RU97106228A - Полупроводниковый датчик газов - Google Patents

Полупроводниковый датчик газов

Info

Publication number
RU97106228A
RU97106228A RU97106228/25A RU97106228A RU97106228A RU 97106228 A RU97106228 A RU 97106228A RU 97106228/25 A RU97106228/25 A RU 97106228/25A RU 97106228 A RU97106228 A RU 97106228A RU 97106228 A RU97106228 A RU 97106228A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gas
sensitive layer
gas sensor
semiconductor
electrodes
Prior art date
Application number
RU97106228/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2114422C1 (ru
Inventor
С.И. Рембеза
Ю.Б. Ащеулов
Т.В. Свистова
Е.С. Рембеза
Г.В. Горлова
Original Assignee
Научно-информационный центр проблем интеллектуальной собственности
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-информационный центр проблем интеллектуальной собственности filed Critical Научно-информационный центр проблем интеллектуальной собственности
Priority to RU97106228A priority Critical patent/RU2114422C1/ru
Priority claimed from RU97106228A external-priority patent/RU2114422C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2114422C1 publication Critical patent/RU2114422C1/ru
Publication of RU97106228A publication Critical patent/RU97106228A/ru

Links

Claims (4)

1. Полупроводниковый датчик газов представляет собой электроизолирующую подложку с размещенными на ней нагревателем и термодатчиком, электродами для газочувствительного слоя и газочувствительным слоем, помещенную с металлокерамический корпус, отличающийся тем, что на подложку из кремния, покрытую слоем диоксида кремния, нанесены нагреватель и термодатчик, выполненные из пластины с подслоем титана в виде резисторов типа "Меандр" и электроды встречно-штыревой конструкции для газочувствительного слоя, изготовленные из того материала, а газочувствительный слой представляет собой пленку металлооксидного полупроводника, нанесенного на встречно-штыревые электроды.
2. Полупроводниковый датчик газов по п.1, отличающийся тем, что на одном кристалле размещены две группы одинаковых электродов встречно-штыревой конструкции для газочувствительного слоя, включаемые по мостовой схеме.
3. Полупроводниковый датчик газов по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что газочувствительный слой представляет собой пленку двуокиси олова.
4. Полупроводниковый датчик газов по пп. 1-3, отличающийся тем, что на одном кристалле размещены два одинаковых тонкопленочных резистора типа "Меандр" для осуществления нагрева кристалла, измерения температуры и для использования кристалла в качестве термокондуктометрического датчика газов или для измерения скорости газовых потоков.
RU97106228A 1997-04-15 1997-04-15 Полупроводниковый датчик газов RU2114422C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97106228A RU2114422C1 (ru) 1997-04-15 1997-04-15 Полупроводниковый датчик газов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97106228A RU2114422C1 (ru) 1997-04-15 1997-04-15 Полупроводниковый датчик газов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2114422C1 RU2114422C1 (ru) 1998-06-27
RU97106228A true RU97106228A (ru) 1998-10-10

Family

ID=20192079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97106228A RU2114422C1 (ru) 1997-04-15 1997-04-15 Полупроводниковый датчик газов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2114422C1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2835316B1 (fr) * 2002-01-28 2004-09-17 Dgtec Detecteur de gaz sur substrat mince
RU2661611C1 (ru) * 2017-12-06 2018-07-17 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Способ создания сенсорного элемента на основе микрорезонатора из пористого кремния для детекции паров взрывчатых веществ
RU196427U1 (ru) * 2019-12-20 2020-02-28 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Керамический корпус для газочувствительного полупроводникового сенсора

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100351810B1 (ko) 절대습도센서
KR970022254A (ko) 저항온도계
GB2046921A (en) Measuring sensor for determining the constituents of flowing gases
JPS6491062A (en) Mass air flow sensor
DK1144968T3 (da) Platintemperatursensor og fremgangsmåde til fremstilling af denne
ES2312993T3 (es) Dispositivo sensor de gas de pelicula semiconductora fina.
RU97106228A (ru) Полупроводниковый датчик газов
EP0886137B1 (en) A gas sensor with multiple exposed active elements
JPH11354302A (ja) 薄膜抵抗素子
RU2114422C1 (ru) Полупроводниковый датчик газов
RU2206082C1 (ru) Полупроводниковый металлооксидный датчик газов
JPH01313751A (ja) ガスセンサ
CN113767270A (zh) 具有高灵敏度的差示量热计
RU2257567C1 (ru) Твердотельный интегральный датчик газов
JPH0220681Y2 (ru)
JP2548351B2 (ja) 薄膜サーミスタ
JPS6117410Y2 (ru)
JPS5965216A (ja) 熱式流量計
JPS58102144A (ja) ガスセンサ
US20090052152A1 (en) Electronic Sensor
JPH0438425A (ja) 熱式流量センサ
RU93056436A (ru) Датчик состава газа
RU1786413C (ru) Устройство дл определени концентрации газов
JPH0428022Y2 (ru)
RU93013101A (ru) Датчик состава газа