JPH02203612A - 弾性表面波素子の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、弾性表面波素子の製造法に関し、とくに、圧
電体基板上に櫛型入力電極を形成する際の弾性表面波素
子の製造法に関するものである。

（従来の技術） 弾性表面波素子には、圧電体基板上に櫛型入力電極が設
けられて゛いて、これにより電気信号を弾性表面波信号
に変換している。上記櫛型入力電極は入力部としての櫛
型部と、これを外部回路に電気的に接続するゲンディン
グワイヤ用ノ譬ｙ　）　部（！：を一体的に構成してお
り、この櫛型入力電極を上記圧電体基板上に形成するに
は、通常、フォトリングラフイー技術に基く真空蒸着法
が用いられている。上記櫛型入力電極のうち、櫛型部は
、弾性表面波の音速の差によシ生ずる音響反射などの影
響のため、その膜厚は小さいことが望まれる。−方、カ
ンディングワイヤ用）臂ット部は、カンディング強度を
高め、歩留シ、信頼性を確保するために、相当な厚さ（
例えば４０００Ｘ〜１μ程度）にする必要がある。この
ため、櫛型部の膜厚と、がンディングワイヤ用ノ９ット
部とが異なる櫛型入力電極を圧電体基板上に形成する工
夫がなされている。

すなわち、従来の弾性表面波素子の製造法では、先づ、
櫛型入力電極全体のノＪ？ターンをレジストパターンと
して圧電体基板上にマスキングし、次いで櫛型部に必要
な膜厚の金属蒸着（例えばアルミニウム蒸着）を行い、
電極／４’ターンを形成し、然る後にポンディングワイ
ヤ用・ぐノド部のみを露出させるようなマスキングを行
い、再度、金属蒸着を行って、・臂ット部に必要な膜厚
を確保している。

（発明が解決しようとする課題） この製造法の欠点は、櫛型部のパターン部分をマスキン
グして、残され九テンディングワイヤ用ノ４ット部にの
み、再度蒸着する丸めに、櫛型入力電極全体の・やター
ンを蒸着し死後、そこに再度、フォトレジストを塗布し
、フォトリソグラフィー法で対応するポンディングワイ
ヤ用パット部のレゾストのみを除去し、その後、再度蒸
着するという段階を経て弾性表面波素子を製造しなけれ
ばならないことである。このために、複雑なマスクが必
要で１）、フォトリングラフイー法を２度の工程におい
て行なう必要がある。このため、工程数が増え、量産性
も低い。

（発明の目的） 本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、櫛型部
の幅が非常に狭く、また膜厚については最初に形成され
るレジストの厚さとの差が充分にある点に着目し、櫛型
入力電極の櫛型部とゲンディングワイヤ用ノ譬ット部と
の膜厚が異なる弾性表面波素子を容易に製造できるよう
にした弾性表面波素子の製造法を提供することを目的と
している。

（課題を解決するための手段） このため、本発明では、圧電体基板上に櫛型入力電極を
設け、該櫛型入力電極のデンディングワイヤ用ノ譬ツト
部を介して外部回路と電気′的に接続するようにした弾
性表面波素子の製造法において、上記圧電体基板上にマ
スクとしてレジス）　ｉ！ターンを所要厚さに形成する
工程と、咳圧電体基板に垂直方向よシ導電性材料を蒸着
する工程と、レゾストックターンによって形成された櫛
型入力電極の櫛型部の幅方向に関して斜め方向よシ導電
性材料を蒸着する工程とを具備している。

（作用） したがりて、斜め方向からの蒸着に際してはレジストの
層が櫛型部への金属蒸着を妨げ、ポンディングワイヤ用
パット部のみに再度の金属蒸着がなされることになる。

このため、フォトリソグラフィー法によるレジストパタ
ーンの形成を初回のみでよくなるため、従来の製造法に
比べ、大幅に工程数が減り、量産性が向上できる。

（実施例） 以下、本発明の製造法を図面を参照して具体的に説明す
る。先づ、第１図（平面図）、第５図（第１図のＡ−Ａ
’線断面図）、第９図（第１図のＢ　−Ｂ’線断面図）
に示されているように、圧電体基板１上にフォトリング
ラフイー技術を用いて櫛型入力電極を除くレゾストック
ターン２を１μの厚さで形成する。この場合、本実施例
では、上記櫛型入力電極の櫛型部Ｅｌ（櫛型電極指）の
幅および電極指間隔をそれぞれ１μとする。

次に第２図（平面図）、第６図（第１図のＡ−Ａ’線と
同じ位置での第２図の断面図）、第１０図（第１図のＢ
　−Ｂ’線と同じ位置での第２図の断面図）に示されて
いるように、圧電体基板１の上方から、垂直方向にアル
ミニウムなどの導電性材料を真空蒸着法で２０００Ｘ蒸
着する。これにより、上記櫛型部Ｅ、および？ンディン
グワイヤ用パット部Ｅ、を含む櫛型入力電極が形成され
る。

