JP2661718B2 - 薄膜の抵抗温度係数測定用基板 - Google Patents
薄膜の抵抗温度係数測定用基板Info
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- JP2661718B2 JP2661718B2 JP23557788A JP23557788A JP2661718B2 JP 2661718 B2 JP2661718 B2 JP 2661718B2 JP 23557788 A JP23557788 A JP 23557788A JP 23557788 A JP23557788 A JP 23557788A JP 2661718 B2 JP2661718 B2 JP 2661718B2
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- Japan
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- resistance
- substrate
- thin film
- measuring
- temperature coefficient
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、薄膜の抵抗温度係数を測定するにあたり、
薄膜をコーティングして使用する薄膜の抵抗温度係数測
定用基板（以下単に測定用基板という）に関するもので
ある。
薄膜をコーティングして使用する薄膜の抵抗温度係数測
定用基板（以下単に測定用基板という）に関するもので
ある。
（従来の技術） 従来、半導体蒸着薄膜の抵抗温度係数を測定するに
は、薄膜の電極部の蒸着終了後、真空蒸着槽内より電気
炉中に薄膜を入れ、均熱部分で温度測定と抵抗測定を別
々の素子を用いて行っていた。
は、薄膜の電極部の蒸着終了後、真空蒸着槽内より電気
炉中に薄膜を入れ、均熱部分で温度測定と抵抗測定を別
々の素子を用いて行っていた。
（発明が解決しようとする課題） ところで、上記測定方法では、均熱部分で温度測定と
抵抗測定を行うとしても位置が異なるので、両位置の間
に温度差が生じ、薄膜の真の温度値を測定することが困
難であった。
抵抗測定を行うとしても位置が異なるので、両位置の間
に温度差が生じ、薄膜の真の温度値を測定することが困
難であった。
これは温度測定素子を薄膜上に接触させて搭載するこ
とができなかったからである。なぜなら温度測定素子
（熱電対）と薄膜を直接接触させてしまうと温度値と抵
抗値に誤差が生じるからである。
とができなかったからである。なぜなら温度測定素子
（熱電対）と薄膜を直接接触させてしまうと温度値と抵
抗値に誤差が生じるからである。
そこで本発明は、薄膜の抵抗温度係数を簡便且つ正確
に測定できるようにした測定用基板を提供しようとする
ものである。
に測定できるようにした測定用基板を提供しようとする
ものである。
（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するための本発明の測定用基板は、セ
ラミックス基板上に薄膜熱電対又は薄膜測温抵抗体が形
成され、その上からセラミックス基板上に0.1〜10μｍ
の絶縁膜が形成され、その絶縁膜の上に抵抗値測定用薄
膜端子（以下単に薄膜端子という）が形成されて成るも
のである。
ラミックス基板上に薄膜熱電対又は薄膜測温抵抗体が形
成され、その上からセラミックス基板上に0.1〜10μｍ
の絶縁膜が形成され、その絶縁膜の上に抵抗値測定用薄
膜端子（以下単に薄膜端子という）が形成されて成るも
のである。
上記構成の測定用基板に於いて、薄膜熱電対はPt:Pt
−Rh、アルメルクロメル、コンスタンタン等の材料よ
り、薄膜測温抵抗体はPtより成る。また絶縁膜はSiO2、
Al2O3等の材料より成り、厚みは0.1〜10μｍが好適であ
る。なぜなら0.1μｍ未満では絶縁層の破壊により抵抗
測定が不正確となり、10μｍを超えると熱伝導の低下に
より温度測定が不正確となるからである。さらに薄膜端
子は、Auペースト、Agペースト等の材料より成る。
−Rh、アルメルクロメル、コンスタンタン等の材料よ
り、薄膜測温抵抗体はPtより成る。また絶縁膜はSiO2、
Al2O3等の材料より成り、厚みは0.1〜10μｍが好適であ
る。なぜなら0.1μｍ未満では絶縁層の破壊により抵抗
測定が不正確となり、10μｍを超えると熱伝導の低下に
より温度測定が不正確となるからである。さらに薄膜端
子は、Auペースト、Agペースト等の材料より成る。
（作用） 前述の構成された本発明の測定用基板は、薄膜コーテ
ィングして使用するため温度測定用の薄膜熱電対は薄膜
測温抵抗体と薄膜とが、0.1〜10μｍの絶縁膜を挾んで
完全に密着されることになるので、基板にコーティング
される薄膜は電気炉の均熱部分のサイズに影響されるこ
となく、簡便且つ正確に抵抗温度係数を測定できる。
ィングして使用するため温度測定用の薄膜熱電対は薄膜
測温抵抗体と薄膜とが、0.1〜10μｍの絶縁膜を挾んで
完全に密着されることになるので、基板にコーティング
される薄膜は電気炉の均熱部分のサイズに影響されるこ
となく、簡便且つ正確に抵抗温度係数を測定できる。
（実施例） 本発明の測定用基板の一実施例を、第12図によって説
明すると、長さ200mm、幅10mm、厚さ1mmのAl2O3基板１
上に、メタルマスクを用いてスパッタリングにより厚さ
1.0μｍ、幅1.0mm、長さ180mmのPtとPt−Rh13wt％の薄
膜熱電対２が平行に形成され、且つ先端部が内方に屈曲
してその先端が長さ2.0mm重合されて接点部2aが形成さ
れ、基端部に出力用端子部2bが形成されている。この薄
膜熱電対２の上から該薄膜熱電対２の先端寄りの片半部
を被ってAl2O3基板１上に厚さ0.5μｍのAl2O3の絶縁膜
３がスパッタリング法により形成されている。この絶縁
膜３の上に前記薄膜熱電対２と直交するAl2O3基板１の
幅方向に幅2mm、厚さ２μｍのAuより成る薄膜端子４が2
mm間隔に２本１組として、これを10mmピッチに２組計４
本形成されている。
明すると、長さ200mm、幅10mm、厚さ1mmのAl2O3基板１
上に、メタルマスクを用いてスパッタリングにより厚さ
1.0μｍ、幅1.0mm、長さ180mmのPtとPt−Rh13wt％の薄
膜熱電対２が平行に形成され、且つ先端部が内方に屈曲
してその先端が長さ2.0mm重合されて接点部2aが形成さ
れ、基端部に出力用端子部2bが形成されている。この薄
膜熱電対２の上から該薄膜熱電対２の先端寄りの片半部
