JPS62102574A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁界の検出に用いられる磁気抵抗効果素子に関
する。

（従来の技術） 磁気抵抗効果素子は、例えば磁気テープに記録されてい
る情報信号の頭出しのために磁気ヘッドの全巾にわたっ
て記録されている信号の再生を行な際に用いられる磁気
ヘッドの磁気センサとして用いられたり、その他各種の
用途に磁気センサとして用いられていることは周知のと
おりである。

そして、従来、磁気抵抗効果素子は、アルミナを主成分
とするセラミックス、あるいはガラスなどのような非磁
性体の絶縁体基板における鏡面仕上げされた状態の表面
に、磁気抵抗効果を有する磁性物質（例えば、ニッケル
鉄合金、あるいはニッケル・コバルト合金）による所定
のパターンの磁性薄膜を、周知の成膜手段、例えば蒸着
法、スバ＼、 ツタリング法などにより付着形成させて磁気検萬部を構
成させるのと同時に、前記した磁気検出部に対する接続
端子として用いられる２個の電極部も、前記した磁気抵
抗効果を有する磁性物質により基板上に付着形成させる
ようにしていた。

第２図において、１は下部ガラスの基板、２は上部ガラ
ス基板、３は磁気抵抗効果を有する磁性物質（例えば、
ニッケル鉄合金、あるいはニッケル・コバルト合金）に
よる所定のパターンの磁性薄膜を、周知の成膜手段１例
えば蒸着法、スパッタリング法などにより付着形成させ
た磁気検出部であり、また、４，５は前記した磁気検出
部３に対する接続端子として用いられる２個の電極部で
あって、この２個の電極部４，５も前記した磁気検出部
１の成膜時に、前記した磁気抵抗効果を有する磁性物質
により基板上に付着形成されている。

そして、前記の電極部４，５には接続線６，７が。

それぞれ半田付け８，８・・・の手段によって接続され
るのである。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、前記した従来の磁気抵抗効果素子では、薄膜
状の磁気検出部３と電極部４，５との双方を、磁気検出
部の構成材料として用いられる磁気抵抗効果を有する磁
性材料により、基板１上に同時に付着形成させていたの
で、電極部４，５に対して接続線６，７を半田付け８，
８・・・する際に、加熱による膜割れが生じたり、電極
部４，５に対して接続［６，７を強固に固着させること
ができなかったり、電極部４，５に対する接続線６，７
の半田付けの時間が長い場合には基板１上の薄膜が半田
中に拡散吸収され（いわゆる、半田くわれが生じ）で、
電極部４，５が基板１から剥離したりするということが
生じていた。

そのため、磁気抵抗効果素子を使用する各種の素子また
は装置の製作に当って行なわれる電極部４．５に対する
接続線６．７の半田付けに際して、前記のような問題が
生じない状態で半田付けが行なわれるためには、２４０
℃以下というような温度についての制限と、３秒以内と
いうような時間についての制限とが必要とされるなど、
半田付けの温度と時間とが厳しく規制されているので、
半田ペーストを電極部４，５に塗布してリフロー炉で半
田付けを行なう場合のように、半田付けに際して比較的
に長時間にわたって高い温度が半田付は部分に与えられ
るような半田付は手段は採用できないから、磁気抵抗効
果素子を組込み使用する素子あるいは装置などの大量生
産の実施に支障を与えていた。

それで、従来は磁気抵抗効果素子の電極部に対する接続
線の半田付は作業は、熟練している作業者が半田ごてを
用いて行なうようにしていたが、半田付は作業が作業者
の手作業によって実施された場合でも、磁気抵抗効果素
子自体が２〜４ｍｍ角というように小さいために、半田
付けの作業が困難であって半田付けに長い時間が掛かり
、電極部４，５に膜割れを生じさせて不良品を多発させ
ることが問題になっていた。

