JP2634273B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2634273B2 JP2634273B2 JP2013637A JP1363790A JP2634273B2 JP 2634273 B2 JP2634273 B2 JP 2634273B2 JP 2013637 A JP2013637 A JP 2013637A JP 1363790 A JP1363790 A JP 1363790A JP 2634273 B2 JP2634273 B2 JP 2634273B2
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- insulating film
- film
- semiconductor device
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、プ
ラズマCVDによって絶縁膜を形成する半導体装置の製造
方法に関するものである。
ラズマCVDによって絶縁膜を形成する半導体装置の製造
方法に関するものである。
［従来の技術］ 第２図は、従来の半導体装置の電極配線（12）周辺の
構造を示し、図において、（11）は基板（10）上の電極
配線（12）上に形成されたプラズマCVDによる絶縁膜で
ある。電極配線（12）は例えばAl、Al−Si、Al−Si−C
u、Al−Cu等を材料としている。電極配線（12）の下敷
絶縁膜（13）は、主に、導電性電極配線（12）の下層と
の絶縁膜として機能している。
構造を示し、図において、（11）は基板（10）上の電極
配線（12）上に形成されたプラズマCVDによる絶縁膜で
ある。電極配線（12）は例えばAl、Al−Si、Al−Si−C
u、Al−Cu等を材料としている。電極配線（12）の下敷
絶縁膜（13）は、主に、導電性電極配線（12）の下層と
の絶縁膜として機能している。
従来、プラズマCVDによる絶縁膜（以後、パッシベー
ション膜と呼称する）（11）の形成装置としては、平行
平板型とチューブ型の２つのタイプがあり、ここでは主
にチューブ型Ｐ−CVD装置を用いる場合について説明を
行う。チューブ型Ｐ−CVD装置内部の絶縁膜形成部を第
３図に示す。図において、（14）はRF発振基板、（15）
は温測のための空洞、（16）はRF発振源である。
ション膜と呼称する）（11）の形成装置としては、平行
平板型とチューブ型の２つのタイプがあり、ここでは主
にチューブ型Ｐ−CVD装置を用いる場合について説明を
行う。チューブ型Ｐ−CVD装置内部の絶縁膜形成部を第
３図に示す。図において、（14）はRF発振基板、（15）
は温測のための空洞、（16）はRF発振源である。
以上の装置により、シリコン基板（10）はRF発振基板
（14）に裏面を接触させた状態で、RF発振基板（14）間
に発生したプラズマによって絶縁膜が形成される。この
プラズマによって形成される絶縁膜はパッシベーション
膜として窒化膜が用いられる。この窒化膜は通常高スト
レス（３×109dyn/cm2以上）の膜なので、低ストレス化
を目的として2.5torr以上の低真空下で形成を行ってい
る。
（14）に裏面を接触させた状態で、RF発振基板（14）間
に発生したプラズマによって絶縁膜が形成される。この
プラズマによって形成される絶縁膜はパッシベーション
膜として窒化膜が用いられる。この窒化膜は通常高スト
レス（３×109dyn/cm2以上）の膜なので、低ストレス化
を目的として2.5torr以上の低真空下で形成を行ってい
る。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の半導体装置の製造方法では、第３図に示したよ
うに、パーシベーション膜（11）形成装置によって、シ
リコン基板（10）上に形成されるパッシベーション膜
（11）の形成状態、膜質、膜厚均一性は、RF発振源（1
6）、シリコン基板（10）とRF発振基板（14）との接触
状態、RF発振基板（14）の形状などに影響される。従
来、RF発振基板（14）の形状は、第４図に示すように裏
面吸着式エアピンセットによるシリコン基板（10）のRF
発振基板（14）へのロード，アンロードのため、深さ約
15mmのギャップ部であるザグリ（17）が入っている。従
来、このザグリ（17）によって、このザグリ上部のシリ
コン基板（10）の部分にパッシベーション膜（11）形成
後、ゴマ状の異物が形成される。このゴマ状の部分的異
物形成はザグリ深さが深くなるほど激しくなり、発生す
る面積も拡がっていく。また、このゴマ状の異物はシリ
コン基板（10）のソリ状態にも依存し、シリコン基板
（10）がテンシル方向によっていれば、異物形成がより
加速される傾向にある。さらにこのゴマ状の部分的異物
は、パッシベーション膜（11）の形成条件にも依存し、
形成時の真空度が2.5torr以上と低真空のときに限り発
生する。しかし、このゴマ状の部分的異物は、基板の表
面が絶縁膜で覆われていれば発生しない。
うに、パーシベーション膜（11）形成装置によって、シ
