JPH0661183A - スパッタエッチング装置 - Google Patents
スパッタエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0661183A JPH0661183A JP20910492A JP20910492A JPH0661183A JP H0661183 A JPH0661183 A JP H0661183A JP 20910492 A JP20910492 A JP 20910492A JP 20910492 A JP20910492 A JP 20910492A JP H0661183 A JPH0661183 A JP H0661183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- counter electrode
- electrode plate
- silicon
- sputter etching
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、シリコンウエハのスパッタエッチ
ングにより対向電極板５に付着した付着層６が膜応力に
より剥がれて真空槽中で発塵するのを防止することを目
的とするものである。 【構成】 対向電極板５の表面に予めシリコン薄膜層１
１を形成した。付着層６は、主にシリコンからなってい
るため、石英からなる対向電極板５への密着力よりも強
い密着力が得られる。
ングにより対向電極板５に付着した付着層６が膜応力に
より剥がれて真空槽中で発塵するのを防止することを目
的とするものである。 【構成】 対向電極板５の表面に予めシリコン薄膜層１
１を形成した。付着層６は、主にシリコンからなってい
るため、石英からなる対向電極板５への密着力よりも強
い密着力が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタエッチング
装置に関し、特に対向電極板に付着した物質による発塵
防止に関するものである。
装置に関し、特に対向電極板に付着した物質による発塵
防止に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のスパッタエッチング装置の
一例を示す要部構成図である。図において、１は真空槽
（図示せず）中に設けられたシリコンウエハ、２はシリ
コンウエハ１を支持する支持部材、３は真空槽中のシリ
コンウエハ１の裏面側に設けられた電極であり、この電
極３には、高周波（ＲＦ）電源が接続されている。４は
シリコンウエハ１に対向して真空槽中に設けられた対向
電極、５は対向電極４のシリコンウエハ１に対向する面
に設けられた対向電極板であり、この対向電極板５は石
英からなっている。
一例を示す要部構成図である。図において、１は真空槽
（図示せず）中に設けられたシリコンウエハ、２はシリ
コンウエハ１を支持する支持部材、３は真空槽中のシリ
コンウエハ１の裏面側に設けられた電極であり、この電
極３には、高周波（ＲＦ）電源が接続されている。４は
シリコンウエハ１に対向して真空槽中に設けられた対向
電極、５は対向電極４のシリコンウエハ１に対向する面
に設けられた対向電極板であり、この対向電極板５は石
英からなっている。
【０００３】上記のように構成された従来のスパッタエ
ッチング装置においては、電極３と対向電極４との間に
高周波電圧を印加し、真空槽中に少量のＡｒガスを導入
する。導入されたＡｒガスは、放電により発生したプラ
ズマによってイオン化され、シリコンウエハ１の表面に
衝突する。このＡｒイオンの衝突により、シリコンウエ
ハ１の表面がエッチングされる。
ッチング装置においては、電極３と対向電極４との間に
高周波電圧を印加し、真空槽中に少量のＡｒガスを導入
する。導入されたＡｒガスは、放電により発生したプラ
ズマによってイオン化され、シリコンウエハ１の表面に
衝突する。このＡｒイオンの衝突により、シリコンウエ
ハ１の表面がエッチングされる。
【０００４】一方、エッチングされたシリコンウエハ１
の表面物質の大部分は、図の矢印のように、対向電極板
５の表面に向けて飛ばされる。このため、対向電極板５
の表面には、最初は図４に示すように何も付着していな
いが、スパッタエッチングを行うことにより、図３に示
すように、付着層６が徐々に形成されていくことにな
る。この付着層６は、支持部材２の材料である石英など
も含まれてはいるが、主にシリコンからなっている。
の表面物質の大部分は、図の矢印のように、対向電極板
５の表面に向けて飛ばされる。このため、対向電極板５
の表面には、最初は図４に示すように何も付着していな
いが、スパッタエッチングを行うことにより、図３に示
すように、付着層６が徐々に形成されていくことにな
る。この付着層６は、支持部材２の材料である石英など
も含まれてはいるが、主にシリコンからなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来のスパッタエッチング装置においては、スパッタ
エッチングの量に比例して、石英製の対向電極板５上に
付着層３が形成されていくが、この付着層３はその厚さ
がある程度以上厚くなると、図５に示すように、膜応力
によって一部が剥がれてしまうので、真空槽中で発塵
し、半導体装置の品質が低下するという問題点があっ
た。
た従来のスパッタエッチング装置においては、スパッタ
エッチングの量に比例して、石英製の対向電極板５上に
付着層３が形成されていくが、この付着層３はその厚さ
がある程度以上厚くなると、図５に示すように、膜応力
によって一部が剥がれてしまうので、真空槽中で発塵
し、半導体装置の品質が低下するという問題点があっ
た。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、対向電極板と
その表面に付着する付着層との密着力を強くすることに
よって、発塵を抑えることができ、半導体装置の品質を
向上させることができるスパッタエッチング装置を得る
ことを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、対向電極板と
その表面に付着する付着層との密着力を強くすることに
よって、発塵を抑えることができ、半導体装置の品質を
向上させることができるスパッタエッチング装置を得る
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るスパッタ
エッチング装置は、対向電極板の表面に予めシリコン薄
膜層を形成したものである。
エッチング装置は、対向電極板の表面に予めシリコン薄
膜層を形成したものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、対向電極板表面のシリコ
ン薄膜層の上に、シリコンウエハからエッチングされた
シリコンの付着層が形成されるため、付着層の密着力が
強くなる。
ン薄膜層の上に、シリコンウエハからエッチングされた
シリコンの付着層が形成されるため、付着層の密着力が
強くなる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の一実施例によるスパッタエッチン
グ装置の対向電極板端部の断面図であり、他の部分の構
成は図３と同様である。図において、１１は例えばＣＶ
Ｄ法により対向電極板５の表面全体に形成されたシリコ
ン薄膜層である。
る。図１はこの発明の一実施例によるスパッタエッチン
グ装置の対向電極板端部の断面図であり、他の部分の構
