JP4880931B2 - プラットフォームチップを備えるセンサの使用方法 - Google Patents

プラットフォームチップを備えるセンサの使用方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4880931B2
JP4880931B2 JP2005204890A JP2005204890A JP4880931B2 JP 4880931 B2 JP4880931 B2 JP 4880931B2 JP 2005204890 A JP2005204890 A JP 2005204890A JP 2005204890 A JP2005204890 A JP 2005204890A JP 4880931 B2 JP4880931 B2 JP 4880931B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rhodium
iridium
platinum
sensor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005204890A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006030198A (ja
Inventor
ヴィーナント カール−ハインツ
ウルリッヒ カールハインツ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Nexensos GmbH
Original Assignee
Heraeus Sensor Technology GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Sensor Technology GmbH filed Critical Heraeus Sensor Technology GmbH
Publication of JP2006030198A publication Critical patent/JP2006030198A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4880931B2 publication Critical patent/JP4880931B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • G01N27/4075Composition or fabrication of the electrodes and coatings thereon, e.g. catalysts

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Description

本発明は、プラットフォームチップを備えるセンサの使用方法に関する。
DE3504498A1から自動車排気ガス中のガス構成成分の検出のための高温ガスセンサが公知であり、このセンサでは担体上に薄膜半導体センサ及び加熱装置が配置されている。この加熱装置はメアンダ形状であり、半導体センサは櫛状にかみ合っている。
EP0738385B1は内燃機関の熱い脈動性排気ガスに関して十分な機械的及び熱的負荷耐性を有するラムダセンサを記述している。ここではAlの上に白金から成るコンタクトパスが付着剤を介して塗布される。
マテリアル流が加熱されたセンサによってこのセンサのエネルギ消費を介して検出される。高温センサは白金被覆されたチップを含み、例えば450℃までの温度において排気ガスのCO測定のために使用される。より高い温度ではチップが消耗してしまい、それゆえ600℃、とりわけ700℃より上の領域では持続使用には適さない。
とりわけ電極の抵抗乃至は導電率は変化し、そのために測定が不正確かつ使用不能になってしまう。
DE3504498A1 EP0738385B1
本発明の課題は、650℃〜950℃までの領域において検出される例えばO2のようなガス成分を検出又は測定するためにプラットフォームチップ加熱を必要とする又は600℃より上の熱い排気ガスにおいて測定を持続的に行うことができる、ガス濃度検出のためのセンサの使用方法を提供することである。
前記課題は本発明により、前記プラットフォームチップは、外部影響にさらされる第1の導電構造体を有し前記第1の導電構造体は、白金、ロジウム又はイリジウムもしくは白金、ロジウム又はイリジウムの合金から成る塗布物を有し、前記塗布物は、酸化ロジウムまたは酸化イリジウムによってカバーされており、かつ、前記導電体構造の一部分が600℃と950℃との間の高温負荷の下で持続的に安定的な抵抗特性曲線を有し前記センサは、加熱装置を有し、前記加熱装置によって600℃〜950℃に加熱され、燃焼装置制御部の制御のために又は内燃機関の排気ガス再循環の制御のために使用することによって解決される。
