JP2001510562A - セラミックサブストレート上に少なくとも二つの接続接触フィールドを有する電気抵抗体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明の迅速な応答時間を有する温度依存性の測定抵抗は、少なくとも一部セラミックサブストレートの電気絶縁性表面上に配置され、導電路の一部がサブストレートの切除部を橋絡的に跨ぎ、当該導電路の残部がサブストレートの縁部領域において切除部に隣接して接続接触フィールドを備えている。導電路は白金または金層より成り、そして部分的にガラスより成る被覆層を備えており、接続接触領域は開放されている。他の実施形態においては、導電路は接続接触フィールドと一緒に絹紗スクリーン印刷ガラス膜体またはＰＶＤ法により被着された薄膜膜体上に被着される。これらの膜体はセラミックサブストレートの表面を覆い、切除部を跨ぐ。被着層は、ガラス膜体の場合同様に絹紗スクリーン印刷法で選択的に被着される。薄膜膜体の場合、被着層はＰＶＤ法により選択的にＰＶＤ法により被着され、薄膜膜体と同材料とし得る。セラミックサブストレートは、好ましくは酸化アルミニウムから成るのがよい。

Description

【発明の詳細な説明】 セラミックサブストレート上に少なくとも二つの接続接触 フィールドを有する電気抵抗体およびその製造方法 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電気抵抗体に関し、特定すると、速い応答時間の温度依存性測定抵 抗体であって、サブストレートの電気絶縁性表面上に配置された少なくとも二つ の接続接触フィールドを有する導電路を備え、導電路の一部がサブストレートの 少なくとも切除部を跨ぎかつ当該導電路が平面内に配置された速い応答時間の温 度依存性抵抗体、ならびにその製造方法に関する。 ［発明の背景］ DE 39 27 735 A1から、温度感知性の薄膜抵抗体を有する温度測定装置（放射 サーモメータ）が周知であるが、この薄膜抵抗体は蛇行形状に合成物質箔上に被 着され、これがサブストレート物質の凹所上に張られている。サブストレートと しては、導電体板またはエポキシド樹脂より成る支持体が用意されている。 この種の温度測定装置は、合成樹脂の熱的負荷容量が僅少なため、２００℃以 下の温度をもつ環境における適用にしか適合しない。 さらにDE-OS 23 02 615から、抵抗体材料より成り、これが薄い層として巻回 導電路を形成し、該導電路が薄い箔上に被着されて成る温度依存性の電気抵抗体 が周知である。重合体合成物質から成る箔が、その非積層側で例えば銅より成る 支持体内の切除部を跨ぐが、切除部は、導電路と同じ形状を有し、箔平面に対し て垂直の方向に見てそれと整列される。ここでは、導電路と空所の必要とする精 密な重合せのために高い技術的費用を要する温度測定装置が扱われている。 DE 30 15 356 C2から、電気的切替え装置が厚膜技術で好ましくはセラミック 製の小板状サブストレート上にペーストの印刷で製造されるということが周知で あるが、その活性物質は、金属粉、ガラスまたはガラスセラミック粉末またはガ ラスと金属酸化物の混合物から成る。温度測定用の速い応答性のセンサを製造す るためには、温度感知性厚膜抵抗体が浮動の層上に被着されるが、この浮動の層 は、温度作用下でガス化し得る充填剤を使用してペーストの絹紗スクリーン印刷 で得られ、後で形成される空所を閉鎖する。ここでは、比較的費用の掛かる方法 が扱われている。 さらに、DE 38 29 765 A1または米国特許4,906,965号から、白金温度センサが 周知であるが、この特許にあっては、少なくとも二つの端部を有する白金抵抗体 路が少なくとも一つのセラミックサブストレートの表面上に被着される。