また、たとえ、半田付けがうまく行なわれたとしても、
接続線に例えば２００〜３００グラム程度の僅かな力が
加わっても、電極部４，５が基板１から剥離してしまう
ので、後工程において磁気効果素子を他の部品に取付け
る作業を自動化することも困難であった。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、非磁性体の絶縁体基板における鏡面仕上げさ
れた状態の表面に付着形成させた磁気抵抗効果を有する
磁性物質による所定のパターンの磁性薄膜で構成されて
いる磁気検出部に対する接続端子として用いられる２個
の電極部が、前記した磁気検出部を構成している磁気抵
抗効果を有する磁性物質による所定のパターンの磁性薄
膜の端部に対して重なり合う部分と接続端子の部分とが
連続している状態の所定のパターンを有している如き個
別の導電性物質による薄膜により前記した非磁性体の絶
縁体基板における鏡面仕上げされた状態の表面に付着形
成されている磁気抵抗効果素子において、前記した電極
部として基板の構成物質に対して良好な付着性を示す物
質による薄膜と、半田付けに適する物質による薄膜とが
積層されているものを用いてなる磁気抵抗効果素子を提
供するものである。

（実施例） 以下、本発明の磁気抵抗効果素子の具体的な内容を添付
図面を参照しながら詳細に説明する。第１図は本発明の
磁気抵抗効果素子の平面図であり。

この第１図において１０は例えばガラスの基板、または
アルミナを主材料として構成されたセラミックスの基板
のように、非磁性体の絶縁体基板であり、この非磁性体
の絶縁体基板１０の表面は鏡面研磨によって鏡面状に仕
上げられている。

Ａは非磁性体の絶縁体基板１０における鏡面状に仕上げ
られた表面状態の表面に付着形成された磁気抵抗効果を
有する磁性物質（例えば、ニッケル鉄合金、またはニッ
ケル・コバルト合金）による所定のパターンの磁性薄膜
で構成されている磁気検出部である。

また、Ｂｌ、Ｂ２は前記した磁気検出部を構成している
磁気抵抗効果を有する磁性物質による所定のパターンの
磁性薄膜の端部１１．１２に対して重なり合う部分１３
．１４と接続端子の部分１５°、１６とが連続している
状態の所定のパターンを有している如き個別の導電性物
質による薄膜として前記した非磁性体の絶縁体基板１０
における鏡面仕上げされた状態の表面に付着形成されて
いる接続端子として用いられる２個の電極部である。

そして、本発明の磁気抵抗効果素子における前記した電
極部Ｂｌ、Ｂ２は、非磁性体の絶縁体基板ｌＯの鏡面状
の表面に、基板１０の構成物質に対して良好な付着性を
示す物質１例えばクロムによる薄膜と、半田付けに適す
る物質例えば金によるｇ膜とが積層された状態の構成の
ものとなされているのである。

前記のような構成を有する本発明の磁気抵抗効果素子は
、例えば次のようにして製作することができる。すなわ
ち、まず、ガラスの基板１０における鏡面状の表面に、
蒸着法またはスパッタリング法により、適当な組成比の
ニッケル鉄合金（例えば、ニッケルが８３〜８５％で残
部が鉄であるようなニッケル鉄合金）の所定の厚さの薄
膜（例えば、厚さが２５０オングストロームの磁性薄膜
）を付着成し、次いで、前記したニッケル鉄合金の薄膜
上にフォトレジスト層をつけてから、そのフォトレジス
ト層に磁気検出部Ａで必要とされる所定のパターンを有
するマスクを通して露光した後に現像する。

次に前記のような露光現像工程によって、磁気検出部Ａ
で必要とされている所定のパターンの部分だけにフォト
レジスト層が残されている状態のフォトレジスト層によ
るマスクパターンが形成されているものを腐蝕液を用い
て湿式エツチングを行なったり、あるいはドライ・エツ
チングを行なってから、前記したフォトレジスト層によ
るマスクパターンを除去して、基板１０上に磁気検出部
Ａで必要とされている所定のパターンを有するニッケル
鉄合金の薄膜が付着形成されている状態のものを得る。

それから、基板１０上に再び一様な厚さのフォトレジス
ト層を形成させた後に、そのフォトレジスト層に電極部
Ｂｌ、Ｂ２で必要とされる所定のパターンを有するマス
クを通して露光し、現像することにより電極部Ｂｌ、Ｂ
２と対応する部分が除去された状態のフォトレジスト層
によるマスクパターンを得る。

