JPH0758013A - 半導体成膜装置 - Google Patents
半導体成膜装置Info
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- JPH0758013A JPH0758013A JP19818493A JP19818493A JPH0758013A JP H0758013 A JPH0758013 A JP H0758013A JP 19818493 A JP19818493 A JP 19818493A JP 19818493 A JP19818493 A JP 19818493A JP H0758013 A JPH0758013 A JP H0758013A
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- Japan
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- film forming
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- forming chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体成膜装置での製造上の歩留まりを高め
る。 【構成】 成膜チャンバ２の内壁に防着板３が固定部材
４で固定される半導体成膜装置１において、前記固定部
材４の表面粗さ精度を最大高さ４μｍ乃至１５μｍに設
定する。
る。 【構成】 成膜チャンバ２の内壁に防着板３が固定部材
４で固定される半導体成膜装置１において、前記固定部
材４の表面粗さ精度を最大高さ４μｍ乃至１５μｍに設
定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体成膜装置に関
し、特に、成膜チャンバの内壁に防着板が固定部材で固
定される半導体成膜装置に適用して有効な技術に関する
ものである。
し、特に、成膜チャンバの内壁に防着板が固定部材で固
定される半導体成膜装置に適用して有効な技術に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造技術で使用される成膜装置と
して、例えば金属膜、絶縁膜等の成膜に好適なＲＦ(Ｒa
dio Ｆrequency）スパッタ装置がある。このＲＦスパッ
タ装置は、陰極と陽極とからなる２極冷陰極グロー放電
構造を持ち、電極間に高周波電圧を印加してグロー放電
を発生させ、陰極上のターゲット表面でのスパッタ現象
を利用して成膜の形成を行う。
して、例えば金属膜、絶縁膜等の成膜に好適なＲＦ(Ｒa
dio Ｆrequency）スパッタ装置がある。このＲＦスパッ
タ装置は、陰極と陽極とからなる２極冷陰極グロー放電
構造を持ち、電極間に高周波電圧を印加してグロー放電
を発生させ、陰極上のターゲット表面でのスパッタ現象
を利用して成膜の形成を行う。
【０００３】前記ＲＦスパッタ装置は、成膜チャンバ内
に半導体ウエーハを配置し、この半導体ウエーハの主面
上に金属膜、絶縁膜等の成膜を形成する。成膜チャンバ
は例えばステンレス材で形成される。成膜チャンバの内
壁には例えばセラミック材からなる防着板が張り巡らさ
れている。この防着板は、半導体ウエーハの主面上に成
膜を形成する際、成膜チャンバの内壁に被着膜が被着す
るのを防止している。
に半導体ウエーハを配置し、この半導体ウエーハの主面
上に金属膜、絶縁膜等の成膜を形成する。成膜チャンバ
は例えばステンレス材で形成される。成膜チャンバの内
壁には例えばセラミック材からなる防着板が張り巡らさ
れている。この防着板は、半導体ウエーハの主面上に成
膜を形成する際、成膜チャンバの内壁に被着膜が被着す
るのを防止している。
【０００４】前記防着板の表面にはフロスト処理、サン
ドブラスト処理、ＧＢＢ(Ｇrass Ｂeads Ｂrast)処理等
の表面処理が施され、その表面粗さ精度は例えば最大高
さ(Ｒmax)５μｍ乃至２０μｍ程度に設定される。つま
り、ＲＦスパッタ装置は、防着板の表面粗さ精度を前述
のように設定し、防着板と半導体ウエーハの主面上に成
膜を形成する時に防着板の表面に被着する被着膜との被
着性を高め、防着板から半導体ウエーハの主面上に被着
膜が剥がれ落ちるのを防止している。
ドブラスト処理、ＧＢＢ(Ｇrass Ｂeads Ｂrast)処理等
の表面処理が施され、その表面粗さ精度は例えば最大高
さ(Ｒmax)５μｍ乃至２０μｍ程度に設定される。つま
り、ＲＦスパッタ装置は、防着板の表面粗さ精度を前述
のように設定し、防着板と半導体ウエーハの主面上に成
膜を形成する時に防着板の表面に被着する被着膜との被