製造の ためには、白金導電路が蛇行−ジグザグ型の形式でセラミック片の表面上に被着 され、ついでロールに形成されるが、その際調整の目的で導電路型の観察可能点 間に調整ブリッジをもつ破壊部が用意される。セラミックサブストレートは、被 着された白金抵抗体とともに焼き付けられる。白金抵抗体は、密閉処置により周 囲雰囲気および湿気に対して抵抗に耐える。調整後、付加的に、このために必要 とされる貫通開口および導電路をセラミック積層またはガラスペーストにより密 閉する。 この種の装置にあっては、比較的高い熱容量が問題であることが分かった。す なわち、高い熱容量は、急な温度変動の場合迅速な応答を即座に可能とせず、遷 移機能の経過後初めて正確な測定値を回復する。 速応性の温度フィラーとしての抵抗要素のさらに他の実例形態が、DE 38 29 1 95 A1から周知である。この特許にあっては、抵抗要素は白金ペーストより成る 層状抵抗体として構成される。層状抵抗体はガラスセラミックより成る袋内に取 り付け、これを電気絶縁性セラミック基板上において丸く膨らませる。 ここでは、浮動の丸く膨らませられた抵抗層は、荒い環境で使用される場合衝 突や、圧力や振動のような機械的な負荷に関して問題が見られる。 ［発明が解決しようとする課題］ 本発明の課題は、応答性の速い温度センサのための、外部的機械的負荷に対し て不感知性の抵抗体であって、特に、−１００〜＋８００℃の温度範囲における ガス物質中において迅速に変動する温度に対するセンサとして適合する抵抗体を 提供することである。さらに、この種の温度センサをもって、その応答がミリ秒 範囲にあるミクロ構造を有する迅速なガス物質測定装置が構成されるものである 。 ［発明の概要］ 上述の課題は、本発明に従うと、サブストレートをセラミックまたはガラスか ら形成し、導電路をサブストレートの縁部領域において切除部に隣接してサブス トレートの電気絶縁性層上に固定することによって解決される。 センサの高寿命が特に有利であることが分かった。 本発明の好ましい実施形態においては、導電路が少なくとも切除部の範囲にお いて蛇行路の形式で形成され、そして蛇行路の各反転部が切除部の縁部領域にお いてサブストレートの電気絶縁性表面上に固定され、他方蛇行路の中間部分が橋 絡的に切除部を跨ぐ。導電路は、好ましい実施形態においては白金層／白金−箔 より成り、１〜６μｍの範囲、好ましくは２．５μｍの厚さを有する。 この場合、構造体の質量が少ないため、測定信号はほとんど慣性なく迅速に変 化する測定パラメータに追従するのが特に有利であることが分かった。 本発明の抵抗配置の他の好ましい形態においては、導電路は金層より成るが、 この場合、金層は１μｍ〜８μｍの範囲、好ましくは２μｍ〜３μｍの範囲の厚 さを有するのがよい。構造化された金層の製造が特に有利であることが分かった 。何故ならば、ガルバーニの分離法それ自体種々の現在技術の方法に従い精巧な 構造体に向いているからである。 抵抗体装置の他の好ましい形態においては、導電路は、切除部を少なくとも部 分的に覆う平板上の膜体上に被着され、この場合膜体は１μｍ〜５０μｍの厚さ を有する。 この場合、導電路の安定性が高められるのが有利であることが分かった。これ は、特に例えば振動のような強い機械的な応力に際して求められるような場合で ある。 膜体は、ガラス層より成るか、好ましくは薄膜法で被着されるＳｉＯまたはＴ ｉＯ₂層より成るが、前者の場合膜体は１０μｍ〜５０μｍの厚さを有し、後者 の場合、１μｍ〜１０μｍ、そして好ましくは２μｍの厚さを有する。比較的薄 い膜体のため、有利なことに僅少な熱的慣性と、そしてそのために迅速な応答性 が保証される。 