JPH0310130A - 温度センサの製造方法 - Google Patents
温度センサの製造方法Info
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- JPH0310130A JPH0310130A JP1144565A JP14456589A JPH0310130A JP H0310130 A JPH0310130 A JP H0310130A JP 1144565 A JP1144565 A JP 1144565A JP 14456589 A JP14456589 A JP 14456589A JP H0310130 A JPH0310130 A JP H0310130A
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- thermocouple
- layer
- aluminum layer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば真空蒸着装置やエツチング装置内に設
置されたガラス基板等の表面温度を測定するための温度
センサの製造方法に関する。
置されたガラス基板等の表面温度を測定するための温度
センサの製造方法に関する。
従来、上述したガラス基板等の表面温度の測定は、第２
図に示すように、ガラス基板等の被測定物ｌの表面に熱
電対２を配置して、これを接着剤３で固定し、この状態
で熱電対２に発生する熱起電力を測定することにより行
っていた。
図に示すように、ガラス基板等の被測定物ｌの表面に熱
電対２を配置して、これを接着剤３で固定し、この状態
で熱電対２に発生する熱起電力を測定することにより行
っていた。
上記従来の温度測定方法では、熱電対２を単に接着剤３
で被測定物ｌ上に固定しているため、その間の機械的強
度が弱く、よって温度測定のセツティング時や実際の測
定中に熱電対２が被測定物１から剥がれてしまうという
問題があった。
で被測定物ｌ上に固定しているため、その間の機械的強
度が弱く、よって温度測定のセツティング時や実際の測
定中に熱電対２が被測定物１から剥がれてしまうという
問題があった。
更に、熱電対２の被測定物１への接着状態の良し悪しに
応じて測定温度にばらつきが生じやすいため、多数の測
定点を高精度に温度測定することが困難であるという問
題もあった。
応じて測定温度にばらつきが生じやすいため、多数の測
定点を高精度に温度測定することが困難であるという問
題もあった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、被測定物との間の機械的強度に優れ、
かつ性能ばらつきの少ない高精度の温度センサを得るた
めの製造方法を提供することにある。
り、その目的は、被測定物との間の機械的強度に優れ、
かつ性能ばらつきの少ない高精度の温度センサを得るた
めの製造方法を提供することにある。
本発明の温度センサの製造方法は、熱電対を構成する第
１の金属又は半導体を被測定物の表面上に堆積させる第
１の工程と、該第１の工程で得られた第１の金属層又は
半導体層をパターニングする第２の工程と、該第２の工
程でパターニングして得られた第１の金属層又は半導体
層上を含む前記被測定物の表面上に、熱電対を構成する
第２の金属又は半導体を堆積させる第３の工程と、該第
３の工程で得られた第２の金属層又は半導体層の少なく
とも一部が前記第１の金属層又は半導体層と接触して熱
電対を形成するように、該第２の金属層又は半導体層を
パターニングする第４の工程とを備えたことを特徴とす
る。
１の金属又は半導体を被測定物の表面上に堆積させる第
１の工程と、該第１の工程で得られた第１の金属層又は
半導体層をパターニングする第２の工程と、該第２の工
程でパターニングして得られた第１の金属層又は半導体
層上を含む前記被測定物の表面上に、熱電対を構成する
第２の金属又は半導体を堆積させる第３の工程と、該第
３の工程で得られた第２の金属層又は半導体層の少なく
とも一部が前記第１の金属層又は半導体層と接触して熱
電対を形成するように、該第２の金属層又は半導体層を
パターニングする第４の工程とを備えたことを特徴とす
る。
本発明では、第１及び第２の金属層又は半導体層からな
る熱電対が被測定物上に直接形成されるため、熱電対と
被測定物との間は機械的衝撃に非常に強く、熱電対が被
測定物上から剥がれにくくなる。
る熱電対が被測定物上に直接形成されるため、熱電対と
被測定物との間は機械的衝撃に非常に強く、熱電対が被
測定物上から剥がれにくくなる。
また、第１、第２の金属層又は半導体層は、全面に堆積
された後にフォトリソグラフィ法で高精度に微細加工さ
れるため、被測定物上に同様な熱電対を多数形成した場
合であっても、各熱電対の性能のばらつきが非常に小さ
く、多数の測定点を高精度に温度測定することが可能に
なる。
された後にフォトリソグラフィ法で高精度に微細加工さ
れるため、被測定物上に同様な熱電対を多数形成した場
合であっても、各熱電対の性能のばらつきが非常に小さ
く、多数の測定点を高精度に温度測定することが可能に
なる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例を示す製造
