JPH03219506A - 超伝導薄膜の堆積方法 - Google Patents
超伝導薄膜の堆積方法Info
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- JPH03219506A JPH03219506A JP2015734A JP1573490A JPH03219506A JP H03219506 A JPH03219506 A JP H03219506A JP 2015734 A JP2015734 A JP 2015734A JP 1573490 A JP1573490 A JP 1573490A JP H03219506 A JPH03219506 A JP H03219506A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- -1 for example Substances 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路、特に超伝導集積回路で用いられる
薄膜の堆積方法に関するものである。
薄膜の堆積方法に関するものである。
［従来の技術］
基板１上に堆積された薄膜の内部応力としては、第３図
（ａ）に示すように、圧縮応力を持つ薄膜２の場合と、
第３図（ｂ）に示すように、引っ張り応力を持つ薄膜３
の場合がある。基板に堆積された状態では、圧縮応力の
場合は、下に凸となり、引っ張り応力の場合は、上に凸
となる。従来、内部応力の強い薄膜については、集積回
路の作製工程の途中で、特に超音波洗浄やスクラバーな
どの工程中に剥離する問題が、知られており、その対策
としては、薄膜の堆積工程に関する諸条件を検討して、
内部応力そのものを減らすような方法が行なわれていた
。
（ａ）に示すように、圧縮応力を持つ薄膜２の場合と、
第３図（ｂ）に示すように、引っ張り応力を持つ薄膜３
の場合がある。基板に堆積された状態では、圧縮応力の
場合は、下に凸となり、引っ張り応力の場合は、上に凸
となる。従来、内部応力の強い薄膜については、集積回
路の作製工程の途中で、特に超音波洗浄やスクラバーな
どの工程中に剥離する問題が、知られており、その対策
としては、薄膜の堆積工程に関する諸条件を検討して、
内部応力そのものを減らすような方法が行なわれていた
。
しかしながら、一般に、高い超伝導臨界温度を示す超伝
導薄膜は、内部応力が強い。従って、内部応力の強い薄
膜がどうしても必要な超伝導集積回路の場合には、上述
した従来技術では対応できなかった。また、内部応力の
強い薄膜を使用した場合、基板が湾曲するため、集積回
路の作製工程におけるリングラフィ工程のように平坦性
を要求する工程について、焦点が狂うといった問題があ
った。
導薄膜は、内部応力が強い。従って、内部応力の強い薄
膜がどうしても必要な超伝導集積回路の場合には、上述
した従来技術では対応できなかった。また、内部応力の
強い薄膜を使用した場合、基板が湾曲するため、集積回
路の作製工程におけるリングラフィ工程のように平坦性
を要求する工程について、焦点が狂うといった問題があ
った。
本発明はこのような従来の問題を解決し、内部応力が緩
和される薄膜堆積法を提供することを目的とする。
和される薄膜堆積法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基板に薄膜を堆積する方法において、前記基
板上に前記薄膜と反対の内部応力を有し、かつ前記薄膜
と同質の材料からなる第２の薄膜を堆積し、しかる後該
第２の薄膜上に前記薄膜を堆積させることを特徴とする
。
板上に前記薄膜と反対の内部応力を有し、かつ前記薄膜
と同質の材料からなる第２の薄膜を堆積し、しかる後該
第２の薄膜上に前記薄膜を堆積させることを特徴とする
。
本発明では、第１図に示すように、集積回路中で内部応
力の強い第１の薄膜４を使用する際に、その薄膜４の内
部応力はそのままにして、それとは反対の内部応力を持
つ第２の薄膜５を直下に配置して、内部応力の影響を緩
和するものである。
力の強い第１の薄膜４を使用する際に、その薄膜４の内
部応力はそのままにして、それとは反対の内部応力を持
つ第２の薄膜５を直下に配置して、内部応力の影響を緩
和するものである。
内部応力の強い薄膜が、集積回路の作製工程の途中で、
剥離する原因は、基本的には、薄膜と基板の密着が悪い
ことにより、内部応力は、それを加速する要因と考えら
れる。第１図のような構造を考えた場合、第１の薄膜４
と第２の薄膜５は、同質の材料（例えば、金属膜には金
属膜、絶縁膜には絶縁膜）であれば、それらの間での密
着は良（、従って、それらの薄膜の間で、内部応力を相
殺するため、基板１と薄膜５の間には、剥離を加速する
要因がな（なる。このように、比較的薄膜と基板の密着
が悪い場合でも、剥離が生じにくくなる。
剥離する原因は、基本的には、薄膜と基板の密着が悪い
ことにより、内部応力は、それを加速する要因と考えら
れる。第１図のような構造を考えた場合、第１の薄膜４
と第２の薄膜５は、同質の材料（例えば、金属膜には金
属膜、絶縁膜には絶縁膜）であれば、それらの間での密
着は良（、従って、それらの薄膜の間で、内部応力を相