他の好ましい形態においては、サブストレート上の導電路は、１μ〜５０μの 範囲の厚さを有し、電気的絶縁物質より成る被覆層を装備される。それにより、 導電路は特に刺激的環境において保護されるから、長期間の安定性が高められる 。導電路の被覆層は、１０μｍ〜５０μｍの範囲のガラス被覆層厚を有するガラ スか、薄膜法により被着された層より成るが、後者の場合被覆層は有利にはＳｉ Ｏ層より成り、そしてその厚さは１μｍ〜１０μｍ、好ましくは２μｍである。 比較的薄い被覆層のため、温度測定抵抗体としての迅速応答性が賦与され、そ してその外表面は周囲雰囲気からの侵害に対して保護される。 上述の課題はまた、本発明に従うと、セラミックより成るサブストレート内に 切除部を設け、これをガラスペースト、ガラスセラミック、ガラスロート、銀、 インジウム、ニッケルまたは銀ニッケル合金より成る充填物質で充たし、そのよ うにして生じた充填物をサブストレートの外表面と平滑化し、続いて白金または 銀より成る導電路を電気絶縁的に構成されたサブストレート表面の少なくとも一 部に被着し、そして充填物質を腐食除去し、それにより金属導電路が切除部を平 面で橋絡的に跨ぐようにする第１の方法で解決される。 この場合、充填物質としてインジウムを適用するのが特に有利であることが分 かった。何故ならば、インジウムは非常に容易に平滑化せしめられ、４５ｇ／ｌ のＣｅ（ＳＯ₄）₂，１６０ｇ／ｌのＨＮＯ₃、８０ｇ／ｌのＨ₂ＳＯ₄より成る混 合物により好ましくは６０℃の温度で化学的に除去せしめられるからである。 上述の課題はまた、本発明に従うと、セラミックより成るサブストレート内に 切除部を設け、これをガラスペースト、ガラスセラミック、ガラスロート、銀、 インジウム、ニッケルまたは銀ニッケル合金より成る充填物質で充たし、そのよ うにして生じた充填物をサブストレートの外表面と平滑化し、続いて平坦な膜体 を絹紗スクリーン印刷法または薄膜法でサブストレートの表面上に被着し、それ に続いて白金または金より成る導電路をガルバーニ法または薄膜法でガラス膜体 上に被着し、続いて構造化被覆層を導電路上に少なくとも部分的に被着し、そし て最後に切除部に存在する充填物質を腐食除去するという第２の方法で解決され る。ここでも、充填物質としてインジウムの適用がもっともよく適合することが 分かった。 本方法の好ましい形態においては、膜体はガラス膜体として絹紗スクリーン印 刷法で、ＳｉＯより成る薄膜膜体として薄膜法によりサブストレートの表面上に 被着され、そのため好ましいことに通常の積層技術を適用し得る。さらに、構造 化被覆層はガラスとして絹紗スクリーン印刷法でまたはＳｉＯより成る薄膜層と して薄膜法で導電路上に被着される。 本方法の好ましい実施形態においては、サブストレートの厚さの２０〜６０％ の深さ範囲での切除が鋸により施される。しかしながら、切除部をレーザ光によ り切除し、それにより切除部は全サブストレート厚さを包含するようにすること も可能である。このような方法は、有利なことに、抵抗の一連の製造に僅かの模 範的なばらつきで適用され得る。何故ならば、後で行われる充填物の除去のため の化学的な腐食浸食が、非常に保護的に（後方から）行うことができるからであ る。 好ましくは、被覆層としてサブストレートとほとんど同じ膨張係数をもつガラ スペーストが、導電路およびサブストレート上に被着され、５００℃〜１０００ ℃、特に８５０℃〜９２０℃の温度で、連続炉内において約２０分の期間焼き付 けられるのがよい。比較的簡単に一連の製造ができることが有利であることが分 かった。 さらに、好ましくは、導電路は薄膜法により被着され、石版印刷法、イオン腐 食およびホトレジストの除去により構造化されるのがよい。