JPH06163513A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06163513A JPH06163513A JP31382992A JP31382992A JPH06163513A JP H06163513 A JPH06163513 A JP H06163513A JP 31382992 A JP31382992 A JP 31382992A JP 31382992 A JP31382992 A JP 31382992A JP H06163513 A JPH06163513 A JP H06163513A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric film
- contact hole
- insulating film
- etching
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置のなだらかな段差のコンタクトホ
ールおよびスルーホールを１回の写真蝕刻工程でおこな
い製造コストを低減する。 【構成】 １回の写真蝕刻よってコンタクトホール７を
形成したあと、気相成長方法による酸化膜１を形成し、
これをエッチングにより除去することによって、なだら
かな段差のコンタクトホールを形成する。 【効果】 １回の写真蝕刻によってなだらかな段差のコ
ンタクトホールが形成でき、この部分でのアルミ電極の
段差不良が防止でき、製造コストの低減ができる。
ールおよびスルーホールを１回の写真蝕刻工程でおこな
い製造コストを低減する。 【構成】 １回の写真蝕刻よってコンタクトホール７を
形成したあと、気相成長方法による酸化膜１を形成し、
これをエッチングにより除去することによって、なだら
かな段差のコンタクトホールを形成する。 【効果】 １回の写真蝕刻によってなだらかな段差のコ
ンタクトホールが形成でき、この部分でのアルミ電極の
段差不良が防止でき、製造コストの低減ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造工
程において、半導体装置のシリコン酸化膜にコンタクト
ホールを形成する方法に関する。
程において、半導体装置のシリコン酸化膜にコンタクト
ホールを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置のシリコン酸化膜のコ
ンタクトホールは、図２に示すように、アルミ電極層６
のコンタクトホールの段差部５での断線による不良発生
を低減するため、この部分での段差を少なくする必要が
あり、第１酸化膜２ｂのホール７の上に、少し大きい径
のホール７’を第２酸化膜２ａに形成することによっ
て、ホールの段差の急峻性を緩和していた。
ンタクトホールは、図２に示すように、アルミ電極層６
のコンタクトホールの段差部５での断線による不良発生
を低減するため、この部分での段差を少なくする必要が
あり、第１酸化膜２ｂのホール７の上に、少し大きい径
のホール７’を第２酸化膜２ａに形成することによっ
て、ホールの段差の急峻性を緩和していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
のシリコン酸化膜のコンタクトホールの形成方法は、第
１酸化膜２ｂ、第２酸化膜２ａを形成し、それぞれに写
真刻法（以下ＰＲと記述する）により段階的にホール
７，７’を形成していたので、２回のＰＲ工程が必要で
あり、製造コストが高くなるという欠点があった。
のシリコン酸化膜のコンタクトホールの形成方法は、第
１酸化膜２ｂ、第２酸化膜２ａを形成し、それぞれに写
真刻法（以下ＰＲと記述する）により段階的にホール
７，７’を形成していたので、２回のＰＲ工程が必要で
あり、製造コストが高くなるという欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明のコンタクトホ
ールの形成方法は、絶縁膜を形成し、ＰＲでコンタクト
ホールを形成した後、ＣＶＤによる第２の絶縁を形成
し、前記絶縁膜とこの第２の絶縁膜を共にエッチングす
る条件で第２の絶縁膜を全面エッチング除去する。
ールの形成方法は、絶縁膜を形成し、ＰＲでコンタクト
ホールを形成した後、ＣＶＤによる第２の絶縁を形成
し、前記絶縁膜とこの第２の絶縁膜を共にエッチングす
る条件で第２の絶縁膜を全面エッチング除去する。
【０００５】
【作用】上記の方法によれば、絶縁膜に形成したコンタ
クトホールの急峻な段差部分のＣＶＤによる第２の絶縁
膜の膜厚は他の平坦な部分の膜厚より薄く形成されるの
で、このＣＶＤの第２の絶縁膜をエッチングして全部除
去すると、段差部５においては、前記絶縁膜の段差部
（ホールの肩の部分）がエッチングされ、急峻性のない
なだらかな段差のコンタクトホールが１回のＰＲ工程で
形成できる。
クトホールの急峻な段差部分のＣＶＤによる第２の絶縁
膜の膜厚は他の平坦な部分の膜厚より薄く形成されるの
で、このＣＶＤの第２の絶縁膜をエッチングして全部除
去すると、段差部５においては、前記絶縁膜の段差部
（ホールの肩の部分）がエッチングされ、急峻性のない
なだらかな段差のコンタクトホールが１回のＰＲ工程で
形成できる。
【０００６】エッチングは等方性、異方性どちらでも良
いし、特別な設備を要しないウエットエッチでもよい。
いし、特別な設備を要しないウエットエッチでもよい。
【０００７】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
する。
【０００８】図１は、この発明の一実施例で、（Ａ）は
第２の絶縁膜としてのＣＶＤの酸化膜形成後のコンタク
トホールの断面図で、（Ｂ）は、アルミ電極層形成後の
コンタクトホールの断面図である。
第２の絶縁膜としてのＣＶＤの酸化膜形成後のコンタク
トホールの断面図で、（Ｂ）は、アルミ電極層形成後の
コンタクトホールの断面図である。
【０００９】図において、１はＣＶＤのシリコン酸化
膜、２はシリコン酸化膜，３は拡散層、４はシリコンウ
ェーハ基体、５はホールの段差部、６はアルミ電極層、
７はコンタクトホール、ａ，ｂはそれぞれＣＶＤの酸化
膜厚である。
膜、２はシリコン酸化膜，３は拡散層、４はシリコンウ
ェーハ基体、５はホールの段差部、６はアルミ電極層、
７はコンタクトホール、ａ，ｂはそれぞれＣＶＤの酸化
膜厚である。
【００１０】図１に示すようにシリコン酸化膜２にコン
タクトホール７を形成した後、ＣＶＤのシリコン酸化膜
１を形成し、このＣＶＤ酸化膜１をエッチングによって
全部除去すると、図１（Ａ）に示すようにホール７の段
差部５のＣＶＤの酸化膜厚ａは、平坦部の膜厚ｂより薄
いためシリコン酸化膜２のホール段差部５の肩の部分が
エッチングされ、図１（Ｂ）に示すように丸みのある、
急峻性のないなだらかな段差のコンタクトホール７が形
成でき、その後に形成されるアルミ電極層６のコンタク
トホール７の段差部５で断線が発生することがなくな
り、半導体装置の良品率の向上および信頼性の向上がで
きる。
タクトホール７を形成した後、ＣＶＤのシリコン酸化膜
１を形成し、このＣＶＤ酸化膜１をエッチングによって
全部除去すると、図１（Ａ）に示すようにホール７の段
差部５のＣＶＤの酸化膜厚ａは、平坦部の膜厚ｂより薄
いためシリコン酸化膜２のホール段差部５の肩の部分が
エッチングされ、図１（Ｂ）に示すように丸みのある、
急峻性のないなだらかな段差のコンタクトホール７が形
成でき、その後に形成されるアルミ電極層６のコンタク
トホール７の段差部５で断線が発生することがなくな
り、半導体装置の良品率の向上および信頼性の向上がで
きる。
【００１１】以上のようにこの方法によって１回のＰＲ
工程で上記のコンタクトホールが形成でき、製品コスト
の低減ができる利点がある。この実施例においては絶縁
膜２は熱酸化によるシリコン酸化膜、第２の絶縁膜はＣ
ＶＤによるシリコン酸化膜を用いたが、それぞれリンガ
ラス層、その他の材質の場合も同様に実施できる。ただ
し、第２の絶縁膜は下地（最終的に残る）絶縁膜と共に
エッチングできる材質である必要がある。
工程で上記のコンタクトホールが形成でき、製品コスト
の低減ができる利点がある。この実施例においては絶縁
膜２は熱酸化によるシリコン酸化膜、第２の絶縁膜はＣ
ＶＤによるシリコン酸化膜を用いたが、それぞれリンガ
ラス層、その他の材質の場合も同様に実施できる。ただ
し、第２の絶縁膜は下地（最終的に残る）絶縁膜と共に
エッチングできる材質である必要がある。
【００１２】
【実施例２】なお、前記の実施例は半導体領域に接続す
る電極（または配線）の為のコンタクトホール形成の方
法について説明したが、本発明は、下層の電極（または
配線）に接続する上層配線の為のコンタクトホール形成
の方法としても実施できる。
る電極（または配線）の為のコンタクトホール形成の方
法について説明したが、本発明は、下層の電極（または
配線）に接続する上層配線の為のコンタクトホール形成
の方法としても実施できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、絶縁
膜２に形成したコンタクトホール７上にＣＶＤの第２の
絶縁膜１を形成し、このＣＶＤの絶縁膜を全面エッチン
グ除去することによって、段差部５が急峻でないなめら
かなホール７が形成できる。
膜２に形成したコンタクトホール７上にＣＶＤの第２の
絶縁膜１を形成し、このＣＶＤの絶縁膜を全面エッチン
グ除去することによって、段差部５が急峻でないなめら
かなホール７が形成できる。
【００１４】すなわち、１回のＰＲ工程で、ホール上の
アルミ電極層６が断線する不良が防止でき、従来の方法
に比べ、ＰＲ工程の削減による製造コストを低減できる
効果がある。
アルミ電極層６が断線する不良が防止でき、従来の方法
に比べ、ＰＲ工程の削減による製造コストを低減できる
効果がある。
【図１】 （Ａ）この発明による、ＣＶＤの酸化膜形成
後のコンタクトホールの断面図。 （Ｂ）アルミ電極層形成後のコンタクトホールの断面
図。
後のコンタクトホールの断面図。 （Ｂ）アルミ電極層形成後のコンタクトホールの断面
図。
【図２】 従来の方法によるコンタクトホールの断面
図。
図。
１ ＣＶＤのシリコン酸化膜 ２ シリコン酸化膜 ３ 拡散層 ４ シリコンウェーハ基体 ５ コンタクトホール段差部 ６ アルミ電極層 ７ コンタクトホール
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁膜にコンタクトホールをエッチングに
よって形成した後、化学気相成長法による第２の絶縁膜
を形成し、前記絶縁膜と前記第２の絶縁膜をエッチング
するようなエッチング条件で第２の絶縁膜を全面エッチ
除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記絶縁膜がシリコン酸化膜であって、前
記第２の絶縁膜がシリコン酸化膜である請求項２の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記エッチングがウエットエッチングであ
る請求項１または請求項２の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31382992A JPH06163513A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31382992A JPH06163513A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163513A true JPH06163513A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18046015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31382992A Pending JPH06163513A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163513A (ja) |
-
1992
- 1992-11-25 JP JP31382992A patent/JPH06163513A/ja active Pending
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