JP2000252546A - ホール素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高いホール移動度が得られるＩｎＳｂ膜を用
いたホール素子を提供する。 【解決手段】 基板１上に形成した非晶質の下地膜２
と、前記非晶質の下地膜２上に、閃亜鉛鉱型構造で結晶
面方位が（１１１）面を有して所定のパターン形状に形
成したＩｎＳｂ膜５（又は９）と、前記非晶質の下地膜
２と前記ＩｎＳｂ膜５（又は９）とに接触して形成した
電極１１とを備えたことを特徴とするホール素子１０を
提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高いホール移動度
が得られるＩｎＳｂ膜を形成したホール素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ等に用いら
れるホールモータは、ホール素子と磁石とで回転検出を
行うものであり、このホールモータの小型化に伴い、ホ
ールモータの回転検出に用いられる磁石も、そのサイズ
が小さくなってきている。この磁石のサイズが小さくな
ると、磁束密度が低くなるので、この磁束密度を検出す
るホール素子の感度は、ますます高感度化が要求され
る。このホール素子の材料としては、材料費が安価で、
高いホール移動度を有することから、高い感度が得られ
るＩｎＳｂが広く用いられている。ＩｎＳｂのホール移
動度を高くするためには、結晶性を向上させる必要があ
る。実用的には、ＩｎＳｂ膜のホール移動度は、２００
００ｃｍ²／Ｖ／ｓｅｃ以上が要求されている。

【０００３】このＩｎＳｂホール素子の製造方法は、例
えば、特開平９−１４８６５２号公報及び特開平９−１
４８６５３号公報に開示されているものがある。即ち、
特開平９−１４８６５２号公報には、雲母からなる基板
を用い、この基板上に真空蒸着法により、Ｉｎ過剰のＩ
ｎとＳｂとからなる層を形成し、更に、前記Ｉｎよりも
過剰なＳｂを蒸着して、ＩｎＳｂ膜を形成後、このＩｎ
Ｓｂ膜上にポリミイド樹脂を介してフェライトを載置
し、前記基板を剥離し、フェライト上にＩｎＳｂ膜を転
写し、更に、このＩｎＳｂ膜の上にフォトリソグラフィ
法によりホールパターンを形成し、所望の大きさにダイ
シングして、ＩｎＳｂホール素子が得られることが開示
されている。また、特開平９−１４８６５３号公報に
は、フェライト基板上にガラスを形成し、このガラス上
に真空蒸着法により、ＩｎとＳｂを蒸着し、更に、Ｓｂ
を蒸着してＩｎＳｂ膜を形成後、このＩｎＳｂ膜上にフ
ォトリソグラフィ法によりホールパターンを形成し、所
望の大きさにダイシングして、ＩｎＳｂホール素子が得
られることが開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
場合には、雲母からなる基板上にＩｎＳｂ膜を形成する
と、高いホール移動度が得られるので、このＩｎＳｂ膜
から作製されたホール素子は、高感度となるが、前記基
板を剥離する際に、ＩｎＳｂ膜を基板全体から完全に剥
離できなかったり、完全に剥離するためには時間が大幅
にかかることから、製造作業が難く、歩留まりが低かっ
た。このため、ＩｎＳｂ膜の製造コストが高かった。ま
た、後者の場合には、フェライト基板に形成されたガラ
ス上にＩｎＳｂ膜を形成すると、ＩｎＳｂ膜とガラスと
の間に格子のミスマッチがあるので、ＩｎＳｂ膜は、無
配向となるため、ホール移動度が低く感度が上がらない
といった問題を生じていた。そこで、高いホール移動度
が得られるＩｎＳｂ膜を形成したホール素子が望まれて
いる。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
てなされたものであり、第１の発明は、基板上に形成し
た非晶質の下地膜と、前記非晶質の下地膜上に、閃亜鉛
鉱型構造で結晶面方位が（１１１）面を有して所定のパ
ターン形状に形成したＩｎＳｂ膜と、前記非晶質の下地
膜と前記ＩｎＳｂ膜とに接触して形成した電極とを備え
たことを特徴とするホール素子である。また、第１の発
明のホール素子において、前記非晶質の下地膜は、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ガラス、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ、Ｔ
ｉＮのうちいずれか１つであることを特徴とするもので
ある。

【０００６】また、第２の発明は、非晶質基板と、前記
非晶質基板上に、閃亜鉛鉱型構造で結晶面方位が（１１
１）面を有して所定のパターン形状に形成したＩｎＳｂ
膜と、前記非晶質基板と前記ＩｎＳｂ膜とに接触して形
成した電極とを備えたことを特徴とするホール素子であ
る。また、第２の発明のホール素子において、前記非晶
質基板は、ＳｉＯ₂又はガラスであることを特徴とする
ものである。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係るホール素子の一実施例について詳細に説明す
る。まず、本発明に係るホール素子を説明する前に、こ
のホール素子に適用されるＩｎＳｂ膜の形成方法につい
て第１乃至第４実施形態を先に説明する。本発明に係る
ホール素子に適用されるＩｎＳｂ膜の形成方法の第１実
施形態について以下に図１乃至図４を用いて説明する。
図１は、第１実施形態のＩｎＳｂ膜の形成方法を示す図
である。図２は、第１実施形態のＩｎＳｂ膜の形成方法
で作製されたＩｎＳｂ膜のＸＲＤ法によるＸ線回折強度
を示す図である。図２中、縦軸は、Ｘ線回折強度、横軸
は、２θ（ｄｅｇ）であり、ｄは第1実施形態のＩｎＳ
ｂ膜の形成方法で作製されたＩｎＳｂ膜、ａは比較試料
Ａ、ｂは比較試料Ｂである。図３は、熱処理温度を変化
させた場合に第１実施形態のＩｎＳｂ膜の形成方法で作
製されたＩｎＳｂのＸＲＤ法によるＸ線回折強度を示す
図である。図３中、縦軸は、Ｘ線回折強度、横軸は、２
θ（ｄｅｇ）である。図４は、比較試料Ｃの場合のＩｎ
ＳｂのＸＲＤ法によるＸ線回折強度を示す図である。図
４中、縦軸は、Ｘ線回折強度、横軸は、２θ（ｄｅｇ）
である。

