JPS6117410Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6117410Y2 JPS6117410Y2 JP5645580U JP5645580U JPS6117410Y2 JP S6117410 Y2 JPS6117410 Y2 JP S6117410Y2 JP 5645580 U JP5645580 U JP 5645580U JP 5645580 U JP5645580 U JP 5645580U JP S6117410 Y2 JPS6117410 Y2 JP S6117410Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nox
- gas
- nox sensor
- substrate
- comb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、NOおよびNO2の合計量に対応し
た出力が得られるNOxガス検出器に関するもの
である。
た出力が得られるNOxガス検出器に関するもの
である。
従来から、NO2に感応する半導体としてV2O5
＋Agが、またNO＋NO2に感応する半導体として
V2O5＋Sm2O3＋Agがそれぞれ知られているが、
NOのみに感応する半導体はまだ知られていな
い。
＋Agが、またNO＋NO2に感応する半導体として
V2O5＋Sm2O3＋Agがそれぞれ知られているが、
NOのみに感応する半導体はまだ知られていな
い。
この考案は、NOとNO2の和として表わされる
NOxガスを正確に検出することができる構造の
簡単なNOxガス検出器を提供することを目的と
している。
NOxガスを正確に検出することができる構造の
簡単なNOxガス検出器を提供することを目的と
している。
つぎにこの考案の一実施例について図面を参照
して説明する。第１図において符号１で示すベー
スは、これを貫通する６本のステム２ａ〜２ｆを
有し、４本のステム２ａ〜２ｄを用いてNOxセ
ンサー３が支持され、他の２体のステム２ｅ，２
ｆを用いて、NOxセンサー３を囲むコイル状の
ヒータ４が支持されている。
して説明する。第１図において符号１で示すベー
スは、これを貫通する６本のステム２ａ〜２ｆを
有し、４本のステム２ａ〜２ｄを用いてNOxセ
ンサー３が支持され、他の２体のステム２ｅ，２
ｆを用いて、NOxセンサー３を囲むコイル状の
ヒータ４が支持されている。
第１図に詳細に示すように、NOxセンサー３
は、たとえばアルミナあるいはマグネシアのよう
な絶縁材料からなる厚さ約0.5mm程度の基板３ａ
の一面にNO＋NO2検出用エレメントを、他面に
NO2ガス検出用エレメントをそれぞれ設けること
によつて形成されている。NO＋NO2ガス検出用
エレメントは、相対抗して交互に配列された櫛歯
状をなすAu電極５と６と、この電極間若しくは
この上に形成されるV2O5＋Sm2O3＋Ag半導体薄
膜で構成され、その各々には、基板３ａの外方に
延びるリード線５ａおよび６ａがそれぞれ接続さ
れている。
は、たとえばアルミナあるいはマグネシアのよう
な絶縁材料からなる厚さ約0.5mm程度の基板３ａ
の一面にNO＋NO2検出用エレメントを、他面に
NO2ガス検出用エレメントをそれぞれ設けること
によつて形成されている。NO＋NO2ガス検出用
エレメントは、相対抗して交互に配列された櫛歯
状をなすAu電極５と６と、この電極間若しくは
この上に形成されるV2O5＋Sm2O3＋Ag半導体薄
膜で構成され、その各々には、基板３ａの外方に
延びるリード線５ａおよび６ａがそれぞれ接続さ
れている。
また基板３ａの他面にも、同様のパターンで、
Au電極およびV2O5＋Ag半導体薄膜（いずれも図
示せず）からなるNO2ガス検出用エレメントが設
けられ、その出力を取出すためのリード線７ａお
よび８ａが基板３ａの外方に延出している。充分
な厚さのAu電極を形成するためには、Auを含む
ペーストを基板３ａの表面にスクリーン印刷によ
つて形成し、950℃前後の温度で焼付けるのが好
ましく、これによつて20ｍμ程度の厚いAu膜を
形成することができる。
Au電極およびV2O5＋Ag半導体薄膜（いずれも図
示せず）からなるNO2ガス検出用エレメントが設
けられ、その出力を取出すためのリード線７ａお
よび８ａが基板３ａの外方に延出している。充分
な厚さのAu電極を形成するためには、Auを含む
ペーストを基板３ａの表面にスクリーン印刷によ
つて形成し、950℃前後の温度で焼付けるのが好
ましく、これによつて20ｍμ程度の厚いAu膜を
形成することができる。
このようなNOxセンサー３の支持は、リード
線５ａ，６ａ，７ａ，８ａをそれぞれ対応するス
テム２ａ〜２ｄにスポツト溶接することによつて
容易に行うことができる。またヒータ４として、