本発明の課題は、ガス感応層と接触しているプラットフォームチップ又はセンサの電極がイリジウム、ロジウムもしくは白金、ロジウム又はイリジウム合金もしくは導電性酸化物層を有することによって解決される。これらのセンサはプラットフォームチップであり、このプラットフォームチップの上には感応層が塗布されている。
このためにプラットフォームチップが提供され、このプラットフォームチップは500℃と1100℃との間の温度において1年以内は抵抗特性曲線のとりわけ僅少な変化を示す。とりわけ1000℃までの適用事例では抵抗特性曲線は安定したままであり、センサの機能性は数年間に亘って維持され、950℃までなら数十年間に亘って保持されうる。抵抗特性曲線は所定の温度領域に亘る導電体の電気抵抗を特徴付ける。抵抗特性曲線は導体構造の全ての部分に亘って一定でなければならない。
本発明の基礎となるプラットフォームチップは少なくとも1つの担体、電気的機能パターン及び少なくとも1つの更に別の層を有する電気的構成部材である。この電気的パターンは有利には導電体構造として形成されるか、もしくは、白金又はロジウム又はイリジウムの他に導電性酸化物を有する塗布物である。この更に別の層は有利には感応層又はヒータである。
この電気的パターンは500℃から1100℃までの間の温度において外部影響に対するその耐性によって、とりわけ安定的な抵抗特性曲線によって際立っている。他の任意の導体構造、塗布物又は被覆層はこの耐性を有する必要はないが、ただし例えばマルチセンシティブセンサ又は任意の保護されていないヒータ又は温度センサの更に別の保護されていない導体構造を有するような特別な実施形態の場合は別である。
適当なプラットフォームチップは導電性酸化物から成る被覆層を有するか又は導電性酸化物によってカバーされているイリジウム、ロジウム又は白金から成る被覆層を有する。
更に別の適当なプラットフォームチップは、イリジウム、ロジウム又は白金合金から成る外側被覆層の他に、さらに内部の電気的に絶縁された導体層を有し、この導体層はヒータ及び/又は温度センサとして形成されうる。
有利なイリジウム合金は白金(Pt)、レニウム(Re)又はロジウム(Rh)もしくはPt、Re及びRhの混合物を含む。有利な白金合金は少なくとも5重量%Rh及び/又はIrを含む。酸化イリジウム及び酸化ロジウムは有利な導電性酸化物である。
本発明の中間生成物は白金、ロジウム又はイリジウムもしくは白金、ロジウム又はイリジウムの合金から成る塗布物を有するプラットフォームチップであり、この塗布物の上には導電性酸化物が形成又は塗布される。この塗布物から導体構造がフォトリソグラフィによって構造化される。
このプラットフォームチップの外側被覆層への感応性誘電体の塗布によって独特の高温安定性感応センサが得られる。感応層は外部影響を感知するという特性を有する。この感応層は外部影響に対してオープンであり、それゆえ電極も外部影響から保護しない。
簡単な実施形態では、プラットフォームチップが感応層を有する場合には、このプラットフォームチップは感応センサとして形成されうる。感応層は誘電体として形成され、外部影響の下でその誘電特性が制御可能であることによってセンシティブに作用する。
有利な実施形態では、感応層はガス感応層として形成される。ガス感応層はガスに対して透過的であるという特性を有し、この場合、その電気化学的特性を変化させる。それゆえ、ガス感応層の下にある電極も雰囲気の影響を被ったままである。
これによって高温安定性ガスセンサが提供され、これらのガスセンサでは外部電極にガス感応性誘電体が設けられている。
この装置によって燃焼装置排気ガスからの有害物質が検査され、このためにはガスのタイプに応じて650℃〜950℃までのチップ加熱が必要不可欠である。さらに、例えば内燃機関から排出されるような600℃より上の熱い排気ガスにおける有害ガスは有害物質に関して継続的に検査されうる。
本発明は、燃焼装置又は車両内燃機関のもとめられたパラメータから僅少な環境負荷及び効率に関して動作の最適化を実現することを可能にする。
従って、燃焼装置又は内燃機関の燃焼混合気が常に最適化され、とりわけ車両内燃機関の空気流入領域への部分的な排気ガス再循環のための方法が提供され、この方法では排気ガス及び流入空気から制御によって調整可能な混合気がマシンに供給され、少なくとも1つの排気ガス成分が高温ガスセンサによってもとめられ、燃料量が排気ガスにおけるもとめられた濃度に依存して供給され、測定される排気ガスは500℃より上で測定される。
更に有利には電極は櫛状に互いに向かい合って配置されている。
更に別の有利な実施形態では、電極が白金ロジウム合金を有し、この合金はとりわけロジウム酸化物表皮を形成する。ロジウム酸化物表皮は導電性を有し、更なる酸化又は昇華から白金ロジウム合金を保護する。有利な白金ロジウム合金は5〜50重量%ロジウム、とりわけ10〜20重量%ロジウムを有する。
更に別の有利な実施形態では、高温チップはセンサユニットの他に少なくとも1つの更なる電気回路、とりわけ加熱構造を有する。とりわけ有利には、加熱ユニットの温度は温度センサとして形成された更に別の電気回路によって管理される。加熱装置及び温度センサはパッシベーション層によって保護され、この結果、これらの加熱装置及び温度センサの抵抗特性は高温においても消耗しない。それゆえ、加熱ユニット及び/又は温度センサを形成するためのこれらの電気回路は公知のやり方で形成され、例えば白金から成るメアンダ状の加熱電極として形成される。