その際、抵抗体の孝 精度を達成し得るのが有利であることが分かった。 しかしながらまた、導電路を予め被着した金属電極上においてガルバーニ法で 抵抗チャンネルにおいて分離（付着）し、金属電極を最終的に化学的または乾式 腐食法で除去することもできる。この場合、平滑された充填物質とサブストレー ト間の割れ目の形成を阻止するように、この方法を低温で満了できるのが有利で あることが分かった。代わりに、導電路はＰＶＤ法によりＰＴで充填し、Lift-O ff技術により続いて分離してもよい。 ［図面の簡単な説明］ 図１は本発明の客体の第１の好ましい具体例を示す斜視図である。 図２は図１のＡ−Ｂ線に沿って切断した図１の構造体の断面図である。 図３は代替方法で製造された抵抗体を示す斜視図で、セラミックサブストレー ト内にレーザ切断による切除部を装入した状態を示す。 図４は本発明の他の好ましい実施例を示す斜視図で、測定抵抗対の白金構造体 を、サブストレート表面上に被着した膜体上に被着した状態を示す。 図５は図４のＣ−Ｃ線に沿って切断した図４の構造体の断面図である。 図６は電圧の上昇の時間的経過を示す（電圧Ｕを時間ｔの関数として示す）グ ラフで、センサには０．０７Ａの電流を供給、時間目盛は曲線（ａ）および（ｂ ）に対しては０．５ｍｓ／ｄｉｖすなわち目盛、曲線（ｃ）に対しては５ｍｓ／ ｄｉｖ、そして曲線（ｄ）に対しては５ｓ／ｄｉｖで示してある。 図７は抵抗体の斜視図で、導電路は白金または金より成る導電路として薄膜膜 体上に被着され、切除部の領域において被覆により不動態化されたものを示す。 図８は図７に従い厚さ１．７μｍの白金蛇行路として導電路をもつ抵抗体に対 する応答時間の実験例を示す（電圧Ｕを時間ｔの関数として示す）。 ［発明を実施するための形態］ 以下図面を参照して、本発明を好ましい具体例について説明する。 図１および図２を参照すると、セラミックサブストレート１は、セラミックま たはガラスの基材上に電気絶縁性表面を有する直方体形状のブロックより成る。 サブストレート１はその中央軸線に沿って切除部３を備え、そして測定抵抗とし て働く導電路４がこの切除部を橋絡的に跨いでいる。しかして、導電路４の一部 はサブストレートの縁部領域において切除部に隣接してサブストレート上に固定 されている。導電路は、そのそれぞれの端部５，６に接続接触領域７を備えてお り、そして該接続接触領域は、電気的評価回路との接続のために役立つ。約２． ５μｍの厚さを有する導電路は、きわめて僅少な熱容量を有するから、切除部３ を渡る範囲において、周囲雰囲気の、すなわち切除部３中を貫流するガス雰囲気 の温度をきわめて迅速に受け止め、そのため温度的変化の迅速な評価または指示 を有利に処理することができる。 さらに有利なことには、白金−箔として構成される導電路上への触媒材料の被 着によってガスを選択的に検知することが可能となる。 ここで、サブストレート１は、９９．６重量％のＡｌ₂Ｏ₃をもつ酸化アルミセ ラミックより成り、０．１〜１．０ｍｍの範囲の厚さを有している。好ましくは 、サブストレートの厚さは、０．６〜０．７ｍｍの範囲にあるのがよい。切除部 ３の幅は、０．５〜１ｍｍの範囲に、その深さは０．１〜０．４ｍｍの範囲にあ るのがよい。導電路４は約２．５μｍの厚さの白金層より成り、そしてこの白金 層上には、サブストレート１の支持範囲に絹紗スクリーン印刷法でガラス被覆層 ８が被着されるが、導電路４の端部５、６はガラス被覆層から解放され、同様に 絹紗スクリーン印刷法により被着された金層が接続−接触領域７として備えられ ている。 製造のためには、０．６〜０．７ｍｍ、好ましくは０．６３５ｍｍの厚さをも つ酸化アルミより成るセラミックサブストレート１内に，０．３ｍｍの深さで０ ．