JPS5840836A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5840836A JPS5840836A JP13891181A JP13891181A JPS5840836A JP S5840836 A JPS5840836 A JP S5840836A JP 13891181 A JP13891181 A JP 13891181A JP 13891181 A JP13891181 A JP 13891181A JP S5840836 A JPS5840836 A JP S5840836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- probe
- cleaned
- coat layers
- imperfect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ウェーハ外周部の不完全ペレットのパッド表
面部を、ブロービング針を該パッド表面部に接触させる
ことにより、プロービング針に附着したパッド金属を取
り除くことのできる物質により構成された半導体装置に
関する。
面部を、ブロービング針を該パッド表面部に接触させる
ことにより、プロービング針に附着したパッド金属を取
り除くことのできる物質により構成された半導体装置に
関する。
近年工０のコスト競争は増々激しくなってきており、そ
の製造工程の合理化無人化のテンｌも速まってきている
。そのＩＯの製造工程の中で、ブロービング工程は比較
的早く無人化が進められてきているが、ブロービング針
とパッド表面との接触の問題があり、完全な無人化が成
されない状況にある。又本来電気特性的において良ペレ
ットをプロービング針とパッド表面との接触不良で、不
良と判定するものもある。更にディバイスの高速化に伴
い、その測定技術のポイントとしてブロービング針とパ
ッド表面の接触の問題が重要となってきている。これら
の問題の全ては、プロービング針先端に附着したパッド
金属の酸化物により発生している。その為、かなり頻繁
にプロービング針先端のクリーニングを、テスティング
を中止し行っているのが現状である。本発明はこのよう
な問題を一挙に解決でき、土日曜日休み６５時間以上完
全無人稼動ができ、かつディバイスの高速化にも対処で
き、更に測定の安定性が得られるものである。
の製造工程の合理化無人化のテンｌも速まってきている
。そのＩＯの製造工程の中で、ブロービング工程は比較
的早く無人化が進められてきているが、ブロービング針
とパッド表面との接触の問題があり、完全な無人化が成
されない状況にある。又本来電気特性的において良ペレ
ットをプロービング針とパッド表面との接触不良で、不
良と判定するものもある。更にディバイスの高速化に伴
い、その測定技術のポイントとしてブロービング針とパ
ッド表面の接触の問題が重要となってきている。これら
の問題の全ては、プロービング針先端に附着したパッド
金属の酸化物により発生している。その為、かなり頻繁
にプロービング針先端のクリーニングを、テスティング
を中止し行っているのが現状である。本発明はこのよう
な問題を一挙に解決でき、土日曜日休み６５時間以上完
全無人稼動ができ、かつディバイスの高速化にも対処で
き、更に測定の安定性が得られるものである。
従来の半導体装置は、第１図に示すウェーハ外周部の不
完全ペレットは内部の完全ペレット部の一部分が欠落し
た同一パターンを用いていた。本発明は該不完全ペレッ
トのパッド表面部を、通常な完全ペレットのパッド金属
と異なる物質、例えばオーバーコート膜（Ｓｉｎ、）、
シリコン（ｓｌ）等により構成することにより、ブロー
ビング針先端に耐着したパッド金属及び該パッド金属の
酸化物を、ブロービング針と該パッド金属との接触によ
り取り除き、以降のブロービング針の接触を良くするこ
とにある。
完全ペレットは内部の完全ペレット部の一部分が欠落し
た同一パターンを用いていた。本発明は該不完全ペレッ
トのパッド表面部を、通常な完全ペレットのパッド金属
と異なる物質、例えばオーバーコート膜（Ｓｉｎ、）、
シリコン（ｓｌ）等により構成することにより、ブロー
ビング針先端に耐着したパッド金属及び該パッド金属の
酸化物を、ブロービング針と該パッド金属との接触によ
り取り除き、以降のブロービング針の接触を良くするこ
とにある。
以降に本発明の実施例について説明する。第１図は、ウ
ェーハ全体図であり、斜線部はウェーノ・外周部の不完
全ペレットであり、該不完全ペレットのパッド部の表面
を第２図に示すごとくサブストレートの半導体物質（Ｓ
ｌ）により形成する。
ェーハ全体図であり、斜線部はウェーノ・外周部の不完
全ペレットであり、該不完全ペレットのパッド部の表面
を第２図に示すごとくサブストレートの半導体物質（Ｓ
ｌ）により形成する。
第３図に完全ペレットのパッド部の断面構造図を示す。
又第４図に示すごとく、パッド表面部をオーバコート膜
（ＳｔＯ，）により形成することも、何ら本発明を逸脱
するものでない。本発明のウェーハによりブロービング
作業を行った場合、つ工−ハの右サイドの不完全ペレッ
トによりプローブカードの左側の針先がクリーニングさ
れ、左サイドの不完全ペレットによりプローブカードの
右側の針先がクリーニングされる。本発明により、ブロ
ービング針先の接触に関する問題は激減しており、更に
プロービング針先の研磨間隔は、従来のものと比較する
と飛躍的に向上しており、非常に有効な発明である。
（ＳｔＯ，）により形成することも、何ら本発明を逸脱
するものでない。本発明のウェーハによりブロービング
作業を行った場合、つ工−ハの右サイドの不完全ペレッ
トによりプローブカードの左側の針先がクリーニングさ
れ、左サイドの不完全ペレットによりプローブカードの
右側の針先がクリーニングされる。本発明により、ブロ
ービング針先の接触に関する問題は激減しており、更に
プロービング針先の研磨間隔は、従来のものと比較する
と飛躍的に向上しており、非常に有効な発明である。
第１図はウェーハの平面図、第２図、第３図。
第４図は半導体装置のパッド部の断面図であり、第３図
は従来のパッド部、第２図、第４図は本発明によるパッ
ド部である。図の中の■は完全ペレット、■は不完全ペ
レット、■はオーバコート膜、■は配線用金属、■はフ
ィールド膜、■はサブストレート基板である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１ 巨 Ｊ！Ｊ２旧 昂 ３１ 誂ＬＩ−１
は従来のパッド部、第２図、第４図は本発明によるパッ
ド部である。図の中の■は完全ペレット、■は不完全ペ
レット、■はオーバコート膜、■は配線用金属、■はフ
ィールド膜、■はサブストレート基板である。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１ 巨 Ｊ！Ｊ２旧 昂 ３１ 誂ＬＩ−１
Claims (1)
- 半導体素子となる半導体ペレットからなるつ工−ハに於
いて、外周部の不完全ペレットのプロービング針が当た
るパッド表面部が、通常ペレットのパッド金属と異なっ
た物質により構成されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13891181A JPS5840836A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13891181A JPS5840836A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840836A true JPS5840836A (ja) | 1983-03-09 |
| JPH023544B2 JPH023544B2 (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15233017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13891181A Granted JPS5840836A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840836A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298171A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Tokyo Electron Ltd | ウエハプロ−バ |
| JP2006086244A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006114812A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの特性測定方法および測定装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5324267A (en) * | 1976-08-18 | 1978-03-06 | Nec Corp | Production of beam lead type sem iconductor device |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP13891181A patent/JPS5840836A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5324267A (en) * | 1976-08-18 | 1978-03-06 | Nec Corp | Production of beam lead type sem iconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298171A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Tokyo Electron Ltd | ウエハプロ−バ |
| JP2006086244A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006114812A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの特性測定方法および測定装置 |
| JP4615283B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2011-01-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスの特性測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH023544B2 (ja) | 1990-01-24 |
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