以下の本発明による高温センサは600℃より上の温度、とりわけ650℃〜1100℃までの温度、それどころか数十年に亘る持続負荷において800℃〜950℃を耐える。
外部影響にさらされる導電体構造を有するプラットフォームチップにおいて、導電体構造は導電性酸化物を有し及び/又は導電体構造の部分は500℃より上の、とりわけ600℃と950℃との間の高温負荷の下で持続的に安定的な抵抗特性曲線を有する。
白金、ロジウム又はイリジウムもしくは白金、ロジウム又はイリジウムの合金から成る塗布物を有するプラットフォームチップにおいて、この塗布物は導電性酸化物によってカバーされている。
担体上に電気的絶縁層により被覆された導電構造体が配置されているプラットフォームチップにおいて、電気的絶縁性の層の上にイリジウム、ロジウムもしくは白金、ロジウム又はイリジウム合金が塗布されている。
担体上に電気的絶縁層により被覆された導電構造体が配置されているプラットフォームチップにおいて、担体のもう一方の側面上にイリジウム、ロジウムもしくは白金、ロジウム又はイリジウム合金が塗布されている。
担体又は絶縁層上にある電極が感応層と接触して配置されているプラットフォームチップ又は高温安定センサにおいて、電極は白金、ロジウム又はイリジウムもしくは導電性酸化物層を有する。
プラットフォームチップ又は高温安定センサは、複数の導体構造を有する。
プラットフォームチップ又は高温安定センサは、ガス感応ユニットを有する。
600℃と1000℃との間の、とりわけ650℃と950℃との間の温度において持続的に使用するためのセンサの使用において、センサは加熱装置によって600℃〜1000℃に加熱され、又は、燃焼装置制御部の制御のために又は内燃機関の排気ガス再循環の制御のために使用される。
貴金属を有する懸濁液を用いる薄膜の塗布によりプラットフォームチップ又はセンサを製造するための方法において、懸濁液は貴金属粒子を有し、この貴金属粒子は50nm、とりわけ20nmより小さい。
薄膜の第1の部分は貴金属を有する懸濁液による直接塗布によって発生し、この上に通常のPVD法によってより厚い層が発生する。
白金、イリジウム、ロジウムもしくは白金、ロジウム又はイリジウム合金は酸化アルミニウム又はシリコンを有する担体材料の上に直接塗布される。
最終層として導電性酸化物又は導電性酸化物を形成する層が塗布される。
以下において本発明を図面に関する実施例に基づいて説明する。
図1は分解図においてプラットフォームチップを示す。
図示されたセンサは、白金又はイリジウム合金から成るIDK構造2(IDK=inter digitaler Kondensator)の上の活性センサ層1ととりわけ酸化アルミニウムから成る酸化物担体5との間に任意のイリジウム又は白金構造4及びその上にある絶縁層3を有する。これらの任意の導体構造はヒータ及び/又は温度センサとして形成される。
図2は分解図においてプラットフォームチップとして両面に被覆された担体を示す。ここでは担体5の両面が任意の接着層6によって被覆されている。一方の側面には保護層3によりカバーされているヒータ4が付着している。もう一方の側面には接着層6の上に導電パスが付着しており、導電パスはガス感応層1によって被覆されている。
ヒータ4によって感応層1はその理想的な測定温度にまで加熱される。付加的に、温度センサ4がヒータ4の温度管理及び制御に使用される。温度センサ4はヒータと共に1つの層に形成されるか、又は、絶縁層3によってカバーされ、担体5と導体路2との間に配置される。
感応センサの製造のためには、プラットフォームチップが準備され、これらのプラットフォームチップにおいて基板5は温度センサ4によって被覆され、絶縁層3はヒータ4、更なる絶縁層3及びIDK構造2によって被覆され、その後で、最後の作業ステップにおいてこの前もって製造されたプラットフォームチップは特殊な感応性誘電体1によって被覆され、この際に感応センサとしてのその特別な機能を得る。従って、ガス感応層1の最終的な塗布によってガスセンサが完成する。しかし、任意に別の感応層1をプラットフォームチップボディ上に塗布することもできる。これらの別の感応層1はこの場合センサにその固有の感応特性を与える。市販の合金としてIDK構造に対しては白金ロジウム10及び白金ロジウム20が適している。
センサの製造のためには、基板5の上に導電層2が塗布される。場合によっては、この基板は拡散バリアによって被覆され、この土台に金属が付着できるように場合によってはさらに接着層6によって被覆される。有利には、被覆は蒸着又はスパッタ技術及びこれに続くパターンのエッチングによって行われる。同様に、未公開のDE102004015467.8による接着層6の被覆又は形成も適している。ガス感応センサのために、さらにガス感応層1が外側金属層2の上に塗布される。付加的なヒータ4及び保護層3を有する実施形態は応用領域を拡張することができる。