更に、第３の工程として、第３図（平面図）、第７図（
第１図のＡ　−ｈ’顧と同じ位置での第３図の断面図）
、第１１図（第１図Ｂ　−Ｂ’線と同じ位置での第３図
の断面図）に示されているように、上記櫛型部Ｅｌ（櫛
型電極指）の幅方向に関して斜めの方向、例えば垂直方
向から約４５度あるいはそれよりやや小さい角度で、再
び、導電性材料を真空蒸着法によ、り４０００Ｘ蒸着す
る。これにより、第１１図のＸ印で示すように、圧電体
基板１上の−ンディングワイヤ゛用ノ母ツト部Ｅ、には
一部を除き導電性材料の膜が形成されるが、第７図に示
すように櫛型部Ｅ、にはその膜が形成されていな陽。

そして、第４工程では、第４図（平面図）、第８図（第
１図のＡ　−Ａ’線と同じ位置での第４図の断面図）、
第１２図（第１図のＢ　−Ｂ’線と同じ位置での第４図
の断面図）に示されているように、リム−・櫂を用いて
上記レジスト２を除去する。これにより、櫛型部Ｅ１は
２０００Ｘ％ゲンディングワイヤ用ノ９ット部Ｅ、は６
０００ＸＯ膜厚の導電性材料の７９ターンが形成される
のである。

換言すれば、第３工程において、櫛型部Ｅ、では電極指
の幅方向に関して、斜め方向よυ真空蒸着を行った場合
、櫛型部Ｅ１の幅が１μであるから、レジストおよび第
２工程で蒸着した導電性材料（レジスト上に積層されて
いる）がマスクとして働き櫛型部Ｅ１への蒸着がなされ
ないのである。一方、デンディングワイヤ用／ＩＰット
部Ｅ、では、櫛型部Ｅ、の幅方向と平行な方向に関する
長さが充分にあるから、上述の酬方向からの蒸着に際し
ても、−部を除いて、導電性材料の蒸着が追加され、・
母ット部Ｅ、′の膜厚を増大するのである。

このことを数値的に設定すると、次の通シである。櫛型
部Ｅｌ（櫛型電極指）のライン・アンド・スぽ−スが１
：ｌの場合、幅を１．レジストおよび第２工程での形成
膜厚の和をｂとすれば一〇≦ｂ　／　ａ を満足するθを圧電体基板ｌの面より斜め上方向に定め
て、その方向から蒸着を行なえばよい。

なお、本実施例では櫛型入力電極の材料として、アルミ
ニウムを用いる場合につき説明したが、金。

ニッケル、クロムなどの他の導電性材料を用いることも
可能である。また、アルミニウムの下層にクロムを用い
て、基板との密着強度を高めるなどの目的で、２種類以
上の導電性材料を用いてもよい。

ま九、上記実施例ではレジストの膜厚、櫛型部の幅、膜
厚、？ンディングワイヤ用ノ４ット部の膜厚などを一例
をあげて説明したが、必要に応じて他の値に設定しても
よいことは勿論である。この値により、第３工程での蒸
着の斜め方向の角度が決定される。

（発明の効果） 本発明は以上詳述したようになり、１回のフォトリソグ
ラフィーの工程で、櫛型入力電極の櫛型部およびビンデ
ィングワイヤ用・臂ット部の膜厚の異なる弾性表面波素
子が得られることになシ、工程が簡素化され、量産性が
向上し、信頼度も高い素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の製法の一実施例における第１工程での
平面図、第２図は第２工程での平面図、第３図は第３工
程での平面図、第４図は第４工程での平面図、第５図は
第１図のＡ　−Ａ’線断面図、、第６図、第７図および
第８図は２〜４工程における第１図のＡ　−Ａ／線と同
じ位置の断面図、第９図は第１図のＢ　−Ｂ’線断面図
、第１０図、第１１図および第１２図は２〜４工程にお
ける第１図のＢ、−Ｂ／線と同じ位置の断面図である。 ｌ・・・圧電体基板、２・・・レゾスト・量ターン、３
・・・第１の蒸着膜、４・・・第２の蒸着膜、Ｅ、・・
・櫛型部、Ｅ、・・・がンディングワイヤ用パッ）部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 圧電体基板上に櫛型入力電極を設け、該櫛型入力電極の
   ボンディングワイヤ用パット部を介して外部回路と電気
   的に接続するようにした弾性表面波素子の製造法におい
   て、上記圧電体基板上にマスクとしてレジストパターン
   を所要厚さに形成する工程と、該圧電体基板に垂直方向
   より導電性材料を蒸着する工程と、レジストパターンに
   よって形成された櫛型入力電極の櫛型部の幅方向に関し
   て斜め方向より導電性材料を蒸着する工程とを具備して
   いることを特徴とする弾性表面波素子の製造法。