JPS618829A - 撮像管のタ−ゲツト部およびその製造方法 - Google Patents
撮像管のタ−ゲツト部およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS618829A JPS618829A JP12929784A JP12929784A JPS618829A JP S618829 A JPS618829 A JP S618829A JP 12929784 A JP12929784 A JP 12929784A JP 12929784 A JP12929784 A JP 12929784A JP S618829 A JPS618829 A JP S618829A
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- JP
- Japan
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- dark current
- transparent electrode
- current suppressing
- image pickup
- face plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、撮像管、特にＰ−Ｎ型光導電膜を使用する撮
像管のターゲット部およびその製造方法に関するもので
ある。
像管のターゲット部およびその製造方法に関するもので
ある。
Ｐ −Ｎ型光導電膜を使用する撮像管においては、実装
ランニングによシ暗電流が増加し、暗電流が大きい場合
には焼付やランニング中に発生するツウィンクリング状
の白きずが問題となシ、これを防止するために暗電流抑
制膜が使用されてきた。
ランニングによシ暗電流が増加し、暗電流が大きい場合
には焼付やランニング中に発生するツウィンクリング状
の白きずが問題となシ、これを防止するために暗電流抑
制膜が使用されてきた。
この暗電流抑制膜の製造方法としては、従来、蒸着法（
例えばＥ、Ｂ蒸着、抵抗加熱蒸着）により透明電極とＰ
−Ｎ型光導電膜との間にＮｕ酸化物半導体を数ｎｍ〜数
士ｎｍの膜厚まで連続して形成する方法が取られていた
。
例えばＥ、Ｂ蒸着、抵抗加熱蒸着）により透明電極とＰ
−Ｎ型光導電膜との間にＮｕ酸化物半導体を数ｎｍ〜数
士ｎｍの膜厚まで連続して形成する方法が取られていた
。
一方、撮像管を使用するカメラとしてはＳ／Ｎ向上に伴
うゲインアップ、また撮像管としては感度の向上がそれ
ぞれ要求されており、このため従来以上に暗電流の抑制
、白きず発生の低減が必要となってきている。
うゲインアップ、また撮像管としては感度の向上がそれ
ぞれ要求されており、このため従来以上に暗電流の抑制
、白きず発生の低減が必要となってきている。
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、暗電流を低減させることができる
撮像管のターゲット部および暗電流抑制膜を容易に形成
できるその製造方法を提供ｌ すること
にある。
目的とするところは、暗電流を低減させることができる
撮像管のターゲット部および暗電流抑制膜を容易に形成
できるその製造方法を提供ｌ すること
にある。
このような目的を達成するために本発明は、Ｎ型酸化物
半導体が多層に積層形成された暗電流抑制膜をターゲッ
ト部に備えたものであり、また暗電流抑制膜をＮ型酸化
物半導体の蒸着により多層に積層形成するために、ガラ
ス面板を配置したターンテーブルを回転して間欠的に蒸
着し、又蒸着源とガラス面板との間に設けたチョッパを
回転して間欠的に蒸着するものである。
半導体が多層に積層形成された暗電流抑制膜をターゲッ
ト部に備えたものであり、また暗電流抑制膜をＮ型酸化
物半導体の蒸着により多層に積層形成するために、ガラ
ス面板を配置したターンテーブルを回転して間欠的に蒸
着し、又蒸着源とガラス面板との間に設けたチョッパを
回転して間欠的に蒸着するものである。
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
第１図は本発明に係わる撮像管のターゲット部の一部拡
大断面図である。
大断面図である。
第１図において、１はガラス面板、２はガラス面板１の
内面上に形成されたＢｎＯｓ膜、ＩＨｚＯｓ・ＳｎＯ２
膜等からなる透明電極、３は透明電極２上に酸化セリウ
ム等のＮ型酸化物半導体が数十層以上に多層に積層形成
