JPH0368175A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH0368175A JPH0368175A JP20310389A JP20310389A JPH0368175A JP H0368175 A JPH0368175 A JP H0368175A JP 20310389 A JP20310389 A JP 20310389A JP 20310389 A JP20310389 A JP 20310389A JP H0368175 A JPH0368175 A JP H0368175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- recess
- pressure sensor
- wafer
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は大気圧等を測定する半導体圧力センサに関す
るものである。
るものである。
第４図は従来の半導体圧力センサを示す断面図であり、
図において、（１）は半導体ウェハであるシリコンウェ
ハ、（２）はシリコンウェハ（１）の表面（１，０１）
にパターンとして形成された拡散抵抗、（３）は拡散抵
抗（２）の位置に合せてシリコンウェハ（１）の裏面（
＋０２）に形成された凹部、（４）はダイヤフラムで、
シリコンウェハ（１）に形成された凹部（３）により、
厚さが薄くなった部分で構成されている。（５１は平板
状の台座であり、凹部（３）の開口側を気密に塞いで中
空部としての真空室（６）を形成している。
図において、（１）は半導体ウェハであるシリコンウェ
ハ、（２）はシリコンウェハ（１）の表面（１，０１）
にパターンとして形成された拡散抵抗、（３）は拡散抵
抗（２）の位置に合せてシリコンウェハ（１）の裏面（
＋０２）に形成された凹部、（４）はダイヤフラムで、
シリコンウェハ（１）に形成された凹部（３）により、
厚さが薄くなった部分で構成されている。（５１は平板
状の台座であり、凹部（３）の開口側を気密に塞いで中
空部としての真空室（６）を形成している。
このような半導体圧力センサの製造方法を第５図１第６
図のシリコンウェハの断面図を用いて説明する。先ず、
第５図に示すようにシリコンウェハ（１）の表面（１０
１）の所定の位置に拡散抵抗（２）を形成する０次に第
６図のようにシリコンウェハ（１）の裏面（１０２）に
、拡散抵抗（２１に対応した所を除いてエツチングマス
ク（７）を形成し、図において下方からエツチングを行
なって凹部（３］を形成する。このとき、エツチング残
部分の厚さがダイヤフラム１４）としての目標の厚さに
なるように制御して行なう。
図のシリコンウェハの断面図を用いて説明する。先ず、
第５図に示すようにシリコンウェハ（１）の表面（１０
１）の所定の位置に拡散抵抗（２）を形成する０次に第
６図のようにシリコンウェハ（１）の裏面（１０２）に
、拡散抵抗（２１に対応した所を除いてエツチングマス
ク（７）を形成し、図において下方からエツチングを行
なって凹部（３］を形成する。このとき、エツチング残
部分の厚さがダイヤフラム１４）としての目標の厚さに
なるように制御して行なう。
その後、エツチングマスク（７）を除去して真空中での
ＦＡＢ接今により、第４図のようにシリコンウェハ（１
）の裏面（１，０２＞と台座＋５１とを接合して真空室
（６）を形成する。
ＦＡＢ接今により、第４図のようにシリコンウェハ（１
）の裏面（１，０２＞と台座＋５１とを接合して真空室
（６）を形成する。
次に動作について説明する。第４図において上方から気
圧がかかると真空室（６）内の圧力との差によりダイヤ
フラム（４）が撓み、拡散抵抗（■の抵抗値が変化する
。拡散抵抗ｆ２１は複数個形成されてブリッジに組まれ
ており、図示しない電子回路につながれて上記抵抗値の
変化が測定され、気圧が検知される。従って、半導体圧
力センサの精度はダイヤフラム（４）の厚さに大きく影
響される。
圧がかかると真空室（６）内の圧力との差によりダイヤ
フラム（４）が撓み、拡散抵抗（■の抵抗値が変化する
。拡散抵抗ｆ２１は複数個形成されてブリッジに組まれ
ており、図示しない電子回路につながれて上記抵抗値の
変化が測定され、気圧が検知される。従って、半導体圧
力センサの精度はダイヤフラム（４）の厚さに大きく影
響される。
従来の半導体圧力センサは以上のように構成されている
ので、ダイヤフラムの厚さが正確になるようにエツチン
グを抑制しなければならず、エツチング加工が難しくて
手間がががるなどの問題点があった。
ので、ダイヤフラムの厚さが正確になるようにエツチン
グを抑制しなければならず、エツチング加工が難しくて
手間がががるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ダイヤフラムの厚さを容易に正確に制御でき
、従って、精度の良い半導体圧力センサを得ることを目
的とする。
たもので、ダイヤフラムの厚さを容易に正確に制御でき
、従って、精度の良い半導体圧力センサを得ることを目
的とする。
この発明に係る半導体圧力センサは、パターンが形成さ
れた平板状の第１の半導体ウェハと、凹部が形成された
第２の半導体ウェハとを貼り合せて中空部を形成したも
のである。
れた平板状の第１の半導体ウェハと、凹部が形成された
第２の半導体ウェハとを貼り合せて中空部を形成したも
のである。
平板状の第１の半導体ウェハの、凹部対応部分がダイヤ
フラムとなるので、第１の半導体ウェハを研磨すること
により、容易に正確な厚さのダイヤフラムが得られる。
フラムとなるので、第１の半導体ウェハを研磨すること
により、容易に正確な厚さのダイヤフラムが得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例による半導体圧力センサを示す
断面図であり、図において、（１１）は平板状の第１の
半導体ウェハである第１のシリコンウェハ、（２）は第
１のシリコンウェハ（１１）の表面＜ｌ１ｌ）にパター
ンとして形成された拡散抵抗、（１２）は第２の半導体
ウェハである第２のシリコンウェハ、（３）は第２のシ
リコンウェハ（１２）に形成された凹部で、その開口側
が第１のシリコンウェハ（１１）で気密に塞がれて、中
