従来のエツチノ
グによるバタン状厚膜形成方法を説明するだめの断面図
、第３図は１層の７オトレジストを用いたリフトオフ法
による従来のパタン状１ｑ膜形成方法を説明するための
断面図、第４図はフィルム状フォトレジストを２／ｉ＃
にし張り出しを有するリフトオフ法を用いた本発明によ
るバタン状厚膜形成方法を説明するための断面図、第５
図は第４図に関連する形成方法に１層と同じ大きさの開
口を有するフィルム状フォトレジストを加えて３層とし
た本発明によるバタン状厚膜形成方法を説明するだめの
断面図、第６図は第４図に関連する形成方法を利用して
２層目のフィルム状フォトレジストの開口を少し大きく
した３層レジスト構造のバタン状厚膜形成方法を説明す
るだめの断面図である。 １・・・基板、２・・メタルマスク、３・・間隙、４．
５・・・厚膜、６，７・・・フォトレジスト、８・・縁
部、９，１０１１１，１２・・フィルム状フォトレジス
ト。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 白 水 常 雄外１名 躬 １ 閃 第 ２ 図 （Ｃ１） （０
）（ｂ） （ｂ）（
Ｃ） （Ｃ）第
３ 関 １’−１ 躬 ４ 閃 第 ５ 胆 め ６ 閃
Claims (4)
- （１）所定の開口バタンを有するフィルム状フォトレジ
ストが形成された基板の表面に厚膜を被着した後、該フ
ィルム状フォトレジストならびにその表面に被着した厚
膜を除去することにより、前記基板上にバタン状厚膜を
形成する方法において、該フィルム状フォトレジストは
複数枚のフィルム状フォトレジストを積層することによ
り形成され、各フィルム状フォトレジストの開口はそれ
ぞれの中心位置がほぼ一致しかつ前記複数枚のフィルム
状フォトレジストのうち少なくとも一枚のフィルム状フ
ォトレジストに形成する開口の寸法が他のフィルム状フ
ォトレジストに形成される開口の寸法より小さくなるよ
うに形成されることを特徴とするバタン状厚膜の形成方
法。 - （２）前記基板上に第１層フィルム状フォトレジストを
積層し露光・現像して前記開口を形成し、該第１層フィ
ルム状フォトレジスト表面に第２層フィルム状フォトレ
ジストを積層し露光・現像して第１層フォトレジストの
開口とほぼ同一の中心位置で第１層フォトレジストの開
口寸法より小さい開口を形成し、該第２層フィルム状フ
ォトレジストの表面ならびに前記両開口を通して前記基
板上に厚膜を付着し、第２層フィルム状フォトレジスト
および第１層フィルム状フォトレジストを第２層フィル
ム状フォトレジスト表面の厚膜とともに除去することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバタン状厚膜の
形成方法。 - （３）前記第１層フィルム状フォトレジストの厚すが前
記第２層フィルム状フォトレジストより厚いことを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載のバタン状厚膜の形成
方法。 - （４）前記基板上に第１層フィルム状フォトレジストを
積層し露光・現像して前記開口を形成し、該第１層表面
に第２層フィルム状フォトレジストを積層し露光・現像
して第１層の開口とほぼ同一の中心位置で第１層の開口
寸法より大きい開口を形成し、該第２層表面に第３層フ
ィルム状フォトレジストを積層し露光・現像して第１層
の開口とほぼ同一の中心位置で第１層とほぼ同一寸法の
開口を形成し、該第３層の表面ならびに第３層、第２層
および第１層の開口を通して前記基板上に厚膜を付着し
、第３層、第２層および第１層のフィルム状フォトレジ
ストを第３層表面の厚膜とともに除去することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のバタン状厚膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43282A JPS58118117A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | パタン状厚膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43282A JPS58118117A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | パタン状厚膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118117A true JPS58118117A (ja) | 1983-07-14 |
| JPH0419704B2 JPH0419704B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=11473647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43282A Granted JPS58118117A (ja) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | パタン状厚膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118117A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013216937A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | スポットめっき装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623746A (en) * | 1979-08-01 | 1981-03-06 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-01-06 JP JP43282A patent/JPS58118117A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623746A (en) * | 1979-08-01 | 1981-03-06 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013216937A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | スポットめっき装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0419704B2 (ja) | 1992-03-31 |
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