された暗電流抑制膜、４は暗電流抑制膜３上に形成され
た８６ Ａｓ Ｔｅ系のＰ−Ｎ型光導電膜である。
内面上に形成されたＢｎＯｓ膜、ＩＨｚＯｓ・ＳｎＯ２
膜等からなる透明電極、３は透明電極２上に酸化セリウ
ム等のＮ型酸化物半導体が数十層以上に多層に積層形成
された暗電流抑制膜、４は暗電流抑制膜３上に形成され
た８６ Ａｓ Ｔｅ系のＰ−Ｎ型光導電膜である。
このようにＮｕ酸化物半導 シ体を多層に
して暗電流抑制膜が構成されているので、暗電流を従来
の１／２以下、また白きすも１／２以下に低減すること
ができる。
して暗電流抑制膜が構成されているので、暗電流を従来
の１／２以下、また白きすも１／２以下に低減すること
ができる。
第２図は本発明に係わる撮像管のターゲット部の製造方
法の一実施例を適用するための装置の構造図である。第
２図において、５は透明電極２が形成されたガラス面板
１が透明電極２が下方に面するように周方向に複数個配
列して取りつけられているターンテーブル、６はボート
、７は酸化セリウムからなる蒸発物、８はこれらの部品
を収納し真空に保持するためのベルジャ、９はｍ 気’
ｔｌ テある。このような構成により、抵抗加熱法によ
ってボート６から蒸発した酸化セリウムの蒸発物γは、
ターンテープ／Ｉ１５の１回転ごとに各ガラス面板１の
透明電極２上に間欠的に蒸着され、これにより多層の酸
化セリウム膜を積層形成することができる。すなわち、
暗電流抑制膜の積層数はターンテーブル５の回転数と同
じになる。従って、任意の積層数がターンテーブル５の
回転数を制御することにより得られる。
法の一実施例を適用するための装置の構造図である。第
２図において、５は透明電極２が形成されたガラス面板
１が透明電極２が下方に面するように周方向に複数個配
列して取りつけられているターンテーブル、６はボート
、７は酸化セリウムからなる蒸発物、８はこれらの部品
を収納し真空に保持するためのベルジャ、９はｍ 気’
ｔｌ テある。このような構成により、抵抗加熱法によ
ってボート６から蒸発した酸化セリウムの蒸発物γは、
ターンテープ／Ｉ１５の１回転ごとに各ガラス面板１の
透明電極２上に間欠的に蒸着され、これにより多層の酸
化セリウム膜を積層形成することができる。すなわち、
暗電流抑制膜の積層数はターンテーブル５の回転数と同
じになる。従って、任意の積層数がターンテーブル５の
回転数を制御することにより得られる。
第３図は他の実施例を適用するだめの装置の構造図であ
る。第３図において、１０は透明電極２が形成されたガ
ラス面板１が複数個分布されて取りつけられている面板
ホルダ、１１は蒸着源となるボート６とガラス面板１と
の間に回転自在に設けられたチョッパ、１２は蒸発物７
をボート６上の所定範囲だけから蒸発させるだめのシー
ルドである。このような構成により、抵抗加熱法によら
てボート６から蒸発した酸化セリウムの蒸発物７は、チ
ョッパ１１の１回転ごとに各ガラス面板１の透明電極２
上に間欠的に蒸着され、これにより多層の酸化セリウム
膜を積層形成することができる。すなわち、暗電流抑制
膜の積層数はチョッパ１１の回転数と同じになる。従っ
て、任意の積層数がチョッパ１１０回転数を制御するこ
とにより得られる。
る。第３図において、１０は透明電極２が形成されたガ
ラス面板１が複数個分布されて取りつけられている面板
ホルダ、１１は蒸着源となるボート６とガラス面板１と
の間に回転自在に設けられたチョッパ、１２は蒸発物７
をボート６上の所定範囲だけから蒸発させるだめのシー
ルドである。このような構成により、抵抗加熱法によら
てボート６から蒸発した酸化セリウムの蒸発物７は、チ
ョッパ１１の１回転ごとに各ガラス面板１の透明電極２
上に間欠的に蒸着され、これにより多層の酸化セリウム
膜を積層形成することができる。すなわち、暗電流抑制
膜の積層数はチョッパ１１の回転数と同じになる。従っ
て、任意の積層数がチョッパ１１０回転数を制御するこ
とにより得られる。
以上のような実施例によって次のような効果が得られた
。
。
暗電流抑制膜の積層数０におけるランニング暗電流を１
００％としたときの暗電流抑制膜の積層数に対するラン
ニング暗電流の特性を第４図のグラフに示す。このグラ
フによると暗電流は、２０〜１００４で６０％、 １０
００〜２０００層で５０％、３０００〜５０００層で４
０％に低減される。なお積層数０とは、連続蒸着膜であ
ることを意味する。
００％としたときの暗電流抑制膜の積層数に対するラン