【０００８】図１（Ａ）に示すように、磁性フェライト
からなり、表面研磨した基板１上に非晶質のＳｉＯ₂か
らなる下地膜２をスパッタ法により形成する。このよう
にして、予め下地膜２が形成された基板１を用意する。
真空蒸着装置（図示せず）内に設置したＳｂ用ボート及
びＩｎ用ボートにそれぞれ、Ｓｂ及びＩｎを入れ、予め
下地膜２が形成された基板１を加熱して所定温度にした
状態で、この下地膜２上に厚さ５ｎｍ乃至１５００ｎｍ
のＳｂ膜３、このＳｂ膜３の厚さに対して化学量論組成
が成立する範囲（略５ｎｍ乃至１５００ｎｍの範囲）の
厚さのＩｎ膜４を真空蒸着法により順次形成する。

【０００９】この際、Ｉｎ膜４の厚さは、Ｓｂ膜３の厚
さと略等しいか、若干薄い程度がよい。次に、図１
（Ｂ）に示すように、これらの膜が形成された基板１を
真空中又は、窒素雰囲気中で所定の熱処理温度で熱処理
を行う。なお、熱処理を行う雰囲気は、Ａｒ、Ｈe等の
不活性ガスを用いてもよい。この際、Ｓｂ膜３とＩｎ膜
４とが互いに反応してＩｎＳｂ膜５が形成される。こう
して、基板１上に下地膜２を介してＩｎＳｂ膜５が形成
されたＩｎＳｂ薄膜基板６が得られる。

【００１０】次に、Ｓｂ膜３の厚さ、下地膜２の材質、
基板温度、熱処理温度を変化させてＩｎＳｂ膜５を形成
し、このＩｎＳｂ膜５の結晶面方位についてＸｒａｙ
Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎ法（以下、Ｘ
ＲＤ法という）により調べた。ＸＲＤ法では、Ｘ線は、
ＩｎＳｂ膜５の深さ方向に侵入するので、閃亜鉛鉱型構
造のＩｎＳｂ膜５の結晶格子からのＸ線回折強度を測定
することによって、ＩｎＳｂ膜５の深さ方向の結晶面方
位を調べることができる。ＩｎＳｂは、（１１１）面に
配向した場合に、最も結晶性が良くなるので、ＩｎＳｂ
膜５の深さ方向の（１１１）面を調べることによって、
ＩｎＳｂ膜５が良好な結晶性を有しているかどうかがわ
かる。

【００１１】まず始めに、Ｓｂ膜３の厚さを６００ｎ
ｍ、Ｉｎ膜４の厚さを６００ｎｍにして形成した厚さ１
２００ｎｍのＩｎＳｂ膜５の結晶面方位について調べ
た。この時、基板温度は、１２０℃であり、熱処理温度
は、５００℃である。また、真空蒸着法により、磁性フ
ェライトからなる基板上にＳｉＯ₂を形成し、ＩｎとＳ
ｂを同時に蒸着を行った後、熱処理温度５００℃で熱処
理をおこなって形成した厚さ１２００ｎｍのＩｎＳｂ膜
からなる比較試料Ａと、真空蒸着法により、磁性フェラ
イトからなる基板上にＳｉＯ₂を形成し、Ｉｎ、Ｓｂを
順次形成後、熱処理温度５００℃で熱処理を行って形成
した厚さ１２００ｎｍのＩｎＳｂ膜からなる比較試料Ｂ
とを比較例として用いた。

【００１２】その結果、図２に示すように、比較試料Ａ
及び比較試料Ｂでは、Ｘ線回折強度が（１１１）面以外
に（２２０）面、（３１１）面等の複数の面を生じ、深
さ方向でランダムな結晶面方位が形成され、無配向状態
を示した。一方、第1実施形態のＩｎＳｂ膜５は、閃亜
鉛鉱型構造の結晶面方位である（１１１）面のＸ線回折
強度が極めて強く、優先配向を示した。即ち、良好な結
晶性を有している。このことから、第1実施形態のＩｎ
Ｓｂ膜５は、高いホール移動度を有し、良好な結晶性を
有していることがわかる。

【００１３】次に、第1実施形態において、Ｓｂ膜３の
厚さを３ｎｍ乃至１７００ｎｍの範囲で変化させ、この
Ｓｂ膜３の厚さに対して化学量論組成が成立する範囲
（略３ｎｍ乃至１７００ｎｍの範囲）の厚さのＩｎ膜４
を形成したＩｎＳｂ膜５の結晶面方位について調べた。
この時、基板温度は、１２０℃、熱処理温度は、５００
℃である。その結果、Ｓｂ膜３の厚さが５ｎｍ乃至１５
００ｎｍの範囲では、（１１１）面のＸ線回折強度が極
めて強く、優先配向を示した。しかし、Ｓｂ膜３の厚さ
が５ｎｍ未満では、（１１１）面以外に磁性フェライト
のＸ線回折強度が観測され、特定面の配向を示さなかっ
た。

【００１４】また、１５００ｎｍ以上でも、（１１１）
面以外に（２２０）面、（３１１）面等のＸ線回折強度
が観測され、特定面の配向を示さなかった。即ち、Ｓｂ
膜３の厚さが５ｎｍ未満又は、１５００ｎｍ以上では配
向が乱された状態となる。このことから、Ｓｂ膜３の厚
さを５ｎｍ乃至１５００ｎｍの範囲、Ｉｎ膜４の厚さ
は、Ｓｂ膜３の厚さに対して化学量論組成が成立する範
囲でＩｎＳｂ膜５を形成すれば、このＩｎＳｂ膜５は、
（１１１）面に優先配向し、良好な結晶性を有すること
がわかる。

【００１５】ここで、Ｓｂ膜３の厚さが５ｎｍ未満と１
５００ｎｍ以上で、配向が乱された状態となることにつ
いて説明する。Ｓｂ膜３の厚さが５ｎｍ未満では、磁性
フェライトのＸ線回折強度が観測されることからＩｎＳ
ｂ膜５が島状に形成され、結晶化されない状態となって
いるためと考えられる。また、ＩｎＳｂ膜５の厚さが１
５００ｎｍ以上の場合は、蒸着時間が長くなるため、Ｓ
ｂ用ボート及びＩｎ用ボートからの輻射熱により、真空
蒸着装置内部に吸着しているガスが再蒸発して、ＩｎＳ
ｂ膜５に取り込まれたり、基板温度が上昇するため、Ｉ
ｎＳｂ膜５が熱組成変形するためと考えられる。