７８ｍｍの幅の切除部３にためにフライイス加工が一線ごとに施される。フラ イス加工部は、種々の形式のガラスペーストを入れた配量注入器によりまず３／ ４のフライス深さまで部分的に充填し、１時間の間１８０℃の温度で乾燥する。 続いて、それを、約８５０℃の範囲の先端温度で加圧空気を貫流する連続炉内に おいて２０分間焼き入れる。その後、フライス加工部の２回目の充填を行い、一 回目の充填におけるのと同じパラメータでガラスペーストの新たな乾燥と新たな 焼付けの後、サブストレート１内のフライス加工部の約０．１〜０．２ｍｍの過 剰充填が持続するようにする。これは、約０．１〜０．２ｍｍの過剰充填物がサ ブストレートの外表面を越えて突出することを意味する。 ついで、なお突出している焼き付けられたガラスペーストを３５０、５００、 ８００、１２００、２４００および４０００の粒度をもつシリコンカーバイドに より湿潤法で研磨し、セラミックサブストレート−ガラスペーストの範囲におけ る遷移部が僅少な不均一を有するように、すなわち１μｍより小さい範囲にある ようにする。顕微鏡観察に際して、セラミックとガラス間に割れ目はもはや認識 できない。割れ目は後続の処理において負に作用することがあり得る。切除部３ の線ごとに施されたフライス削除部の型論理的な一杯の充填は、最終的にガラス の膨張係数に帰すべきものであり、そしてこの膨張係数は観察される温度範囲に おいて℃当たり約７．５×１０^-6辺りにあり、そのためほとんどサブストレート １の使用される酸化アルミニウムセラミックの膨張係数に対応しているのである 。 クリーニングプロセスの後、このそのように充填されたサブストレートを１． ５μｍ〜２．５μｍの厚さのドープされた白金層で蒸着する。続いて現在の技術 により、例えばDE 36 03 785 C2またはDE 42 02 733 C2により周知の方法ステッ プ、例えば石版印刷法、白金のイオン腐食および灰化によるフォトレジストの除 去のような方法ステップが行われる。 顕微鏡検査により、セラミックからガラス板の遷移範囲には１０μｍ〜１５マ イクロｍの範囲の幅をもつ白金導電路が損傷なく存在することが判明した。構造 化後、絹紗スクリーン印刷により適合したガラス被覆層８(例えばFirma W.C．He raeus GmbHのIP 211)ならびに金表面をもつ接続接触フィールドの被着を行う。 利用体セラミックサブストレート上に配置された測定抵抗体は、ついで長鋸によ り個々の部品に分離される。最後に、切除部３より成るガラスペースト充填領域 を正面側から溶かし出す。これは、５０℃の温度で、濃縮ＨＮＯ₃（６５％）で 行う。本方法により製造される温度センサは、例えば次のデータを有する。 Ｒ０＝６．６４ｏｈｍ Ｒ１００＝９．１２ｏｈｍ Ｔｋ＝３７３３ｐｐｍ／Ｋ、この際白金はなお焼き戻されていない。 Ｒ_□＝０．０４３ｏｈｍ（平方抵抗） Ｒ_□は固有抵抗ρと層厚ｄより成る商である（Ｒ＝ρ／ｄ）。 導電路幅：５０μｍ 全導電路長：Ｌ＝８．６ｍｍ センサの応答時間の確認のために、測定アセンブリを使用するが、このアセン ブリにおいては、電流ジェネレータが０．１００Ａの電流信号を０．５ｍｓの時 間内でセンサに切換え供給し、そしてセンサはＴ＝２５℃の温度の周囲雰囲気内 に置く。センサの加熱は、記憶オシロスコープで時間依存性の電圧降下として把 握され、そしてこれから、センサの温度上昇の時間的経過を確認できる。電圧Ｕ_∝ から調整すべき平衡温度を計算することができる。 この方法により製造された温度センサは、０．７３ボルトへの迅速な電圧上昇 を示し、そして加熱の結果として、Ｕ_∝＝０．８６０Ｖへのさらなる温度上昇が 得られる。これは、Ｒ_∝＝８．６０ｏｈｍの抵抗体およびＴ_∝＝７８℃の温度に 対応 する。