着性を高め、防着板から半導体ウエーハの主面上に被着
膜が剥がれ落ちるのを防止している。
【０００５】前記防着板は成膜チャンバの内壁に固定部
材により固定される。固定部材は例えばネジ部材で構成
される。この固定部材は、スパッタ反応を防止する目的
として、例えばポリイミド系樹脂材(例えばベスペル
材：デュポン社の商標登録名)で形成される。
材により固定される。固定部材は例えばネジ部材で構成
される。この固定部材は、スパッタ反応を防止する目的
として、例えばポリイミド系樹脂材(例えばベスペル
材：デュポン社の商標登録名)で形成される。
【０００６】なお、前記防着板の表面粗さ精度を表す最
大高さは、日本工業規格〔Ｂ６０１(表面粗さ)〕に基づ
く。
大高さは、日本工業規格〔Ｂ６０１(表面粗さ)〕に基づ
く。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の半
導体成膜装置であるＲＦスパッタ装置について検討した
結果、以下の問題点を見出した。
導体成膜装置であるＲＦスパッタ装置について検討した
結果、以下の問題点を見出した。
【０００８】前記ＲＦスパッタ装置(半導体成膜装置)
は、防着板の表面に被着する被着膜の剥がれを防止する
ために防着板の表面粗さ精度を設定し、防着板の表面と
この防着板の表面に被着する被着膜との被着性を高めて
いる。しかしながら、成膜チャンバの内壁に防着板を固
定するための固定部材(ネジ部材)の表面粗さ精度につい
ては何の設定もなく、固定部材の表面粗さ精度は防着板
に比べて平滑になっている。このため、成膜チャンバ内
に配置された半導体ウエーハの主面上に成膜を形成する
際、固定部材とこの固定部材の表面に被着する被着膜と
の被着性が低下し、固定部材から半導体ウエーハの表面
に被着膜が剥がれ落ち、半導体ウエーハに不良が生じ
る。つまり、ＲＦスパッタ装置での製造上の歩留まりが
低下するという問題があった。
は、防着板の表面に被着する被着膜の剥がれを防止する
ために防着板の表面粗さ精度を設定し、防着板の表面と
この防着板の表面に被着する被着膜との被着性を高めて
いる。しかしながら、成膜チャンバの内壁に防着板を固
定するための固定部材(ネジ部材)の表面粗さ精度につい
ては何の設定もなく、固定部材の表面粗さ精度は防着板
に比べて平滑になっている。このため、成膜チャンバ内
に配置された半導体ウエーハの主面上に成膜を形成する
際、固定部材とこの固定部材の表面に被着する被着膜と
の被着性が低下し、固定部材から半導体ウエーハの表面
に被着膜が剥がれ落ち、半導体ウエーハに不良が生じ
る。つまり、ＲＦスパッタ装置での製造上の歩留まりが
低下するという問題があった。
【０００９】本発明の目的は、半導体成膜装置での製造
上の歩留まりを高めることが可能な技術を提供すること
にある。
上の歩留まりを高めることが可能な技術を提供すること
にある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１２】成膜チャンバの内壁に防着板が固定部材で
固定される半導体成膜装置において、前記固定部材の表
面粗さ精度を最大高さ４μｍ乃至１５μｍに設定する。
固定される半導体成膜装置において、前記固定部材の表
面粗さ精度を最大高さ４μｍ乃至１５μｍに設定する。
【００１３】
【作用】上述した手段によれば、固定部材の表面と、成
膜チャンバ内に配置された半導体ウエーハの主面上に成
膜を形成する時に固定部材の表面に被着する被着膜との
被着性が高くなるので、固定部材の表面から半導体ウエ
ーハの主面上に被性膜が剥がれ落ちるのを防止できる。
この結果、被着膜の剥がれ落ちによる半導体ウエーハの
不良を防止できるので、半導体成膜装置での製造上の歩
留まりを高めることができる。
膜チャンバ内に配置された半導体ウエーハの主面上に成
膜を形成する時に固定部材の表面に被着する被着膜との
被着性が高くなるので、固定部材の表面から半導体ウエ
ーハの主面上に被性膜が剥がれ落ちるのを防止できる。
この結果、被着膜の剥がれ落ちによる半導体ウエーハの
不良を防止できるので、半導体成膜装置での製造上の歩
留まりを高めることができる。
【００１４】
【実施例】半導体成膜装置であるＲＦスパッタ装置に本
発明を適用した、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰
り返しの説明は省略する。
発明を適用した、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰
り返しの説明は省略する。
【００１５】図１は本発明の一実施例であるＲＦスパッ
タ装置の概略構成を示す一部断面構成図、図２は図１の
要部拡大断面図、図３は図２の要部拡大断面図である。