【００１６】次に、下地膜２として、ＳｉＯ₂を用いる
代わりに、Ａｌ₂Ｏ₃、無アルカリガラス（コーニング♯
７０５９）、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ及びＴｉＮからな
る非晶質膜を用いて形成したＩｎＳｂ膜５の結晶面方位
について調べた。この時、Ｓｂ膜３の厚さは５ｎｍ乃至
１５００ｎｍの範囲、Ｉｎ膜４の厚さは、Ｓｂ膜３の厚
さに対して化学量論組成が成立する範囲（略５ｎｍ乃至
１５００ｎｍの範囲）であり、基板温度は、１２０℃、
熱処理温度は、５００℃である。その結果、いずれの非
晶質膜を用いた場合にも、（１１１）面のＸ線回折強度
が極めて強く、ＩｎＳｂ膜５が優先配向していることを
示した。このことから、上記した非晶質膜を下地膜２に
用いてＩｎＳｂ膜５を形成すれば、このＩｎＳｂ膜５は
（１１１）面に優先配向し、良好な結晶性を有したもの
となることがわかる。

【００１７】次に、基板温度を２０℃乃至４００℃の範
囲で変化させ、かつＳｂ膜３の厚さは５ｎｍ乃至１５０
０ｎｍの範囲、Ｉｎ膜４の厚さは、Ｓｂ膜３の厚さに対
して化学量論組成が成立する範囲（略５ｎｍ乃至１５０
０ｎｍの範囲）で形成したＩｎＳｂ膜５の結晶面方位に
ついて調べた。この時、熱処理温度は５００℃である。
その結果、Ｓｂ膜３及びＩｎ膜４を形成する際の基板温
度を２０℃乃至３００℃の範囲でＩｎＳｂ膜５を作製し
た場合には、（１１１）面のＸ線回折強度が極めて強
く、優先配向を示したが、３００℃以上では、（１１
１）面以外の複数のＸ線回折強度が観測され、特定面の
配向を示さなかった。

【００１８】このように、基板温度が３００℃以上で配
向が乱れた状態になるのは、Ｓｂの蒸発温度が３００℃
付近にあるので、基板温度が３００℃以上になると、基
板１上にＳｂが到達しても再蒸発してしまうため、Ｓｂ
膜３が形成されないので、ＩｎＳｂ膜５が形成できなか
ったことによると考えられる。更に、Ｓｂ膜３、Ｉｎ４
膜及び熱処理温度を前記と同じ条件にし、基板温度を２
０℃未満にして形成したＩｎＳｂ膜５の結晶面方位につ
いても調べたが、（１１１）面のＸ線回折強度が極めて
強く、優先配向を示した。しかしながら、基板温度が２
０℃未満とは、基板１の加熱無しを意味するので、蒸着
するたびに真空蒸着機の内壁が空気中に晒されるため、
蒸着を開始する前に、この内壁に付着した水分を除去す
る必要があり生産性が低下する。このため、実用的では
ない。

【００１９】この結果、基板温度を２０℃乃至３００℃
の範囲にしてＩｎＳｂ膜５を形成すれば、このＩｎＳｂ
膜５は（１１１）面に優先配向し、良好な結晶性を有し
たものとなることがわかる。なお、下地膜２にＡｌ
₂Ｏ₃、無アルカリガラス（コーニング♯７０５９）、Ａ
ｌＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ及びＴｉＮからなる非晶質膜を用
いた場合も同様な効果が得られた。

【００２０】次に、Ｓｂ膜３の厚さは１５０ｎｍ、Ｉｎ
膜４の厚さは、Ｓｂ膜３の厚さに対して化学量論組成が
成立する厚さ（略１５０ｎｍ）にして、熱処理温度２０
℃乃至５１０℃の範囲に変化させて形成したＩｎＳｂ膜
５の結晶面方位について調べた。この時、基板温度は、
１２０℃である。ここで、熱処理温度２０℃とは、室温
状態であるので、熱処理無しの状態と同じである。この
ため、以下では、熱処理温度２０℃は、熱処理無しとい
うことにする。また、磁性フェライトからなる基板上に
ＳｉＯ₂を形成し、Ｉｎ、Ｓｂを順次形成後、熱処理温
度２０℃乃至５１０℃の範囲に変化させて形成した厚さ
１５０ｎｍのＩｎＳｂ膜からなる比較試料Ｃを比較例と
して用いた。

【００２１】その結果を図３及び図４に示す。図３中、
熱処理無しをＬ₀、熱処理温度２００℃の場合をＬ₁、熱
処理温度３００℃の場合をＬ₂、熱処理温度４００℃の
場合をＬ₃、熱処理温度５１０℃の場合をＬ₄で示す。図
４中、熱処理無しをＭ₀、熱処理温度２００℃の場合を
Ｍ₁、熱処理温度３００℃の場合をＭ₂、熱処理温度４０
０℃の場合をＭ₃、熱処理温度５１０℃の場合をＭ₄で示
す。

【００２２】その結果、図３に示すように、ＩｎＳｂ膜
５の場合、熱処理無しでは、（１１１）面以外の複数の
Ｘ線回折強度が観測されるが、熱処理温度が３００℃乃
至５１０℃の範囲では、（１１１）面のＸ線回折強度が
極めて強く、優先配向を示した。このことは、以下のよ
うに説明できる。熱処理温度が３００℃乃至５１０℃の
範囲では、ＩｎとＳｂの拡散係数は、ＩｎＳｂ膜５中で
大きいので、ＩｎとＳｂがＩｎＳｂ膜５中を移動し易く
なり、結晶面の配向が良好になるためと考えられる。更
に、熱処理温度５１０℃以上で熱処理を行った結果、複
数のＸ線回折強度が観測され、配向が乱された状態とな
った。これは、ＩｎＳｂの解離温度が５１０℃であるの
で、熱処理温度５１０℃以上では、ＩｎＳｂが解離して
しまうためと考えられる。