ΔＴ＝５３℃の温度の急上昇は３．２ｍｓの内に達成された（ｔ５ｏ％） 。 上述の方法に代えて、抵抗路の自由な蛇行路構造体を得るために、Hanke（注 １）およびNor（注２）の著に成るＣＩＢ−テクノロジーに依存するプロセスス テップを利用してもよいし、変形された方法で利用してもよい（ＣＩＢ＝Ｃｈｉ ｐｌｎ Ｂｏａｒｄ）。 注１：Nohr，W.-D;Hanke，G.: Reverse Beam-Lead Interconnection for Ultra High-Speed Multichip Applica tions． 5th International Conference & Exhibition on Multichip Modules，Denver/U SA,17.-19.04．1996． 注２:Hanke，G,;Nohr，W.-D.: A new Chip Interconnection Technic for Ultra High-Speed and Millimeterwa ve Applications． 1996 IEEE MTTS International Microwave Symposium，San Fracisco／USA,June 96． 図３に従いサブストレート開口のレーザ切断の後、化学的な縁部クリーニング の後、薄膜金属被覆Ｃｒ／ＡｕをＰＤＶ法により被着する。続いて、サブストレ ート開口を背面からインジウムで充たす。ついで均一なホトレジスト積層（例え ば６μｍの厚さ）を行い、続いてホトレジストの照射および現像を行う。そのよ うにして露出された導電路を、ここで例えばガルバーニの純金電解液内において 例えば５μｍの厚さに構築する。ホトレジストの除去の後、基礎金属被覆をイオ ン腐食法により、あるいは差腐食法で湿潤的に除去する。最後に、装入されてい るインジューム充填物を化学的に再度溶融除去する。 このプロセスステップは、浮動の白金導電路構造をもつ部品を得るように変更 された。この際には、Ｃｒ／Ａｕの基礎金属被覆は、ＰＤＶ法により被着された ０．０５μｍ〜０．１μｍの白金層により置き換えた。 写真法による構造化プロセスの後、酸性の白金電解液内において１．５μｍ〜 ３μｍ厚の白金導電路構造体をガルバーニ法で分離する。白金構造体はイオン腐 食プロセスにより分離し、最後に、もう一度白金層の焼戻しプロセスを実施する 。その上への被覆層および接触層７，８の被着を上述したところと同様に行った 。 図４は抵抗体の他の具体例を示すもので、この抵抗体にあっては、図１および 図２に従いすでに説明しただい１の具体例と同様に切除部をもつ同じサブストレ ート１が使用される。これらの図のものと異なり、サブストレート１の表面をガ ラスより成る平坦な小板状の膜体１０により被覆するが、この膜体は切除部３を 上方に対して閉鎖する。ついで、この膜体１０上に、導電路４が白金層として被 着されるが、この際図１および図２を参照して説明したと同じように、導電路の 端部５および６は、同様に膜体１０上に被着される接続接触フィールド７とそれ ぞれ結合される。導電路４の構造体は、ガラス被覆層８と同様に絹紗スクリーン 印刷法により被着され、そして膜体１０の全ガラス厚さは１０μｍ〜５０μｍの 範囲にある。 図５は図４のＣＤ線に沿って切断した軸線２に垂直な断面図である。 製造のためには、寸法０．７９ｍｍ×０．２８ｍｍの銀造形線をサブストレー ト寸法に切断し、例えば、Firma W.C．Heraeus GmbH製のType IP 156の９００℃ で完全溶融するガラスペーストにより切除部にほぼ平坦に埋め込む。ついで、被 覆板を二つのクランプによりサブストレート上に固定する。