次いで、前記したフォトレジスト層によるマスクパター
ンを用いて、例えば蒸着法またはスパッタリング法の適
用により２００〜６００オングストロームの厚さのクロ
ムの薄膜を付着形成させた後に、前記したクロムの薄膜
上に引続き１０００〜６０００オンゲストロムの厚さの
金の薄膜を付着形成させる。

次に、フォトレジスト層によるマスクパターンを除去し
た後に、所定のパターンを有する二酸化シリコンまたは
窒化シリコンによる保護膜を付着させる。

第１図に示されている例においては、磁気検出部Ａのパ
ターンが直線状のものとされているが、磁気検出部Ａの
パターンとしては、磁気抵抗効果素子の使用目的に応じ
てそれぞれ異なるものとなされるべきものである。また
、上記した磁気抵抗効果素子に関する製作法は、それの
−例を示したのに過ぎず、本発明の磁気抵抗効果素子は
周知の成膜技術を選択使用して製作されてもよいことは
勿論である。

（効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果素子は非磁性体の絶縁体基板における
鏡面仕上げされた状態の表面に付着形成させた磁気抵抗
効果を有する磁性物質による所定のパターンの磁性薄膜
で構成されている磁気検出部に対する接続端子として用
いられる２個の電極部が、前記した磁気検出部を構成し
ている磁気抵抗効果を有する磁性物質による所定のパタ
ーンの磁性薄膜の端部に対して重なり合う部分と接続端
子の部分とが連続している状態の所定のパターンを有し
ている如き個別の導電性物質による薄膜により前記した
非磁性体の絶縁体基板における鏡面仕上げされた状態の
表面に付着形成されている磁気抵抗効果素子において、
前記した電極部として基板の構成物質に対して良好な付
着性を示す物質による薄膜と、半田付けに適する物質に
よる薄膜とが積層されているものを用いてなる磁気抵抗
効果素子であるから、この本発明の磁気抵抗効果素子で
は、電極部が例えばクロムのように基板との付着力が大
きな物質の薄膜によって電極部と基板との付着の状態が
強固なものにされているとともに、前記したクロムの薄
膜上に半田に拡散することもなく半田付けに適する物質
、例えば金のような物質の薄膜を付着させた２層構造の
ものにされているから、電極部は基板に対して大きな付
着力で付着された状態になっており、がっ、電極部に対
する接続線の半田付けも容易で、半田付けの所要時間が
多少長くても、電極部の薄膜に割れや、いわゆる半田く
われを生じさせることがなく、また、電極部と接続線と
の接着強度も大であり、したがって、本発明の磁気抵抗
効果素子ではりフロー炉により電極部と接続線との半田
付けを行なうことも可能であるために、磁気抵抗効果素
子を組込んで構成する素子あるいは装置の組立て作業の
自動化も容易となる他、電極部は耐腐蝕性に優れている
という利点も有しているので、本発明によれば既述した
従来の磁気抵抗効果素子における諸問題点はすべて良好
に解決することができるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気抵抗効果素子の平面図、第２図は
磁気抵抗効果素子の斜視図である。 Ａ・・・磁気検出部、Ｂｌ、Ｂ２・・・電極部、１・・
・下部基板、１０・・・基板、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　非磁性体の絶縁体基板における鏡面仕上げされた状態
   の表面に付着形成させた磁気抵抗効果を有する磁性物質
   による所定のパターンの磁性薄膜で構成されている磁気
   検出部に対する接続端子として用いられる２個の電極部
   が、前記した磁気検出部を構成している磁気抵抗効果を
   有する磁性物質による所定のパターンの磁性薄膜の端部
   に対して重なり合う部分と接続端子の部分とが連続して
   いる状態の所定のパターンを有している如き個別の導電
   性物質による薄膜により前記した非磁性体の絶縁体基板
   における鏡面仕上げされた状態の表面に付着形成されて
   いる磁気抵抗効果素子において、前記した電極部として
   基板の構成物質に対して良好な付着性を示す物質による
   薄膜と、半田付けに適する物質による薄膜とが積層され
   ているものを用いてなる磁気抵抗効果素子。