JPH04290460A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04290460A JPH04290460A JP5517691A JP5517691A JPH04290460A JP H04290460 A JPH04290460 A JP H04290460A JP 5517691 A JP5517691 A JP 5517691A JP 5517691 A JP5517691 A JP 5517691A JP H04290460 A JPH04290460 A JP H04290460A
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- film
- oxide film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に半導体基板上に形成した異なる配線層を接
合させる技術に関するものである。
に関し、特に半導体基板上に形成した異なる配線層を接
合させる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ）〜（ｅ）は従来の製造方法の
工程順を示す断面図である。まず、図３（ａ）に示すよ
うに絶縁膜１上にパターニングしたアルミニウム配線２
上に、ＣＶＤ法により酸化膜３を形成する。次に図３（
ｂ）に示すように酸化膜３上に塗布ガラス膜４を形成す
る。次に図３（ｃ）に示すように塗布ガラス膜４上にＣ
ＶＤ法により再び酸化膜５を形成する。
工程順を示す断面図である。まず、図３（ａ）に示すよ
うに絶縁膜１上にパターニングしたアルミニウム配線２
上に、ＣＶＤ法により酸化膜３を形成する。次に図３（
ｂ）に示すように酸化膜３上に塗布ガラス膜４を形成す
る。次に図３（ｃ）に示すように塗布ガラス膜４上にＣ
ＶＤ法により再び酸化膜５を形成する。
【０００３】次に図３（ｄ）に示すようにパターニング
した感光性膜６をマスクとして、酸化膜５、塗布ガラス
膜４及び酸化膜３の順にエッチングを行い、アルミニウ
ム配線２上に開孔部７を形成する。次に図３（ｅ）に示
すように感光性膜６を除去する。
した感光性膜６をマスクとして、酸化膜５、塗布ガラス
膜４及び酸化膜３の順にエッチングを行い、アルミニウ
ム配線２上に開孔部７を形成する。次に図３（ｅ）に示
すように感光性膜６を除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の方法では開孔部側壁にガラス膜層が露出
するので、後工程の熱処理等により、露出したガラス膜
層から水蒸気などのガスが発生し、このガス中の成分に
よって配線が腐食されるおそれがあった。
たような従来の方法では開孔部側壁にガラス膜層が露出
するので、後工程の熱処理等により、露出したガラス膜
層から水蒸気などのガスが発生し、このガス中の成分に
よって配線が腐食されるおそれがあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
点に鑑みてなされたものであり、開孔部形成時及び形成
後において、側壁のガラス膜層が露出しないように、プ
ラズマ窒化膜、プラズマオキシナイトライド膜などのガ
ス保護膜を形成した。
点に鑑みてなされたものであり、開孔部形成時及び形成
後において、側壁のガラス膜層が露出しないように、プ
ラズマ窒化膜、プラズマオキシナイトライド膜などのガ
ス保護膜を形成した。
【０００６】
【作用】上記のような方法を用いれば、開孔部形成時及
び形成後の構造においても、側壁にガラス膜が露出しな
いので、脱ガスが抑えられる。
び形成後の構造においても、側壁にガラス膜が露出しな
いので、脱ガスが抑えられる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。まず、図１（ａ）に示すように絶縁膜１上にパター
ニングしたアルミニウム配線２上に、ＣＶＤ法により酸
化膜３を形成する。次に、図１（ｂ）に示すように酸化
膜３上にプラズマＣＶＤ法により窒化膜８を形成する。 次に、図１（ｃ）に示すように窒化膜８上に塗布ガラス
膜４を形成する。
る。まず、図１（ａ）に示すように絶縁膜１上にパター
ニングしたアルミニウム配線２上に、ＣＶＤ法により酸
化膜３を形成する。次に、図１（ｂ）に示すように酸化
膜３上にプラズマＣＶＤ法により窒化膜８を形成する。 次に、図１（ｃ）に示すように窒化膜８上に塗布ガラス
膜４を形成する。
【０００８】次に、図１（ｄ）に示すように塗布ガラス
膜４上に、ＣＶＤ法により酸化膜５を形成する。次に図
１（ｅ）に示すようにパターニングした感光性膜６をマ
スクとして、酸化膜５、塗布ガラス膜４の順にエッチン
グし、窒化膜８上端まで開孔部７を形成する。次に図１
（ｆ）に示すように感光性膜６を除去した後、酸化膜５
と開孔部７の全面に、プラズマＣＶＤ法により薄い窒化
膜９を形成する。
膜４上に、ＣＶＤ法により酸化膜５を形成する。次に図
１（ｅ）に示すようにパターニングした感光性膜６をマ
スクとして、酸化膜５、塗布ガラス膜４の順にエッチン
グし、窒化膜８上端まで開孔部７を形成する。次に図１
（ｆ）に示すように感光性膜６を除去した後、酸化膜５
と開孔部７の全面に、プラズマＣＶＤ法により薄い窒化
膜９を形成する。
【０００９】次に図１（ｇ）に示すように、窒化膜９の
開孔部７側壁を除く部分と、開孔部７下部の窒化膜８を
ドライエッチングにより除去する。次に図２に示すよう
に、開孔部７下部の酸化膜３をアルミニウム配線２が露
出するまでエッチングにより除去する。この時、同時に
酸化膜５表面の一部がエッチングにより除去される。
開孔部７側壁を除く部分と、開孔部７下部の窒化膜８を
ドライエッチングにより除去する。次に図２に示すよう
に、開孔部７下部の酸化膜３をアルミニウム配線２が露
出するまでエッチングにより除去する。この時、同時に
酸化膜５表面の一部がエッチングにより除去される。
【００１０】上記においては、ガス保護膜として窒化膜
を用いたが、オキシナイトライド膜でもよい。
を用いたが、オキシナイトライド膜でもよい。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、微細化、高集積化を必
要とする超ＬＳＩの製造工程において、ガラス膜を用い
たことにより多層配線の層間絶縁膜の平坦化が達成され
ると同時に、多層配線を接合するためのコンタクトホー
ルには、その形成時及び形成後の構造においてもガラス
膜が露出しないので、脱ガスが抑えられ、配線の腐食に
よる断線不良がなくなる。よって半導体装置の信頼性が
向上する。
要とする超ＬＳＩの製造工程において、ガラス膜を用い
たことにより多層配線の層間絶縁膜の平坦化が達成され
ると同時に、多層配線を接合するためのコンタクトホー
ルには、その形成時及び形成後の構造においてもガラス
膜が露出しないので、脱ガスが抑えられ、配線の腐食に
よる断線不良がなくなる。よって半導体装置の信頼性が
向上する。
【図１】（ａ）〜（ｇ）は本発明の製造方法の工程順を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法を用いた半導体装置の断面図
である。
である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は従来の製造方法の工程順を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 絶縁膜
２ アルミニウム配線
３ 酸化膜
４ 塗布ガラス膜
５ 酸化膜
６ 感光性膜
７ 開孔部
８、９ ガス保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の主面に所望の素子を形成
し、全面に第１の酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜
上に第１のガス保護膜を形成する工程と、前記第１のガ
ス保護膜上に塗布ガラス膜を全面に形成し、凹凸部に滑
らかな斜面を形成する工程と、前記ガラス膜上に第２の
酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜とガラス膜の所望
の部分を前記第１のガス保護膜層上端まで開孔する工程
と、前記酸化膜上と開孔領域全面に第２のガス保護膜を
形成する工程と、前記開孔領域底面を下地配線層上端ま
でエッチングにより除去する工程を含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ガス保護膜はプラズマ窒化膜であ
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ガス保護膜はプラズマオキシナイ
トライド膜である請求項１記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5517691A JPH04290460A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5517691A JPH04290460A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290460A true JPH04290460A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=12991415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5517691A Pending JPH04290460A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04290460A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326065A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体デバイスおよび製造方法 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP5517691A patent/JPH04290460A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06326065A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体デバイスおよび製造方法 |
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