JP3282048B2 - 奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサ - Google Patents
奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同一特性の２個のイン
ダクタンス素子を備え、例えば流体の流量または水蒸気
の量（奪熱量）に応じてインダクタンスが変化すること
を利用して流量、湿度を検出する湿度センサおよびフロ
ーセンサのような奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気
検出装置用の雰囲気センサに関するものである。
ダクタンス素子を備え、例えば流体の流量または水蒸気
の量（奪熱量）に応じてインダクタンスが変化すること
を利用して流量、湿度を検出する湿度センサおよびフロ
ーセンサのような奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気
検出装置用の雰囲気センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の奪熱雰囲気検出装置の構
造、および該奪熱雰囲気検出装置に用いる感熱抵抗素子
の構造を示す図であり、図６は図５の奪熱雰囲気検出装
置に用いられるブリッジ回路を示した図である。
造、および該奪熱雰囲気検出装置に用いる感熱抵抗素子
の構造を示す図であり、図６は図５の奪熱雰囲気検出装
置に用いられるブリッジ回路を示した図である。
【０００３】図５（Ａ）に示すように、同一特性の２個
の感熱抵抗素子２１、２２は、リード端子としてのピン
２４を介して異なるステム２６に半田付け、あるいは溶
接等により固定されている。感熱抵抗素子２１を固定し
たステム２６には、通気孔を設けた金属管のキャップ２
５が被せられている。一方、感熱抵抗素子２２を固定し
たステム２６には、極低温（−４０℃程度）条件にて金
属管のキャップ２５´が被せられている。
の感熱抵抗素子２１、２２は、リード端子としてのピン
２４を介して異なるステム２６に半田付け、あるいは溶
接等により固定されている。感熱抵抗素子２１を固定し
たステム２６には、通気孔を設けた金属管のキャップ２
５が被せられている。一方、感熱抵抗素子２２を固定し
たステム２６には、極低温（−４０℃程度）条件にて金
属管のキャップ２５´が被せられている。
【０００４】これにより、感熱抵抗素子２１は外気に晒
された状態になり、感熱抵抗素子２２は乾燥雰囲気中に
封入される。
された状態になり、感熱抵抗素子２２は乾燥雰囲気中に
封入される。
【０００５】図５（Ｂ）に示すように、感熱抵抗素子２
１，２２は、バルク感熱抵抗体３２の表面と裏面に電極
３１を焼き付け、さらに電極３１にリード線３３を取り
付けて構成されている。
１，２２は、バルク感熱抵抗体３２の表面と裏面に電極
３１を焼き付け、さらに電極３１にリード線３３を取り
付けて構成されている。
【０００６】図６に示すように、２個の感熱抵抗素子２
１，２２を備えた奪熱雰囲気検出装置は、２個の感熱抵
抗素子２１，２２をそれぞれＲHT，ＲT とし、ＲHTとＲ
T を互いに異なるブリッジ辺とするホイートストンブリ
ッジ回路を形成している。
１，２２を備えた奪熱雰囲気検出装置は、２個の感熱抵
抗素子２１，２２をそれぞれＲHT，ＲT とし、ＲHTとＲ
T を互いに異なるブリッジ辺とするホイートストンブリ
ッジ回路を形成している。
【０００７】ここで、２個の感熱抵抗素子２１，２２の
温度−抵抗特性および抵抗値は等しい。
温度−抵抗特性および抵抗値は等しい。
【０００８】以下に従来の奪熱雰囲気検出装置の動作を
説明する。
説明する。
【０００９】感熱抵抗素子２１，２２は、リード線３３
に電圧を印加すると発熱し、周囲温度よりも高くなる。
このとき、感熱抵抗素子２１，２２の温度は前記発熱の
消費に寄与する電力と、前記発熱の熱放散とにより決定
される。そのため、感熱抵抗素子２１は大気中の水蒸気
による熱伝導が作用して熱放散が大きくなるため感熱抵
抗素子２１の温度は感熱抵抗素子２２の温度よりも小さ
くなる。
に電圧を印加すると発熱し、周囲温度よりも高くなる。
このとき、感熱抵抗素子２１，２２の温度は前記発熱の
消費に寄与する電力と、前記発熱の熱放散とにより決定
される。そのため、感熱抵抗素子２１は大気中の水蒸気
による熱伝導が作用して熱放散が大きくなるため感熱抵
抗素子２１の温度は感熱抵抗素子２２の温度よりも小さ
くなる。
【００１０】これにより、水蒸気の量（湿気の多少）あ
るいは流体の流速に応じて感熱抵抗素子２１，２２間に
温度差が生じ、その温度差に対応して発生する抵抗の差
を固定抵抗Ｒ3 の両端電圧ＶOUT にて検出し、大気中の
絶対湿度および流体の流速を検出することができる。
るいは流体の流速に応じて感熱抵抗素子２１，２２間に
温度差が生じ、その温度差に対応して発生する抵抗の差
を固定抵抗Ｒ3 の両端電圧ＶOUT にて検出し、大気中の
絶対湿度および流体の流速を検出することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の奪熱雰囲気検出
装置では、電圧印加時、温度変化時又は湿度変化の間に
おいて、バルク感熱抵抗体２１，２２全体の温度が均一
になるまでの熱的均衡に時間がかかり、感熱抵抗素子２
１，２２の抵抗値が不安定になりやすい。それゆえ従来
の奪熱雰囲気検出装置は、ブリッジバランス出力が安定
するまでに長い時間を要し、応答性が悪いという問題が
ある。
装置では、電圧印加時、温度変化時又は湿度変化の間に
おいて、バルク感熱抵抗体２１，２２全体の温度が均一
になるまでの熱的均衡に時間がかかり、感熱抵抗素子２
１，２２の抵抗値が不安定になりやすい。それゆえ従来
の奪熱雰囲気検出装置は、ブリッジバランス出力が安定
するまでに長い時間を要し、応答性が悪いという問題が
ある。
【００１２】又、バルク感熱抵抗体の表面は経時変化を
起こしやすいのでバルク感熱抵抗体の表面にコーティン
グを施す必要がある。そのため、更に応答性が悪くなる
という問題が生じる。
起こしやすいのでバルク感熱抵抗体の表面にコーティン
グを施す必要がある。そのため、更に応答性が悪くなる
という問題が生じる。
【００１３】本発明はかかる問題を解決し、応答性に優
れ、また経時変化が小さく常時安定して高精度に奪熱量
を検出できる奪熱雰囲気検出装置及び奪熱雰囲気検出装
置用の雰囲気センサを提供することにある。
れ、また経時変化が小さく常時安定して高精度に奪熱量
を検出できる奪熱雰囲気検出装置及び奪熱雰囲気検出装
置用の雰囲気センサを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、温度に
より透磁率が大きく変化する金属磁性酸化物膜を用いた
インダクタンス素子を二つ用いて、一方のインダクタン
ス素子をケース内に密封し、他方のインダクタンス素子
を被測定雰囲気に晒し、両インダクタンス素子のインダ
クタンスの差を検出して、被測定雰囲気の奪熱量を検出
することを特徴とする奪熱雰囲気検出装置が得られる。
より透磁率が大きく変化する金属磁性酸化物膜を用いた
インダクタンス素子を二つ用いて、一方のインダクタン
ス素子をケース内に密封し、他方のインダクタンス素子
を被測定雰囲気に晒し、両インダクタンス素子のインダ
クタンスの差を検出して、被測定雰囲気の奪熱量を検出
することを特徴とする奪熱雰囲気検出装置が得られる。
【００１５】さらに本発明によれば、前記二つのインダ
クタンス素子がブリッジ接続されていることを特徴とす
る奪熱雰囲気検出装置が得られる。
クタンス素子がブリッジ接続されていることを特徴とす
る奪熱雰囲気検出装置が得られる。
【００１６】又、本発明によれば、前記両インダクタン
ス素子の各々が、基板と、該基板の表面に形成されるヒ
ータ部と、該ヒータ部の上に形成される金属磁性酸化物
膜と、前記基板の裏面に形成された導体パターンとから
なり、前記インダクタンス素子の一方がケース中に密封
され、前記インダクタンス素子の他方が通気孔を有する
ケース中に設けられていることを特徴とする奪熱雰囲気
検出装置用の雰囲気センサが得られる。
ス素子の各々が、基板と、該基板の表面に形成されるヒ
ータ部と、該ヒータ部の上に形成される金属磁性酸化物
膜と、前記基板の裏面に形成された導体パターンとから
なり、前記インダクタンス素子の一方がケース中に密封
され、前記インダクタンス素子の他方が通気孔を有する
ケース中に設けられていることを特徴とする奪熱雰囲気
検出装置用の雰囲気センサが得られる。
【００１７】さらに本発明によれば、前記導体パターン
が蛇行状またはらせん状に形成されていることを特徴と
する奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサが得られる。
が蛇行状またはらせん状に形成されていることを特徴と
する奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサが得られる。
【００１８】さらに本発明によれば、前記金属磁性酸化
物膜がＭｎ−Ｚｎ系金属磁性酸化物膜であることを特徴
とする奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気検出装置用
の雰囲気センサが得られる。
物膜がＭｎ−Ｚｎ系金属磁性酸化物膜であることを特徴
とする奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気検出装置用
の雰囲気センサが得られる。
【００１９】
【実施例】以下、図１，図２，図３及び図４を参照して
本発明の実施例を説明する。
本発明の実施例を説明する。
【００２０】図１に示すように、同一特性の２個の感熱
インダクタンス素子１，２は、リード端子としてのピン
４を介してそれぞれ異なるステム６，６´に半田付け、
あるいは溶接等により固定されている。感熱インダクタ
ンス素子１を固定したステム６には、通気孔３を設けた
金属管のキャップ５が被せられている。ステム６とキャ
ップ５によって通気孔３を有するケースを形成し、これ
により感熱インダクタンス素子１は外気に晒された状態
になる。一方、感熱インダクタンス素子２を固定したス
テム６´には、極低温（−４０℃程度）条件にて金属管
のキャップ５´が被せられている。ステム６´とキャッ
プ５´によってケースを形成し、これにより感熱インダ
クタンス素子２は乾燥雰囲気中に封入された状態を維持
する。
インダクタンス素子１，２は、リード端子としてのピン
４を介してそれぞれ異なるステム６，６´に半田付け、
あるいは溶接等により固定されている。感熱インダクタ
ンス素子１を固定したステム６には、通気孔３を設けた
金属管のキャップ５が被せられている。ステム６とキャ
ップ５によって通気孔３を有するケースを形成し、これ
により感熱インダクタンス素子１は外気に晒された状態
になる。一方、感熱インダクタンス素子２を固定したス
テム６´には、極低温（−４０℃程度）条件にて金属管
のキャップ５´が被せられている。ステム６´とキャッ
プ５´によってケースを形成し、これにより感熱インダ
クタンス素子２は乾燥雰囲気中に封入された状態を維持
する。
【００２１】図２は図１に示される雰囲気センサに用い
られる感熱インダクタンス素子の具体的な構造を示した
図である。
られる感熱インダクタンス素子の具体的な構造を示した
図である。
【００２２】図２（Ａ），図２（Ｂ）に示すように、薄
膜ヒータ１０は、スパッタ法によりアルミナ基板８の表
面上に薄膜白金を蒸着し、さらにエッチング法により蛇
行状の薄膜ヒータ１０をパターン形成した後、大気中で
８００〜１１００℃の温度範囲で熱処理して得られる。
続いて図２（Ｃ）に示すように、薄膜ヒータ１０と同様
の工程でアルミナ基板８の裏面に、かつ薄膜ヒータ１０
の真下の位置に蛇行状の導体パターン１１が形成され
る。
膜ヒータ１０は、スパッタ法によりアルミナ基板８の表
面上に薄膜白金を蒸着し、さらにエッチング法により蛇
行状の薄膜ヒータ１０をパターン形成した後、大気中で
８００〜１１００℃の温度範囲で熱処理して得られる。
続いて図２（Ｃ）に示すように、薄膜ヒータ１０と同様
の工程でアルミナ基板８の裏面に、かつ薄膜ヒータ１０
の真下の位置に蛇行状の導体パターン１１が形成され
る。
【００２３】その後、薄膜ヒータ１０の上にＭｎ−Ｚｎ
系の金属酸化物を材料とする磁性体を厚膜印刷し、それ
を約８００℃で焼成し、感熱インダクタンス素子を得
る。
系の金属酸化物を材料とする磁性体を厚膜印刷し、それ
を約８００℃で焼成し、感熱インダクタンス素子を得
る。
【００２４】この感熱インダクタンス素子に用いられる
薄膜ヒータ用の導体パターン１０の両端に引出し用リー
ド線７を溶接接続し、コイルとして形成される導体パタ
ーン１１の両端に引出し用リード線７´を溶接接続す
る。
薄膜ヒータ用の導体パターン１０の両端に引出し用リー
ド線７を溶接接続し、コイルとして形成される導体パタ
ーン１１の両端に引出し用リード線７´を溶接接続す
る。
【００２５】図２に示されるような感熱インダクタンス
素子１，２を、図１に示すように異なるステム６，６´
にそれぞれ半田付け、溶接により固定し奪熱雰囲気セン
サを得る。
素子１，２を、図１に示すように異なるステム６，６´
にそれぞれ半田付け、溶接により固定し奪熱雰囲気セン
サを得る。
【００２６】次に図３に示すように、感熱インダクタン
ス素子１，２をそれぞれＬ1 ，Ｌ2とし、この２個の感
熱インダクタンス素子１，２をそれぞれ互いに異なるブ
リッジ辺とするホイートストンブリッジ回路を形成し、
感熱インダクタンス素子１と感熱インダクタンス素子２
とのインダクタンス値の差を検出可能とする。
ス素子１，２をそれぞれＬ1 ，Ｌ2とし、この２個の感
熱インダクタンス素子１，２をそれぞれ互いに異なるブ
リッジ辺とするホイートストンブリッジ回路を形成し、
感熱インダクタンス素子１と感熱インダクタンス素子２
とのインダクタンス値の差を検出可能とする。
【００２７】本発明は、雰囲気に晒されている感熱イン
ダクタンス素子１と密封されている感熱インダクタンス
素子２とのインダクタンス値の差をもって、雰囲気の奪
熱量を検出するものであるから、雰囲気の測定に先立
ち、通気孔３を塞いだ状態で感熱インダクタンス素子１
に用いられる金属磁性酸化物と感熱インダクタンス素子
２に用いられる金属磁性酸化物の初透磁率を揃えブリッ
ジ回路出力ＶOUT を零になるよう平衡させておく必要が
ある。
ダクタンス素子１と密封されている感熱インダクタンス
素子２とのインダクタンス値の差をもって、雰囲気の奪
熱量を検出するものであるから、雰囲気の測定に先立
ち、通気孔３を塞いだ状態で感熱インダクタンス素子１
に用いられる金属磁性酸化物と感熱インダクタンス素子
２に用いられる金属磁性酸化物の初透磁率を揃えブリッ
ジ回路出力ＶOUT を零になるよう平衡させておく必要が
ある。
【００２８】ここで感熱インダクタンス素子１，２はヒ
ータ１１によって加熱し、それぞれが発熱し、周囲温度
よりも高い温度になる。このとき初透磁率の温度特性は
図４に示されるように一定の条件下で温度が高くなるに
したがって大きくなるので、初透磁率も上昇し、それに
応じて感熱インダクタンス素子１，２のインダクタンス
値も大きくなる。所定時間経過後、感熱インダクタンス
素子１，２に用いる各金属磁性酸化物の温度は等しくな
り、インダクタンス値も等しくなる。この状態で、抵抗
Ｒ3 の値を調節してブリッジ回路出力ＶOUT が零になる
ように平衡をとる。
ータ１１によって加熱し、それぞれが発熱し、周囲温度
よりも高い温度になる。このとき初透磁率の温度特性は
図４に示されるように一定の条件下で温度が高くなるに
したがって大きくなるので、初透磁率も上昇し、それに
応じて感熱インダクタンス素子１，２のインダクタンス
値も大きくなる。所定時間経過後、感熱インダクタンス
素子１，２に用いる各金属磁性酸化物の温度は等しくな
り、インダクタンス値も等しくなる。この状態で、抵抗
Ｒ3 の値を調節してブリッジ回路出力ＶOUT が零になる
ように平衡をとる。
【００２９】以下、本発明の奪熱雰囲気検出装置を絶対
湿度センサとして用いた場合の水蒸気の量の測定方法を
説明する。感熱インダクタンス素子１，２に交流励磁電
圧を供給し、感熱インダクタンス素子１，２に用いられ
る各ヒータに電圧を印加すると、感熱インダクタンス素
子１は通気孔３から流入する大気中の水蒸気による熱伝
導が作用して熱放散が大きくなる。従って、感熱インダ
クタンス素子１の周囲温度は下がり、感熱インダクタン
ス素子１に用いる金属磁性酸化物の初透磁率も小さくな
り、それに応じて感熱インダクタンス素子１のインダク
タンス値も小さくなる。一方、感熱インダクタンス素子
２は密閉されているので、大気中の水蒸気による熱伝導
が作用せず温度は変化しない。
湿度センサとして用いた場合の水蒸気の量の測定方法を
説明する。感熱インダクタンス素子１，２に交流励磁電
圧を供給し、感熱インダクタンス素子１，２に用いられ
る各ヒータに電圧を印加すると、感熱インダクタンス素
子１は通気孔３から流入する大気中の水蒸気による熱伝
導が作用して熱放散が大きくなる。従って、感熱インダ
クタンス素子１の周囲温度は下がり、感熱インダクタン
ス素子１に用いる金属磁性酸化物の初透磁率も小さくな
り、それに応じて感熱インダクタンス素子１のインダク
タンス値も小さくなる。一方、感熱インダクタンス素子
２は密閉されているので、大気中の水蒸気による熱伝導
が作用せず温度は変化しない。
【００３０】従って、感熱インダクタンス素子１及び感
熱インダクタンス素子２のインダクタンス値に差が生
じ、その差をブリッジ回路出力ＶOUT の電圧として得
る。
熱インダクタンス素子２のインダクタンス値に差が生
じ、その差をブリッジ回路出力ＶOUT の電圧として得
る。
【００３１】以上のように水蒸気の量をブリッジ回路出
力ＶOUT の電圧として検出することができる。
力ＶOUT の電圧として検出することができる。
【００３２】尚、本発明の奪熱雰囲気検出装置は水蒸気
の量を検出する絶対湿度センサのみならず、流体の流量
を検出するフローセンサとしても用いることができる。
の量を検出する絶対湿度センサのみならず、流体の流量
を検出するフローセンサとしても用いることができる。
【００３３】即ち、絶対湿度センサの場合は水蒸気によ
る温度変化に伴うインダクタンスの変化分を測定するこ
とによって水蒸気の量を検出し、他方フローセンサの場
合は流体の流量の変化に対応する温度変化に伴うインダ
クタンスの変化分を測定することによって流量を検出す
ることができる。
る温度変化に伴うインダクタンスの変化分を測定するこ
とによって水蒸気の量を検出し、他方フローセンサの場
合は流体の流量の変化に対応する温度変化に伴うインダ
クタンスの変化分を測定することによって流量を検出す
ることができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、感熱素子として、従来
の感熱抵抗素子の抵抗の温度特性に比べ温度に対する応
答性に優れている金属磁性酸化物の膜を用いた感熱イン
ダクタンス素子を用いているので、奪熱雰囲気の変化に
対する応答性を高めることができる。又、感熱インダク
タンス素子の金属磁性酸化物の厚膜は経時変化が少な
く、耐久性が高いため、耐久性の良い奪熱雰囲気検出装
置および奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサを得るこ
とができる。
の感熱抵抗素子の抵抗の温度特性に比べ温度に対する応
答性に優れている金属磁性酸化物の膜を用いた感熱イン
ダクタンス素子を用いているので、奪熱雰囲気の変化に
対する応答性を高めることができる。又、感熱インダク
タンス素子の金属磁性酸化物の厚膜は経時変化が少な
く、耐久性が高いため、耐久性の良い奪熱雰囲気検出装
置および奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサを得るこ
とができる。
【図１】本発明の雰囲気センサの構造を示す平面図であ
る。
る。
【図２】図（Ａ）は本発明の雰囲気センサに用いられる
感熱インダクタンス素子の上面図であり、図（Ｂ）は図
（Ａ）の感熱インダクタンス素子の断面図であり、図
（Ｃ）は図（Ａ）の感熱インダクタンス素子の下面図で
ある。
感熱インダクタンス素子の上面図であり、図（Ｂ）は図
（Ａ）の感熱インダクタンス素子の断面図であり、図
（Ｃ）は図（Ａ）の感熱インダクタンス素子の下面図で
ある。
【図３】本発明の奪熱雰囲気検出装置に用いられるブリ
ッジ回路を示した図である。
ッジ回路を示した図である。
【図４】本発明の奪熱雰囲気検出装置に用いられる磁性
体の初透磁率の温度特性を示す図である。
体の初透磁率の温度特性を示す図である。
【図５】図（Ａ）は従来の雰囲気センサの構造を示す平
面図であり、図（Ｂ）は図（Ａ）の雰囲気センサに用い
られる感熱抵抗素子の構造を示す斜視図である。
面図であり、図（Ｂ）は図（Ａ）の雰囲気センサに用い
られる感熱抵抗素子の構造を示す斜視図である。
【図６】従来の奪熱雰囲気検出装置に用いられるブリッ
ジ回路を示した図である。
ジ回路を示した図である。
１，２ 感熱インダクタンス素子 ３，２３ 通気孔 ４，２４ ピン端子 ５，５´，２５，２５´ ケース ６，６´，２６，２６´ ステム ７，７´、３３ リード線 ８ アルミナ基板 ９ 金属磁性酸化物 １０ 薄膜ヒータ １１ 導体パターン ２１，２２ 感熱抵抗素子 ３１ 電極 ３２ バルク感熱抵抗体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 27/72 - 27/90 G01N 27/00 - 27/24 G01N 25/00 - 25/72 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (5)
- 【請求項１】 温度により透磁率が大きく変化する金属
磁性酸化物膜を用いたインダクタンス素子を二つ用い
て、一方のインダクタンス素子をケース内に密封し、他
方のインダクタンス素子を被測定雰囲気に晒し、両イン
ダクタンス素子のインダクタンスの差を検出して、被測
定雰囲気の奪熱量を検出することを特徴とする奪熱雰囲
気検出装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の奪熱雰囲気検出装置にお
いて、前記二つのインダクタンス素子がブリッジ接続さ
れていることを特徴とする奪熱雰囲気検出装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の奪熱雰囲気検出装置に用
いる雰囲気センサにおいて、前記両インダクタンス素子
の各々が、基板と、該基板の表面に形成されるヒータ部
と、該ヒータ部の上に形成される金属磁性酸化物膜と、
前記基板の裏面に形成された導体パターンとからなり、
前記インダクタンス素子の一方がケース中に密封され、
前記インダクタンス素子の他方が通気孔を有するケース
中に設けられていることを特徴とする奪熱雰囲気検出装
置用の雰囲気センサ。 - 【請求項４】 請求項３記載の奪熱雰囲気検出装置用の
雰囲気センサにおいて、前記導体パターンが蛇行状また
はらせん状に形成されていることを特徴とする奪熱雰囲
気検出装置用の雰囲気センサ。 - 【請求項５】 請求項１乃至４記載の奪熱雰囲気検出装
置および奪熱雰囲気検出装置に用いる雰囲気センサにお
いて、前記金属磁性酸化物膜がＭｎ−Ｚｎ系金属磁性酸
化物膜であることを特徴とする奪熱雰囲気検出装置およ
び奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03062193A JP3282048B2 (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03062193A JP3282048B2 (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242050A JPH06242050A (ja) | 1994-09-02 |
| JP3282048B2 true JP3282048B2 (ja) | 2002-05-13 |
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ID=12308935
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03062193A Expired - Fee Related JP3282048B2 (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 奪熱雰囲気検出装置および奪熱雰囲気検出装置用の雰囲気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3282048B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004536301A (ja) * | 2001-07-16 | 2004-12-02 | センサー テック インコーポレイテッド | 気相物質の定性および定量分析のためのセンサ装置および方法 |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP03062193A patent/JP3282048B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06242050A (ja) | 1994-09-02 |
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