殺するため、基板１と薄膜５の間には、剥離を加速する
要因がな（なる。このように、比較的薄膜と基板の密着
が悪い場合でも、剥離が生じにくくなる。
基板１として、ＳＬウェハー、第１の膜４として、Ｎｂ
Ｎ膜、第２の膜５として、Ｎｂ膜を用いた場合について
、本発明の実施例を示す。この場合、ＮｂＮ膜は、圧縮
応力を持ち、Ｎｂ膜は、引っ張り応力を持つ。直径５ｃ
ｍ、厚さ３５０μｍのＳＬ基板上に、スパッタ装置を用
いて、アルゴンガス圧力８ｍＴｏｒｒ ＋高周波電力４
５０Ｗの条件で１５ｃｍ径のＮｂターゲットをスパッタ
して厚さ１５０ｎｍのＮｂ膜を堆積し、続いてアルゴン
ガスと窒素ガスの混合ガス圧力８．５ｍＴｏｒｒ、高周
波電力４００Ｗの条件で直径１５ｃｍのＮｂターゲット
をスパッタして厚さ１１００ｎのＮｂＮ膜を堆積した。
Ｎ膜、第２の膜５として、Ｎｂ膜を用いた場合について
、本発明の実施例を示す。この場合、ＮｂＮ膜は、圧縮
応力を持ち、Ｎｂ膜は、引っ張り応力を持つ。直径５ｃ
ｍ、厚さ３５０μｍのＳＬ基板上に、スパッタ装置を用
いて、アルゴンガス圧力８ｍＴｏｒｒ ＋高周波電力４
５０Ｗの条件で１５ｃｍ径のＮｂターゲットをスパッタ
して厚さ１５０ｎｍのＮｂ膜を堆積し、続いてアルゴン
ガスと窒素ガスの混合ガス圧力８．５ｍＴｏｒｒ、高周
波電力４００Ｗの条件で直径１５ｃｍのＮｂターゲット
をスパッタして厚さ１１００ｎのＮｂＮ膜を堆積した。
一方、比較のため、直径５ ｃｍ、厚さ３５０μｍのＳ
Ｌ基板上に同じ条件で厚さ１１００ｎのＮｂＮ膜をスパ
ッタ堆積した。このようにして堆積した２種類の薄膜の
応力を測定した。
Ｌ基板上に同じ条件で厚さ１１００ｎのＮｂＮ膜をスパ
ッタ堆積した。このようにして堆積した２種類の薄膜の
応力を測定した。
表面荒さ計ｆＴｅｎｃｏｒ社製Ａｌｐｈａ−３ｔｅｐ）
を用いて、試料の表面を特定の（２ｍｍ）範囲で触針で
走査することによって、その断面形状を測定した結果を
第２図に示す。第２図（ａ）は１５０ｎｍ ＦＪＮｂ膜
（下層）とｌｏｏｎｍ厚ＮｂＮ膜（上層）の場合の測定
結果である。２ｍｍスキャンしてもほとんど高低がなく
、内部応力が緩和されていることを示している。一方、
第２図（ｂ）はＮｂＮ膜１１００ｎのみの場合で、２ｍ
ｍスキャンする間に上に凸に１０ｎｍ高さが変化してい
る。これは内部応力が圧縮応力であることを意味してい
る。このように、本発明方法によって、二つの膜の内部
応力は相殺され、かつ表面の平坦な膜を得ることができ
る。
を用いて、試料の表面を特定の（２ｍｍ）範囲で触針で
走査することによって、その断面形状を測定した結果を
第２図に示す。第２図（ａ）は１５０ｎｍ ＦＪＮｂ膜
（下層）とｌｏｏｎｍ厚ＮｂＮ膜（上層）の場合の測定
結果である。２ｍｍスキャンしてもほとんど高低がなく
、内部応力が緩和されていることを示している。一方、
第２図（ｂ）はＮｂＮ膜１１００ｎのみの場合で、２ｍ
ｍスキャンする間に上に凸に１０ｎｍ高さが変化してい
る。これは内部応力が圧縮応力であることを意味してい
る。このように、本発明方法によって、二つの膜の内部
応力は相殺され、かつ表面の平坦な膜を得ることができ
る。
［発明の効果コ
本発明の方法を用いれば、従来、内部応力が強（利用が
難しいような薄膜の場合について、容易に、剥離の問題
を解決できるため、集積回路へのその利用が可能となる
。また、本発明によれば、基板の湾曲が減少するので、
集積回路の作製工程において、特にリソグラフィ工程の
ように平坦性を要求する工程について、有利になる。
難しいような薄膜の場合について、容易に、剥離の問題
を解決できるため、集積回路へのその利用が可能となる
。また、本発明によれば、基板の湾曲が減少するので、
集積回路の作製工程において、特にリソグラフィ工程の
ように平坦性を要求する工程について、有利になる。
第１図は本発明方法による堆積膜の模式的断面図、
第２図は堆積膜の反りを示す図、
第３図は従来法による堆積膜の模式的断面図である。
１・・・基板、
２．３・・・薄膜、
４・・・第１の薄膜、
５・・・第１の薄膜と内部応力が反対の第２の薄膜。
本発明方法による踵積ｐ県式的断面図
第１図
Claims (1)
- 基板に薄膜を堆積する方法において、前記基板上に前記
薄膜と反対の内部応力を有し、かつ前記薄膜と同質の材
料からなる第２の薄膜を堆積し、しかる後該第２の薄膜
上に前記薄膜を堆積させることを特徴とする薄膜の堆積
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015734A JPH0775124B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 薄膜の堆積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015734A JPH0775124B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 薄膜の堆積方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219506A true JPH03219506A (ja) | 1991-09-26 |
| JPH0775124B2 JPH0775124B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=11896997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015734A Expired - Lifetime JPH0775124B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 薄膜の堆積方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0775124B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998052235A1 (fr) * | 1997-05-13 | 1998-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Element dielectrique a film mince et procede de fabrication de cet element |
| JP2007179804A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導導体とその製造方法 |
| JP2009253275A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Xi Max Co Ltd | セラミック印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745931A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device with multilayer passivation film and manufacture thereof |
| JPS60126839A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01200268A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2015734A patent/JPH0775124B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745931A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device with multilayer passivation film and manufacture thereof |
| JPS60126839A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01200268A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998052235A1 (fr) * | 1997-05-13 | 1998-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Element dielectrique a film mince et procede de fabrication de cet element |
| WO1998052227A1 (fr) * | 1997-05-13 | 1998-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Element a couche mince dielectrique et son procede de fabrication |
| US6376889B1 (en) | 1997-05-13 | 2002-04-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dielectric thin film element and process for manufacturing the same |
| JP2007179804A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導導体とその製造方法 |
| JP4732162B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-07-27 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導導体とその製造方法 |
| JP2009253275A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Xi Max Co Ltd | セラミック印刷回路基板の原板及び原板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0775124B2 (ja) | 1995-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |