RU2513654C2 - Термометр сопротивления - Google Patents

Термометр сопротивления Download PDF

Info

Publication number
RU2513654C2
RU2513654C2 RU2012124608/28A RU2012124608A RU2513654C2 RU 2513654 C2 RU2513654 C2 RU 2513654C2 RU 2012124608/28 A RU2012124608/28 A RU 2012124608/28A RU 2012124608 A RU2012124608 A RU 2012124608A RU 2513654 C2 RU2513654 C2 RU 2513654C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thin
sensitive element
copper
mcm
thermistor
Prior art date
Application number
RU2012124608/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012124608A (ru
Inventor
Светлана Владимировна Логинова
Наталия Николаевна Москалева
Инесса Игоревна Резчикова
Борис Васильевич Тимофеев
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники" filed Critical Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение измерительной техники"
Priority to RU2012124608/28A priority Critical patent/RU2513654C2/ru
Publication of RU2012124608A publication Critical patent/RU2012124608A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2513654C2 publication Critical patent/RU2513654C2/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/186Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer using microstructures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в приборостроении, в технологии изготовления пленочных термометров сопротивления с температурным коэффициентом сопротивления платины. Заявлен термометр сопротивления, содержащий изолирующую подложку, адгезионный слой из тугоплавкого металла, тонкопленочный чувствительный элемент из меди толщиной 1,5-2,5 мкм, защитные слои и контактные площадки. Тонкопленочный чувствительный элемент и контактные площадки расположены на адгезионном слое. Защита терморезистора и контактных площадок выполнена из тугоплавкого металла толщиной 0.09-0.1 мкм с областью перекрытия 2-6 мкм по периметру элементов и из слоя неорганического диэлектрика, в котором в области контактных площадок сформированы "окна" для контактных узлов, куда нанесен токопроводяший слой. Зона перекрытия токопроводяшего узла с терморезистором составляет 0,1-0,5 мм, а по остальному периметру контактной площадки - 15-20 мкм. Тонкопленочный чувствительный элемент выполнен из меди с добавкой никеля, концентрацией от 0,01 до 0,2 процента от массы. Технический результат - повышение точности определения температуры. 3 ил.

Description

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в приборостроении в технологии изготовления термометров сопротивления с заданным температурным коэффициентом сопротивления (α).
Известен чувствительный элемент термометра сопротивления (ЧЭ) (патент №2222790 RU, 27.01.2004 г.), который выполнен в виде многослойной структуры Сu-Сr-Сu с температурным коэффициентом сопротивления - 3,90 10-3 1/гр.
Недостатком известного ЧЭ является температурный коэффициент сопротивления величиной только 3,90 10-3 1/гр.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является термометр сопротивления с α=4,05 10-3 1/гр. (патент №2158419 RU, 27.10.2000 г.), содержащий тонкопленочный, медный чувствительный элемент термометра сопротивления с защитными слоями, снабженный контактами из меди и расположенный на поверхности изолирующей подложки, у которого терморезистор и контактные площадки расположены на адгезионном слое из тугоплавкого металла, защита терморезистора и контактных площадок выполнена из тугоплавкого металла толщиной 0.09-0.1 мкм с областью перекрытия 2-6 мкм по периметру элементов и из слоя неорганического диэлектрика, в котором в области контактных площадок сформированы "окна" для контактных узлов, куда нанесен токопроводяший слой, причем зона перекрытия токопроводяшего узла с терморезистором составляет 0,1-0,5 мм, а по остальному периметру контактной площадки - 15-20 мкм.
Недостатком известного термометра сопротивления является ограничение его применения в измерительных системах, где используются платиновые термометры сопротивления с α величиной (3,91±0,05) 10-3 1/гр. и (3,85±0,05) 10-3 1/гр.
Технический результат, создаваемый изобретением, состоит в получении хорошо воспроизводимого и стабильного значения α с величиной (3,91±0,05) 10-3 1/гр. и (3,85±0,05) 10-3 1/гр. и Ro, соответствующим значениям, указанным в ГОСТе для платины и замене платиновых термометров сопротивления, изготовленных из драгметалла, в диапазоне температур: -200°С до +200°С.
Указанный технический результат достигается тем, что в термометре сопротивления, содержащем тонкопленочный медный ЧЭ с защитными слоями, снабженный контактами из меди и расположенный на поверхности изолирующей подложки, у которого терморезистор и контактные площадки расположены на адгезионном слое из тугоплавкого металла, защита терморезистора и контактных площадок выполнена из тугоплавкого металла толщиной 0,09-0,1 мкм с областью перекрытия 2-6 мкм по периметру элементов и из слоя неорганического диэлектрика, в котором в области контактных площадок сформированы "окна" для контактных узлов, куда нанесен токопроводящий слой, причем зона перекрытия токопроводящего узла с терморезистором составляет 0,1-0,5 мм, а по остальному периметру контактной площадки - 15-20 мкм, ЧЭ выполнен в виде меди с добавкой никеля. Содержание никеля в зависимости от необходимого α - (3,91±0,05)·10-3 1/гр. или (3,85±0,05)·10-3 1/гр. колеблется от 0,01 до 0,2 мас.%.
Изобретение поясняется фиг.1, 2 и 3. На фиг.1 и 2 показан термометр сопротивления, вид сверху и сбоку соответственно.
Термометр сопротивления представляет собой подложку 1 из изоляционного материала (например, ситалл, сапфир, поликор), на которой на адгезионном слое 2 расположен ЧЭ 3, выполненный в виде меди с добавкой никеля в форме меандра 4, снабженный подстроечными шунтирующими перемычками 5, и контактные площадки 6. Сверху ЧЭ покрыт защитным слоем хрома 7 толщиной 0,09-0,1 мкм и слоем неорганического диэлектрика, диоксида кремния 8, в котором вскрыты "окна", куда нанесен проводящий слой никеля или золота для контактного узла.
В процессе изготовления на подложку 1 методом магнетронного распыления в вакууме наносят подслой хрома и резистивную смесь меди с никелем толщиной не менее 1,5 мкм, при этом концентрация никеля в меди в зависимости от необходимого α (3,91±0,05)·10-3 1/гр. или (3,85±0,05)·10-3 1/гр. колеблется от 0,01 до 0,2 мас.%. Методом контактной фотолитографии формируют терморезистор 3 и контактные площадки 6, проводят термостабилизирующий отжиг. Затем с помощью магнетронного распыления наносят защитный слой хрома 7 толщиной 0,09-1,0 мкм и методом фотолитографии формируют меандр и контактные площадки с перекрытием 2-6 мкм по периметру элементов. После этого наносят слой неорганического диэлектрика - диоксида кремния 8 и методом фотолитографии формируют «окна» в области контактных площадок. Далее ионноплазменным распылением наносят проводящий слой никеля, методом фотолитографии формируют контактный узел и облуживают. Следующий этап включает подгонку в номинал ЧЭ с помощью лазера, разделение подложки на модули (кристаллы) путем механического скрайбирования и пайку токовыводов. После монтажа и подгонки на термометр сопротивления наносится слой органического покрытия для защиты его от воздействия окружающей среды.
На фиг.3 приведена зависимость температурного коэффициента сопротивления от концентрации никеля в меди для пленок, толщиной (1,5-2,5) мкм, на подложке из сапфира, полученная экспериментальным путем. Исходя из полученного результата, определили необходимую концентрацию никеля в меди (0,01-0,2) мас.%, соответствующей α - (3,96-3,8)·10- 1/гр.
Проведенные исследования и испытания термометров сопротивления на основе меди с добавкой никеля показали, что разработанная конструкция позволяет получить хорошо воспроизводимые и стабильные значения α (3,91±0,05)·10-3 1/гр. или (3,85±0,05)·10-3 1/гр. и Ro, соответствующим значениям, указанным в ГОСТе. Температурное (100 ч при 180°С) воздействие на датчики не привело к изменениям значений Ro и α.
Изготовление разработанных термометров сопротивления может осуществляться серийно по групповой технологии при минимальных затратах ручного труда.
Термометры сопротивления могут быть использованы для измерения и регулирования температуры поверхности элементов конструкций, спокойных газов и потока жидкости в трубопроводах малого диаметра в диапазоне температур: -200°С до +200°С.

Claims (1)

  1. Термометр сопротивления, содержащий изолирующую подложку, адгезионный слой из тугоплавкого металла, тонкопленочный чувствительный элемент из меди толщиной 1,5-2,5 мкм, защитные слои и контактные площадки, тонкопленочный чувствительный элемент и контактные площадки расположены на адгезионном слое, защита терморезистора и контактных площадок выполнена из тугоплавкого металла толщиной 0.09-0.1 мкм с областью перекрытия 2-6 мкм по периметру элементов и из слоя неорганического диэлектрика, в котором в области контактных площадок сформированы "окна" для контактных узлов, куда нанесен токопроводяший слой, причем зона перекрытия токопроводяшего узла с терморезистором составляет 0,1-0,5 мм, а по остальному периметру контактной площадки - 15-20 мкм, отличающийся тем, что тонкопленочный чувствительный элемент выполнен из меди с добавкой никеля, концентрацией от 0,01 до 0,2 процента от массы.
RU2012124608/28A 2012-06-14 2012-06-14 Термометр сопротивления RU2513654C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012124608/28A RU2513654C2 (ru) 2012-06-14 2012-06-14 Термометр сопротивления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012124608/28A RU2513654C2 (ru) 2012-06-14 2012-06-14 Термометр сопротивления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012124608A RU2012124608A (ru) 2013-12-20
RU2513654C2 true RU2513654C2 (ru) 2014-04-20

Family

ID=49784592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012124608/28A RU2513654C2 (ru) 2012-06-14 2012-06-14 Термометр сопротивления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2513654C2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104807554A (zh) * 2015-03-03 2015-07-29 江苏多维科技有限公司 一种铜热电阻薄膜温度传感器芯片及其制备方法
RU2756800C1 (ru) * 2020-12-08 2021-10-05 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Сверхпроводящий термометр сопротивления
RU220876U1 (ru) * 2023-07-10 2023-10-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" (ОмГТУ) Комбинированный электрод экг-температура

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2030473C1 (ru) * 1991-07-01 1995-03-10 Национальный Научный Центр "Харьковский Физико-Технический Институт" Сплав на основе меди
RU2065143C1 (ru) * 1993-08-31 1996-08-10 Товарищество с ограниченной ответственностью "Эльф LТD." Датчик температуры
RU2158419C1 (ru) * 1999-11-04 2000-10-27 Научно-производственное объединение измерительной техники Датчик температуры
RU2256160C1 (ru) * 2004-02-18 2005-07-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова" Чувствительный элемент термометра сопротивления

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2030473C1 (ru) * 1991-07-01 1995-03-10 Национальный Научный Центр "Харьковский Физико-Технический Институт" Сплав на основе меди
RU2065143C1 (ru) * 1993-08-31 1996-08-10 Товарищество с ограниченной ответственностью "Эльф LТD." Датчик температуры
RU2158419C1 (ru) * 1999-11-04 2000-10-27 Научно-производственное объединение измерительной техники Датчик температуры
RU2256160C1 (ru) * 2004-02-18 2005-07-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова" Чувствительный элемент термометра сопротивления

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104807554A (zh) * 2015-03-03 2015-07-29 江苏多维科技有限公司 一种铜热电阻薄膜温度传感器芯片及其制备方法
WO2016138840A1 (zh) * 2015-03-03 2016-09-09 江苏多维科技有限公司 一种铜热电阻薄膜温度传感器芯片及其制备方法
EP3267165A4 (en) * 2015-03-03 2018-11-07 Multidimension Technology Co., Ltd. Copper thermal resistance thin film temperature sensor chip, and preparation method therefor
RU2756800C1 (ru) * 2020-12-08 2021-10-05 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Сверхпроводящий термометр сопротивления
RU220876U1 (ru) * 2023-07-10 2023-10-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" (ОмГТУ) Комбинированный электрод экг-температура

Also Published As

Publication number Publication date
RU2012124608A (ru) 2013-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2310819B1 (en) Thermocouple for gas turbine environments
EP2902761B1 (en) Temperature sensor
RU2668087C2 (ru) Планарный нагревательный элемент с резисторной структурой с положительным ткс
US9291543B1 (en) PC board mount corrosion sensitive sensor
EP2894447B1 (en) Temperature sensor
KR20140128395A (ko) 플렉시블 온도 및 스트레인 센서들
US8106740B2 (en) Resistance thermometer
JP2018508781A (ja) 銅熱抵抗薄膜温度センサチップおよびその製造方法
RU2513654C2 (ru) Термометр сопротивления
JP2001510562A (ja) セラミックサブストレート上に少なくとも二つの接続接触フィールドを有する電気抵抗体およびその製造方法
US4100524A (en) Electrical transducer and method of making
RU2158419C1 (ru) Датчик температуры
Wang et al. Design and batch preparation of a high-performance temperature sensor for new energy vehicles using platinum film
KR19980080155A (ko) 박막 부재를 구비한 센서
KR20150091479A (ko) 기류 센서
RU2222790C2 (ru) Датчик температуры
CN102539004A (zh) 一种温度传感器的制作方法
KR101848764B1 (ko) 초소형 온도센서 및 그 제조방법
JP5029885B2 (ja) 薄膜サーミスタ素子及びその製造方法
RU2537754C1 (ru) Способ изготовления датчиков температуры и теплового потока (варианты)
RU2646545C1 (ru) Полупроводниковый резистор
JP2021060399A (ja) 抵抗温度計のセンサ素子およびセンサ素子用の基材
RU78933U1 (ru) Термометр сопротивления (варианты)
EP0905494A2 (de) Hochtemperatursensor
RU2017138542A (ru) Комбинированный микронагреватель и термометр сопротивления для планарных чувствительных элементов газовых сенсоров