JPS62155529A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
- Publication number
- JPS62155529A JPS62155529A JP29856785A JP29856785A JPS62155529A JP S62155529 A JPS62155529 A JP S62155529A JP 29856785 A JP29856785 A JP 29856785A JP 29856785 A JP29856785 A JP 29856785A JP S62155529 A JPS62155529 A JP S62155529A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- back electrode
- pellet
- thickness
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
２酢】」！■旧１土翫
本発明は半導体装置の検査方法、殊に基板とその上にマ
ウントされた半導体ペレットとの間の半田層の厚みを検
査する方法の改良に関する。
ウントされた半導体ペレットとの間の半田層の厚みを検
査する方法の改良に関する。
従来ｑ挟丘
半導体装置として特にパワー用半導体装置は基板とその
上の半導体ペレットの裏面電極との間の電気的、熱的抵
抗を小さくするために、半田を用い、また、パワーサイ
クルに対処するために半田の厚みを所定の範囲に設定し
ている。一方半導体ベレットを基板上にマウントする際
に、基板上で熔融した半田上に、半導体ペレットを供給
しスクラブして、半田表面の酸化膜を破り、新鮮な半田
面に半導体ペレットを接触させるようにしているが、こ
のため半田厚を正確にコントロールすることが困難であ
った。
上の半導体ペレットの裏面電極との間の電気的、熱的抵
抗を小さくするために、半田を用い、また、パワーサイ
クルに対処するために半田の厚みを所定の範囲に設定し
ている。一方半導体ベレットを基板上にマウントする際
に、基板上で熔融した半田上に、半導体ペレットを供給
しスクラブして、半田表面の酸化膜を破り、新鮮な半田
面に半導体ペレットを接触させるようにしているが、こ
のため半田厚を正確にコントロールすることが困難であ
った。
そこで、ペレットマウントを完了した半導体装置を外装
前に抜き取り、半田膜の厚みが設定範囲内におさまって
いるかどうかを検査しているが、従来は半導体装置を切
断して、その切口に半田層を露出させ厚みを測定するよ
うにしていた。
前に抜き取り、半田膜の厚みが設定範囲内におさまって
いるかどうかを検査しているが、従来は半導体装置を切
断して、その切口に半田層を露出させ厚みを測定するよ
うにしていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、切断面で、半田にブレが生じ、そのため
正確な厚みの測定が困難であった。そのため切断面を研
磨して半田のブレを除去し、半田厚を正確に測定できる
が、非常に作業性が悪く半導体ペレット裏面全面での半
田の厚みを知ることができないという問題があった。
正確な厚みの測定が困難であった。そのため切断面を研
磨して半田のブレを除去し、半田厚を正確に測定できる
が、非常に作業性が悪く半導体ペレット裏面全面での半
田の厚みを知ることができないという問題があった。
□ 占を”ンするための −
そこで本発明は、簡単かつ正確に半田厚の測定が行える
極めて有用な検査方法を提供することを目的としている
。
極めて有用な検査方法を提供することを目的としている
。
かかる目的を達成するため本発明は、半田に対する接着
力がペレット側に対する接着力より大きい裏面電極を有
するダミーペレットを半田を介して基板上にマウントし
た後該ダミーペレットを剥離して、基板上の半田の厚み
を測定することを特徴としている。
力がペレット側に対する接着力より大きい裏面電極を有
するダミーペレットを半田を介して基板上にマウントし
た後該ダミーペレットを剥離して、基板上の半田の厚み
を測定することを特徴としている。
作−匝
基板から簡単に剥離できるダミーペレットを用いて接着
状態を損なうことなく、ダミーペレットを剥離し半田層
の接着面を露出させることができるため、半導体ペレッ
ト裏面全面にわたって半田厚の正確な測定が可能になる
。
状態を損なうことなく、ダミーペレットを剥離し半田層
の接着面を露出させることができるため、半導体ペレッ
ト裏面全面にわたって半田厚の正確な測定が可能になる
。
ｔＪＬ−皿
第１図は本発明の検査方法に用いるダミーペレットを示
す。このペレット１は通常の半導体ペレット（図示せず
）と厚み等の寸法は同じであるが、剥離しやすい裏面電
極を有する点で相異する。
す。このペレット１は通常の半導体ペレット（図示せず
）と厚み等の寸法は同じであるが、剥離しやすい裏面電
極を有する点で相異する。
即ち、例えばシリコンチンプ２の裏面側にニッケル層３
、酸化ニッケル層４を順次積層形成し、更に酸化ニッケ
ル層４上に金又は銀の裏面電極層５を形成している。
、酸化ニッケル層４を順次積層形成し、更に酸化ニッケ
ル層４上に金又は銀の裏面電極層５を形成している。
前記裏面電極層５は半田に対して馴染みが良いが、酸化
ニッケル層４は裏面電極層５である金や銀に対して接着
性が劣る。従って、第２図及び第３図に示すようにリー
ドフレーム又はステム等の基板６の上に前記ダミーペレ