空部としての真空室（６）が形成されている。凹部（３
）は拡散抵抗（２）が形成された所に対応して位置する
ように第１および第２のシリコンウェハが互いに貼り合
されている。（７１）はダイヤフラムで第１のシリコン
ウェハ（１１）の、凹部（３）対応部分で構成されてい
る。
図はこの発明の一実施例による半導体圧力センサを示す
断面図であり、図において、（１１）は平板状の第１の
半導体ウェハである第１のシリコンウェハ、（２）は第
１のシリコンウェハ（１１）の表面＜ｌ１ｌ）にパター
ンとして形成された拡散抵抗、（１２）は第２の半導体
ウェハである第２のシリコンウェハ、（３）は第２のシ
リコンウェハ（１２）に形成された凹部で、その開口側
が第１のシリコンウェハ（１１）で気密に塞がれて、中
空部としての真空室（６）が形成されている。凹部（３
）は拡散抵抗（２）が形成された所に対応して位置する
ように第１および第２のシリコンウェハが互いに貼り合
されている。（７１）はダイヤフラムで第１のシリコン
ウェハ（１１）の、凹部（３）対応部分で構成されてい
る。
次にその製造方法を第２図、第３図により説明する。第
２図は第１のシリコンウェハ（１１）の断面図であり、
先ず、その表面（１１１）に拡散抵抗（２を形成する０
次に、その裏面（＋１２）から研磨により一点鎖線で示
す、ダイヤフラム（４）としての目標の厚さの所まで除
去する。一方、第２のシリコンウェハ（１２）は第３図
の断面図に示すように凹部（３）を形成すべき所を除い
てその表面（＋２１）にエツチングマスク（７）を形成
し、図において上方がらエツチングを行なって一点鎖線
で示す所まで除去し、凹部（３）を形成する。その後、
第１図に示すように第１、第２のシリコンウェハ（１１
）、 （１２）を真空中で互いに貼り合せ、真空室を形
成する。研磨された第１のシリコンウェハ（１１）の、
凹部（３）の図において上方がダイヤフラム（４）とな
る。
２図は第１のシリコンウェハ（１１）の断面図であり、
先ず、その表面（１１１）に拡散抵抗（２を形成する０
次に、その裏面（＋１２）から研磨により一点鎖線で示
す、ダイヤフラム（４）としての目標の厚さの所まで除
去する。一方、第２のシリコンウェハ（１２）は第３図
の断面図に示すように凹部（３）を形成すべき所を除い
てその表面（＋２１）にエツチングマスク（７）を形成
し、図において上方がらエツチングを行なって一点鎖線
で示す所まで除去し、凹部（３）を形成する。その後、
第１図に示すように第１、第２のシリコンウェハ（１１
）、 （１２）を真空中で互いに貼り合せ、真空室を形
成する。研磨された第１のシリコンウェハ（１１）の、
凹部（３）の図において上方がダイヤフラム（４）とな
る。
この半導体圧力センサは第４図の従来例と同様に動作し
て圧力測定が行なわれる。
て圧力測定が行なわれる。
なお、上記実施例では、第１のシリコンウェハ（１１）
に拡散抵抗（■を形成した後に研磨を行なったが、研磨
および第２のシリコンウェハとの貼り合せを行った後で
、拡散抵抗（２Ｊ等のパターンを形成してもよい。パタ
ーンが形成されていないベアウェハの方が研磨の精度を
高くすることができるので、高精度の圧カセ４すが得ら
れる。また、第１第２のシリコンウェハの貼り合せを真
空中で行ない、中空部を真空室（６）としたが、他の適
当な大きさの圧力を中空部に持たせるようにしてもよい
。
に拡散抵抗（■を形成した後に研磨を行なったが、研磨
および第２のシリコンウェハとの貼り合せを行った後で
、拡散抵抗（２Ｊ等のパターンを形成してもよい。パタ
ーンが形成されていないベアウェハの方が研磨の精度を
高くすることができるので、高精度の圧カセ４すが得ら
れる。また、第１第２のシリコンウェハの貼り合せを真
空中で行ない、中空部を真空室（６）としたが、他の適
当な大きさの圧力を中空部に持たせるようにしてもよい
。
例えば、貼り合せ後にパターンを形成する場合は、中空
部を大気圧に近い圧力にする方が、ダイヤフラム（４）
が撓んで、パターンの精度が悪くなるようなことが防止
できて良い。
部を大気圧に近い圧力にする方が、ダイヤフラム（４）
が撓んで、パターンの精度が悪くなるようなことが防止
できて良い。
以上のように、この発明によれば、平板状の第１の半導
体ウェハの、凹部対応部分がダイヤフラムとなるので、
第１の半導体ウェハの研磨により、ダイヤフラムの厚さ
を容易に正確に制御でき、従って、精度の良い半導体圧
力センサを得ることができる。
体ウェハの、凹部対応部分がダイヤフラムとなるので、
第１の半導体ウェハの研磨により、ダイヤフラムの厚さ
を容易に正確に制御でき、従って、精度の良い半導体圧
力センサを得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体圧力センサの
断面図、第２図、第３図は第１図の半導体圧力センサの
製造方法を示すためのそれぞれ第１、第２のシリコンウ
ェハの断面図、第４図は従来の半導体圧力センサを示す
断面図、第５図、第６図は第４図の半導体圧力センサの
製造方法を示すためのシリコンウェハの断面図である。 図において、（■は拡散抵抗、（３）は凹部、（６）は
真空室、（ｌ ｌ）、 （＋２）はそれぞれ第１．第２
のシリコンウェハである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
断面図、第２図、第３図は第１図の半導体圧力センサの
製造方法を示すためのそれぞれ第１、第２のシリコンウ
ェハの断面図、第４図は従来の半導体圧力センサを示す
断面図、第５図、第６図は第４図の半導体圧力センサの
製造方法を示すためのシリコンウェハの断面図である。 図において、（■は拡散抵抗、（３）は凹部、（６）は
真空室、（ｌ ｌ）、 （＋２）はそれぞれ第１．第２
のシリコンウェハである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- パターンが形成された平板状の第１の半導体ウエハ、お
よび、凹部が形成されると共に上記第１の半導体ウエハ
と貼り合わされて、上記凹部と第１の半導体ウエハとで
中空部を形成する第２の半導体ウエハから成る半導体圧