工程図である。
工程図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、ガラス基板等の被測
定物１１上にアルミニウム層１２をスパッタ法や真空蒸
着法等により堆積させる。その後、このアルミニウム層
１２をフォトリングラフィ法によりパターニングし、所
定領域にのみ残す。すなわち、アルミニウム層１２を残
したい領域に第１図（ａ）に示すようにフォトレジスト
１３の微細パターンを形成し、その上からアルミニウム
層１２にエンチングを施すことにより、第１図（ｂ）に
示すようにフォトレジスト１３直下にのみアルミニウム
層１２を残し、その他の部分は除去する。
定物１１上にアルミニウム層１２をスパッタ法や真空蒸
着法等により堆積させる。その後、このアルミニウム層
１２をフォトリングラフィ法によりパターニングし、所
定領域にのみ残す。すなわち、アルミニウム層１２を残
したい領域に第１図（ａ）に示すようにフォトレジスト
１３の微細パターンを形成し、その上からアルミニウム
層１２にエンチングを施すことにより、第１図（ｂ）に
示すようにフォトレジスト１３直下にのみアルミニウム
層１２を残し、その他の部分は除去する。
次に、アルミニウム層１２上からフォトレジスト１３を
除去してから、第１図（Ｃ）に示すように、アルミニウ
ム層１２上を含む全面にスパッタ法や真空蒸着法等によ
りクロム層Ｉ４を堆積させる。
除去してから、第１図（Ｃ）に示すように、アルミニウ
ム層１２上を含む全面にスパッタ法や真空蒸着法等によ
りクロム層Ｉ４を堆積させる。
その後、このクロム層１４をフォトリソグラフィ法によ
りパターニングし、少なくとも一部がアルミニウム層１
２上に重なるように残す。すなわち、クロム層１４を残
したい領域に第１図（Ｃ）に示すようにフォトレジスト
Ｉ５の微細パターンを形成し、その上からクロムＪｉｉ
１４にエツチングを施すことにより、フォトレジスト１
５直下にのみクロム層１４を残し、その他の部分は除去
する。
りパターニングし、少なくとも一部がアルミニウム層１
２上に重なるように残す。すなわち、クロム層１４を残
したい領域に第１図（Ｃ）に示すようにフォトレジスト
Ｉ５の微細パターンを形成し、その上からクロムＪｉｉ
１４にエツチングを施すことにより、フォトレジスト１
５直下にのみクロム層１４を残し、その他の部分は除去
する。
最後に、フォトレジスト１５をクロム層１４上から除去
することにより、第１図（ｄ）に示すように、アルミニ
ウム層１２及びクロム層１４からなる熱電対Ｔを得るこ
とができる。このようにして作製された薄膜状の熱電対
Ｔでは、例えば２００″Ｃにおいて約２．６ｍＶの熱起
電力が得られ、また熱起電力と温度との関係はほぼ直線
的になることが確認された。
することにより、第１図（ｄ）に示すように、アルミニ
ウム層１２及びクロム層１４からなる熱電対Ｔを得るこ
とができる。このようにして作製された薄膜状の熱電対
Ｔでは、例えば２００″Ｃにおいて約２．６ｍＶの熱起
電力が得られ、また熱起電力と温度との関係はほぼ直線
的になることが確認された。
本実施例によれば、熱電対Ｔを被測定物ｌｌ上に直接形
成しているため、熱電対Ｔと被測定物１１との間には、
従来のような接着剤を用０るものと比べ、遥かに大きな
機械的強度を得ることができる。
成しているため、熱電対Ｔと被測定物１１との間には、
従来のような接着剤を用０るものと比べ、遥かに大きな
機械的強度を得ることができる。
更に、スパッタ法や真空蒸着法等により一度に成膜した
金属層（アルミニウム層１２、クロム層１４）をフォト
リソグラフィ法で微細加工しているため、被測定物ｌｌ
上に同様な熱電対を多数形成した場合であっても、各熱
電対間の性能のばらつきを非常に小さく抑えることがで
き、よって被測定物１１上の任意の部分に高精度の熱電
対を高密度に形成することができる。
金属層（アルミニウム層１２、クロム層１４）をフォト
リソグラフィ法で微細加工しているため、被測定物ｌｌ
上に同様な熱電対を多数形成した場合であっても、各熱
電対間の性能のばらつきを非常に小さく抑えることがで
き、よって被測定物１１上の任意の部分に高精度の熱電
対を高密度に形成することができる。
なお、上記実施例では、熱電対Ｔを構成する材料として
、−船釣な金属であるアルミニウムとクロムを用いたが
、その他にも、アルメルやクロメル等の合金、或いはｐ
型とｎ型の半導体等を用いてもよい。このような合金や
半導体を用いた場合、上記の一般的な金属を用いたもの
よりも、更に大きな熱起電力を得ることができる。なお
、半導体を用いる場合は、これを被測定物上に堆積させ
る手段としてＣＶＤ法等を利用することができ、そのパ
ターニングには上記と同様にフォトリソグラフィ法を利
用できる。
、−船釣な金属であるアルミニウムとクロムを用いたが
、その他にも、アルメルやクロメル等の合金、或いはｐ
型とｎ型の半導体等を用いてもよい。このような合金や
半導体を用いた場合、上記の一般的な金属を用いたもの
よりも、更に大きな熱起電力を得ることができる。なお
、半導体を用いる場合は、これを被測定物上に堆積させ
る手段としてＣＶＤ法等を利用することができ、そのパ