ニング暗電流の特性を第４図のグラフに示す。このグラ
フによると暗電流は、２０〜１００４で６０％、 １０
００〜２０００層で５０％、３０００〜５０００層で４
０％に低減される。なお積層数０とは、連続蒸着膜であ
ることを意味する。
次に、暗電流抑制膜の積層数０における白きず発生率を
１００％としたときの暗電流抑制膜の積層数に対する白
きず発生率の特性を第５図のグラフに示す。このグラフ
によると白きず発生率は、２０〜ｌＯＯ層？８０％、
１０００〜２０００層テア０％１３０００〜５０００層
で５０％に低減される。
１００％としたときの暗電流抑制膜の積層数に対する白
きず発生率の特性を第５図のグラフに示す。このグラフ
によると白きず発生率は、２０〜ｌＯＯ層？８０％、
１０００〜２０００層テア０％１３０００〜５０００層
で５０％に低減される。
更に、酸化セリウム膜１５ｎｍ、光の波長３５０ｎｍの
条件下で、酸化セリウム膜の積層数に対する膜の分光透
過率の特性を第６図のグラフに示す。
条件下で、酸化セリウム膜の積層数に対する膜の分光透
過率の特性を第６図のグラフに示す。
このグラフによると分光透過率は、積層数０で６８％、
２０〜１００層で７５％、１０００〜２０００層で８０
％。
２０〜１００層で７５％、１０００〜２０００層で８０
％。
３０００〜５０００層で８５％となる。分光透過率は膜
表面荒さ、結晶性のメジャーであるので、上記の数値は
、膜表面荒さが積層数の増加とともに減少すｊ
ることを表している。
表面荒さ、結晶性のメジャーであるので、上記の数値は
、膜表面荒さが積層数の増加とともに減少すｊ
ることを表している。
このように本発明の撮像管のタルゲット部にょると、Ｎ
型酸化物半導体を多層に積層して暗電流抑制膜を形成す
ることにより、暗電流および白きずを従来の１／２以下
に低減することができ、撮像管の感度を向上することが
可能となる。
型酸化物半導体を多層に積層して暗電流抑制膜を形成す
ることにより、暗電流および白きずを従来の１／２以下
に低減することができ、撮像管の感度を向上することが
可能となる。
さらに、本発明の製造方法によると、ガラス面板を配置
したターンテーブルを蒸着源に対して回転することによ
り、また蒸着源とガラス面板との間に設けられたチョッ
パを回転することＫよシ、任意の層数のＮ型酸化物半導
体からなる暗電流抑制膜を容易に得ることができる。
したターンテーブルを蒸着源に対して回転することによ
り、また蒸着源とガラス面板との間に設けられたチョッ
パを回転することＫよシ、任意の層数のＮ型酸化物半導
体からなる暗電流抑制膜を容易に得ることができる。
第１図は本発明に係わる撮像管のターゲット部の一部拡
大断面図、第２図は本発明に係わる撮像管のターゲット
部の製造方法の一実施例を適用した装置の構造図、第３
図は本発明に係わる製造方法の他の実施例を適用した装
置の構造図、第４図は積層数に対する撮像管のランニン
グ暗電流特性を示すグラフ、第５図は積層数に対する撮
像管の 午白きず発生率特性を示すグラフ、
第６図は積層数に対する酸化セリウム膜の分光透過率特
性を示すグラフである。 １・・・・ガラス面板、２・φ・・透明電極、３會・・
・暗電流抑制膜、４・・・・Ｐ −Ｎ型光導電膜、５Ｉ
Ｉ・−ｅターンテーブル、６・・・・ボート、Ｔ・・−
・窯発物、８＃・・・ベルジャ、９・・・・排気管、１
０・争φ・面板ホルダ、１１・・・−チョッパ、１２・
・番・シールド。 第１図 第２図 第３図第４図
大断面図、第２図は本発明に係わる撮像管のターゲット
部の製造方法の一実施例を適用した装置の構造図、第３
図は本発明に係わる製造方法の他の実施例を適用した装
置の構造図、第４図は積層数に対する撮像管のランニン
グ暗電流特性を示すグラフ、第５図は積層数に対する撮
像管の 午白きず発生率特性を示すグラフ、
第６図は積層数に対する酸化セリウム膜の分光透過率特
性を示すグラフである。 １・・・・ガラス面板、２・φ・・透明電極、３會・・
・暗電流抑制膜、４・・・・Ｐ −Ｎ型光導電膜、５Ｉ
Ｉ・−ｅターンテーブル、６・・・・ボート、Ｔ・・−
・窯発物、８＃・・・ベルジャ、９・・・・排気管、１
０・争φ・面板ホルダ、１１・・・−チョッパ、１２・
・番・シールド。 第１図 第２図 第３図第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガラス面板と、前記ガラス面板の内面上に形成され
た透明電極と、前記透明電極上に形成された暗電流抑制