を被ってAl2O3基板１上に厚さ0.5μｍのAl2O3の絶縁膜
３がスパッタリング法により形成されている。この絶縁
膜３の上に前記薄膜熱電対２と直交するAl2O3基板１の
幅方向に幅2mm、厚さ２μｍのAuより成る薄膜端子４が2
mm間隔に２本１組として、これを10mmピッチに２組計４
本形成されている。
このように構成された測定用基板５は、コーティング
した薄膜８の抵抗温度係数の測定において、４本の薄膜
端子４の内、両内側の２本が電圧端子として第１図の如
く抵抗測定用電圧計６に接続され、外側の２本が電流端
子として抵抗測定用定電流電源７に接続され、薄膜熱電
対２の出力端子部2bが温度測定計に接続される。
した薄膜８の抵抗温度係数の測定において、４本の薄膜
端子４の内、両内側の２本が電圧端子として第１図の如
く抵抗測定用電圧計６に接続され、外側の２本が電流端
子として抵抗測定用定電流電源７に接続され、薄膜熱電
対２の出力端子部2bが温度測定計に接続される。
このようにして測定用基板５上にコーティングされた
薄膜８を電気炉中の均熱部分で抵抗温度係数を測定する
と、温度測定用の薄膜熱電対２と薄膜とが絶縁膜３を挾
んで完全に密着しているので、電気炉の均熱部分のサイ
ズに影響されることなく、簡便且つ正確に抵抗温度係数
を測定できた。
薄膜８を電気炉中の均熱部分で抵抗温度係数を測定する
と、温度測定用の薄膜熱電対２と薄膜とが絶縁膜３を挾
んで完全に密着しているので、電気炉の均熱部分のサイ
ズに影響されることなく、簡便且つ正確に抵抗温度係数
を測定できた。
尚、本発明の測定用基板は、測定したい薄膜をコーテ
ィングした後、別途電気炉内にて抵抗温度係数を測定す
るのであるが、真空槽内にて薄膜をコーティングし乍
ら、コーティング途中の抵抗値及び薄膜の温度を測定す
ることができるので、リアルタイムに薄膜の抵抗温度係
数を測定することができる。
ィングした後、別途電気炉内にて抵抗温度係数を測定す
るのであるが、真空槽内にて薄膜をコーティングし乍
ら、コーティング途中の抵抗値及び薄膜の温度を測定す
ることができるので、リアルタイムに薄膜の抵抗温度係
数を測定することができる。
また上記実施例では温度測定に薄膜熱電対を用いた
が、これに限るものではなく、第３図のように薄膜測温
抵抗体９を用いるようにしても良いもである。
が、これに限るものではなく、第３図のように薄膜測温
抵抗体９を用いるようにしても良いもである。
（発明の効果） 以上の説明で判るように本発明の測定用基板は、温度
測定用の薄膜熱電対又は薄膜測温抵抗体と薄膜電極と
が、0.1〜10μｍの絶縁膜を挾んで完全に密着された状
態になるので、電気炉の均熱部分のサイズに影響される
ことなく、簡便且つ正確にコーティングされる薄膜の抵
抗温度係数を測定できる。
測定用の薄膜熱電対又は薄膜測温抵抗体と薄膜電極と
が、0.1〜10μｍの絶縁膜を挾んで完全に密着された状
態になるので、電気炉の均熱部分のサイズに影響される
ことなく、簡便且つ正確にコーティングされる薄膜の抵
抗温度係数を測定できる。
第１図は本発明の測定用基板の一例を示す平面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ線拡大断面図、第３図は本発明の測
定用基板の他の例を示す平面図である。
図は第１図のＡ−Ａ線拡大断面図、第３図は本発明の測
定用基板の他の例を示す平面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミックス基板上に薄膜熱電対又は薄膜
測温抵抗体が形成され、その上からセラミックス基板上
に0.1〜10μｍの絶縁膜が形成され、その絶縁膜の上に
抵抗値測定用薄膜端子が形成されて成る薄膜素子の抵抗
温度係数測定用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557788A JP2661718B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 薄膜の抵抗温度係数測定用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557788A JP2661718B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 薄膜の抵抗温度係数測定用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282169A JPH0282169A (ja) | 1990-03-22 |
| JP2661718B2 true JP2661718B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=16988053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23557788A Expired - Lifetime JP2661718B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 薄膜の抵抗温度係数測定用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661718B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102520252A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-06-27 | 广州杰赛科技股份有限公司 | 一种测试模具及其制作方法及薄膜电阻基板单位阻值检测方法 |
| CN114535780A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-27 | 南京大学 | 钙钛矿表面瞬时局部加热并原位表征真空激光装置及方法 |
| CN115011915A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-09-06 | 哈尔滨理工大学 | 一种冗余薄膜热电偶的制备方法 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23557788A patent/JP2661718B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0282169A (ja) | 1990-03-22 |
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