リコン基板（10）上に形成されるパッシベーション膜
（11）の形成状態、膜質、膜厚均一性は、RF発振源（1
6）、シリコン基板（10）とRF発振基板（14）との接触
状態、RF発振基板（14）の形状などに影響される。従
来、RF発振基板（14）の形状は、第４図に示すように裏
面吸着式エアピンセットによるシリコン基板（10）のRF
発振基板（14）へのロード，アンロードのため、深さ約
15mmのギャップ部であるザグリ（17）が入っている。従
来、このザグリ（17）によって、このザグリ上部のシリ
コン基板（10）の部分にパッシベーション膜（11）形成
後、ゴマ状の異物が形成される。このゴマ状の部分的異
物形成はザグリ深さが深くなるほど激しくなり、発生す
る面積も拡がっていく。また、このゴマ状の異物はシリ
コン基板（10）のソリ状態にも依存し、シリコン基板
（10）がテンシル方向によっていれば、異物形成がより
加速される傾向にある。さらにこのゴマ状の部分的異物
は、パッシベーション膜（11）の形成条件にも依存し、
形成時の真空度が2.5torr以上と低真空のときに限り発
生する。しかし、このゴマ状の部分的異物は、基板の表
面が絶縁膜で覆われていれば発生しない。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされた
もので、パッシベーション膜をシリコン基板のソリ状態
などの依存性なく、安定して形成することができる半導
体装置の製造方法を得ることを目的とする。
もので、パッシベーション膜をシリコン基板のソリ状態
などの依存性なく、安定して形成することができる半導
体装置の製造方法を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明の係る半導体装置の製造方法は、下層絶縁膜
として1.5Torr未満の高真空の形成条件で下層絶縁膜を
形成した後、2.5Torr以上の低真空の形成条件で上層絶
縁膜を形成してパッシベーション膜を成膜する。
として1.5Torr未満の高真空の形成条件で下層絶縁膜を
形成した後、2.5Torr以上の低真空の形成条件で上層絶
縁膜を形成してパッシベーション膜を成膜する。
［作 用］ この発明においては、下層絶縁膜を高真空下で成膜す
るため、ギャップ部によるプラズマ放電の不安定性が低
減される。半導体基板の表面はこの高真空下で成膜され
た下層絶縁膜で覆われているため、この後にプラズマ放
電状態が不安定になる傾向の低真空下で上層絶縁膜の成
膜を行っても、ゴム状異物が発生することはない。
るため、ギャップ部によるプラズマ放電の不安定性が低
減される。半導体基板の表面はこの高真空下で成膜され
た下層絶縁膜で覆われているため、この後にプラズマ放
電状態が不安定になる傾向の低真空下で上層絶縁膜の成
膜を行っても、ゴム状異物が発生することはない。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を第１図を参照して説明す
る。
る。
（Ｉ） 同図（ａ）にパッシベーション膜形成前の半導
体装置を示す。同図（ａ）に示したように、半導体基板
（10）の表面には電極配線（12）が下敷絶縁膜（13）上
にパターニングされており、この状態で320℃以下の低
温、2.5Torr以上の低真空でプラズマCVD膜を形成する
と、RF発振基板（14）のギャップ部であるザグリ部（1
7）によるプラズマ放電の不安定および形成後の部分的
異物が生じる。
体装置を示す。同図（ａ）に示したように、半導体基板
（10）の表面には電極配線（12）が下敷絶縁膜（13）上
にパターニングされており、この状態で320℃以下の低
温、2.5Torr以上の低真空でプラズマCVD膜を形成する
と、RF発振基板（14）のギャップ部であるザグリ部（1
7）によるプラズマ放電の不安定および形成後の部分的
異物が生じる。
その対策として高温化することは、アルミのヒロック
成長を促進することになり不可能である。
成長を促進することになり不可能である。
（II） 以上の理由により1.5Torr以下の高真空下でプ
ラズマ窒化膜を形成する。
ラズマ窒化膜を形成する。
高真空下でプラズマ窒化膜を形成するためプラズマ放
電は安定しており、異常放電や部分的なゴマ状異物の発
生もない。
電は安定しており、異常放電や部分的なゴマ状異物の発
生もない。
ただし、この膜は高真空下で成膜するため高ストレス
でソリの大きい膜である。この高真空下のプラズマ窒化
膜（９）形成後の半導体装置を同図（ｂ）に示す。
でソリの大きい膜である。この高真空下のプラズマ窒化
膜（９）形成後の半導体装置を同図（ｂ）に示す。
（III） 次に、2.5Torr以上の低真空下でプラズマ窒化
膜を形成して［同図（ｃ）］完成する。低真空で成膜さ
れたプラズマ窒化膜（11）は、プラズマ放電が不安定に
なる傾向があるが、低ストレスであり、半導体装置がこ
の絶縁膜によって覆われているため、異常放電や部分的
なゴマ状異物の発生を招くこともない。
膜を形成して［同図（ｃ）］完成する。低真空で成膜さ
れたプラズマ窒化膜（11）は、プラズマ放電が不安定に