タ装置の概略構成を示す一部断面構成図、図２は図１の
要部拡大断面図、図３は図２の要部拡大断面図である。
【００１６】図１に示すように、半導体成膜装置である
ＲＦスパッタ装置１は、成膜チャンバ２内に複数の半導
体ウエーハ６を配置し、この複数の半導体ウエーハ６の
夫々の主面上に成膜として例えば酸化珪素膜(ＳiＯ2)を
形成する。
ＲＦスパッタ装置１は、成膜チャンバ２内に複数の半導
体ウエーハ６を配置し、この複数の半導体ウエーハ６の
夫々の主面上に成膜として例えば酸化珪素膜(ＳiＯ2)を
形成する。
【００１７】前記複数の半導体ウエーハ６の夫々は基板
電極(陽極)５に載置される。基板電極５にはＲＦマッチ
ング回路９が接続され、このＲＦマッチング回路９には
ＲＦ電源１０が接続される。
電極(陽極)５に載置される。基板電極５にはＲＦマッチ
ング回路９が接続され、このＲＦマッチング回路９には
ＲＦ電源１０が接続される。
【００１８】前記成膜チャンバ２の一端には、成膜チャ
ンバ内に例えばＡｒ(アルゴン)ガスを供給するＡｒガス
供給管２Ａが連結される。また、成膜チャンバ２の他端
には、成膜チャンバ内の気圧を低くする真空排気管２Ｂ
が連結される。つまり、成膜チャンバ２内にはＡｒガス
が充填される。
ンバ内に例えばＡｒ(アルゴン)ガスを供給するＡｒガス
供給管２Ａが連結される。また、成膜チャンバ２の他端
には、成膜チャンバ内の気圧を低くする真空排気管２Ｂ
が連結される。つまり、成膜チャンバ２内にはＡｒガス
が充填される。
【００１９】前記成膜チャンバ２には４つのターゲット
電極(陰極)７が配置される。４つのターゲート電極７の
夫々にはＲＦマッチング回路９が夫々毎に接続され、こ
のＲＦマッチング回路９の夫々にはＲＦ電源１０が夫々
毎に接続される。４つのターゲート電極７の夫々には石
英ターゲート８が夫々毎に載置される。つまり、本実施
例のＲＦスパッタ装置１は、ターゲート電極(陰極)７と
基板電極(陽極)５とからなる２極冷陰極グロー放電構造
を持ち、これらの電極間に高周波電圧を印加してグロー
放電極を発生させ、ターゲート電極７上の石英ターゲー
ト８の表面でのスパッタ現象を利用して半導体ウエーハ
６の主面上に酸化珪素膜を形成する。
電極(陰極)７が配置される。４つのターゲート電極７の
夫々にはＲＦマッチング回路９が夫々毎に接続され、こ
のＲＦマッチング回路９の夫々にはＲＦ電源１０が夫々
毎に接続される。４つのターゲート電極７の夫々には石
英ターゲート８が夫々毎に載置される。つまり、本実施
例のＲＦスパッタ装置１は、ターゲート電極(陰極)７と
基板電極(陽極)５とからなる２極冷陰極グロー放電構造
を持ち、これらの電極間に高周波電圧を印加してグロー
放電極を発生させ、ターゲート電極７上の石英ターゲー
ト８の表面でのスパッタ現象を利用して半導体ウエーハ
６の主面上に酸化珪素膜を形成する。
【００２０】前記成膜チャンバ２の内壁には例えば石英
ガラスで形成された複数の防着板３が張り巡らされてい
る。この防着板３は、半導体ウエーハ６の主面上に酸化
珪素膜を形成する際、成膜チャンバ２の内壁に被着膜
(酸化珪素膜)が被着するのを防止している。防着板３の
表面にはフロスト処理、サンドブラスト処理、ＧＢＢ処
理等の表面処理が施され、その表面粗さ精度は例えば最
大高さ(Ｒmax）５μｍ乃至２０μｍ程度に設定される。
この防着板３は、その表面に被着する被着膜との被着性
を高め、その表面から被着膜が剥がれ落ちるのを防止し
ている。
ガラスで形成された複数の防着板３が張り巡らされてい
る。この防着板３は、半導体ウエーハ６の主面上に酸化
珪素膜を形成する際、成膜チャンバ２の内壁に被着膜
(酸化珪素膜)が被着するのを防止している。防着板３の
表面にはフロスト処理、サンドブラスト処理、ＧＢＢ処
理等の表面処理が施され、その表面粗さ精度は例えば最
大高さ(Ｒmax）５μｍ乃至２０μｍ程度に設定される。
この防着板３は、その表面に被着する被着膜との被着性
を高め、その表面から被着膜が剥がれ落ちるのを防止し
ている。
【００２１】前記複数の防着板３の夫々は、図１及び図
２に示すように、成膜チャンバ２の内壁に固定部材４で
固定される。固定部材４は、例えばポリイミド系樹脂材
からなるネジ部材で構成される。この固定部材４におい
て、成膜チャンバ２内に露出する頭部４Ａの表面粗さ精
度は４μｍ乃至１５μｍに設定される。この頭部４Ａの
表面粗さ精度は、図３に示すように、固定部材４の頭部
４Ａの表面に垂直な平面で切断した時、この切り口にあ
らわれる輪郭を拡大記録した断面曲線から基準長さ例え
ば３ｍｍをとり、この間の最も高い山と最も深い谷との
高さ(Ｒmax）をμｍ単位であらわしたものである。な
お、表面粗さ精度については、例えば社団法人日本機械
学会発行の機械工学便覧〔ＪＩＳ(日本工業規格)Ｂ６０
１、表面粗さ〕に記載されている。
２に示すように、成膜チャンバ２の内壁に固定部材４で
固定される。固定部材４は、例えばポリイミド系樹脂材
からなるネジ部材で構成される。この固定部材４におい
て、成膜チャンバ２内に露出する頭部４Ａの表面粗さ精
度は４μｍ乃至１５μｍに設定される。この頭部４Ａの
表面粗さ精度は、図３に示すように、固定部材４の頭部
４Ａの表面に垂直な平面で切断した時、この切り口にあ
らわれる輪郭を拡大記録した断面曲線から基準長さ例え
ば３ｍｍをとり、この間の最も高い山と最も深い谷との
高さ(Ｒmax）をμｍ単位であらわしたものである。な
お、表面粗さ精度については、例えば社団法人日本機械
学会発行の機械工学便覧〔ＪＩＳ(日本工業規格)Ｂ６０
１、表面粗さ〕に記載されている。
【００２２】このように構成されるＲＦスパッタ装置１
は、成膜チャンバ２内に配置された半導体ウエーハ６の
主面上に酸化珪素膜を形成する際、固定部材４の頭部４
Ａの表面上に被着膜(酸化珪素膜)が被着する。この被着
膜の被着性は、本発明者の実験によれば、頭部４Ａの表
面粗さ精度に依存し、平滑すぎても、粗すぎても低下す
ることから、前述のように、固定部材４の頭部４Ａの表
面粗さ精度を最大高さ４μｍ乃至１５μｍに設定するこ
とにより高めることができるので、頭部４Ａの表面から
被着膜が剥がれ落ちるのを防止できる。
は、成膜チャンバ２内に配置された半導体ウエーハ６の
主面上に酸化珪素膜を形成する際、固定部材４の頭部４
Ａの表面上に被着膜(酸化珪素膜)が被着する。この被着
膜の被着性は、本発明者の実験によれば、頭部４Ａの表
面粗さ精度に依存し、平滑すぎても、粗すぎても低下す
ることから、前述のように、固定部材４の頭部４Ａの表
面粗さ精度を最大高さ４μｍ乃至１５μｍに設定するこ
とにより高めることができるので、頭部４Ａの表面から
被着膜が剥がれ落ちるのを防止できる。
【００２３】なお、前記固定部材４は、頭部４Ａが成膜
チャンバ１内に露出するネジ部材に限定されず、さらネ
ジ部材、押えボルト部材、埋込ボルト部材等で構成して
もよい。
チャンバ１内に露出するネジ部材に限定されず、さらネ
ジ部材、押えボルト部材、埋込ボルト部材等で構成して
もよい。
【００２４】このように、成膜チャンバ２の内壁に防着
板３が固定部材４で固定されるＲＦスパッタ装置(半導
体成膜装置)１において、前記固定部材４の表面粗さ精
度を最大高さ４μｍ乃至１５μｍに設定する。この構成
により、固定部材４の表面と、成膜チャンバ１内に配置
された半導体ウエーハ６の主面上に酸化珪素膜(成膜)を
形成する時に固定部材４の表面に被着する被着膜との被
着性が高くなるので、固定部材４の表面から半導体ウエ
ーハ６の主面上に被性膜が剥がれ落ちるのを防止でき
る。この結果、被着膜の剥がれ落ちによる半導体ウエー
ハ６の不良を防止できるので、ＲＦスパッタ装置１での
製造上の歩留まりを高めることができる。
板３が固定部材４で固定されるＲＦスパッタ装置(半導
体成膜装置)１において、前記固定部材４の表面粗さ精
度を最大高さ４μｍ乃至１５μｍに設定する。この構成
により、固定部材４の表面と、成膜チャンバ１内に配置
された半導体ウエーハ６の主面上に酸化珪素膜(成膜)を
形成する時に固定部材４の表面に被着する被着膜との被
着性が高くなるので、固定部材４の表面から半導体ウエ
ーハ６の主面上に被性膜が剥がれ落ちるのを防止でき
る。この結果、被着膜の剥がれ落ちによる半導体ウエー
ハ６の不良を防止できるので、ＲＦスパッタ装置１での
製造上の歩留まりを高めることができる。
【００２５】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００２６】例えば、本発明は、マグネトロンスパッ
タ、イオンビームスパッタ、バイアススパッタ、反応性
スパッタ等の全てのスパッタ装置に適用できる。
タ、イオンビームスパッタ、バイアススパッタ、反応性
スパッタ等の全てのスパッタ装置に適用できる。
【００２７】また、本発明は、プラズマＣＶＤ装置に適
用できる。
用できる。
【００２８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００２９】半導体成膜装置での製造上の歩留まりを高
めることができる。
めることができる。
【図１】本発明の一実施例であるＲＦスパッタ装置の概
略構成を示す一部断面構成図。
略構成を示す一部断面構成図。
【図２】図１の要部拡大断面図。
【図３】図２の要部拡大断面図。
１…ＲＦスパッタ装置(半導体成膜装置)、２…成膜チャ
ンバ、２Ａ…Ａｒ供給管、２Ｂ…真空排気管、３…防着
板、４…固定部材、４Ａ…頭部、５…基板電極(陰極)、
６…半導体ウエーハ、７…ターゲット電極(陽極)、８…
石英ターゲット、９…ＲＦマッチング回路、１０…ＲＦ
電源。
ンバ、２Ａ…Ａｒ供給管、２Ｂ…真空排気管、３…防着
板、４…固定部材、４Ａ…頭部、５…基板電極(陰極)、
６…半導体ウエーハ、７…ターゲット電極(陽極)、８…
石英ターゲット、９…ＲＦマッチング回路、１０…ＲＦ
電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 泰一 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (1)
- 【請求項１】 成膜チャンバの内壁に防着板が固定部材
で固定される半導体成膜装置において、前記固定部材の
表面粗さ精度が最大高さ４μｍ乃至１５μｍに設定され
ていることを特徴とする半導体成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19818493A JPH0758013A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 半導体成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19818493A JPH0758013A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 半導体成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758013A true JPH0758013A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16386881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19818493A Withdrawn JPH0758013A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 半導体成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758013A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134481A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Taiheiyo Cement Corp | 真空処理装置用部材 |
| US6425168B1 (en) * | 1994-09-30 | 2002-07-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Quartz glass jig for heat-treating semiconductor wafers and method for producing same |
| JP2013191768A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Sharp Corp | 成膜装置、成膜方法及び半導体素子 |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
-
1993
- 1993-08-10 JP JP19818493A patent/JPH0758013A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6425168B1 (en) * | 1994-09-30 | 2002-07-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Quartz glass jig for heat-treating semiconductor wafers and method for producing same |
| JP2002134481A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Taiheiyo Cement Corp | 真空処理装置用部材 |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
| JP2013191768A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Sharp Corp | 成膜装置、成膜方法及び半導体素子 |
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