ついで、ガラスペー ストをＴ＝１２０℃の温度で２時間乾燥し、２０分間の期間約９２０℃の先端温 度で焼き付ける。ついで、他のガラスペーストの２回目の絹紗スクリーン印刷を 行い、続いて乾燥し、２０分間の期間８５０℃の先端温度で焼き付けを行う。こ こで、１０μｍ〜５０μｍというすでに前述した膜体１０の全ガラス厚さが得ら れる。ガラス表面のクリーニングの後、続いての個々のサブストレートへの個別 化に至るまで、図１および図２を参照して前述したプロセスに導かれる。 個々の部品は、濃縮硝酸内において５０℃の温度で腐食され、そして銀造形線 は完全に離脱される。この実施例で製造された温度センサは以下のデータを有す る。ここで、白金厚は２μｍである。 Ｒ０＝８．７０ｏｈｍ Ｒ２５＝９．５４ｏｈｍ Ｒ１００＝１１．９７ｏｈｍ Ｔｋ＝３７５４ｐｐｍ／Ｋ Ｒ_□＝０．０５４ｏｈｍ（平方抵抗） 導電路幅：２０μｍ 全導電路長：Ｌ＝３．５ｍｍ 図６を参照すると、第１の実施例に従うのと同様の測定のためのアセンブリが 使用されている。センサはここでは０．０７Ａの電流で作動した。その際、観察 されるセンサにて、０．５ｍｓ内にＵ＝０．６７Ｖへの電圧の急上昇が観察され る。適用している加熱の結果電圧Ｕ_∝＝１．２Ｖに上昇した。これは、Ｒ_∝＝１ ７．１４ｏｈｍの抵抗体およびＴ_∝＝２７９℃の温度に対応する。△Ｔ＝２５４ ℃の温度急上昇は５ｍｓの内に達成される（ｔ５０％）。 図６にはこの実施例において達成された測定曲線が図示されている。６．８ｏ ｈｍの純オーム抵抗では（測定曲線ａ、時間目盛り０．５ｍｓ／ｄｉｖ）、約０ ．５ｍｓの発電に起因する急激変化期間後、それ以上の電圧の上昇はなく、その ため温度の上昇は認識できない。この挙動は、実施例２に従う白金温度センサに おいては根本的に相違している。測定抵抗は、図示される時間測定曲線ｂ）（時 間目盛り：０．５ｍｓ／ｄｉｖ）、ｃ）（時間目盛り：５ｍｓ／ｄｉｖ）および ｄ）（時間目盛り：５ｓ／ｄｉｖ）に従って加熱し、約２７９℃の平衡温度に到 達する。 図７に従う実施例においては、膜体１０はＰＶＤ法により２μｍの厚さで被着 される。加えて、厚さ０．０５μｍの薄いＰｔ電極が同じＰＤＶ法で一緒に被着 される。写真法による構造化プロセスの後、導電路が露出される。導電路は、続 いて酸性Ｐｔ電解液中で約１．８μｍの厚さでガルバーニ法で生成される。フォ トレジストの除去の後、サブストレートは個々のセンサに従い長鋸で割れ目を入 れ、続いてインジウム充填物を、直方体状の空所へと湿潤法で除去する。ここで 、０．１μｍの白金の差別的腐食をイオン腐食プロセスにより実施し、導電路を 電気的に分離する。ついで焼戻しを行う。ここで、被覆層８と同じ厚さの第２の ＳｉＯ層をＰＶＤ法により被着し、ついで、接触面７の絹紗スクリーン印刷を行 う。 この種の抵抗体は、動的試験において図８に示されるような挙動を示す。この センサに対する値は、下記の如くであった。 Ｒ０＝９．１７ｏｈｍ Ｒ１００＝１２．７０ｏｈｍ 温度係数Ｔｋ＝（Ｒ１００−Ｒ０）／１００・Ｒ０＝３８４９・１０^-6Ｋ^-1 提示される電流にて、白金蛇行路は室温から図８に提示される温度に加熱され た。 この電圧急上昇の５０％に達する時間は、同様に図８に提示されており、この 種の抵抗に対してｔ（５０％）＝５ｍｓであった。 この抵抗では、なお２０時間の温度変動試験を実施した。この際、抵抗は、上 述の２０時間の間ｆ＝３０Ｈｚの周波数で電気的に２、１６０，０００回室温か らＴ＝３７０℃の温度まで加熱された。抵抗はこの試験を無事に持ちこたえた。 以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は、ここに説明さ れる実施例に限定されるものでなく、本発明の技術思想から逸脱することなく、 記述される実施例から種々の変更が可能である。