【００２３】一方、図４に示すように、比較試料Ｃで
は、熱処理温度が高くなると共に（１１１）以外の複数
のＸ線回折強度が観測され、特定面の配向を示さなかっ
た。このことは、ＳｉＯ₂からなる下地膜上にＩｎが形
成されると、ＳｉＯ₂とＩｎは格子ミスマッチを生じる
ため、熱処理を行なうことによって、このミスマッチが
増殖して結晶面配向を乱すためと考えられる。

【００２４】更に、下地膜２にＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、無
アルカリガラス（コーニング♯７０５９）、ＡｌＮ、Ｓ
ｉＮ、ＴａＮ及びＴｉＮからなる非晶質膜を用いた場合
も同様な効果が得られた。以上のように、熱処理温度が
３００℃乃至５１０℃の範囲で熱処理を行ってＩｎＳｂ
膜５を形成すれば、ＩｎＳｂ膜５は（１１１）面に優先
配向され、良好な結晶性を有したものになることがわか
る。

【００２５】第1実施形態によれば、真空蒸着法によ
り、予め非晶質からなる下地膜２が形成された基板１を
加熱して、２０℃乃至３００℃の範囲の温度にした状態
で、下地膜２上に５ｎｍ乃至１５００ｎｍの範囲の厚さ
のＳｂ膜３、このＳｂ膜３の厚さに対して化学量論組成
が成立する範囲（略５ｎｍ乃至１５００ｎｍの範囲）の
厚さのＩｎ膜４を順次形成後、真空中又は、不活性ガス
雰囲気中で熱処理温度３００乃至５１０℃の範囲で熱処
理を行なってＩｎＳｂ膜５を形成するので、ＩｎＳｂ膜
５は、（１１１）面に優先配向し、良好な結晶性を有し
たものになる。

【００２６】また、下地膜２をＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、無
アルカリガラス（コーニング♯７０５９）、ＡｌＮ、Ｓ
ｉＮ、ＴａＮ及びＴｉＮからなる非晶質膜を用いた場合
も同様な効果が得られる。このため、このＩｎＳｂ膜５
をホール素子に用いた場合には、高感度なホール素子を
得ることができる。また、ＩｎＳｂ膜からなるホール素
子を作製する際、基板１に雲母を用いないので、この基
板１を剥離するといった難しい製造作業がないので、歩
留まりが高く、製造コストが安価になる。

【００２７】次に、本発明に係わるホール素子に適用さ
れるＩｎＳｂ膜の形成法の第２実施形態について図５を
用いて説明する。第1実施形態と同一構成には同一符号
を付し、その説明を省略する。第1実施形態において
は、予め非晶質からなる下地膜２が形成された基板１を
用いて、この下地膜２上に化学量論組成のＩｎＳｂ膜５
を形成したが、第２実施形態では、基板材料に非晶質の
ＳｉＯ₂又は、無アルカリガラス（コーニング♯７０５
９）を用い、この非晶質基板７上に直接、化学量論組成
のＩｎＳｂ膜５を形成するものである。

【００２８】図５は、第２実施形態のＩｎＳｂ膜の形成
方法を示す図である。図５（Ａ）に示すように、Ｓｂ用
ボート及びＩｎ用ボートにそれぞれＳｂ及びＩｎを入
れ、ＳｉＯ₂又は、無アルカリガラスからなる非晶質基
板７を加熱して所定温度にした状態で、５ｎｍ乃至１５
００ｎｍの範囲の厚さのＳｂ膜３、このＳｂ膜３の厚さ
に対して化学量論組成が成立する範囲（略５ｎｍ乃至１
５００ｎｍの範囲）の厚さのＩｎ膜４を真空蒸着法によ
り順次形成する。次に、図５（Ｂ）に示すように、これ
らの膜が形成された非晶質基板７を真空中又は、窒素雰
囲気中で所定の熱処理温度で熱処理を行う。なお、熱処
理を行う雰囲気は、Ａｒ、Ｈe等の不活性ガスを用いて
もよい。この際、Ｓｂ膜３とＩｎ膜４とが互いに反応し
てＩｎＳｂ膜５が形成される。

【００２９】次に、Ｓｂ膜３の厚さ、基板温度、熱処理
温度を変化させてＩｎＳｂ膜５を形成し、このＩｎＳｂ
膜５の結晶面方位についてＸＲＤ法により調べた。この
結果、前記した第1実施形態と同様の結果が得られた。

【００３０】以上のように、第２実施形態によれば、真
空蒸着法により、ＳｉＯ₂又は、無アルカリガラスから
なる非晶質基板７を加熱して、２０℃乃至３００℃の範
囲の温度にした状態で、非晶質基板１上に５ｎｍ乃至１
５００ｎｍの範囲の厚さのＳｂ膜３、このＳｂ膜３の厚
さに対して化学量論組成が成立する範囲（略５ｎｍ乃至
１５００ｎｍの範囲）の厚さのＩｎ膜４を順次形成後、
真空中又は、不活性ガス雰囲気中で熱処理温度３００乃
至５１０℃の範囲で熱処理を行なってＩｎＳｂ膜５を形
成するので、第1実施形態で形成した下地膜２が不要と
なり、非晶質基板７に直接ＩｎＳｂ膜５を形成すること
ができ、かつ（１１１）面に優先配向し、良好な結晶性
を有したものになる。このため、このＩｎＳｂ膜をホー
ル素子に用いた場合には、高感度なホール素子を得るこ
とができる。また、この場合もＩｎＳｂ膜からなるホー
ル素子を作製する際、基板１に雲母を用いないので、こ
の基板１を剥離するといった難しい製造作業がないの
で、歩留まりが高く、製造コストが安価になる。

【００３１】次に、本発明に係わるホール素子に適用さ
れるＩｎＳｂ膜の形成法の第３実施形態について図６乃
至図８を用いて説明する。第1実施形態及び第２実施形
態の構成と同一構成には同一符号を付し、その説明を省
略する。図６は、第３実施形態のＩｎＳｂ膜の形成方法
を示す図である。図７は、Ｓｂ膜厚とホール移動度との
関係を示す図である。図７中、縦軸は、ホール移動度μ
Ｈ（ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ）、横軸は、Ｓｂ膜の厚さ（ｎ
ｍ）である。図８は、基板の第１の温度とホール移動度
との関係を示す図である。図８中、縦軸は、ホール移動
度μＨ（ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ）、横軸は、基板温度
（℃）である。