ット１を半田７を用いてマウントした後、ピンセット等
でダミーペレット１をつまみ上げれば、ペレット１は裏
面電極層を残して容易に剥離することができる。この裏
面電極層５の厚みは半田層７の厚みに比べて極めて薄く
無視できるので、第３図に示すように裏面電極層５上か
ら半田７厚みｔをエヤーマイクロメータ又はレーザ干渉
針等の公知装置で測定し、その測定値から半田厚みが設
定範囲内にあるかどうかの判断を行う。
ニッケル層４は裏面電極層５である金や銀に対して接着
性が劣る。従って、第２図及び第３図に示すようにリー
ドフレーム又はステム等の基板６の上に前記ダミーペレ
ット１を半田７を用いてマウントした後、ピンセット等
でダミーペレット１をつまみ上げれば、ペレット１は裏
面電極層を残して容易に剥離することができる。この裏
面電極層５の厚みは半田層７の厚みに比べて極めて薄く
無視できるので、第３図に示すように裏面電極層５上か
ら半田７厚みｔをエヤーマイクロメータ又はレーザ干渉
針等の公知装置で測定し、その測定値から半田厚みが設
定範囲内にあるかどうかの判断を行う。
尚、前記酸化ニッケル層４はニッケル層３の裏面に裏面
電極層５を形成した後０２の雰囲気中でシンターし、ニ
ッケル層３を酸化することにより形成できる。この酸化
ニッケル層４は剥離しやすいよう処理された構造の一例
であって本発明に用いられる半導体ペレットはこの処理
構造に限られるものではないことはいうまでもない。
電極層５を形成した後０２の雰囲気中でシンターし、ニ
ッケル層３を酸化することにより形成できる。この酸化
ニッケル層４は剥離しやすいよう処理された構造の一例
であって本発明に用いられる半導体ペレットはこの処理
構造に限られるものではないことはいうまでもない。
又ユ鬼塑果
以上説明した如く、本発明方法によれば裏面電極が剥離
しやすいよう処理されたダミーペレットを用い、それを
半田で基板上にマウント後剥離し、基板上に残った半田
の厚みを測定することによって検査を行うので、検査の
ための作業性が頗る簡単で、しかもダミーペレットの剥
離によって半田が原型を保って残存しているので、正確
に半田厚の測定を行うことができるといった効果がある
しやすいよう処理されたダミーペレットを用い、それを
半田で基板上にマウント後剥離し、基板上に残った半田
の厚みを測定することによって検査を行うので、検査の
ための作業性が頗る簡単で、しかもダミーペレットの剥
離によって半田が原型を保って残存しているので、正確
に半田厚の測定を行うことができるといった効果がある
第１図は本発明方法に用いるダミーペレットの一例を示
す図、第２図、第３図は本発明方法の手順を説明する図
である。 １・・・ダミーペレット、５・・・裏面電極層６・・・
基板、７・・・半田 第１図 第２図 第３図
す図、第２図、第３図は本発明方法の手順を説明する図
である。 １・・・ダミーペレット、５・・・裏面電極層６・・・
基板、７・・・半田 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 半田に対する接着力がペレット側に対する接着力より大
きい裏面電極を有するダミーペレットを半田を介して基
板上にマウントした後該ダミーペレットを剥離して、基
板上の半田の厚みを測定することを特徴とする半導体装
置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29856785A JPS62155529A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29856785A JPS62155529A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62155529A true JPS62155529A (ja) | 1987-07-10 |
Family
ID=17861415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29856785A Pending JPS62155529A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62155529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110012262A1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Toshiaki Morita | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29856785A patent/JPS62155529A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110012262A1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Toshiaki Morita | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8592996B2 (en) * | 2009-06-30 | 2013-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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