それゆえ、本発明は以下の特許 請求の範囲の記載によってのみ限定されるものであることをはっきりと理解され たい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ザンダー，マルギット ドイツ連邦共和国 デー63791 カールシ ュタイン，ハナウアー ラントシュトラー セ 24 (72)発明者 ディートマン，シュテファン ドイツ連邦共和国 デー72221 ハイテル バッハ，ブルネンシュトラーセ 11

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 抵抗体、特に迅速な応答時間の温度センサ用の測定抵抗であって、少 なくとも二つの接続接触フィールドを備え、サブストレートの電気絶縁性表面上 に配置され、導電路の少なくとも一部がサブストレートの切除部を橋絡的に跨ぎ 、当該導電路が平面内に配置され、そして導電路がサブストレートの縁部領域に おいて切除部に隣接してサブストレートの電気絶縁性表面上に固定される前記測 定用抵抗体を製造する方法において、サラミから成るサブストレート（１）に切 除部（３）を設け、これを、ガラスペースト、ガラスセラミック、ガラスロート 、銀、インジウム、ニッケルまたは銀−ニッケル合金より成る充填物質で充たし 、その要にして生じた充填部をサブストレート（１）の外表面と平滑化し、導電 路（４）を１〜６μｍの範囲の厚さを有する白金層／Ｐｔ−箔から、または１〜 ８μｍの範囲の厚さをもつ金層からガルバーニ法でまたは薄膜法で被着し、構造 化被覆（８）を少なくとも部分的に導電路（４）上に被着し、最後に切除部（３ ）に存する充填物質を腐食除去することを特徴とする抵抗体製造方法。 ２． サブストレート上への導電路（４）の被着前に１〜５０μｍの範囲の 厚さをもつ追加の平坦な膜体（１０）を絹紗スクリーン印刷法または薄膜法でサ ブストレートの表面上に被着する請求項１記載の抵抗体製造方法。 ３． 膜体（１０）をガラス膜体として絹紗スクリーン印刷法で、またはＳ ｉＯより成る薄膜膜体としてサブストレートの表面上に被着する請求項２記載の 抵抗体製造方法。 ４． 構造化被覆層（８）をガラスとして絹紗スクリーン印刷法で、または ＳｉＯより成る薄膜層として薄膜法で導電路（４）上に被着する請求項１〜３記 載の抵抗体製造方法。 ５． 切除部（３）がサブストレート（１）の厚さの２０％〜６０％の深さ に設けられる請求項１〜４のいずれかに記載の抵抗体製造方法。 ６． 切除部（３）をレーザ照射により切除し、これを全サブストレート厚 を包するようにする請求項１〜４のいずれかに記載の抵抗体製造方法。 ７． 被覆層としてサブストレート（１）とほぼ同じ温度係数を有するガラ スペーストを導電路（４）およびサブストレート（１）上に被着し、これを５０ ０℃〜１０００℃、特に８５０℃〜９２０℃の範囲の温度で約２０分の期間の間 連続炉内において焼き付ける請求項１〜６のいずれかに記載の抵抗体製造方法。 ８． 充填物質として銀またはニッケルより成る造形バンドまたは両金属の 合金を適用する請求項１〜４のいずれかに記載の抵抗体製造方法。 ９． 導電路（４）を薄膜法で被着し、石版印刷法、イオン腐食およびホト レジストスの除去により構造化する請求項１または２記載の抵抗体製造方法。 １０． 導電路（４）をすでに被着した金属電極上でガルバーニ法で抵抗チ ャンネル内において分離付着し、化学的にまたは乾式腐食法により除去する請求 項１または２記載の抵抗体製造方法。 １１． 導電路（４）を石版印刷法で生成した抵抗チャンネルにおいてＰＤ Ｖ法により分離付着し、ホトレジストを続いて除去する請求項１または２記載の 抵抗体製造方法。