ターニングには上記と同様にフォトリソグラフィ法を利
用できる。
また、熱電対Ｔを構成する各層の厚さは、熱電対Ｔの特
性を良好に保つことができ、かつ被測定物との間の機械
的強度を充分に維持できる範囲内で、各種の値を設定す
ることができる。更に、熱電対Ｔを構成する２つの層の
重なり長も、上記と同様な範囲内で設定することができ
る。
性を良好に保つことができ、かつ被測定物との間の機械
的強度を充分に維持できる範囲内で、各種の値を設定す
ることができる。更に、熱電対Ｔを構成する２つの層の
重なり長も、上記と同様な範囲内で設定することができ
る。
本発明によれば、被測定物との間で非常に優れた機械的
強度を得ることができ、かつ性能のばらつきの極めて少
ない高精度の温度センサを得ることができる。
強度を得ることができ、かつ性能のばらつきの極めて少
ない高精度の温度センサを得ることができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す製造工
程図、 第２図は従来の表面温度測定方法を示す断面図である。 １１・・・被測定物、 １２・・・アルミニウム層、 １３・・・フォトレジスト、 １４・・・クロム層、 １５・・・フォトレジスト、 Ｔ・・・熱電対。
程図、 第２図は従来の表面温度測定方法を示す断面図である。 １１・・・被測定物、 １２・・・アルミニウム層、 １３・・・フォトレジスト、 １４・・・クロム層、 １５・・・フォトレジスト、 Ｔ・・・熱電対。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 熱電対を構成する第１の金属又は半導体を被測定物の表
面上に堆積させる第１の工程と、 該第１の工程で得られた第１の金属層又は半導体層をパ
ターニングする第２の工程と、 該第２の工程でパターニングして得られた第１の金属層
上又は半導体層上を含む前記被測定物の表面上に、熱電
対を構成する第２の金属又は半導体を堆積させる第３の
工程と、 該第３の工程で得られた第２の金属層又は半導体層の少
なくとも一部が前記第１の金属層又は半導体層と接触し
て熱電対を形成するように、該第２の金属層又は半導体
層をパターニングする第４の工程とを備えたことを特徴
とする温度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144565A JPH0310130A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 温度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1144565A JPH0310130A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 温度センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0310130A true JPH0310130A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15365191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1144565A Pending JPH0310130A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 温度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0310130A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000068979A3 (en) * | 1999-05-10 | 2001-03-08 | Sensarray Corp | An apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool |
| US11862488B2 (en) | 2019-04-19 | 2024-01-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate stage |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP1144565A patent/JPH0310130A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000068979A3 (en) * | 1999-05-10 | 2001-03-08 | Sensarray Corp | An apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool |
| US11862488B2 (en) | 2019-04-19 | 2024-01-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate stage |
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