【００３２】まず始めに、図６（Ａ）に示すように、第
1実施形態と同様に、真空蒸着装置（図示せず）内に設
けたＳｂ用ボート及びＩｎ用ボートにそれぞれ、Ｓｂ及
びＩｎを入れ、予めＳｉＯ₂からなる非晶質の下地膜２
が形成された磁性フェライトからなる基板１を加熱し
て、第１の温度を２０℃至１５０℃の範囲にした状態
で、この下地膜２上に５ｎｍ乃至３００ｎｍの範囲の厚
さのＳｂ膜３、このＳｂ膜３の厚さに対して化学量論組
成が成立する範囲（略５ｎｍ乃至３００ｎｍの範囲）の
厚さのＩｎ膜４を真空蒸着法により順次形成する。この
後、図６（Ｂ）に示すように、ＩｎＳｂ用ボートにＩｎ
とＳｂを入れ、基板１の第２の温度を３５０℃乃至５０
０℃の範囲にして、ＳｂとＩｎを同時に蒸着することに
よって１４ｎｍ乃至２００ｎｍ範囲の厚さのＩｎＳｂ膜
８を形成する。

【００３３】この際、図６（Ｃ）に示すように、ＩｎＳ
ｂ膜８の形成は、基板１の第２の温度を３５０℃乃至５
００℃の範囲にして行うので、Ｓｂ膜３、Ｉｎ膜４を熱
処理したと同等の効果があるため、Ｓｂ膜３とＩｎ膜４
とは、互いに反応してＩｎＳｂ膜５になる。こうして、
ＩｎＳｂ膜５とＩｎＳｂ膜８とからなるＩｎＳｂ薄膜９
を作製する。即ち、ＩｎＳｂ薄膜９は、ＩｎＳｂ膜５上
にＩｎＳｂ膜８をホモ接合したものになる。

【００３４】次に、基板１の第１の温度を１２０℃に
し、第２の温度を３５０℃乃至５００℃の範囲で形成し
たＩｎＳｂ薄膜９の結晶面方位について、ＸＲＤ法によ
り調べた。Ｓｂ膜３の厚さが７ｎｍ乃至１００ｎｍの範
囲では、（１１１）面のＸ線回折強度が極めて強く、優
先配向を示した。また、Ｓｂ膜３の厚さが７ｎｍ以下及
び１００ｎｍ以上では、（１１１）面以外の複数のＸ線
回折強度が観測され、特定面の配向を示さず配向が乱れ
た状態となった。

【００３５】このように、Ｓｂ膜３の厚さが７ｎｍ以下
及び１００ｎｍ以上で配向が乱れる状態になることは、
以下のように説明できる。Ｓｂ膜３の厚さが７ｎｍ以下
の場合には、第1実施形態で説明したと同様にＳｂ膜３
が島状に形成されるため、結晶化されない状態となって
いるためと考えられる。Ｓｂ膜３の厚さが１００ｎｍ以
上の場合については以下のように考えられる。Ｓｂ膜３
の厚さが厚くなってくると、下地膜２、Ｓｂ膜３及びＩ
ｎ膜４間で生じる応力の影響によって、（１１１）面以
外の複数の面が形成されるようになるためと考えられ
る。

【００３６】ここで、ＩｎＳｂ薄膜９の結晶面方位が
（１１１）面となることについて説明する。ＩｎＳｂ膜
８の形成の際、Ｓｂ膜３及びＩｎ膜４が形成された基板
１を３５０℃乃至５００℃の範囲の温度に加熱するた
め、Ｓｂ膜３及びＩｎ膜４には、本発明の第１実施形態
で説明したと同様な熱処理が行われることになる。この
ため、本発明の第1実施形態で説明したように、Ｓｂ膜
３及びＩｎ膜４の厚さが上記した範囲にあり、３００℃
乃至５１０℃の範囲の温度がこれらの膜に印加される
と、（１１１）面を有するＩｎＳｂ膜が得られることか
ら、本発明の第３実施形態のＩｎＳｂ膜５は（１１１）
面を有することになる。ＩｎＳｂ膜８は、（１１１）面
を有するＩｎＳｂ膜５上にホモ接合することになるの
で、これもまた（１１１）面を有することになる。この
結果、ＩｎＳｂ薄膜９は、（１１１）面を有するＩｎＳ
ｂ膜５及びＩｎＳｂ膜８とからなるので、（１１１）面
を有することになるのである。

【００３７】この結果、第１の温度２０℃乃至１５０℃
の範囲で、７ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲の厚さのＳｂ膜
３、このＳｂ膜３の厚さに対して化学量論組成が成立す
る範囲（略７ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲）の厚さでＩｎ
膜４を形成後、基板１の第２の温度３５０℃乃至５００
℃の範囲でＩｎＳｂ膜８を形成すれば、ＩｎＳｂ膜５及
びＩｎＳｂ膜８が（１１１）面に優先配向し、良好な結
晶性を有したものになることがわかる。また、下地膜２
にＡｌ₂Ｏ₃、無アルカリガラス（コーニング♯７０５
９）、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ及びＴｉＮからなる非晶
質膜を用いた場合も同様な効果が得られた。

【００３８】次に、基板１を加熱して第１の温度を１２
０℃にした状態で、Ｓｂ膜３の厚さを５ｎｍ乃至３００
ｎｍの範囲にし、Ｉｎ膜４の厚さをＳｂ膜３の厚さに対
して化学量論組成が成立する範囲（略５ｎｍ乃至３００
ｎｍ範囲）にし、第２の温度を４５０℃にして形成した
ＩｎＳｂ薄膜９のホール移動度を測定した。Ｓｂ膜３の
厚さに対するＩｎＳｂ薄膜９のホール移動度の測定結果
を図７に示す。Ｓｂ膜３の厚さが５ｎｍ乃至３００ｎｍ
の範囲で、ホール移動度は、２５０００ｃｍ²／Ｖ・ｓ
ｅｃ以上であり、７ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲では３０
０００ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上となり、良好な結晶性を
有していることがわかる。更に、基板１の第２の温度を
３５０℃乃至５００℃の範囲で変化させ、その他の条件
を上記と同様にして形成したＩｎＳｂ薄膜９のＳｂ膜３
の厚さに対するホール移動度についても調べたが、図７
と同様の結果を得た。また、下地膜２にＡｌ₂Ｏ₃、無ア
ルカリガラス（コーニング♯７０５９）、ＡｌＮ、Ｓｉ
Ｎ、ＴａＮ及びＴｉＮからなる非晶質膜を用いた場合も
同様な効果が得られた。

【００３９】次に、Ｓｂ膜３の厚さを３０ｎｍにし、Ｉ
ｎ膜４の厚さをＳｂ膜３の厚さに対して化学量論組成が
成立する厚さ（略３０ｎｍ）にし、基板１の第１の温度
を２０℃乃至３００℃の範囲で変化させ、第２の温度を
４５０℃にして形成したＩｎＳｂ薄膜９のホール移動度
を測定した。第１の温度に対するＩｎＳｂ薄膜９のホー
ル移動度の測定結果を図８に示す。ＩｎＳｂ薄膜９のホ
ール移動度は、基板１の第１の温度が２０℃乃至３００
℃の範囲では、２５０００ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上とな
る。基板１の第１の温度が２０℃乃至１５０℃の範囲で
は、安定した略３００００ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃが得られ
ている。特に、基板１の第１の温度が２０℃乃至７０℃
の範囲では、ＩｎＳｂ薄膜９のホール移動度は、３００
００ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上となり、良好な結晶性を有
していることがわかる。

【００４０】なお、基板１の第２の温度を３５０℃乃至
５００℃の範囲で変化させ、またＳｂ膜の厚さを５ｎｍ
乃至３００ｎｍの範囲にし、Ｉｎ膜４の厚さをＳｂ膜３
の厚さに対して化学量論組成が成立する範囲（略５ｎｍ
乃至３００ｎｍ範囲）にし、その他の条件を上記と同様
にして形成したＩｎＳｂ薄膜９の第１の温度に対するホ
ール移動度についても調べたが、図８と同様の結果を得
た。また、下地膜２にＡｌ₂Ｏ₃、無アルカリガラス（コ
ーニング♯７０５９）、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ及びＴ
ｉＮからなる非晶質膜を用いた場合も同様な効果が得ら
れた。

【００４１】次に、基板１の両面を研磨した場合と片側
を研磨した場合のＩｎＳｂ薄膜９のホール移動度を測定
した。この際、Ｓｂ膜３の厚さを３０ｎｍにし、Ｉｎ膜
４の厚さをＳｂ膜３の厚さに対して化学量論組成が成立
する厚さ（略３０ｎｍ）にし、基板１の第１の温度を１
２０℃、第２の温度を５００℃にして形成したＩｎＳｂ
薄膜９のホール移動度の測定を行った。この際、基板１
の厚さは、１ｍｍ、０．５ｍｍ、０．３ｍｍ、０．２ｍ
ｍと変化させた。

【００４２】この結果、基板１の厚さが１ｍｍの場合、
両面を鏡面研磨した場合では、片面を研磨した場合に比
較し、ホール移動度が１０％以上高かった。また、基板
１の厚さが０．５ｍｍ、０．３ｍｍ、０．２ｍｍの場合
には、ホール移動度が１５％以上高かった。

【００４３】基板１の両面を研磨した場合が、片面を研
磨した場合よりもホール移動度が高くなることは、以下
のように考えられる。基板１の片面を研磨した場合に
は、研磨面と反対側の基板側は、粗面となるため、粗面
と研磨面との間に不均一な応力緩和が進むので、この歪
がＩｎＳｂ薄膜９に大きな歪を与えるため結晶性が悪く
なる。一方、基板１の両面を研磨した場合には、基板１
の両面が研磨面となるため、均一な歪を生じ、この歪が
バランスを保つことになるので結晶性を劣化させない。
この結果、基板１の両面を研磨した場合の方が、基板１
の片面を研磨した場合よりもホール移動度が高くなると
考えれる。このように、高いホール移動度が得られるの
は、ＩｎＳｂへの拡散係数Ｄ₀がＩｎでは１．８×１０
¹³ｃｍ²／ｓｅｃ、Ｓｂでは３×１０¹³ｃｍ²／ｓｅｃと
大きいことによると推察される。

【００４４】以上のように、第３実施形態によれば、真
空蒸着法により、予め非晶質からなる下地膜２が形成さ
れた基板１を加熱して、基板１の第１の温度を２０℃乃
至１５０℃の範囲にした状態で、下地膜２上に７ｎｍ乃
至１００ｎｍの範囲の厚さのＳｂ膜３、このＳｂ膜３の
厚さに対して化学量論組成が成立する範囲（略７ｎｍ乃
至１００ｎｍの範囲）の厚さのＩｎ膜４を順次形成後、
基板１の第２の温度を３５０℃乃至５００℃の範囲にし
て、ＩｎＳｂ膜５を形成すると共にＩｎＳｂ膜８を形成
してＩｎＳｂ薄膜９を得るので、熱処理を必要とするこ
となく、安定した２５０００ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の
高いホール移動度を有するＩｎＳｂ薄膜９が得られる。

【００４５】特に、非晶質基板７の第１の温度が２０℃
乃至７０℃の範囲では、ＩｎＳｂ薄膜９の移動度は、３
００００ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上となり、このＩｎＳｂ
薄膜９をホール素子に用いれば、極めて高い感度を有す
るＩｎＳｂホール素子を作製することができる。また、
下地膜２をＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、無アルカリガラス（コ
ーニング♯７０５９）、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ及びＴ
ｉＮからなる非晶質膜を用いた場合も同様な効果が得ら
れる。更にまた、基板１として、両面を鏡面研磨する
と、更にホール移動度を向上させることができる。な
お、第３実施形態では、基板１の両面を研磨したが、こ
の技術思想を第1実施形態に適用しても良い。

【００４６】次に、本発明に係わるホール素子に適用さ
れるＩｎＳｂ膜の形成法の第４実施形態について図９を
用いて説明する。第1実施形態乃至第３実施形態と同一
構成には同一符号を付し、その説明を省略する。第３実
施形態において、予め非晶質の下地膜２が形成された基
板１を用いて、この下地膜２上に化学量論組成のＩｎＳ
ｂ膜５を形成したが、第４実施形態では、基板１の材料
に非晶質のＳｉＯ₂又は、非晶質の無アルカリガラス
（コーニング♯７０５９）を用い、この非晶質基板７上
に直接、化学量論組成のＩｎＳｂ膜５を形成し、更に、
このＩｎＳｂ膜５上にＩｎＳｂ膜８をホモ接合するもの
である。

【００４７】図９は、第４実施形態のＩｎＳｂ膜の形成
方法を示す図である。図９（Ａ）に示すように、第３実
施形態と同様に、Ｓｂ用ボート及びＩｎ用ボートにそれ
ぞれＳｂ及びＩｎを入れ、ＳｉＯ₂又は、無アルカリガ
ラスからなる非晶質基板７を加熱して、第１の温度を２
０℃乃至１５０℃の範囲にした状態で、この非晶質基板
７上に５ｎｍ乃至１５００ｎｍの範囲の厚さのＳｂ膜
３、このＳｂ膜３の厚さに対して化学量論組成が成立す
る範囲（略５ｎｍ乃至１５００ｎｍの範囲）の厚さのＩ
ｎ膜４を真空蒸着法により順次形成する。次に、図９
（Ｂ）に示すように、ＩｎＳｂ用ボートにＩｎとＳｂを
入れ、非晶質基板７の第２の温度を３５０℃乃至５００
℃の範囲にして、ＳｂとＩｎを同時に蒸着することによ
って厚さ１４ｎｍ乃至２００ｎｍ範囲のＩｎＳｂ膜８を
形成する。

【００４８】この際、図９（Ｃ）に示すように、ＩｎＳ
ｂ膜８の形成は、非晶質基板７の第２の温度を３５０℃
乃至５００℃の範囲にして行うので、Ｓｂ膜３、Ｉｎ膜
４を熱処理したと同等の効果があるため、Ｓｂ膜３とＩ
ｎ膜４とは互いに反応してＩｎＳｂ膜５になる。こうし
て、ＩｎＳｂ膜５とＩｎＳｂ膜８とからなるＩｎＳｂ薄
膜９を作製する。即ち、ＩｎＳｂ薄膜９は、ＩｎＳｂ膜
５上にＩｎＳｂ膜８をホモ接合したものになる。この
後、このＩｎＳｂ薄膜９をＳｂ膜３の厚さ、基板温度、
熱処理温度を変化させてＸＲＤ法及びホール移動度を測
定したところ、前記した第３実施形態と同様の結果が得
られた。

【００４９】以上のように、第４実施形態によれば、真
空蒸着法により、ＳｉＯ₂又は、無アルカリガラスから
なる非晶質基板７を加熱して、第１の温度２０℃乃至１
５０℃の範囲にした状態て、非晶質基板７上に７ｎｍ乃
至１００ｎｍの範囲の厚さのＳｂ膜３、このＳｂ膜３の
厚さに対して化学量論組成が成立する範囲（略７ｎｍ乃
至１００ｎｍの範囲）の厚さのＩｎ膜４を順次形成し、
非晶質基板７の第２の温度を３５０℃乃至５００℃の範
囲にして、ＩｎＳｂ膜５を形成すると共にＩｎＳｂ膜８
を形成してＩｎＳｂ薄膜９を得るので、Ｓｂ膜３、Ｉｎ
膜４を順次形成後、非晶質基板７上に直接ＩｎＳｂ膜を
形成できるため、製造工程が容易となり、また熱処理を
必要としないで、２５０００ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ以上の
高いホール移動度を有するＩｎＳｂ薄膜９が得られる。
特に、非晶質基板７の第１の温度が２０℃乃至７０℃の
範囲では、ＩｎＳｂ薄膜９の移動度は、３００００ｃｍ
²／Ｖ・ｓｅｃ以上となり、このＩｎＳｂ薄膜９をホー
ル素子に用いれば、極めて高い感度を有するＩｎＳｂホ
ール素子を作製することができる。また、非晶質基板７
として、両面を鏡面研磨すると、更にホール移動度を向
上させることができる。

【００５０】なお、ＩＩＩ−Ｖ族化合物において、それ
を構成するＩＩＩ族元素とＶ族元素の拡散係数が大きい
場合には、非晶質膜上に、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物を形
成すれば、同等の効果が得られることは明白である。

【００５１】ここで、本発明に係るホール素子について
図１０，図１１を用いて説明する。図１０（ａ），
（ｂ）は、本発明に係る第１実施例のホール素子を説明
するための上面図，縦断面、図１１（ａ），（ｂ）は、
本発明に係る第２実施例のホール素子を説明するための
上面図，縦断面である。尚、説明の都合上、先に説明し
た構成部材と同一構成部材に対しては同一の符号を付し
て適宜説明し、且つ、異なる構成部材に新たな符号を付
して説明する。

【００５２】まず、図１０（ａ），（ｂ）に示した如
く、本発明に係る第１実施例のホール素子１０では、高
いホール移動度が得られるＩｎＳｂ膜を先に説明した第
１実施形態又は第３実施形態により形成したものであ
る。即ち、基板１上に非晶質の下地膜２を形成し、この
下地膜２上に第１実施形態又は第３実施形態によりＩｎ
Ｓｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９を形成したものである。こ
の際、非晶質の下地膜２は、ＳｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ３
、ガラス、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮのうちい
ずれか１つである。また、第１実施形態又は第３実施形
態により形成したＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９は、
閃亜鉛鉱型構造で結晶面方位が（１１１）面になってい
る。

【００５３】この後、ＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９
を図１０（ａ）に示したように、周知の方法により“十
字状”にエッチングして、ＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄
膜９のうちで十字状に突出した部位と、下地膜２とに接
触するように電極１１を４か所形成している。上記によ
り、第１実施例のホール素子１０ができる。尚、実際に
は、図示を省略するものの、この後、第１実施例のホー
ル素子１０をチップ形状に切断して、リードフレームに
配設し、集磁効果を上げるために、新たに別の磁性体
（図示せず）をＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９の上に
設置して、リード線を用いてリードフレームを電極１１
と接続し、樹脂にて外形を成形してあるものを用いてい
る。