たとえば3.5〜4.5Ωの抵抗を有するニクロム線を
使用し、その両端に３〜6Vの電圧を印加するこ
とによつて、360℃前後の温度に発熱させること
ができ、これによつてNOxセンサー３を急速に
加熱することが可能である。なおヒータ４は、腐
食性ガスから保護するために、アルミナコーテイ
ングを施しておくのが好ましい。
線５ａ，６ａ，７ａ，８ａをそれぞれ対応するス
テム２ａ〜２ｄにスポツト溶接することによつて
容易に行うことができる。またヒータ４として、
たとえば3.5〜4.5Ωの抵抗を有するニクロム線を
使用し、その両端に３〜6Vの電圧を印加するこ
とによつて、360℃前後の温度に発熱させること
ができ、これによつてNOxセンサー３を急速に
加熱することが可能である。なおヒータ４は、腐
食性ガスから保護するために、アルミナコーテイ
ングを施しておくのが好ましい。
以上のようにこの考案のNOxガス検出器で
は、単一の基板３ａの一面にNO＋NO2ガス検出
用エレメントを、また他面にNO2ガス検出用エレ
メントをそれぞれ設けたNOxセンサー３が用い
られ、そしてこのNOxセンサー３を囲むヒータ
４が設けられている。したがつてヒータ４に通電
してから短時間のうちにNOxセンサー３を所定
の温度まで加熱することができ、良好な応答速度
が得られる。またNO＋NO2ガス検出用エレメン
トおよびNO2ガス検出用エレメントをそれぞれ支
持する２枚の基板を用いた場合と異なり、接着等
の作業が不要で、また部品点数も少なくてすむ。
は、単一の基板３ａの一面にNO＋NO2ガス検出
用エレメントを、また他面にNO2ガス検出用エレ
メントをそれぞれ設けたNOxセンサー３が用い
られ、そしてこのNOxセンサー３を囲むヒータ
４が設けられている。したがつてヒータ４に通電
してから短時間のうちにNOxセンサー３を所定
の温度まで加熱することができ、良好な応答速度
が得られる。またNO＋NO2ガス検出用エレメン
トおよびNO2ガス検出用エレメントをそれぞれ支
持する２枚の基板を用いた場合と異なり、接着等
の作業が不要で、また部品点数も少なくてすむ。
第１図はこの考案の一実施例によるNOxガス
検出器の斜視図、第２図はそのNOxセンサーの
斜視図である。 １……ベース、２ａ〜２ｆ……ステム、３……
NOxセンサー、３ａ……基板、４……ヒータ、
５……Au電極、６……Au電極、５ａ，６ａ，７
ａ，８ａ……リード線。
検出器の斜視図、第２図はそのNOxセンサーの
斜視図である。 １……ベース、２ａ〜２ｆ……ステム、３……
NOxセンサー、３ａ……基板、４……ヒータ、
５……Au電極、６……Au電極、５ａ，６ａ，７
ａ，８ａ……リード線。
Claims (1)
- 単一の絶縁性基板の一面に櫛型電極およびこの
上に形成されたV2O5＋Ag半導体薄膜層から成る
NO2ガスセンサを、他面に櫛型電極およびこの上
に形成されたV2O5＋Sm2O3＋Ag半導体薄膜層か
ら成るNO＋NO2ガスセンサをそれぞれ形成した
NOxセンサーと、このNOxセンサーの周囲を囲
む形で上記基板上に配置されたコイル状のヒータ
とを備えたNOxガス検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5645580U JPS6117410Y2 (ja) | 1980-04-23 | 1980-04-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5645580U JPS6117410Y2 (ja) | 1980-04-23 | 1980-04-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56157664U JPS56157664U (ja) | 1981-11-25 |
| JPS6117410Y2 true JPS6117410Y2 (ja) | 1986-05-28 |
Family
ID=29651029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5645580U Expired JPS6117410Y2 (ja) | 1980-04-23 | 1980-04-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6117410Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-04-23 JP JP5645580U patent/JPS6117410Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56157664U (ja) | 1981-11-25 |
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