なる傾向があるが、低ストレスであり、半導体装置がこ
の絶縁膜によって覆われているため、異常放電や部分的
なゴマ状異物の発生を招くこともない。
なお、上記実施例では下層絶縁膜としてプラズマ窒化
膜を用いたが、SiO2のようなプラズマ酸化膜でもよく、
同様の効果を奏する。
膜を用いたが、SiO2のようなプラズマ酸化膜でもよく、
同様の効果を奏する。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、例えば低真空下で
プラズマ窒化膜を成膜する場合、プラズマ放電の不安定
性、ゴマ状異物の発生要因となる基板サセプタであるRF
発振基板のギャップ部の影響、基板のソリ状態による影
響を受けることなく、安定して成膜することが可能であ
る。
プラズマ窒化膜を成膜する場合、プラズマ放電の不安定
性、ゴマ状異物の発生要因となる基板サセプタであるRF
発振基板のギャップ部の影響、基板のソリ状態による影
響を受けることなく、安定して成膜することが可能であ
る。
また、高ストレス、低ストレスの２種の膜を用いるこ
とからある範囲のストレスコントロールも可能である。
とからある範囲のストレスコントロールも可能である。
さらに、低ストレスの膜を安定して成膜でき、例えば
アルミスライドに対して効果のあるパッシベーション窒
化膜の厚膜化も可能である。
アルミスライドに対して効果のあるパッシベーション窒
化膜の厚膜化も可能である。
第１図はこの発明の一実施例を工程順に示した一部断面
図、第２図は従来の半導体装置の一部断面図、第３図は
チューブ型プラズマCVD装置の要部概略平面図、第４図
はチューブ型プラズマCVD装置の一部の側面図（ａ）お
よび平面図（ｂ）である。 （９）……高真空下成膜の絶縁膜（下層絶縁膜）、（1
0）……半導体基板、（11）……低真空下成膜の絶縁膜
（上層絶縁膜）、（12）……電極配線、（13）……下敷
絶縁膜、（14）……RF発振基板、（15）……温測のため
の空洞、（16）……RF発振源、（17）……ピンセットザ
グリ部。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
図、第２図は従来の半導体装置の一部断面図、第３図は
チューブ型プラズマCVD装置の要部概略平面図、第４図
はチューブ型プラズマCVD装置の一部の側面図（ａ）お
よび平面図（ｂ）である。 （９）……高真空下成膜の絶縁膜（下層絶縁膜）、（1
0）……半導体基板、（11）……低真空下成膜の絶縁膜
（上層絶縁膜）、（12）……電極配線、（13）……下敷
絶縁膜、（14）……RF発振基板、（15）……温測のため
の空洞、（16）……RF発振源、（17）……ピンセットザ
グリ部。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】ギャップ部を有するRF発振基板に、下敷絶
縁膜を介して電極配線が施された半導体基板を接触させ
た状態でプラズマCVDによる絶縁膜を形成する半導体装
置の製造方法において、1.5Torr未満の高真空中で下層
絶縁膜を形成後、2.5Torr以上の低真空中で上層絶縁層
を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013637A JP2634273B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013637A JP2634273B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219630A JPH03219630A (ja) | 1991-09-27 |
| JP2634273B2 true JP2634273B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=11838751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013637A Expired - Lifetime JP2634273B2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2634273B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01186627A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-26 | Rohm Co Ltd | 半導体素子のパシベーション膜作成方法 |
| JPH01211929A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2013637A patent/JP2634273B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03219630A (ja) | 1991-09-27 |
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