【００５４】上記した第１実施例のホール素子１０によ
れば、基板１上に非晶質の下地膜２を形成し、この非晶
質の下地膜２上に閃亜鉛鉱型構造で結晶面方位が（１１
１）面を有して所定のパターンにＩｎＳｂ膜５又はＩｎ
Ｓｂ薄膜９を形成しているので、ＩｎＳｂ膜５又はＩｎ
Ｓｂ薄膜９は高いホール移動度が得られ、結晶性の高い
ものであり、このＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９を適
用した第１実施例のホール素子１０は高感度で、例えば
モータの回転検出などが正確に得られる。

【００５５】次に、図１１（ａ），（ｂ）に示した如
く、本発明に係る第２実施例のホール素子２０では、高
いホール移動度が得られるＩｎＳｂ膜を先に説明した第
２実施形態又は第４実施形態により形成したものであ
る。即ち、非晶質基板７上に、第２実施形態又は第４実
施形態によりＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９を直接形
成したものである。この際、非晶質基板７は、ＳｉＯ２
又はガラスである。また、第２実施形態又は第４実施
形態により形成したＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９
も、閃亜鉛鉱型構造で結晶面方位が（１１１）面になっ
ている。

【００５６】この後、ＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９
を図１１（ａ）に示したように、周知の方法により“十
字状”にエッチングして、ＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄
膜９のうちで十字状に突出した部位と、非晶質基板７と
に接触するように電極２１を４か所形成している。上記
により、第２実施例のホール素子２０ができる。尚、実
際には、図示を省略するものの、この後、第２実施例の
ホール素子２０をチップ形状に切断して、リードフレー
ムに配設し、集磁効果を上げるために、新たに別の磁性
体（図示せず）をＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９の上
に設置して、リード線を用いてリードフレームを電極２
１と接続し、樹脂にて外形を成形してあるものを用いて
いる。

【００５７】上記した第２実施例のホール素子２０によ
れば、非晶質基板７上に閃亜鉛鉱型構造で結晶面方位が
（１１１）面を有して所定のパターンにＩｎＳｂ膜５又
はＩｎＳｂ薄膜９を直接形成しているので、上記した第
１実施例のホール素子１０よりも製造工程を１工程省略
できると共に、ＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９は高い
ホール移動度が得られ、結晶性の高いものであり、この
ＩｎＳｂ膜５又はＩｎＳｂ薄膜９を適用した第２実施例
のホール素子２０も高感度で、例えばモータの回転検出
などが正確に得られる。

【００５８】

【発明の効果】本発明に係るホール素子において、請求
項１，２記載によれば、基板上に非晶質の下地膜を形成
し、この非晶質の下地膜上に閃亜鉛鉱型構造で結晶面方
位が（１１１）面を有して所定のパターンにＩｎＳｂ膜
を形成しているので、ＩｎＳｂ膜は高いホール移動度が
得られ、結晶性の高いものであり、このＩｎＳｂ膜を適
用したホール素子は高感度で、例えばモータの回転検出
などが正確に得られる。また、請求項３，４記載によれ
ば、非晶質基板上に閃亜鉛鉱型構造で結晶面方位が（１
１１）面を有して所定のパターンにＩｎＳｂ膜を直接形
成しているので、上記した請求項１，２記載のホール素
子よりも製造工程を１工程省略できると共に、ＩｎＳｂ
膜は高いホール移動度が得られ、結晶性の高いものであ
り、このＩｎＳｂ膜を適用したホール素子も高感度で、
例えばモータの回転検出などが正確に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るホール素子に適用されるＩｎＳｂ
膜の形成方法の第１実施形態について説明するための図
である。

【図２】第１実施形態の形成方法で作製されたＩｎＳｂ
のＸＲＤ法によるＸ線回折強度を示す図である。

【図３】熱処理温度を変化させた場合に第１実施形態の
形成方法で作製されたＩｎＳｂのＸＲＤ法によるＸ線回
折強度を示す図である。

【図４】熱処理温度を変化させた場合の比較例のＩｎＳ
ｂのＸＲＤ法によるＸ線回折強度を示す図である。

【図５】本発明に係るホール素子に適用されるＩｎＳｂ
膜の形成方法の第２実施形態について説明するための図
である。

【図６】本発明に係るホール素子に適用されるＩｎＳｂ
膜の形成方法の第３実施形態について説明するための図
である。

【図７】Ｓｂ膜厚とホール移動度との関係を示す図であ
る。

【図８】基板温度とホール移動度との関係を示す図であ
る。

【図９】本発明に係るホール素子に適用されるＩｎＳｂ
膜の形成方法の第４実施形態について説明するための図
である。

【図１０】（ａ），（ｂ）は、本発明に係る第１実施例
のホール素子を説明するための上面図，縦断面である。

【図１１】（ａ），（ｂ）は、本発明に係る第２実施例
のホール素子を説明するための上面図，縦断面である。

【符号の説明】

１…基板、２…下地膜、３…Ｓｂ膜、４…Ｉｎ膜、５…
ＩｎＳｂ膜、６…ＩｎＳｂ薄膜基板、７…非晶質基板、
８…ＩｎＳｂ膜、９…ＩｎＳｂ薄膜、１０…第１実施例
のホール素子、１１…電極、２０…第２実施例のホール
素子、２１…電極。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成した非晶質の下地膜と、 前記非晶質の下地膜上に、閃亜鉛鉱型構造で結晶面方位
   が（１１１）面を有して所定のパターン形状に形成した
   ＩｎＳｂ膜と、前記非晶質の下地膜と前記ＩｎＳｂ膜と
   に接触して形成した電極とを備えたことを特徴とするホ
   ール素子。
2. 【請求項２】前記非晶質の下地膜は、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ
   ₃、ガラス、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮのうちい
   ずれか１つであることを特徴とする請求項１記載のホー
   ル素子。
3. 【請求項３】非晶質基板と、 前記非晶質基板上に、閃亜鉛鉱型構造で結晶面方位が
   （１１１）面を有して所定のパターン形状に形成したＩ
   ｎＳｂ膜と、 前記非晶質基板と前記ＩｎＳｂ膜とに接触して形成した
   電極とを備えたことを特徴とするホール素子。
4. 【請求項４】前記非晶質基板は、ＳｉＯ₂又はガラスで
   あることを特徴とする請求項３記載のホール素子。