膜と、前記暗電流抑制膜上に形成されたＰ−Ｎ型光導電
膜とを備えた撮像管のターゲット部において、前記暗電
流抑制膜は、Ｎ型酸化物半導体が多層に積層形成されて
いることを特徴とする撮像管のターゲット部。 ２、ガラス面板の内面上に透明電極を形成し、前記透明
電極上に暗電流抑制膜を形成し、前記暗電流抑制膜上に
Ｐ−Ｎ型光導電膜を形成する撮像管のターゲット部の製
造方法において、前記透明電極の付いた前記ガラス面板
をターンテーブル上に配置し、所定位置からＮ型酸化物
半導体を前記透明電極上に蒸着するとともに前記ターン
テーブルを回転して前記透明電極上に多層のＮ型酸化物
半導体からなる前記暗電流抑制膜を形成することを特徴
とする撮像管のターゲット部の製造方法。 ３、ガラス面板の内面上に透明電極を形成し、前記透明
電極上に暗電流抑制膜を形成し、前記暗電流抑制膜上に
Ｐ−Ｎ型光導電膜を形成する撮像管のターゲット部の製
造方法において、前記透明電極の付いた前記ガラス面板
を前記透明電極が蒸着源に対向するように配置し、Ｎ型
酸化物半導体の蒸着源と前記ガラス面板の間に設けたチ
ョッパを回転して前記透明電極上に多層のＮ型酸化物半
導体からなる前記暗電流抑制膜を形成することを特徴と
する撮像管のターゲット部の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12929784A JPS618829A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 撮像管のタ−ゲツト部およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12929784A JPS618829A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 撮像管のタ−ゲツト部およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618829A true JPS618829A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15006084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12929784A Pending JPS618829A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 撮像管のタ−ゲツト部およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618829A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013033664A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光導電素子及び撮像デバイス |
| US10935414B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-03-02 | Toshiba Industrial Products And Systems Corp | Liquid level indicating device and liquid-cooled electric appliance |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP12929784A patent/JPS618829A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013033664A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光導電素子及び撮像デバイス |
| US10935414B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-03-02 | Toshiba Industrial Products And Systems Corp | Liquid level indicating device and liquid-cooled electric appliance |
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