付加的な内部金属層4は実質的に2つの電気的絶縁層3又は5の間に配置される導体装置4から成る。この内部金属層4の一部分はしばしば接続パッドと呼ばれ、層3から外へと突出しており、電流源に接続される。
金属層2又は4の構造はメアンダとして又は互いに噛み合う櫛構造のコンデンサとして形成されうる。内部金属構造層4も全くイリジウム又は白金合金から構成されうる。しかし、カバーされない導体パス2だけは、チップを500℃以上、とりわけ700℃以上の高温での持続的な使用に適応させるために、5μm、とりわけ2μmより下の厚さによって白金又はイリジウム合金として形成しなければならない。
有利な白金合金は0.05〜50重量%ロジウム、有利には5〜20重量%ロジウムを含む。イリジウム合金は有利にはレニウム及び/又はロジウムを含む。このチップは500℃と1000℃との間の温度領域において排気ガス成分の検出に適している。
プラットフォームチップの製造
例1
酸化アルミニウムから成る担体5は未公開のDE102004015467.8に記載のイリジウム又は白金懸濁液により多重懸濁液塗布及びこれに続く乾燥によって0.7μmの層厚まで被覆される。これに続いてロジウム懸濁液の一回だけの塗布が行われる。このロジウム懸濁液の乾燥及び焼き付けの後で金属層2から成るパターン2が発生される。このパターン2はフォトリソグラフィックな方法による公知のエッチング方法によって又はレーザによる書き込みによって発生されうる。こうして導体パス2が生成され、この導体パス2は互いに噛み合う向かい合った櫛2の形状で形成されうる。抵抗特性曲線は大量生産において一定のままである。
例2
酸化アルミニウムから成る担体5は未公開のDE102004015467.8に記載のイリジウム又は白金懸濁液により多重懸濁液塗布及びこれに続く乾燥によって1μmの層厚まで被覆される。例1に従って金属層2にパターン4が生成される。こうして導体パス4が発生され、この導体パス4はメアンダ4又は互いに噛み合う向かい合った櫛4の形状で形成されうる。この導体パスは電気的絶縁材料3によって被覆される。この絶縁層3上にはまた担体5上の先のような導体パス4が発生される。更に別の絶縁3が行われ、これに続いて導体パスの新たな塗布が行われる。最も外側の導体パス上にロジウム懸濁液の一回だけの塗布が行われ、これに続いて例1の場合と同じステップが行われる。
例3
酸化アルミニウムから成る担体5は電子ビーム蒸着のPVD方法によって全面的に白金により被覆される。この被覆層4はリソグラフィによるエッチング方法によって加熱メアンダ4に構造化される。これに続いて金属酸化物及びガラスセラミックから成る高温安定層による封止3が行われる。担体5のもう一方の側面では有利には金属酸化物から成る全面的な絶縁層6が塗布される。次いで、電子ビーム蒸着によって白金ロジウム合金が塗布され、この白金ロジウム合金はフォトリソグラフィ及びエッチング方法によって電極櫛2に構造化される。次いで外側酸化物層を形成するために高温処理が行われる。
例4
例3に類似するが、以下の差異を有する。すなわち、金属酸化物層6又はセラミック5への改善された付着剤として、DE102004015467.8記載の貴金属懸濁液が塗布され及び焼き付けられる。
例1〜4により製造されるプラットフォームチップは500℃〜1000℃までの高温領域における持続適用事例においてその抵抗特性曲線の変化をほとんど示さず、とりわけ600℃と900℃との間の高温適用事例における複数年に亘って持続する高い機能性を可能にする。
感応センサの製造
例5
例1〜4のうちの1つにより製造されるプラットフォームチップの外側パターン2は、例えば酸化ガリウムベースにおいて特殊な感応性材料1によって被覆される。ガス感応性材料1による被覆1により、このガスセンサの基礎となるプラットフォームチップの長期間持続する機能性を有するガスセンサが生じる。
これらのセンサは排気ガス流を測定するのに適しており、とりわけ内燃機関の排気ガス再循環の制御に使用されうる。従って、これらのセンサは、一方では燃料のエネルギをより良く利用し、他方で排気ガス中の有害物質を減少させることに寄与する。担体材料の選定は、センサが650℃、750℃、850℃又はこれより上で動作されるかどうかに従う。有利にはチップはプラットフォームチップとして形成される。これらは、セラミック、酸化アルミニウム、ガラス、サファイア、結晶質の石英又は電気的に絶縁された金属から成る表側の面及び/又は裏側の面がヒータ及び/又は温度センサによって被覆されていることによって際立っている。
一般によく行われている被覆方法の他にもまだ未公開のDE102004015467.8の被覆方法も適している。
分解図においてプラットフォームチップを示す。 分解図においてプラットフォームチップとして両面に被覆された担体を示す。
符号の説明
1 活性センサ層
2 IDK構造
3 絶縁層、保護層
4 イリジウム又は白金構造、金属層、ヒータ
5 担体、基板
6 接着層

Claims (4)

  1. プラットフォームチップを備えるセンサの使用方法であって
    前記プラットフォームチップは、外部影響にさらされる第1の導電構造体(2)を有し
    前記第1の導電構造体(2)は、白金、ロジウム又はイリジウムもしくは白金、ロジウム又はイリジウムの合金から成る塗布物(2)を有し、前記塗布物は、酸化ロジウムまたは酸化イリジウムによってカバーされており、かつ、前記導電体構造(2)の一部分が600℃と950℃との間の高温負荷の下で持続的に安定的な抵抗特性曲線を有し
    前記センサは、加熱装置(4)を有し、前記加熱装置(4)によって600℃〜950℃に加熱され、燃焼装置制御部の制御のために又は内燃機関の排気ガス再循環の制御のために使用されることを特徴とする、
    センサの使用方法。
  2. 担体(5)上に電気的絶縁層(3)により被覆された第2の導電構造体(4)は前記加熱装置(4)であり
    前記電気的絶縁層(3上にイリジウム、ロジウムもしくは白金ロジウム、白金イリジウム、白金、ロジウム又はイリジウム合金が塗布されていることを特徴とする、請求項1記載のセンサの使用方法。
  3. 前記担体(5)の、前記第2の導電構造体(4)が配置された面の反対側の面上にイリジウム、ロジウムもしくは白金、ロジウム又はイリジウム合金が塗布されていることを特徴とする、請求項2記載のセンサの使用方法。
  4. 前記プラットフォームチップには、担体(5)又は絶縁層(3)上にある第1の導電構造体(2)が前記ガス感応層(1)と接触して配置されており
    前記第1の導電構造体(2)は白金の他にさらに、ロジウム又はイリジウムもしくは酸化ロジウムまたは酸化イリジウムからなる導電性酸化物層を有することを特徴とする、請求項1記載のセンサの使用方法。
JP2005204890A 2004-07-14 2005-07-13 プラットフォームチップを備えるセンサの使用方法 Expired - Fee Related JP4880931B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004034192A DE102004034192A1 (de) 2004-07-14 2004-07-14 Hochtemperaturstabiler Sensor
DE102004034192.3 2004-07-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006030198A JP2006030198A (ja) 2006-02-02
JP4880931B2 true JP4880931B2 (ja) 2012-02-22

Family

ID=35612851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005204890A Expired - Fee Related JP4880931B2 (ja) 2004-07-14 2005-07-13 プラットフォームチップを備えるセンサの使用方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7893510B2 (ja)
JP (1) JP4880931B2 (ja)
DE (1) DE102004034192A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006062053A1 (de) * 2006-12-29 2008-07-03 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements für Gasgemische
US7954230B2 (en) * 2007-11-29 2011-06-07 Delphi Technologies, Inc. Method for making soot sensor
DE102007059652A1 (de) * 2007-12-10 2009-06-18 Eads Deutschland Gmbh Gassensor mit einer verbesserten Selektivität
DE102013202980A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Regeneration eines Partikelsensors
FR3011331B1 (fr) * 2013-10-01 2017-02-17 Univ Aix Marseille Capteur a gaz a couche sensible chauffee
DE102015222315A1 (de) * 2015-11-12 2017-05-18 Robert Bosch Gmbh Gassensor und Verfahren zur Detektion eines Gases
US11150140B2 (en) * 2016-02-02 2021-10-19 Kla Corporation Instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications
CN109983328B (zh) 2016-11-23 2022-03-18 罗伯特·博世有限公司 气体传感器和用于探测气体的方法
CN109884128A (zh) * 2019-03-19 2019-06-14 西安邮电大学 一种基于激光烧蚀平面叉指电极气体传感器的制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2928496A1 (de) * 1979-07-14 1981-01-29 Bosch Gmbh Robert Elektrochemischer messfuehler fuer die bestimmung des sauerstoffgehaltes in gasen
DE3504498A1 (de) 1985-02-09 1986-08-14 Drägerwerk AG, 2400 Lübeck Gassensor mit mehreren sensorelementen
JPH0713611B2 (ja) * 1987-02-25 1995-02-15 帝人株式会社 免疫センサ及び免疫検出方法
JPH02263148A (ja) * 1988-12-27 1990-10-25 Kurabe:Kk 一酸化炭素ガス検出素子
JPH0389154A (ja) * 1989-08-31 1991-04-15 Hitachi Ltd 溶存ガスセンサおよび該センサの溝形成方法
JP3087978B2 (ja) * 1991-11-29 2000-09-18 フィガロ技研株式会社 ガスセンサ
DE59409959D1 (de) 1994-01-05 2001-12-20 Heraeus Electro Nite Int Elektrisch leitende verbindung
JP3075070B2 (ja) * 1994-03-18 2000-08-07 富士電機株式会社 一酸化炭素ガスセンサ
SE503265C2 (sv) * 1994-09-23 1996-04-29 Forskarpatent Ab Förfarande och anordning för gasdetektion
DE4437692A1 (de) * 1994-10-21 1996-04-25 Fraunhofer Ges Forschung Kohlendioxid-Sensor
DE19756894A1 (de) * 1997-12-19 1999-07-01 Siemens Ag Gassensor und Verfahren zur Messung von Sauerstoff in Gasgemischen
DE60130720T2 (de) * 2000-07-31 2008-07-17 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya Mehrschicht-Gassensorelement und das Gassensorelement enthaltender Gassensor
US20020108870A1 (en) * 2000-12-12 2002-08-15 Thoreson Thomas R. Nitrogen oxide sensor and method for detecting nitrogen oxides
US20020117397A1 (en) * 2000-12-15 2002-08-29 Anderson Conrad H. Exhaust oxygen sensor electrode formed with organo-metallic ink additives
US6579435B2 (en) * 2000-12-18 2003-06-17 Delphi Technologies, Inc. Gas sensor
US20020139670A1 (en) * 2000-12-18 2002-10-03 Beckmeyer Richard F. Slip method for making exhaust sensors
JP3873753B2 (ja) 2002-01-25 2007-01-24 松下電器産業株式会社 ガスセンサ
US6709558B2 (en) * 2002-05-08 2004-03-23 Delphi Technologies, Inc. Gas sensor
JP2003328848A (ja) * 2002-05-16 2003-11-19 Honda Motor Co Ltd 排ガスセンサの素子温を制御する装置
JP4231733B2 (ja) * 2002-05-27 2009-03-04 新光電気工業株式会社 硫黄検出センサ及び硫黄検出装置
JP3873848B2 (ja) * 2002-08-26 2007-01-31 松下電器産業株式会社 Co警報機
JP2004093250A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Yazaki Corp 限界電流式酸素センサ及び酸素濃度の測定方法
DE102004015467B4 (de) 2004-03-26 2007-12-27 W.C. Heraeus Gmbh Elektrodensystem mit einer Stromdurchführung durch ein Keramikbauteil