成は図３と同様である。図において、１１は例えばＣＶ
Ｄ法により対向電極板５の表面全体に形成されたシリコ
ン薄膜層である。
【００１０】このようなスパッタエッチング装置では、
従来と同様にしてシリコンウエハ１（図３）のエッチン
グが行われるが、対向電極板５の表面にシリコン薄膜層
１１が形成されているため、シリコンウエハ１から飛ば
された表面物質は対向電極板５に直接付着せず、図６に
示すように、シリコン薄膜層１１上に付着する。上述し
たように、このようにして形成された付着層６は主にシ
リコンからなっているため、シリコン同志の結合とな
り、付着層６のシリコン薄膜層１１への密着力は、対向
電極板５への密着力よりも強くなる。
従来と同様にしてシリコンウエハ１（図３）のエッチン
グが行われるが、対向電極板５の表面にシリコン薄膜層
１１が形成されているため、シリコンウエハ１から飛ば
された表面物質は対向電極板５に直接付着せず、図６に
示すように、シリコン薄膜層１１上に付着する。上述し
たように、このようにして形成された付着層６は主にシ
リコンからなっているため、シリコン同志の結合とな
り、付着層６のシリコン薄膜層１１への密着力は、対向
電極板５への密着力よりも強くなる。
【００１１】従って、図５に示したような膜応力による
付着層６の剥がれが発生しにくくなり、真空槽中での発
塵が抑えられる。この結果、製造される半導体装置の品
質が向上する。
付着層６の剥がれが発生しにくくなり、真空槽中での発
塵が抑えられる。この結果、製造される半導体装置の品
質が向上する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のスパッ
タエッチング装置は、対向電極板の表面に予めシリコン
薄膜層を形成したので、エッチングにより対向電極板の
表面に付着する付着層の密着力を強くすることができ、
これにより真空槽中での発塵を抑えることができ、製造
される半導体装置の品質を向上させることができるとい
う効果を奏する。
タエッチング装置は、対向電極板の表面に予めシリコン
薄膜層を形成したので、エッチングにより対向電極板の
表面に付着する付着層の密着力を強くすることができ、
これにより真空槽中での発塵を抑えることができ、製造
される半導体装置の品質を向上させることができるとい
う効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例によるスパッタエッチング
装置の対向電極板端部の断面図である。
装置の対向電極板端部の断面図である。
【図２】図１のスパッタエッチング後の状態を示す断面
図である。
図である。
【図３】従来のスパッタエッチング装置の一例を示す要
部構成図である。
部構成図である。
【図４】図３の対向電極板端部のスパッタエッチング前
の状態を示す断面図である。
の状態を示す断面図である。
【図５】図４のスパッタエッチング後の状態を示す断面
図である。
図である。
１ シリコンウエハ ４ 対向電極 ５ 対向電極板 １１ シリコン薄膜層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年４月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来のスパッタエッチング装置においては、スパッタ
エッチングの量に比例して、石英製の対向電極板５上に
付着層６が形成されていくが、この付着層６はその厚さ
がある程度以上厚くなると、図５に示すように、膜応力
によって一部が剥がれてしまうので、真空槽中で発塵
し、半導体装置の品質が低下するという問題点があっ
た。
た従来のスパッタエッチング装置においては、スパッタ
エッチングの量に比例して、石英製の対向電極板５上に
付着層６が形成されていくが、この付着層６はその厚さ
がある程度以上厚くなると、図５に示すように、膜応力
によって一部が剥がれてしまうので、真空槽中で発塵
し、半導体装置の品質が低下するという問題点があっ
た。
Claims (1)
- 【請求項１】 対向電極のシリコンウエハに対向する面
に対向電極板が設けられているスパッタエッチング装置
において、上記対向電極板の表面に予めシリコン薄膜層
が形成されていることを特徴とするスパッタエッチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20910492A JPH0661183A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | スパッタエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20910492A JPH0661183A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | スパッタエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661183A true JPH0661183A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16567359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20910492A Pending JPH0661183A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | スパッタエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661183A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955223A (en) * | 1995-07-19 | 1999-09-21 | Hoya Corporation | Phase-shift mask blank and process for the production thereof comprising a semi transparent film with silicon and nitrogen |
| KR100773970B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2007-11-08 | 주식회사수산중공업 | 브레이커의 진동 및 소음 방지장치 |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP20910492A patent/JPH0661183A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955223A (en) * | 1995-07-19 | 1999-09-21 | Hoya Corporation | Phase-shift mask blank and process for the production thereof comprising a semi transparent film with silicon and nitrogen |
| KR100773970B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2007-11-08 | 주식회사수산중공업 | 브레이커의 진동 및 소음 방지장치 |
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