力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20310389A JPH0368175A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20310389A JPH0368175A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368175A true JPH0368175A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16468440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20310389A Pending JPH0368175A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0368175A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0518837A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| US6388279B1 (en) | 1997-06-11 | 2002-05-14 | Denso Corporation | Semiconductor substrate manufacturing method, semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof |
| JP2003322576A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-11-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | 圧力センサおよび圧力系統および圧力センサの製造方法 |
-
1989
- 1989-08-05 JP JP20310389A patent/JPH0368175A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0518837A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| US6388279B1 (en) | 1997-06-11 | 2002-05-14 | Denso Corporation | Semiconductor substrate manufacturing method, semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof |
| JP2003322576A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-11-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | 圧力センサおよび圧力系統および圧力センサの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2729005B2 (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP2002525213A (ja) | 閉鎖されたダイヤフラム開口を有するマイクロメカニズムの構成部材 | |
| JPH0368175A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH1032233A (ja) | シリコンウェーハ、ガラスウェーハ及びそれを用いたストレス測定方法 | |
| JPH0748564B2 (ja) | シリコンマイクロセンサ | |
| US6308575B1 (en) | Manufacturing method for the miniaturization of silicon bulk-machined pressure sensors | |
| JPH0685287A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH0394475A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH06221945A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JPS63292071A (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JPH10160606A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH07318445A (ja) | 静電容量型圧力センサとその製造方法 | |
| JPH10239345A (ja) | 半導体センサ | |
| JP2002323395A (ja) | 静電容量型センサ | |
| JPH0758347A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JPH05167081A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH07113708A (ja) | 半導体絶対圧力センサの製造方法 | |
| JPH10135485A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH04251985A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| KR100411147B1 (ko) | 압력센서 | |
| JPH08148696A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| KR100411146B1 (ko) | 압력센서 | |
| JPH04181136A (ja) | 圧力検出器およびその製造方法 | |
| JPS61276378A (ja) | ダイヤフラム形半導体センサの製造方法 | |
| JPS6146078A (ja) | 半導体圧力センサ−の製法 |