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004034192A1 (de) 2006-02-09
US7893510B2 (en) 2011-02-22
JP2006030198A (ja) 2006-02-02
US20060170015A1 (en) 2006-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4880931B2 (ja) プラットフォームチップを備えるセンサの使用方法
US5783154A (en) Sensor for reducing or oxidizing gases
JP3175890B2 (ja) 温度センサ
KR101931044B1 (ko) 통합 온도 제어 및 온도 센서를 가지는 복합형 전위차 가스 센서 어레이
US6812821B2 (en) Humidity sensor
US20190353607A1 (en) Gas sensor
US20070062812A1 (en) Gas sensor and method for the production thereof
JPH0843340A (ja) 高感度シリコンに基づくマイクロカロリメータの及びその製造方法
US20180328832A1 (en) Sensor for detecting electrically conductive and/or polarizable particles and method for adjusting such a sensor
US20020040598A1 (en) Humidity sensor
GB2046921A (en) Measuring sensor for determining the constituents of flowing gases
JPH1151899A (ja) 酸素センサ素子
JP2020515858A (ja) ガスパラメータを決定するセンサ
WO2000074082A1 (en) Resistive hydrogen sensing element
JP3485151B2 (ja) 接触燃焼式ガスセンサ
JPS6145962A (ja) 限界電流式酸素センサ
JP2007017217A (ja) 薄膜ガスセンサ
JP2851632B2 (ja) 電気化学的素子
JP2002156355A (ja) ガスセンサ素子及びこれを備えるガス濃度測定装置
RU2114422C1 (ru) Полупроводниковый датчик газов
JP3696494B2 (ja) 窒素酸化物センサ
JPH0220681Y2 (ja)
JPWO2003102974A1 (ja) 白金薄膜および熱式センサ
JP2955583B2 (ja) ガスセンサ用検知素子
US20030029861A1 (en) Heating device, in particular for a sensor element for the analysis of gases

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100924

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101224

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110803

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111101

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111125

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees