KR101848764B1 - 초소형 온도센서 및 그 제조방법 - Google Patents

초소형 온도센서 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 접촉식 초소형 온도센서에 관한 것으로, 절연성 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 표면에 검지물질로 구성된 검지층을 형성하는 단계; 상기 검지층에 한 쌍의 외부연결선을 부착하는 단계; 및 기판과 검지층을 감싸는 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 상기 검지층을 형성하는 단계가 V2O5에 Ti, W, In 및 Li 중 하나의 물질이 5~15 wt% 범위로 첨가된 검지물질 박막을 형성하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제조방법은, 다성분계인 검지층 박막을 진공 스퍼터링 공정으로 수행함으로써, 조성의 제어가 용이하고 화학약품을 거의 사용하지 않는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 온도센서는 직경이 0.3mm이하인 초소형의 크기에서도 0.05℃의 정밀도와 0.1초의 신속성과 고감도 특성을 나타내는 뛰어난 효과가 있다.

Description

초소형 온도센서 및 그 제조방법{MICRO TEMPERATURE SENSOR AND FABRICATION METHOD OF THE SAME}
본 발명은 초소형 온도센서 및 그 제조방법과 구조에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 접촉식 초소형 온도센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
온도 검출에는 접촉식과 비접촉식으로 구분된다. 접촉식은 열전대, 서미스터, 백금저항식, pn반도체식 등이 이에 해당되며, 반드시 물체에 접촉으로 온도를 검출한다. 비접촉식은 방사 적외선량과 파장분포를 측정하여 표면온도를 결정한다.
한편, 온도를 측정함에 있어서, 아주 좁은 특정 부분의 온도 측정이 필요할 경우가 많은데, 이 극소 부분의 온도변화를 측정하기 위해서는 먼저 센서의 크기가 초소형이면서 온도변화를 신속하게 그리고 출력감도가 크면서 정밀도 높을 필요가 있다. 예를 들면 화학반응공정이나 인체를 포함하는 생명체의 특정부분 대사상태, 정밀기계/전자장치의 등에서 국소부분의 온도발생과 유지정도를 정밀하게 파악하는 것은 반응상태나 동작상태를 아는 것이고, 이어서 어떤 조치를 행하는데 중요성하다.
이때, 비접촉 방식의 방사온도계는 직경 약 3mm이하의 부분에는 측정도 어렵지만 정밀도가 현저히 떨어지고 변화정도의 파악 역시 분간하기가 쉽지 않다. 특히 튜브와 파이프, 혈관처럼 어떤 형체의 내부공간의 국소 온도변화는 측정자체가 불가능하다.
반면에 서미스트를 포함하는 금속산화물 반도체로 된 접촉식으로 초소형 온도센서는 초소형에 적합한 특성을 가지지만, 직경 0.3mm이하의 소형화와 0.05℃까지의 정밀도 및 약 0.1초의 신속성과 고감도 특성을 모두 갖춘 경우는 드문 편이며, 더욱 뛰어난 초소형 온도센서를 제조하기 위한 많은 노력이 진행되고 있다.
대한민국 등록특허 10-0481929
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 산화바나듐을 검지막으로 사용하면서 매우 뛰어난 정밀도와 신속성 및 고감도 특성을 나타내는 접촉식 초소형 온도센서 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법은, 절연성 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 표면에 검지물질로 구성된 검지층을 형성하는 단계; 상기 검지층에 한 쌍의 외부연결선을 부착하는 단계; 및 기판과 검지층을 감싸는 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 상기 검지층을 형성하는 단계가 V2O5에 Ti, W, In 및 Li 중 하나의 물질이 5~15 wt% 범위로 첨가된 검지물질 박막을 형성하여 수행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 검지층으로서 V2O5에 Ti, W, In 및 Li 중 하나의 물질이 5~15 wt% 범위로 첨가된 검지물질 박막을 형성함으로써, 직경이 0.3mm이하인 초소형의 크기에서도 0.05℃의 정밀도와 0.1초의 신속성과 고감도 특성을 나타낸다.
검지층을 형성하는 단계를 진공 스퍼터링 공정으로 수행하는 것이 바람직하다. 다성분계인 검지층 박막의 조성 제어가 용이하고 화학약품을 거의 사용하지 않는 장점이 있다.
검지층을 형성하는 단계 이후에 공기 중에서 300~850℃ 범위로 2~5시간 동안 열처리를 수행하는 것이 좋다. 스퍼터링 직후의 검지층은 안정화되지 않아서 전기 저항이 매우 높을 수 있으므로 열처리를 통해서 전기 저항을 낮추는 과정이 필요하다.
검지층의 표면에 외부연결선을 바로 부착하는 것이 아니고, 한 쌍의 전극 패드를 형성한 뒤에 전극 패드에 외부연결선을 부착하는 것이 좋다.
이때, 하나의 기판에 여러 개의 초소형 온도센서를 제작하기 위하여, 상기 전극 패드를 여러 쌍 형성하는 것이 가능하며, 보호막을 형성하기 전에 한 쌍의 전극 패드가 포함되도록 검지층이 형성된 기판을 절단하는 단계를 더 포함하게 된다. 온도센서를 낱개로 분리하는 절단 과정은 외부연결선을 부착하기 전과 후에 모두 가능하며, 보호막을 형성하기 전에 절단하면 된다.
외부연결선을 부착한 뒤에는 완전한 부착을 위하여 100∼300℃에 30분간 건조열처리를 수행하는 것이 바람직하다.
또한, 외부연결선을 부착하는 단계 이후에, 검지층의 저항을 설정된 수치 이내로 조절하는 저항 조절 단계를 더 포함하는 것이 바람직하며, 저항 조절은 검지층이 형성된 기판의 일부를 절단하여 수행될 수 있다.
보호막을 형성하는 단계는 알루미나졸 또는 실리카졸에 디핑하여 수행되는 것이 좋으며, 보호막을 형성하는 단계 이후에 보호막의 외부로 노출된 외부연결선에 유연성의 폴리아미드, 폴리비닐아세테이트, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리스틸렌, 폴리에테르이미드 중 하나의 폴리머를 코팅하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 형태에 의한 접촉식 초소형 온도센서는, 절연성 기판; 상기 기판 위에 형성된 검지층; 상기 검지층에 부착된 한 쌍의 외부연결선; 및 상기 기판과 검지층을 모두 감싸는 보호막으로 구성되며, 상기 검지층이 V2O5에 Ti, W, In 및 Li 중에 하나의 물질이 5~15 wt% 범위로 첨가된 검지물질 박막이며, 보호막이 형성된 전체 직경이 0.3mm이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 접촉식 초소형 온도센서는, 직경이 0.3mm이하인 초소형의 크기를 가지면서도, 0.05℃의 정밀도와 0.1초의 신속성과 고감도 특성을 나타내는 것을 특징으로 한다.
직경이 0.3mm이하인 초소형으로 제작하기 위하여, 기판의 두께가 0.15mm 이하이고, 검지층의 두께가 50㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 0.05℃의 정밀도와 0.1초의 신속성과 고감도 특성을 위하여, 검지층의 저항이 1 MOhm이하의 범위인 것이 좋다. 특히 90~100℃에서 측정된 검지층의 저항을 기준으로 저항값을 측정하여 조절하는 것이 바람직하다.
외부연결선은 구리, 알루미늄, 금, 백금 중에 하나 또는 이들의 합금으로 구성되며, 직경이 0.05~0.12mm 범위인 것이 바람직하고, 외부연결선은 검지층 표면에 형성된 한 쌍의 전극패드에 부착된 구조인 경우에 외부연결선을 검지층에 직접 부착하는 것보다 센서의 성능이 향상된다.
보호막은 알루미나 또는 실리카 재질이고, 두께가 30~80㎛ 범위인 것이 바람직하다. 그리고 보호막 외부로 노출된 외부연결선을 감싸는 유연성 폴리머 코팅을 더 포함하는 것이 바람직하며, 외부연결선의 끝에 계측기와의 결선을 위한 터미널 잭이 형성된 것이 좋다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 제조방법은, 다성분계인 검지층 박막을 진공 스퍼터링 공정으로 수행함으로써, 조성의 제어가 용이하고 화학약품을 거의 사용하지 않는 장점이 있다.
또한, 본 발명의 온도센서는 직경이 0.3mm이하인 초소형의 크기에서도 0.05℃의 정밀도와 0.1초의 신속성과 고감도 특성을 나타내는 뛰어난 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 초소형 온도센서의 제조방법을 나타낸 공정흐름도이다.
도 2는 본 실시예에 따라서 하나의 기판에 5개의 온도센서를 동시에 형성하는 과정에서 전극 패드 형성을 위하여 제작된 설계도이다.
도 3은 도 2에 따라서 전극 패드가 형성된 기판을 절단한 모습을 촬영한 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 초소형 온도센서의 전극 패드에 외부연결선을 부착한 모습을 촬영한 사진이다.
도 5는 본 실시예에 따라 초소형 온도센서의 표면에 보호막을 형성한 모습을 촬영한 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 초소형 온도센서의 터미널 잭을 통해서 온도-저항 곡선을 측정한 결과이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 초소형 온도센서의 제조방법을 나타낸 공정흐름도이다.
도시된 것과 같이, 먼저 초소형 온도센서를 형성하기 위한 기판을 준비한다. 기판은 표면에 형성되는 검지층에 영향을 미치지 않도록 전기적으로 절연체인 재질을 사용하며, 본 실시예에서는 알루미나(Al2O3)재질을 사용하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고 화학적/열적 가공공정에서 산화나 환원 등에 의한 표면 저항의 변화가 없는 실리콘 등을 사용할 수도 있다. 직경이 0.3mm 이하인 초소형 온도센서를 구성하기 위하여 기판의 두께는 0.15mm 이하인 것이 좋다. 기판의 규격은 두께를 제외하고 절단하여 사용할 수 있으므로 제한되지 않으며, 본 실시예에서는 두께가 0.12mm 이고 크기 25×25(mm)2인 알루미나 기판을 사용하였다.
다음으로 준비된 기판의 표면에 검지층을 형성한다.
검지층은 온도의 변화에 따라서 저항이 변화하는 검지물질을 도포하여 구성된 층이다. 본 발명은 산화바나듐(V2O5)을 주된 검지물질로서 사용하되, 초소형임에도 불구하고 정밀도와 신속성 및 고감도 특성이 뛰어난 검지층을 형성하기 위하여, Ti, W, In 및 Li 중에 하나의 물질을 5~15 wt% 범위로 첨가한 검지층을 사용한 것을 특징으로 한다. 본 실시예에서는 Ti, W, In 및 Li 가 각각 10wt% 포함된 검지층을 형성하였다.
한편, 본 발명은 직경이 0.3mm 이하인 초소형 온도센서를 제공하기 위한 것이므로, 검지층은 두께가 50㎛ 이하인 것이 바람직하다. 50㎛ 이하의 두께로 검지층을 형성하기 위해서는 스피킨 코팅이나 스크린 프린팅 등과 같은 후막형성 방식은 적합하지 않다. 또한, 본 발명은 첨가물질이 첨가된 산화바나듐을 검지층으로 형성하기 때문에, 스퍼터링 공정으로 검지층을 형성하는 것이 좋다. 본 실시예에서는 Ar과 N2가 혼합된 가스 분위기에서 산화바나듐에 첨가원소 M(Ti, W, In 및 Li 중 하나)이 10wt% 첨가된 다성분계 타깃을 사용하여 스퍼터링을 수행하였다. 스퍼터링 공정의 전압, 전류, 진공도 및 증착시간을 조절하여 두께를 제어하였으며, 본 실시예에서는 4.1KV, 6.2mA 및 1.5×104Torr의 조건으로 5시간 동안 스퍼터링하였다.
스퍼터링이 수행된 직후의 검지층은 박막의 상태에 의해서 저항값이 높을 수 있기 때문에 열처리를 수행하였다.
스퍼터링 증착 직후에는 저항이 과도하게 높거나 저항이 불안정한 경향을 보일 수 있고 나아가 경시 특성이 나탈 수 있으므로 열처리를 수행하여야 하며, 공기 중에서 300~850℃ 범위로 2~5시간 동안 열처리를 수행하면 증착된 검지층이 안정화되어 온도센서로 적합한 상태가 된다. 이 범위보다 낮은 범위에서는 열처리에 따른 효과가 나타나지 않고, 이 범위보다 높은 범위에서는 오히려 검지층의 물성이 나빠진다.
본 실시예에서 스퍼터링으로 증착된 직후의 검지층에 대하여 저항을 측정한 결과, 100MΩ 이상의 높은 저항 값을 나타내었다. 전기로에서 350℃의 온도로 3시간 동안 열처리를 수행하였으며, 그 결과 30℃ 상온에서의 저항이 950KΩ이하로 낮아졌다.
안정화된 검지층에 전극 패드를 형성하며, 하나의 기판에 다수의 온도센서를 형성한 경우에는 각각의 온도센서를 절단하여 분리한다.
본 발명의 초소형 온도센서는 검지층의 저항변화를 통해서 온도를 측정하는 것이므로, 검지층 표면에 이격된 2개의 전극 패드를 형성한다. 본 실시예는 크기 25×25(mm)2인 알루미나 기판에 다수의 온도센서를 동시에 형성하였으며, 하나의 온도센서에 형성된 2개의 전극 패드 사이의 간격은 0.05mm이고 각 전극 패드의 크기는 0.1×0.8(mm)2가 되도록 스크린망 패턴 마스크를 덮은 상태에서 Ag를 증착하였다.
도 2는 본 실시예에 따라서 하나의 기판에 5개의 온도센서를 동시에 형성하는 과정에서 전극 패드 형성을 위하여 제작된 설계도이다.
도면에 붉은색으로 표시된 부분이 전극 패드이고, 무늬가 채워진 부분이 개별 온도센서의 검지층에 해당한다. 본 실시예에서는 검지층 형성 과정에서 패턴 마스크를 사용하지 않았기 때문에 검지층이 기판의 전면에 형성되어 있으나, 전극 패드 설계를 위한 편의상 검지층이 서로 구분된 것으로 표시하였다.
기판의 끝부분은 검지층이 충분히 형성되지 못할 가능성이 있으므로, 전극 패드는 기판의 단부에서 0.06mm의 간격을 띄우고 안쪽에 형성하는 것으로 설계하였다. 앞서 살펴본 전극 패드의 규격에 의해서, 본 실시예에 따른 초소형 온도센서의 크기는 폭이 0.25mm이고 단부를 제외한 길이가 약 2.0mm이다. 전극 패드가 이러한 크기보다 커지면 직경이 0.3mm 이하인 초소형 온도센서를 제작하지 못하고, 이보다 작은 경우에는 외부연결선의 접착이 어려운 단점이 있다.
한편, 본 실시예에서는 다이아몬드의 직경이 0.6㎛인 컷팅 톱을 사용하여 분리하였기 때문에, 이웃하는 온도센서들의 전극 패드 사이의 간격을 0.06mm로 조절하여도 충분하였으나, 커팅기의 커팅 폭에 따라서 조절이 필요할 수 있다.
도 3은 도 2에 따라서 전극 패드가 형성된 기판을 절단한 모습을 촬영한 사진이다.
낱개로 절단한 이후에 전극 패드에 외부연결선을 부착한다.
외부연결선은 외부의 계측기기와 연결되는 부분으로서, 전기를 잘 통하는 구리, 알루미늄, 금, 백금이나 이들의 합금이 가능하며, 직경이 0.05~0.12mm 범위인 것이 좋다. 외부연결선을 부착하는 방법은 전도성 페이스트 디핑(dipping)법, 용접납 가열접착법, 용량형 스폿웰딩방법 등이 있으며, 완전한 부착을 위하여 100∼300℃에 30분간 건조열처리를 수행하는 것이 좋다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 초소형 온도센서의 전극 패드에 외부연결선을 부착한 모습을 촬영한 사진이다.
본 실시예에서는 직경 0.1mm의 백금선을 전극 패드 각각에 은 페이스트 디핑법으로 부착하였다. 외부연결선의 안정적 부착을 위하여 공기 중에서 건조한 뒤에 200℃에서 30분간 건조열처리 하였다.
건조열처리된 온도센서의 저항을 다시 측정하고, 저항 값을 조절하였다.
90℃의 일정 온도에서 온도센서의 저항을 측정하고, 설정 저항치 범위를 벗어나면 레이저 트리밍기로 전극패드의 반대쪽 끝부분을 절단하여 저항 값이 오차범위 내에 들어오도록 조절한다. 설정 저항치는 최대 1 MOhm이하이며, 구체적인 범위는 첨가 원소의 종류에 따라서 차이가 있다.
저항 값이 조절된 온도센서의 표면에 보호막을 형성한다.
감지층이 외부에 노출되는 것을 방지하기 위하여, 알루미나졸이나 실리카 졸에 디핑하여 기판과 감지층 전부를 완전히 감싸는 보호막을 형성한다. 보호막의 두께가 너무 얇은 경우에는 절연효과 및 외부 충격으로부터 보호하는 효과를 얻을 수 없기 때문에 30~80㎛ 범위가 적절하며, 직경이 0.3mm 이하인 초소형 온도센서를 제조할 수 있도록 기판과 감지층의 크기와 두께에 따라서 보호막의 두께를 조절한다.
도 5는 본 실시예에 따라 초소형 온도센서의 표면에 보호막을 형성한 모습을 나타낸다. 본 실시예에서는 실리카졸에 딥핑하여 보호막을 형성하였으며, 페이스트의 점도와 디핑시간을 조절하여 약 40㎛의 두께로 보호막을 형성하였다.
외부연결선은 유연성의 폴리아미드, 폴리비닐아세테이트, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리스틸렌, 폴리에테르이미드 등의 폴리머를 코팅으로 입혀서 강도와 탄력성을 유지하며 전기적 절연과 보호 효과를 얻을 수 있다. 본 실시예에서는 유연성의 폴리에테르이미드 폴리머를 코팅하였다.
마지막으로, 외부연결선의 단부에 결선용 터미널 잭을 형성한다.
터미널 잭은 외부의 계측기기에 연결하기 위한 구성이며, 알루미늄이나 구리를 사용하여 형성된다. 본 실시예에서는 알루미늄을 사용하여 터미널 잭을 형성하였다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 초소형 온도센서의 터미널 잭을 통해서 온도-저항 곡선을 측정한 결과이다.
도시된 것과 같이, 본 실시예의 접촉식 초소형 온도센서는 V2O5에 10wt%의 첨가원소가 첨가된 검지층을 구비함으로써, 온도-저항 곡선이 거의 직선에 가까운 형태가 된 것을 확인할 수 있다. 이러한 결과로부터, 본 실시예의 접촉식 온도센서는 직경 0.3mm이하의 소형화와 0.05℃까지의 정밀도 및 약 0.1초의 신속성과 고감도 특성을 모두 만족하는 것을 확인할 수 있었다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 절연성 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판의 표면에 검지물질로 구성된 검지층을 형성하는 단계;
    상기 검지층에 한 쌍의 외부연결선을 부착하는 단계; 및
    기판과 검지층을 감싸는 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며,
    상기 검지층을 형성하는 단계에서 스퍼터링 공정으로 V2O5에 Ti, W, In 및 Li 중 하나의 물질이 5~15 wt% 범위로 첨가된 검지물질 박막을 50㎛ 이하의 두께로 형성하여 저항이 1 MOhm이하인 검지층을 형성함으로써,
    상기 기판의 두께가 0.15mm 이하이고, 보호막이 형성된 전체 직경이 0.3mm이하인 규격에서, 0.05℃의 정밀도와 0.1초의 신속성과 고감도 특성을 나타내는 온도센서를 제조하는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 검지층을 형성하는 단계 이후에 공기 중에서 300~850℃ 범위로 2~5시간 동안 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법.
  4. [청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]
    청구항 1에 있어서,
    상기 검지층의 표면에, 상기 외부연결선을 부착하기 위한 한 쌍의 전극 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    하나의 기판에 여러 개의 초소형 온도센서를 제작하기 위하여, 상기 전극 패드를 여러 쌍 형성하고, 상기 보호막을 형성하기 전에 한 쌍의 전극 패드가 포함되도록 검지층이 형성된 기판을 절단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 외부연결선을 부착한 뒤에 100∼300℃에 30분간 건조열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 외부연결선을 부착하는 단계 이후에, 검지층의 저항을 설정된 수치 이내로 조절하는 저항 조절 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 저항 조절 단계가 검지층이 형성된 기판의 일부를 절단하여 수행되는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법.
  9. [청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]
    청구항 1에 있어서,
    상기 보호막을 형성하는 단계가 알루미나졸 또는 실리카졸에 디핑하여 수행되는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법.
  10. [청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]
    청구항 1에 있어서,
    상기 보호막을 형성하는 단계 이후에, 보호막 외부로 노출된 외부연결선에 유연성의 폴리아미드, 폴리비닐아세테이트, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리스틸렌, 폴리에테르이미드 중 어느 하나의 폴리머를 코팅하는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서의 제조방법.
  11. 절연성 기판;
    상기 기판 위에 형성된 검지층;
    상기 검지층에 부착된 한 쌍의 외부연결선; 및
    상기 기판과 검지층을 모두 감싸는 보호막으로 구성되며,
    상기 검지층이 V2O5에 Ti, W, In 및 Li 중에 하나의 물질이 5~15 wt% 범위로 첨가된 검지물질 박막이고, 상기 검지층의 저항이 1 MOhm이하의 범위이며,
    상기 기판의 두께가 0.15mm 이하이고, 상기 검지층의 두께가 50㎛ 이하이며, 보호막이 형성된 전체 직경이 0.3mm이하인 규격에서, 0.05℃의 정밀도와 0.1초의 신속성과 고감도 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 청구항 11에 있어서,
    상기 외부연결선이 구리, 알루미늄, 금, 백금 중에 어느 하나 또는 이들의 합금으로 구성되며, 직경이 0.05~0.12mm 범위인 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서.
  17. 청구항 11에 있어서,
    상기 검지층에 상기 외부연결선을 부착하기 위한 한 쌍의 전극패드가 형성된 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서.
  18. 청구항 11에 있어서,
    상기 보호막이 알루미나 또는 실리카 재질이고, 두께가 30~80㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서.
  19. 청구항 11에 있어서,
    상기 보호막 외부로 노출된 외부연결선을 감싸는 유연성 폴리머 코팅을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서.
  20. [청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]
    청구항 11에 있어서,
    상기 외부연결선의 끝에 계측기와의 결선을 위한 터미널 잭이 형성된 것을 특징으로 하는 접촉식 초소형 온도센서.
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